「ion laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a doping system generating plasma (ion), accelerating it by high voltage to form an ion current, irradiating a substrate with it and furthermore, irradiating the substrate with a linear laser beam, and especially suitable for treatment of a wide area substrate.例文帳に追加

プラズマ（イオン）を発生させて、これを高電圧で加速してイオン流を形成し、これを基板に照射し、更に基板に線状レーザー光を照射するドーピング装置において、特に大面積基板を処理するのに適した装置を提案する。 - 特許庁

As to this multicolor film forming method, films different in colors are piles to coat by ≥2 layers by an ion plating method, and a part of the film as the upper layer is removed by an etching method or a laser marking method.例文帳に追加

イオンプレーティング法で色の異なる被膜を２層以上重ねてコーティングし、エッチング法またはレーザーマーキング法で上層の被膜の一部を除去する。 - 特許庁

In this method, a detection part is processed and formed on a thermal link having a membrane structure, and then the membrane is processed directly without a mask by using a focused ion beam, an electron beam, a laser or the like.例文帳に追加

メンブレン構造を持つ熱リンクの上に、検出部を加工、形成した後、集束イオンビーム、電子線、レーザーなどを用いて、メンブレンをマスクなしで直接加工する。 - 特許庁

The laser oscillator has a substrate and a line pattern, which is placed on the substrate, and in which a +trivalent asymmetric type rare-earth ion complex is introduced into at least either of a transparent resin, a transparent inorganic material, and a transparent organic-inorganic hybrid material.例文帳に追加

この性質を利用して、＋３価のランタノイドイオン錯体を含有する組成物を使用した有機レーザーを作製することができると考えられる。 - 特許庁

(b) Argon ion laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 400 nanometers and less than 515 nanometers, with an average output exceeding 40 watts 例文帳に追加

ロ　四〇〇ナノメートル超五一五ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したアルゴンイオンレーザー発振器であって、平均出力が四〇ワットを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The cut surface 38 is subjected to laser annealing to form a coating layer 21 having a single conduction type corresponding to the impurity ion injected in the surface of the cut surface 38.例文帳に追加

切断面３８にレーザアニールを施し、切断面３８の表面に注入された不純物イオンに応じた単一の導電型を有する被覆層２１を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric single crystal substrate which the ion implantation layer has been formed is bonded to a supporting substrate (S102→S103), and THG laser light is emitted from the supporting substrate side (S104).例文帳に追加

イオン注入層が形成された圧電単結晶基板を支持基板に接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、支持基板側からＴＨＧレーザ光を照射する（Ｓ１０４）。 - 特許庁

This coating material comprises an epoxy resin, a hardening agent, a filler, a laser color coupler, an ion trapping agent and a phosphate-based flame retarder, wherein the laser color coupler contains a metallic salt compound and the ion trapping agent contains a zeolite and hydrotalcite.例文帳に追加

エポキシ樹脂、硬化剤、充填材、レーザー発色剤、イオン捕捉剤及びリン酸エステル系難燃剤を含有するレーザー印字用難燃性エポキシ樹脂粉体塗料であって、上記レーザー発色剤は金属塩類化合物を含有し、上記イオン捕捉剤はゼオライト類とハイドロタルサイト類とを含有することを特徴とする、レーザー印字用難燃性エポキシ樹脂粉体塗料。 - 特許庁

Furthermore, laser beams L1 emitted from a laser source 7 are irradiated to a high temperature plasma material 8, and a low temperature plasma gas of an ion density of 10^17-10^20 cm^-3 level is supplied to a narrow discharge channel formed between the electrodes 2a, 2b.例文帳に追加

また、レーザ源７から放出されるレーザビームＬ１が高温プラズマ原料８に照射され、イオン密度が１０^17〜１０^20ｃｍ^-3程度の低温プラズマガスが、電極２ａ，２ｂ間に形成されている細い放電チャンネルに供給される。 - 特許庁

A molecular beam 3 of a measuring-objective molecule is irradiated with a flat laser beam 4 having a major axis in a molecular beam 3 flowing direction as the laser beam 4 for ionization to ionize the measuring-objective molecule, in a laser inonization mass spectrometer wherein the molecular beam 3 is irradiated with the laser beam 4 to ionize the objective molecule, so as to conduct mass spectrometric analysis by detecting an ion current therein.例文帳に追加

レーザー光４を測定対象分子の分子ビーム３に照射して、前記測定対象分子をイオン化してそのイオン電流を検知して質量分析を行うレーザーイオン化質量分析装置において、前記イオン化のためのレーザー光４として、前記分子ビーム３の流れ方向に長軸を有する偏平なレーザー光を前記分子ビームに照射して、イオン化を行う。 - 特許庁

This RNA sequence determination method comprises subjecting a sample containing RNA to a Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization Time-of-Flight mass spectrometer using 2,4-dihydroxyacetophenone as a matrix to obtain a fragment ion group originated from the RNA by ISD and then analyzing the sequence of the RNA on the basis of a mass difference between the ion peaks of the fragment ion group.例文帳に追加

ＲＮＡを含む試料を、２，４−ジヒドロキシアセトフェノンをマトリクスとしたマトリクス支援レーザー脱離イオン化−飛行時間型質量分析に供し、ＩＳＤにより前記ＲＮＡ由来のフラグメントイオン群を得て、前記フラグメントイオン群のイオンのピーク間の質量差に基づいて前記ＲＮＡの配列解析を行う、ＲＮＡ配列決定法。 - 特許庁

The fine adjustment films 4a and 4b are irradiated with ion beams I1, so that a vibration frequency is adjusted, and the rough adjustment film 6 is irradiated with a laser beam L1, so that a vibration frequency is adjusted.例文帳に追加

微調整膜４ａ、４ｂはイオンビームＩ１を照射して振動周波数を調整し、粗調整膜６はレーザ光Ｌ１を照射して振動周波数を調整する。 - 特許庁

To provide an apparatus for detecting occupant positions ion a vehicle successively monitoring the positions and postures of occupants in three different areas by laser and sensor assemblies.例文帳に追加

レーザとセンサー組立体が搭乗者の位置または姿勢を３つの異なる領域内で継続的にモニターする車両内における搭乗者位置を感知する装置を提供する。 - 特許庁

A mass spectrometry quantitation technique enables high-throughput quantitation of small molecules using a laser-desorption (e.g., MALDI) ion source 20 coupled to a triplequadrupole mass analyzer 30.例文帳に追加

質量分析定量技術は、三連四重極質量分析部３０に結合されたレーザ脱離（例えば、ＭＡＬＤＩ）イオンソース２０を用いて小分子のハイスループット定量を可能にする。 - 特許庁

A metal film is formed on the obtained aluminum nitride substrate whose surface is oxidized, and a part of the metal film is removed by ion milling, laser processing, or the like, and a wiring pattern is formed.例文帳に追加

得られた表面酸化された窒化アルミニウム基板上に金属膜を形成し、この金属膜の一部をイオンミリングやレーザー加工等により除去して配線パターンを形成する。 - 特許庁

In charging, a USB connector 20 of a laser pointer 10 is connected with a USB port of a notebook computer 14 or the like through a USB cable 12 for rapid charging of a lithium ion capacitor 26.例文帳に追加

充電するときは、レーザポインタ１０のＵＳＢコネクタ２０をノートパソコン１４などのＵＳＢポートにＵＳＢケーブル１２で接続し、リチウムイオンキャパシタ２６を急速充電する。 - 特許庁

The ionization device which is an ion source used for ionizing a sample is equipped with (a) a laser and (b) a surface holding the sample and including a carbon nanotube material.例文帳に追加

本発明のイオン化装置は、サンプルをイオン化するために使用されるイオン源であって、ａ）レーザと、ｂ）前記サンプルを保持し、カーボンナノチューブ材を含む面とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

A single laser beam, emitted from argon ion laser 6, is adjusted in a plane of polarization, and the irradiation light 1 condensed by a condensing lens 10 is allowed to be incident on the surface of the sample 3 at an incident angle which minimizes reflected light and generating only scattered light.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ１０で集光させた照射光１を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料３表面に照射させる。 - 特許庁

An objective lens having a built-in ion drawing/einzel pipe lens is used in a laser irradiation section of the flight time mass spectrometer, and a laser beam can be narrowed to several ten μm and radiated on the sample plate, and thus interference between eluant spots is prevented.例文帳に追加

また飛行時間質量分析計のレーザー照射部にイオン引き出し・アインシェルパイプレンズ内臓対物レンズを用い、サンプルプレート上にレーザー光を数１０μｍに絞って照射することが可能で、これにより、溶離液スポット相互間の干渉を防止した。 - 特許庁

In the photoreduction method for metal complex ions where laser light is condensed and emitted on a metal complex ion-dispersed body dispersed into a material, thus the metal complex ions are photoreduced, so as to produce a metal structure, prescribed pigment is added to the material in which the metal complex ion-dispersed body is dispersed, and the laser light is condensed and emitted on the material to which the prescribed pigment is added.例文帳に追加

材料中に分散された金属錯イオン分散体にレーザー光を集光照射することにより金属錯イオンを光還元して金属構造体を作製する金属錯イオンの光還元方法において、金属錯イオン分散体が分散された材料中に所定の色素を添加し、上記所定の色素が添加された材料にレーザー光を集光照射するようにした。 - 特許庁

Laser beams Ls1, Ls2 are irradiated from the lateral side of the target 12 in synchronization with the movement of the ion bunch B that moves inside the target 12 toward a terminal e2 so that plasma of the fusion fuel is generated inside the target 12 to promote the fusion reaction of the ions in the ion bunch B.例文帳に追加

ターゲット１２の内部を終端ｅ２に向けて進行するイオンバンチＢの動きに同期させてターゲット１２の側方からレーザＬｓ１，Ｌｓ２を照射することで、ターゲット１２の内部に核融合燃料のプラズマを生じさせて、イオンバンチＢ中のイオンの核融合反応を促進する。 - 特許庁

A steel material B compound species specification method uses the resonance multiphoton ionization sputter neutral particle mass analysis method of ionizing neutral particles 5, sputtered with an active primary ion beam 2, with laser light and taking mass analysis of an ion species taken in a mass analyzer 7 through a lead electrode 6 for the steel material containing the B compound.例文帳に追加

Ｂ化合物を含有する鋼材に対して、不活性な一次イオンビーム２によってスパッタリングされた中性粒子５をレーザー光でイオン化し、引出電極６を介して質量分析計７に取り込まれたイオン種の質量分析をするスパッタ中性粒子質量分析法を利用する。 - 特許庁

With the laser ionization mass spectrometry in which mass spectrum is measured by selectively exciting and ionizing an organic compound jetted into a vacuum chamber with a laser irradiation and accelerating the ion thus obtained with an electrode, laser light is gathered on a Raman cell with hydrogen sealed in to generate a stimulated Raman scattering laser light, and the organic compound in the vacuum chamber is selectively excited and ionized with the use of both excitation light and Raman light.例文帳に追加

真空チャンバー内に噴出された有機化合物をレーザー照射によって選択励起・イオン化させ、該イオンを電極によって加速し質量スペクトルを測定するレーザーイオン化質量分析方法において、水素を封入したラマンセルにレーザー光を集光させて誘導ラマンレーザー光を発生させ、励起光とラマン光の双方を用いて、真空チャンバー内における有機化合物を選択励起・イオン化する。 - 特許庁

The lithium ion capacitor 26 has a high operating voltage of 2.2- 4 V, stores a large amount of charges and has little self-discharge; therefore, a laser diode can be driven for a long time without serial connection, the necessity of a balance circuit can be eliminated, and miniaturization of the laser pointer can be achieved.例文帳に追加

リチウムイオンキャパシタ２６は、動作電圧が２．２Ｖ〜４Ｖと高く、大量の電荷を蓄積でき、かつ、自己放電が少ないので、直列接続することなくレーザダイオードを長時間駆動することができ、バランス回路が不要となり、レーザポインタの小型化を図ることができる。 - 特許庁

Equipment is provided with a current measuring device measuring ion current caused by two photon resonance multiphoton ionization of krypton gas by irradiation of the first laser, and a wavelength controller controlling the wavelength of the first laser based on output of the current measuring device.例文帳に追加

この装置において、第１のレーザの照射によるクリプトンガスの二光子共鳴多光子イオン化によって生じるイオン電流を測定する電流測定装置と、電流測定装置の出力に基づいて、第１のレーザの波長を制御する波長制御装置とを設けた。 - 特許庁

To improve reduction of half-width (θ//) in the horizontal direction of a far field pattern by current flow, in an AlGaAs based ion implantation type gain guide laser light emitting device which is formed by using a so-called off substrate.例文帳に追加

いわゆるオフ基板を使用して形成されるＡｌＧａＡｓ系イオン注入型ゲインガイドレーザ発光装置における、通電による遠視野像の水平方向の半値幅(θ//)の減少の改善を図る。 - 特許庁

The analysis method is provided for analyzing semiconductor devices by obtaining a two-dimensional ion image from ions obtained from a foreign matter or a contaminated part by a laser abrasion method, and a manufacturing method including an analyzing process is provided for manufacturing the semiconductor devices.例文帳に追加

異物、汚染部からレーザアブレーション法により得られるイオンからイオン２次元イメージ像を得ることによる半導体デバイスの分析方法とその分析工程を含む半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

To provide a method capable of depositing a thin film having a uniform film thickness distribution in a thin film production method by emitted particles from a target by a laser abrasion method, an ion beam sputtering method or the like.例文帳に追加

レーザーアブレーション法やイオンビームスパッタ法などのターゲットからの放出粒子による薄膜作製法において、均一な膜厚分布を有する薄膜を堆積可能とする方法の提供。 - 特許庁

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a correction method which is free of problems, such as damages to glass substrate, gallium stain, riverbed and lowering of transmittance, generated in a method of correcting black defects, in a photomask which utilizes laser light or ion beam.例文帳に追加

レーザー光やイオンビームを用いたフォトマスクの黒欠陥部の修正方法において生じる、ガラス基板ダメージ、ガリウムステイン、リバーベッド、透過率低下等の問題のない修正方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the transparent conductive film is used for forming the transparent conductive film by a method selected from a pulse laser deposition method, a spattering method, an ion plating method and an EB deposition method, by using the sintered body as a target.例文帳に追加

前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

2. Equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following 例文帳に追加

（二）　マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いた装置のうち、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Peptides are measured through the use of α-cyano-3-hydroxy cinnamic acid or 3-hydroxy-4-nitrobenzoic acid by a mass spectrometer, having a MALDI (Matrix-Assisted Laser Desorption Ionization) ion source.例文帳に追加

MALDI（マトリックス支援レーザー脱離イオン化）イオン源を有する質量分析装置によって、ペプチドをα−シアノ−３−ヒドロキシケイ皮酸又は３−ヒドロキシ−４−ニトロ安息香酸を用いて測定する方法。 - 特許庁

The energy to be given may be one of light energy, laser light energy, electron beam energy, ion beam energy, and thermal energy if they can melt with one another the particulates made of the conductive substances.例文帳に追加

エネルギーは、導電性物質からなる微粒子同士を融着させることができるエネルギーであれば、光エネルギー、レーザー光エネルギー、電子ビームエネルギー、イオンビームエネルギー、熱エネルギーのいずれであってもよい。 - 特許庁

A material to be doped is doped while being moved in a direction perpendicular to a longitudinal direction of an ion current cross-section, and the linear laser beam is exposed to the substrate in a doping chamber.例文帳に追加

被ドーピング材を前記イオン流断面の長尺方向と概略垂直な方向に移動させドーピングを行い、ドーピング室において基板に対して線状レーザー光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

Ultraviolet light with a wavelength about 363.8 nm emitted from an argon ion laser 10 is condensed on a wafer of a measuring object test piece 60 through a condensing irradiation mechanism 40 and the like.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザ１０から発せられる波長約３６３．８ｎｍの紫外光を集光照射機構４０等を介して測定対象試料６０であるシリコンウェーハ上に集光させる。 - 特許庁

To the nanocluster in which at least two kinds of atoms coexist in the constant density respectively and a structure has a spherical shape as a whole, the ion beam is output by irradiating the laser with ultrahigh strength and an ultrashort pulse.例文帳に追加

少なくとも２種類の原子がそれぞれ一定の密度で混在し、全体として球状をなす構造のナノクラスタに、超高強度・超短パルスのレーザを照射してイオンビームを出力させる。 - 特許庁

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12.例文帳に追加

エンドステーション１０内で注入領域制限マスク１２の開口部１３を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク１２の開口部１６を通過するレーザービームＬによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。 - 特許庁

A plasma generating target 12 generating plasmas by irradiating a laser L for plasma generation, a vacuum container 16 pulling out ions from the plasmas generated from the plasma generating target 12, directly attached to an ton entrance 38 of an ion linear accelerator 30 and the ion linear accelerator 30 are connected in series, ions are made to come directly into the ion linear accelerator 30 using a dispersion speed of the plasmas.例文帳に追加

プラズマ発生用レーザーＬを照射してプラズマを発生させるプラズマ発生ターゲット１２と、プラズマ発生ターゲット１２から発生したプラズマよりイオンを引き出すとともに、イオン線形加速器３０のイオン入射口３８に、直接、取り付けられる真空容器１６と、イオン線形加速器３０とが直列に接続され、プラズマの拡散速度を利用して、イオン線形加速器３０に、直接、イオンを入射するように構成した。 - 特許庁

To provide a method for removal of contaminants during electron beam-induced deposition, ion beam-induced deposition and laser beam-induced deposition, or a method for real-time inhibition of oxidation during deposition or etching of oxidizable materials.例文帳に追加

電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。 - 特許庁

The Raman strength of β-FeSi_2 which is measured at room temperature by Ar ion laser of 514.5 nm wave length as a light source for excitation, is 30% or more than that of Si as a substrate of β-FeSi_2.例文帳に追加

励起用光源に波長５１４．５ｎｍのＡｒイオンレーザーを用いた室温において測定されるβ-FeSi_2のラマン強度が、前記β-FeSi_2の基板であるＳｉのラマン強度の３０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The irradiation damage generated with this is serially and continuously annealed by irradiating with laser beams simultaneously with ion injection.例文帳に追加

本願発明においては、試料を低温に保ちながらイオン注入を行い、それに伴って生成される照射損傷をイオン注入と同時にレーザー光を照射することにより逐次連続的にアニールする方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 200 is separated in the hydrogen ion implantation layer 205 thereof by irradiating the semiconductor substrate 200 with a laser beam 630 having an absorption wavelength of the semiconductor substrate 200.例文帳に追加

半導体基板２００による吸収波長のレーザ６３０を半導体基板２００に対して照射することにより、半導体基板２００の水素イオン注入層２０５において半導体基板２００を分離する。 - 特許庁

To efficiently discharge charge particles of ion or the like discharged from plasma by magnetic field operation, and to suppress second-order creation of contaminant, in extreme ultraviolet optical source equipment of a laser generation plasma system.例文帳に追加

レーザ生成プラズマ方式の極端紫外光源装置において、磁場の作用によりプラズマから放出されるイオン等の荷電粒子を効率的に排出すると共に、汚染物質の２次的な発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an end face window structure formed through neither impurity diffusion nor ion implantation, etc., and has the end face window structure even when using a nitride semiconductor.例文帳に追加

不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁