「ion laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The precisely processed electroconductive glass member is obtained by processing electroconductive vanadate glass containing vanadium oxide as main component and having electrical conductivity of ≥1×10^-8 S/cm by irradiating it with an ion beam or a laser beam.例文帳に追加

酸化バナジウムを主成分とする、電気伝導度が少なくとも１×１０^−８Ｓ／ｃｍの導電性バナジン酸塩ガラスにイオンビーム照射又はレーザビーム照射による加工を施して得られる、精密加工された導電性ガラス部材。 - 特許庁

To provide a method for removing oxides without damaging a light-emitting end face and a light-reflecting end face of a semiconductor laser when the oxides are removed by plasma ion irradiation before coating is applied on the end faces.例文帳に追加

半導体レーザの光出射端面及び光反射端面にコーティングを施す前にプラズマイオン照射して酸化物を除去するに際し、これらの面に損傷を与えずに酸化物を除去する方法を提供する。 - 特許庁

A part 11 to be formed into the circuit of a substrate 1 of a synthetic resin is selectively irradiated with a laser beam 2 with a wavelength of 193 to 400 nm, a palladium ion catalyst is adsorbed thereon, and thereafter, it is reduced into metallic palladium with a reducing agent.例文帳に追加

波長が１９３〜４００ｎｍのレーザービーム２を、合成樹脂の基体１の回路となる部分１１に選択的に照射し、パラジウムイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which easily achieves high density wiring, and advantageously suppresses the occurrence of peeling or cracks, diffusion of metal ion in a filler, and corrosion of the filler by the laser beam.例文帳に追加

配線の高密度化を容易に実現でき、しかも剥離やクラックの発生の抑制、充填材中の金属イオンの拡散防止、レーザ光による充填材の浸食防止を有利に実現できる多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film where laser annealing is made is subjected to ion implantation for forming a seed crystal having a specific orientation, and then solid-phase growth is made, thus controlling the crystal orientation.例文帳に追加

レーザアニールを施した多結晶シリコン膜に対して、イオン注入処理を行なうことによって特定方位を有する種結晶を形成し、その後固相成長させることによって結晶配向を制御することが出来る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

An impurity is doped into the semiconductor layer 3 formed on the organic polymer substrate 1, and the impurity of the semiconductor layer 3 is activated by irradiating the semiconductor layer 2 with an energy beam, such as from Ar ion laser or copper vapor laser, of which energy absorption at the organic polymer substrate 1 is low such as not to give damages to such an organic polymer substrate 1.例文帳に追加

有機高分子基板１上に形成した半導体層３に不純物を導入し、有機高分子基板１におけるエネルギー吸収がその有機高分子基板１に損傷を与えない程度に低い、たとえばＡｒイオンレーザーや銅蒸気レーザーなどのエネルギービームを半導体層３に照射して半導体層３の不純物を活性化する。 - 特許庁

The conductive film is formed by adhering and stacking the metal micro-thread array unit in a prescribed thickness in a vacuum environment by the use of surface processing and a mechanical healing technique, and the conductive film is cut into required dimensions by the use of an energy beam, such as laser beam, ion beam and plasma beam.例文帳に追加

真空環境下で表面処理と機械治癒技術により、金属マイクロ線アレイユニットを所定厚さに接着、堆積し、導電膜を形成し、レーザー、イオンビーム或いはプラズマ等のエネルギービームで該導電膜を必要なサイズに裁断する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of adding a rare gas to the semiconductor film formed on the surface of an insulator by using an ion doping method, and irradiating the semiconductor film in which the rare gas is added with a laser beam of a pulse oscillation in a rare gas atmosphere.例文帳に追加

絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、希ガスの雰囲気下において、希ガスが添加された半導体膜にパルス発振のレーザ光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

An exciting laser beam for bringing about photodissociation is irradiated on a position away from a center of a capturing region A in an ion trap 1 and simultaneously an excitation signal for exciting precursor ions selectively is impressed on end cap electrodes 12, 13.例文帳に追加

光解離を起こすための励起レーザ光をイオントラップ１内の捕捉領域Ａの中央から外れた位置に照射し、それとともにプリカーサイオンを選択的に励振させるような励振信号をエンドキャップ電極１２、１３に印加する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonance component whose frequency can efficiently be adjusted with high precision nearly in the state of a complete article and which hardly has a short circuit defect due to irradiation with an ion beam and laser light when the frequency adjustment is carried out.例文帳に追加

完成品に近い状態で高精度にかつ効率良く周波数調整を行うことができ、さらに周波数調整を行うに際してのイオンビームやレーザー光の照射による短絡不良が生じ難い、圧電共振部品を提供する。 - 特許庁

The original plate has a photosensitive layer containing (A) a photothermal converting agent, (B) a compound having a polymerizable unsaturated group and (C) an onium salt having a di- or higher valent anion as a counter ion and capable of recording with an IR laser on the base.例文帳に追加

支持体上に、（Ａ）光熱変換剤、（Ｂ）重合性の不飽和基を有する化合物、及び、（Ｃ）２価以上のアニオンを対イオンとして有するオニウム塩を含有し、赤外線レーザーで記録可能な感光層を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Before the peeling of a silicon piece 11 of the single-crystal Si substrate 10a from the hydrogen ion-implanted region 15, an amorphous Si thin film 5 formed by catalytic CVD is modified into a polycrystalline Si thin film 5' by excimer laser irradiation.例文帳に追加

そして、単結晶Ｓｉ基板１０ａのシリコン片１１を水素イオン注入部１５から剥離させる前に、触媒ＳＶＤ法により成幕した非晶質Ｓｉ薄膜５にエキシマレーザーを照射して多結晶Ｓｉ薄膜５’に改質する。 - 特許庁

In a production method of a semiconductor device, a rare gas is added to a semiconductor film formed on an insulating surface using an ion-doping method, and laser light is irradiated to the semiconductor film added with the rare gas under a rare-gas atmosphere.例文帳に追加

本発明はさらに、該レーザ照射装置を用い、ＴＦＴのオン電流、移動度、閾値のばらつきを抑えることができる半導体装置の作製方法と、該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

This invention provides a technique effecting a soft ionization of an analyte substance by ESI, FI, FD, LIFDI, MALDI or a hybrid thereof with the same ion volume without replacing an ion source by appropriately adjusting pressure, laser radiation and electric field intensity to detect ions or radical ions formed by a mass spectrometry and/or an electron paramagnetic resonance spectroscopy.例文帳に追加

圧力、レーザ放射、および電界強度を適当に調整することにより、質量分析法および／または電子常磁性共鳴分光法により形成されたイオンまたはラジカル・イオンを検出し、イオン源を交換しないで、同じイオン容量で、ＥＳＩ、ＦＩ、ＦＤ、ＬＩＦＤＩまたはＭＡＬＤＩ、またはこれらのハイブリッドにより分析用物質をソフト・イオン化するための技術を提供する。 - 特許庁

A single laser beam emitted from an argon ion laser 6 passes successively through an extinction filter 8, a 1/2 wave plate 9, a scanning X-Y scanner 7 and a condensing lens 10, and then becomes irradiation light 1 having an adjusted plane of polarization, and enters the silicon wafer sample 3 surface at an incident angle by which reflected light is suppressed minimally and only scattered light is generated effectively.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザー６から射出された単一レーザー光は、順次減光フィルター８、１／２波長板９、走査用Ｘ−Ｙスキャナー７、集光レンズ１０を経た後、偏光面調整された照射光１となり、シリコンウェーハ試料３表面に対して、反射光を最小限に抑え、散乱光をのみを効果的に発生させる入射角度で入射される。 - 特許庁

The carbon system conducting auxiliary used in the lithium ion battery 1 has a peak intensity ratio I_G/I_D which is a ratio of peak intensity I_D of 1360 cm^-1 and peak intensity I_G of 1580 cm^-1 by Raman spectroscopy using an argon laser of 0.80-1.5.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池１に用いられる前記炭素系導電助材は、アルゴンレーザを用いたラマンスペクトルによる、１５８０ｃｍ^-1のピーク強度Ｉ_Gに対する１３６０ｃｍ^-1のピーク強度Ｉ_Dであるピーク強度比Ｉ_G／Ｉ_Dが、０．８０以上、かつ１．５以下である。 - 特許庁

The manufacturing method of the plate glass 1 comprises a process for melting glass raw materials, a process for shaping the plate by drawing downward, and a process for treating the translucent surface 2 by a plasma irradiation, a laser beam irradiation, and/or an ion beam irradiation.例文帳に追加

また本発明の板ガラス１の製造方法は、ガラス原料溶融工程、下方に延伸成形する板成形工程、透光面２にプラズマ照射、レーザー照射、イオンビーム照射の１以上を行う該透光面２の表面処理工程よりなる。 - 特許庁

To increase a generated/collected ion amount by irradiating a laser light from upward nearly perpendicular to a sample, improve utilization efficiency of ions by transporting the collected ions to a mass spectrometer without waste, and improve analytical sensitivity as a result.例文帳に追加

サンプルに対し略垂直上方からレーザ光を照射することにより、発生・収集されるイオン量を増加させるとともに収集されたイオンを無駄なく質量分析器に輸送することでイオンの利用効率を高め、最終的に分析感度を改善する。 - 特許庁

To provide a simple and efficient sample preparation method capable of restraining ion suppression due to an impurity such as an inorganic salt and a surfactant existing in a sample, in measurement by a matrix-assisted laser desorption ionization mass spectrometry (MALDI-MS).例文帳に追加

マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）法による測定において、試料中に存在する無機塩、界面活性剤などの夾雑物によるイオンサプレッションを抑止し、簡便かつ効率的なサンプル調製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can realize a conductive path for connecting the front and the rear of a semiconductor substrate using implanting of local impurity by ion implantation, local diffusion of an impurity by laser beam irradiating; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入による局所的な不純物の打ち込みや、レーザー光照射による局所的な不純物の拡散を用いて半導体基板の表裏をつなぐ導電路を実現することができる半導体素子及びその製造方法を得るものである。 - 特許庁

When manufacturing the wiring board or the like, first, potassium ion is made to adsorb by selectively irradiating a laser beam L to a designated region in such a state that a film shape resin substrate 1 consisting of polyimide resin is immersed into KOH water solution as a treating liquid 2.例文帳に追加

配線基板などを製造する際、まず、ポリイミド樹脂からなるフィルム状の樹脂基材１を処理液２としてのＫＯＨ水溶液中に浸漬した状態でその所定領域にレーザ光Ｌを選択的に照射し、カリウムイオンを吸着させる。 - 特許庁

The thermal damage to the sensor chip 2 is prevented by removing the sealing resin 5 using the excimer laser, and the section of the sensor chip 2 except the ion sensitive section 2a can be easily sealed by the sealing resin 5 without controlling the condition so that the sealing resin 5 does not flow into the ion sensitive section 2a nor employing specific facilities like a prior art, thereby improves the productivity.例文帳に追加

エキシマレーザーにより封止樹脂５を除去することによってセンサチップ２への熱的なダメージを防止することができるとともに、従来例のようにイオン感応部２ａに封止樹脂５が流れ込まないように環境を整えたり特別な設備を用いたりすることなく、センサチップ２のイオン感応部２ａ以外の部位を封止樹脂５で容易に封止することができ、生産性を向上することができる。 - 特許庁

A high resistance region 111 where a valid conduction rate of an upper clad layer 106 is partially dropped (valid resistance rate is improved) by using ion implantation technology is arranged in the upper clad layer 106 in a side of a laser region (light emitting region) 107 of the separation region 110.例文帳に追加

分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 - 特許庁

The system is so constituted that a tape target 3 irradiated with a high-intensity laser beam 4a to generate ions 2 and a capillary board 1, located directly behind the position where ions are generated to collimate the ions generated from the tape target, and emit them outside an ion beam irradiation head 7 are placed in the head.例文帳に追加

イオンビーム照射ヘッド７内に、高強度レーザー光４ａを照射してイオン２を発生させるテープターゲット３と、イオン発生位置の直後に位置するように設置され、テープターゲットから発生したイオンをコリメートしてヘッド外に発出させるキャピラリー基盤１を設けるように構成する。 - 特許庁

As a divided embodiment of the plurality of ion generating elements, grooving for cutting is performed before baking, or grooving in a perforation shape for cutting is performed by using a laser ceramic finishing machine, or the like after baking before separation along the groove, when forming flatly using ceramic as the dielectric.例文帳に追加

複数のイオン発生素子の分割態様としては、誘電体としてセラミックを用いて平板状に成形する場合、焼成前に割断用の溝入れ加工を施す、あるいは焼成後にレーザセラミック加工機などを用いて割断用のミシン目状溝入れ加工を施し、この溝に沿って分離する。 - 特許庁

In the method, an oriented thin film exhibiting high anisotropy in electric conductivity that high ion conductivity is shown in a film thickness direction is deposited on the surface of a porous ceramic solid electrolyte layer from a crystalline oxide target depositing a proton conductive film by a pulsed laser ablation deposition method (PLD).例文帳に追加

多孔質のセラミック固体電解質層表面にプロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法（ＰＬＤ）により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い違法性を示す配向性薄膜を形成する方法。 - 特許庁

The method includes a step wherein, with laser light being irradiated on a predetermined range on a diamond substrate (1) in a vacuum bath (2), a dopant ion beam is injected into the same region to form a conductive layer; and a step of forming a metal electrode on the conductive layer.例文帳に追加

真空槽（２）にて、ダイヤモンド基板（１）上の所定領域にレーザー光を照射しながら、その同じ所定領域に不純物のイオンビームを注入して導電層を形成するステップと、その導電層上に金属電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the fine region analyzer using focused ion beams, a laser beam 9a is irradiated to a surface 3a of a sample 3 through a window plate 8 of the analyzer 5 arranged in the normal of the sample surface and through a secondary particle take-in port 5a of the analyzer 5.例文帳に追加

集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、試料表面法線方向に配置した分析装置５の窓板８を通り、かつ分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通ってレーザー光９ａを試料３の表面３ａに照射する。 - 特許庁

The composition contains one or more kinds of resist compounds expressed by general formula (1) or (2) and one or more kinds of acid generating agents which directly or indirectly generate an acid by irradiation with any radiation selected from visible rays, UV rays, excimer laser light, electron beams, X rays and ion beams.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表されるレジスト化合物を一種以上と、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、Ｘ線およびイオンビームから選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤を一種以上含む。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery has the negative electrode using an amorphous carbon material as a negative active material, the amorphous carbon material has an average particle diameter measured by a laser diffraction scattering method of 7-20 μm, the ratio of the particles having a diameter measured by laser diffraction scattering method of 3 μm or less of 1-10%, and a conductivity giving material is not contained in the negative electrode.例文帳に追加

負極が、非晶質炭素材料を負極活物質として用い、かつ前記非晶質炭素材料が、レーザー回折散乱法により測定した平均粒子径が７μｍ以上、２０μｍ以下かつ、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において粒子径３μｍ以下の割合が１％以上、１０％以下であり、かつ導電性付与剤を含まないことを特徴とするリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and a good margin for light exposure in microfabrication particularly when KrF excimer laser, X-radiation, an electron beam or an ion beam is used.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術における課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好な露光量マージンの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems relating to the techniques to improve the performance in microfabrication of semiconductor elements using high energy beams, in particular, which has high sensitivity and high resolution and satisfies both of a preferable pattern profile and line edge roughness for KrF excimer laser, X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加

高エネルギー線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a nonpolymer-based radiation-sensitive resist composition having high sensitivity, high resolution and high heat resistance and soluble in a solvent in an easy manufacturing process, the composition which can be used for not only UV rays such as i-line and g-line but for radiation such as visible rays, KrF excimer laser light or the like, electron beams, X rays and ion beams.例文帳に追加

ｉ線、ｇ線等の紫外線のみならず、可視光線、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、イオンビーム等の放射線にも利用でき、簡単な製造工程で、高感度、高解像度、高耐熱性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the optical recording medium, which is formed by providing a recording layer, into or from which the writing and reading with laser beams can be done, on a substrate, the recording layer includes chelate coloring matters consisting of two or more different azo-based compounds in structure and metal ion having a valence of two or more so as to be selected from among the azo-based compounds.例文帳に追加

基板上に、レーザーによる書きこみ及び／または読み取り可能な記録層を設けた光学記録媒体であり、該記録層が、構造の異なる２以上のアゾ系化合物と、２価以上の金属イオンとで構成されるキレート色素を含有し、アゾ系化合物から選ばれることを特徴とする光学記録媒体。 - 特許庁

To provide a laser device which can eliminate the necessity of stopping and disassembling the device for regular cleaning of a measurement probe, can always correctly measure an electric resistance of a cooling liquid with the measurement probe, can properly maintain a filter or an ion-exchange resin and can achieve power saving and miniaturization thereof.例文帳に追加

レーザ装置を停止させ分解し、測定プローブを定期的に清掃する必要がなく、当該測定プローブによって冷却液の電気抵抗を常時正確に測定することができ、フィルタやイオン交換樹脂のメンテナンスを適切に行えるとともに、レーザ装置を省電力、小型化することができる。 - 特許庁

A relation between a stress value and a wave number value of a fluorescence peak is found preliminarily using the first and second reference samples SB1, SB2 having compositions the same to those of the layers 1, 3 or the layer 2, utilizing the wave number value of the fluorescence peak emitted by Cr^3+ ion in the alumina crystal particle is varied by the stress when irradiated with a laser beam.例文帳に追加

レーザ光を照射したときにアルミナ結晶粒子中のＣｒ^3+イオンが発する蛍光のピークの波数値が応力によって変化することを利用し、層１，３あるいは層２と同じ組成の第１，第２基準試料ＳＢ１，ＳＢ２を用いて、応力値と蛍光ピークの波数値との関係を求めておく。 - 特許庁

The process for producing the hologram by the holography using the photosensitive polymer includes a stage for applying a compsn. contg. a photopolymerizable monomer, binder and initiator on the surface of a base, a stage for incorporating an ion dye-reactive pair ion compd. into the initiator and forming an image by irradiating the surface of the base with the radiation light released from a laser and a stage for fixing the image.例文帳に追加

本発明は、感光性ポリマーを使用したホログラフィーによってホログラムを製造する方法であって、光重合可能なモノマー、結合剤、及び開始剤を含んだ組成物を支持体の表面上に塗布する工程、前記開始剤はイオン染料−反応性対イオン化合物を含み、レーザーから放出される輻射光を前記支持体の表面に照射することによって画像を形成する工程、及び画像を定着させる工程の各工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for doping a semiconductor layer comprises the steps of forming the semiconductor layer on the substrate when the layer is doped, then controlling an amount of dopant ions to be adsorbed to the surface of the semiconductor layer by a means for introducing a hydrogen gas at a plasma emitting time, and activating the dopant ion adsorbed by an excimer laser or the like in the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層をドーピングする際に、基板上に半導体層を形成した後、プラズマ照射時に水素ガスを導入するなどの手段によって半導体層の表面に吸着するドーパントイオンの量を制御し、エキシマレーザーなどによって吸着したドーパントイオンを半導体層内で活性化させることを特徴とする。 - 特許庁

In the optical scan image recording device which records an image by scanning a sensitized material with a photosignal L to be outputted from a laser diode, an overshoot forming circuit is provided which forms an overshoot parts Pos in the starting part Δt of the photosignal L, when images 200 and 202 recorded ion the sensitized material are area gradation images.例文帳に追加

レーザダイオードから出力される光信号Ｌにより感光材料を走査して画像を記録する光走査画像記録装置において、感光材料に記録される画像２００、２０２が面積階調画像であるとき、光信号Ｌの立ち上がり部Δｔにおいて、オーバーシュート部分Ｐｏｓを形成するオーバーシュート形成回路を備える。 - 特許庁

A micro-device manufacturing method includes a molding substrate preparation process S10 for preparing the molding substrate, a rough processing process S20 for roughly processing the surface of the molding substrate by using a laser processing device, and a finishing process S30 for finish treating the surface of the molding substrate by using a convergent ion beam processing device in turn.例文帳に追加

成形基材を準備する成形基材準備工程Ｓ１０と、レーザ加工装置を用いて成型基材の表面を粗加工する粗加工工程Ｓ２０と、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程Ｓ３０とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

An inlet of an evaporation pipe 52 is provided behind an ion transport pipe 17 which attracts ions from an atomizing chamber 13 and feeds them to a mass spectrometer 40, and a laser beam source part 50 and a light scattering detection unit 56 of an ELSD 4 are disposed outside a light incoming window 53 and a light outgoing window 54 formed in the evaporation pipe 52.例文帳に追加

また、霧化室１３内からイオンを引き込んで質量分析部４０へと送るイオン輸送管１７よりも後方に蒸発管５２の入口開口を設け、蒸発管５２に形成した光入射窓５３と光出射窓５４の外側にＥＬＳＤ４のレーザ光源部５０と光散乱検出部５６とを配置する。 - 特許庁

In this method, a glass having a color pattern of an arbitrary shape therein and the trace of the condensed point being colored at least in two colors is manufactured by irradiating and condensing a pulse laser light of a specified wave length inside the glass containing an Au ion with not less than two specified peak power densities while moving the condensed point, then heating the glass.例文帳に追加

Ａｕイオンを含有するガラス内部に、所定の波長のパルスレーザ光を集光点を移動させながら、二以上の所定のピークパワー密度でガラス内部に集光照射した後、該ガラスを加熱することにより、集光点の軌跡が二以上の色に着色した、内部に任意の形状のカラーパターンを有するガラスを作製する。 - 特許庁