「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

Through exposure and development steps, an external connection terminal part pattern 7 is formed on the first photosensitive insulation resin layer 5, while a semiconductor element connection terminal part pattern 8 is formed on the second photosensitive insulation resin layer 6.例文帳に追加

露光、現像工程を通して第一の感光性絶縁樹脂層５に外部接続端子部パターン７を、第二の感光性絶縁樹脂層６に半導体素子接続端子部パターン８を形成する。 - 特許庁

A transistor including an oxide semiconductor comprises silicon oxide containing excessive oxygen (SiO_X(X>2)) for a base insulation layer in the case of a top-gate structure and for a protective insulation layer in the case of a bottom-gate structure.例文帳に追加

酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。 - 特許庁

Still further, a sheet resistivity value of the whole element is adjusted to be from 10 Ωμm^2 to 40 Ωμm^2, and a sheet resistivity value of the upper insulation layer 16U is adjusted to be higher than a sheet resistivity value of the lower insulation layer 16L.例文帳に追加

また素子全体の面積抵抗値が１０Ωμｍ^2以上、４０Ωμｍ^2以下であり、上側の絶縁層の面積抵抗値は、下側の絶縁層の面積抵抗値より高くする。 - 特許庁

To realize a method capable of accurately diagnosing deterioration in insulation performance of an insulation layer irrespective of any change in the phase of a current flowing through the layer in consequence of the impression of a DC voltage thereon.例文帳に追加

直流電圧を印加する前後での絶縁層３を流れる電流の位相の変化に拘らず、この絶縁層３の絶縁性能の劣化診断を正確に行なえる方法を実現する。 - 特許庁

The top surface of lower wiring layer 3 is covered with interlayer insulation film 5, and lower wiring layer 3 is connected with bump pads 6 via through-holes 14 formed in the interlayer insulation film 5.例文帳に追加

下層配線層３の上面は層間絶縁膜５により覆われており、層間絶縁膜５に形成されたスルーホール１４を介して下層配線層３はバンプ用パッド６に接続されている。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 using the insulation film 13 as a polishing stopper, the remaining insulation film 13 is used as a mask to perform etching to recede the upper end face of the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、残った絶縁膜１３をマスクとしてエッチングを行い、ｐ型半導体層１４の上端面を後退させる。 - 特許庁

The partition wall 1012 is formed on the substrate 100, the insulation layer 124 is formed on the diaphragm 121, and the substrate 100 and the diaphragm 121 are bonded with the insulation layer 124 as an interface.例文帳に追加

基材１００に隔壁部１０１２が形成され、振動板１２１に絶縁層１２４が形成され、絶縁層１２４を界面として基材１００と振動板１２１とが接合される。 - 特許庁

The pixel selection transistor TR1 having an active layer 12, a gate insulation film 13 and a gate electrode 14 is formed on a substrate 10, and an inter-layer insulation film 16 and a passivation film 17 are stacked thereon.例文帳に追加

基板１０上に、能動層１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４を備えた画素選択トランジスタＴＲ１が形成され、この上に層間絶縁膜１６、パッシベーション膜１７が積層されている。 - 特許庁

An insulation layer 39 is disposed on the chip 30 so as to cover at least one part of the common electrode 32 which is formed on the chip 30 and the individual electrode 33 is formed on the insulation layer 39.例文帳に追加

チップ３０上に形成された共通電極３２の少なくとも一部を覆うようにチップ３０上に絶縁層３９を設け、該絶縁層３９上に個別電極３３を形成した。 - 特許庁

Preparing an insulation base 2 having conductive layers 1, 3 on its both surfaces, through-holes 5 penetrating from its one conductor layer 1 to another conductor layer 3 are arranged in the insulation base 2.例文帳に追加

絶縁べ−ス材２の両面に導体層１、３を有する材料を用意し、その一方の導体層１の側から他の導体層３に達する導通用孔５を絶縁べ−ス材２に設ける。 - 特許庁

Subsequently, a resist pattern 21 and the third insulation layer 3 having an open area ratio varied in correspondence with the gap shape are etched simultaneously thus transferring the resist pattern 21 to the third insulation layer 3.例文帳に追加

ギャップ形状に対応して開口率を変化させたレジストパターン２１及び第３の絶縁層３を同時にエッチングすることにより、レジストの形状が第３の絶縁膜３に転写されていく。 - 特許庁

Wirings 2 and 3 are formed on a wiring substrate 1, an insulation layer 8 is formed on it, and a bare chip 12 is incorporated into the insulation layer 8, while being electrically connected to the wiring 2 and 3.例文帳に追加

配線基板１の上に配線２，３が形成され、その上に絶縁層８が形成され、絶縁層８にはベアチップ１２が配線２，３と電気的に接続された状態で内蔵されている。 - 特許庁

The heating body 1 comprises an insulation layer 19 on a metallic base material 11 and a heating resistor 12 on the insulation layer 19, and a convex part 11a on the metallic base material 11.例文帳に追加

金属製の基材１１上に絶縁層１９を具備し、該絶縁層１９上に抵抗発熱体１２を具備する加熱体１であって、上記金属製基材１１に凸状部１１ａを設けたこと。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PREPREG, PREPREG OBTAINED WITH THE SAME METHOD, METHOD OF MANUFACTURING COPPER FOIL WITH INSULATION LAYER, AND COPPER FOIL WITH INSULATION LAYER MANUFACTURED WITH THE SAME METHOD例文帳に追加

プリプレグの製造方法並びにプリプレグの製造装置並びにその製造方法で得られたプリプレグ並びに絶縁層付銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた絶縁層付銅箔 - 特許庁

Concerning the electrostatic chuck covering the surface of the electric conductor or the base with the insulation layer, the electric conductor or the base is a low thermal expansion alloy and the insulation layer is ceramic.例文帳に追加

電導体または基台の表面に絶縁層を被覆してなる静電チャックにおいて、該電導体または基台が、低熱膨張合金からなり、該絶縁層が、セラミックス層からなることとした静電チャック。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

To provide a multilayered printed circuit board excellent in tracking resistance and unimpaired in electric insulation properties, and to provide an adhesive for insulation between a conductor layer of an inner substance and a surface conductor layer.例文帳に追加

電気絶縁性を損なうことなく、耐トラッキング特性に優れた多層プリント配線板；及びそれに用いるための、内層材の導体層と表面導体層の間の絶縁用接着剤を提供する。 - 特許庁

An insulation spacer 30 of different thickness is formed stepwise thereon, a transparent conductive film 31 is formed thereon, and an organic layer 15 and a second electrode 33 are formed further thereon through a pattern of insulation layer 32.例文帳に追加

その上に階段状に厚さの異なる絶縁スペーサ３０があり、その上に透明導電膜３１があり、その上に絶縁層３２のパターンを介して有機層１５と第２電極３３がある。 - 特許庁

To obtain the subject substrate with a dense metallized layer of high bond strength to an insulation substrate by simultaneously burning the electrical insulation substrate and the metallized layer at a temperature of as low as ≤1,700°C.例文帳に追加

１７００℃以下の低温で絶縁基板とメタライズ金属層とを同時焼成でき、絶縁基板に対して高い接合強度を有する緻密質なメタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質基板を得る。 - 特許庁

The light shield film 70 is disposed covering the active layer 33 with the back gate insulation film 11 interposed therebetween, having a function of shielding the active layer 33 from external light entering through the insulation substrate 10.例文帳に追加

遮光膜７０は、バックゲート絶縁膜１１を間に挟んで能動層３３を覆って配置され、絶縁基板１０を通して能動層３３へ入射しようとする外光を遮光する働きをする。 - 特許庁

An insulation layer such as an oxide film is provided on these floating guard rings, and a silicon carbide surface charge compensation region is provided between these floating guard rings and is adjacent to the insulation layer.例文帳に追加

酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a block layer 12 formed on a base substrate 10, an insulation film 14 formed on the block layer 12, and a fuse 22 formed on the insulation film 14.例文帳に追加

下地基板１０上に形成されたブロック層１２と、ブロック層１２上に形成された絶縁膜１４と、絶縁膜１４上に形成されたヒューズ２２とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

A metal printed-circuit board 1 is formed by laminating an insulation layer 3 on the upper surface of a metal plate 2 that is a base, and electronic components 7 are packaged on a conductor pattern being formed on the upper surface of the insulation layer 3.例文帳に追加

ベースである金属板２の上面に絶縁層３を積層して金属プリント基板１を形成し、絶縁層３上面に形成されている導体パターンに電子部品７を実装する。 - 特許庁

Although the tunnel insulation layer is formed as the lower electrode is put under anodic oxidation, but a good-quality tunnel insulation layer can not be formed when the Nd is segregated on the surface of the signal wire.例文帳に追加

トンネル絶縁層は下部電極を陽極酸化することによって形成されるが、信号線の表面にＮｄが偏析すると品質のよいトンネル絶縁層を形成することが出来ない。 - 特許庁

The diode element is a diode element of a metal-insulation layer-metal type constructed by superposing a lower electrode, an insulation layer, and an upper electrode in this order formed on a flat substrate.例文帳に追加

ダイオード素子は、平坦な基板上に形成された下部電極、絶縁層、および上部電極をこの順で重ねて構成された金属−絶縁層−金属型のダイオード素子を構成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a support substrate, a metal layer provided on the support substrate, an insulation film provided on the metal layer, and a semiconductor film provided on the insulation film via a metal film.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた金属層と、金属層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。 - 特許庁

A heater 15 and a circuit board 16 are provided on the insulation layer 12 of a holding member 11 and an alumina substrate 20, on which a heating element array 18 is formed, is bonded onto the insulation layer 12 to cover the heater 15.例文帳に追加

保持部材１１の絶縁層１２上にヒータ１５と回路基板１６を設け、発熱素子アレイ１８を形成したアルミナ基板２０をヒータ１５を覆うように絶縁層１２上に接着してある。 - 特許庁

A circuit board 26 of the present invention comprises: a substrate 12; an insulation layer 20 covering the top face of the substrate 12; and a conductive pattern 16 in prescribed shape which is formed on the top face of the insulation layer 20.例文帳に追加

本発明の回路基板２６は、基板１２と、基板１２の上面を被覆する絶縁層２０と、この絶縁層２０の上面に形成された所定形状の導電パターン１６とを備えている。 - 特許庁

The wiring board with bumps includes: a wiring board 3 including an insulation layer 10 and a conductive layer 11 formed on the insulation layer 10; bumps 4 formed on the conductive layer 11 and electrically connected to the conductive layer 11; and an inorganic insulation structure 13 continuously formed from a surface of the wiring board 3 to surfaces of the bumps 4.例文帳に追加

バンプ付き配線基板は、絶縁層１０と絶縁層１０上に設けられた導電層１１とを有する配線基板３と、導電層１１上に設けられ、導電層１１と電気的に接続されたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The probe package structure of a probe card comprises electrodes for coupling probes on an electric circuit board, each probe is exposed at the other end, to inspect pads of a chip in a wafer and wrapped with an insulation layer and a metal wrapping layer, and the insulation layer wraps the outside of each probe and the metal wrapping layer wraps the outside of the insulation layer.例文帳に追加

電気回路基板にそれぞれプローブを結合する電極を設け、前記のプローブ同士の他端が露出され、ウェハーにおけるチップのパッドを検査出来、それらのプローブ同士にそれぞれ絶縁層と金属包み層が包まれ、前記絶縁層が前記プローブ同士の外部に包まれると共に、前記金属包み層が前記絶縁層の外部に包まれる、プローブカードのプローブ包み構造。 - 特許庁

A gate insulation layer with a hydrogen concentration of less than 6×10^20 atoms/cm^3 and a fluorine concentration of 1×10^20 atoms/cm^3 or more is used as a gate insulation layer in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel region, whereby the amount of hydrogen released from the gate insulation layer can be reduced and hydrogen diffusion to the oxide semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度が６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であり、且つフッ素濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。 - 特許庁

In such a structure that an inspection electrode pad part comprises an electrode of an upper layer connected electrically to a lower-layer electrode and a high-insulation layer held between both the layers to hold electric insulation, some or all of lead-out wires are overlapped with the upper-layer electrode in a plane across the high-insulation layer so as to be able to maximize the area of the inspection electrode pad.例文帳に追加

検査電極パット部が、下層電極と電気的に接続されている上層の電極、前記両層に挟まれた電気的に絶縁を保持する高絶縁層からなる構造において、引き出し配線の一部もしくは全てが、高絶縁層を介して平面的に上層電極と重なる構造により検査電極パッドの面積を最大限に配置する事が可能である。 - 特許庁

A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on a main surface side of the resin insulation layer and Cu paste supply process in which a Cu paste is supplied on the groove and the main surface of the resin insulation layer and the conductor layer is formed with the Cu paste.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の主面側に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部及び前記樹脂絶縁層の主面上にＣｕペーストを供給し、このＣｕペーストから前記導体層を形成するＣｕペースト供給工程と、を備える。 - 特許庁

At least two layers of the insulation coating layers are formed on the conductor of the electric wire and the outermost layer of the insulation coating layer is made of a polyestersulfone resin layer, and the insulation coating layer other than the outermost layer is made of at least one kind of resin selected from a group consisting of polyamideimide resin, polyimide resin, polyesterimide resin and class H polyester resin.例文帳に追加

また、導体に少なくとも２層の絶縁被覆層が形成された絶縁電線であって、該絶縁被覆層の最外層がポリエーテルスルホン樹脂層からなり、前記最外層を除く絶縁被覆層がポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、およびＨ種ポリエステル樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする絶縁電線。 - 特許庁

A reflection prevention film 5 used when a first contact hole 6 is formed is interposed between a first insulation film 4 and a second insulation layer 80 and the reflection prevention film 5 is made an etching prevention film to the first insulation film 4 when a second contact hole 9 is formed in the second insulation layer 80.例文帳に追加

第１の絶縁膜４と第２の絶縁層８０との間に第１のコンタクト孔６を形成する際に用いられる反射防止膜５を介在させ、この反射防止膜５を第２の絶縁層８０に第２のコンタクト孔９を形成する際の第１の絶縁膜４に対するエッチング防止膜とする。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a semiconductor substrate, a tunnel insulation layer provided on the semiconductor substrate, a first electrode provided on the tunnel insulation layer, an inter-electrode insulation film provided on the first electrode, and a second electrode provided on the inter-electrode insulation film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた電極間絶縁膜と、前記電極間絶縁膜上に設けられた第２電極と、を備える。 - 特許庁

As the heat transmitted to a heat insulation material 16 can be reduced due to the heat elimination at an air layer 20 by providing the air layer 20 and heat insulation material 16 between a pair of metal plates 12, 14, the thinner heat insulation material than the thickness of the heat insulation material set from a calorific value of a heat source 18 can be applied.例文帳に追加

一対の金属板１２、１４の間に空気層２０と断熱材１６を設けることによって、空気層２０での除熱により、断熱材１６へ伝わる熱を軽減することができるため、発熱源１８の熱量から設定した断熱材の厚さよりも薄い断熱材を適用することができる。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。 - 特許庁

A unidirectional anti-fuse element comprises: a cathode electrode layer 1 connected with a cathode electrode terminal K; a semiconductor layer 2 consisting of a p-type impurity layer 21 and an n-type impurity layer 22; an insulation layer 3; an anode electrode 4 connected with an anode electrode layer A by a bonding wire 5; and a sealing resin layer 6.例文帳に追加

１はカソード電極端子Ｋに接続されたカソード電極層、２はｐ型不純物層２１及びｎ型不純物層２２よりなる半導体層、３は絶縁層、４はボンディングワイヤ５によってアノード電極端子Ａに接続されたアノード電極層、６は封止樹脂層である。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, a proton or the like is injected to the isolation region so as to reach the board 11 through the core layer 13 and the lower side clad layer 12 from the upper side clad layer 14 to form an insulation layer 17.例文帳に追加

一方、分離領域は、上側クラッド層１４からコア層１３及び下側クラッド層１２を通して基板１１に達するようにプロトン等を注入し、絶縁層１７を形成する。 - 特許庁

The SOI wafer is formed of at least the SOI layer, an insulation layer and a support substrate, is provided with a charge preventing means for preventing the SOI layer from being charged at one part of the SOI layer.例文帳に追加

少なくとも、ＳＯＩ層、絶縁層、支持基板で形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ＳＯＩ層の一部分に該ＳＯＩ層の帯電を防止する帯電防止手段を設けたＳＯＩウエーハ。 - 特許庁

A wiring layer C2 consists of the same layer (namely, the same wiring material) as the cathode layer C1 and is divided from the cathode layer C1 for electrical insulation, and is placed on the circuit section 202.例文帳に追加

配線層Ｃ２はカソード層Ｃ１と同一の層（すなわち、同一の配線材料）から成り、カソード層Ｃ１から電気的に絶縁されるように分割されており、回路部２０２上に配置されている。 - 特許庁

Also, an inter-layer insulating film 4 is formed on the substrate 2, a polysilicon layer 5 is formed in a protective region B on the inter-layer insulation film 4, and an element 6 is formed inside the polysilicon layer 5.例文帳に追加

また、基板２上に層間絶縁膜４を形成し、層間絶縁膜４上における保護領域Ｂに多結晶シリコン層５を形成し、多結晶シリコン層５内に素子６を形成する。 - 特許庁

Inside a connection hole 16 formed on an interlayer insulation film 12 on a lower layer wiring layer 11, the barrier layer of high-melting point metal and the contact plug 17 of the high-melting point metal through the barrier layer are embedded.例文帳に追加

下層配線層１１上の層間絶縁膜１２に形成された接続穴１６の内部に、高融点金属のバリア層と該バリヤ層を介して高融点金属のコンタクトプラグ１７を埋設する。 - 特許庁