「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive for electric insulation, comprising an adhesive ingredient and crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber particles and for forming an insulation layer between the conductor layer of the inner material and the surface conductor layer is provided, and the multilayered printed circuit board using the adhesive is provided.例文帳に追加

接着成分に加えて、架橋したアクリロニトリルブタジエンゴム粒子を配合した、内層材の導体層と表面導体層の間に絶縁層を形成する絶縁用接着剤；及びそれを用いた多層プリント配線板。 - 特許庁

In this sound-absorption thermal-insulation hose where a sound absorption layer 2 and a thermal insulation layer 4 are stacked, the sound absorption layer 2 is formed of nonwoven fabric 25 obtained by thermally fusing two or more core-sheath form resin fibers 26 made of only polyester resin in the entangled state.例文帳に追加

吸音層(２)と断熱層(４)を積層した吸音断熱ホースにおいて、その吸音層(２)を、ポリエステル樹脂のみからなる芯鞘型の樹脂繊維(26)(26)…を絡ませた状態で熱融着してなる不織布(25)によって構成する。 - 特許庁

A base insulation layer 1 is prepared and plating resist 3 is formed thereon in a predetermined pattern and then a conductor pattern 4 of a conductor layer 6 is formed by plating on the base insulation layer 1 exposed from the plating resist 3.例文帳に追加

ベース絶縁層１を用意し、そのベース絶縁層１の上に、めっきレジスト３を所定パターンで形成し、めっきレジスト３から露出するベース絶縁層１の上に、めっきにより導体層６を導体パターン４で形成する。 - 特許庁

A substrate for a printed wiring board includes: an insulation base material 10; a first conductive layer formed by laminating metal particles 22A on the insulation base material 10; and a second conductive layer laminated on the first conductive layer.例文帳に追加

このプリント配線板用基板は、絶縁性基材１０と、この絶縁性基材１０に金属粒子２２Ａを積層して形成された第１導電層と、この第１導電層に積層された第２導電層とを含む。 - 特許庁

A first substrate 1 where a pixel electrode driving circuit 2 is formed is covered with a leveling/insulation layer 20, and a light shield layer (step forming pattern) 22 is patterned around the pixel region 1a on the leveling/insulation layer 20.例文帳に追加

画素電極駆動回路２が形成された第１基板１上を平坦化絶縁膜２０で覆い、平坦化絶縁膜２０上における画素領域１ａの周囲に遮光膜（段差形成用パターン）２２をパターン形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method for a thin film magnetic head 10, a cover layer 50 is formed on an insulation layer 45 so that an overriding part 45a overriding on a film 20 in the insulation layer 45 of surrounding of a magnetic resistance effect film 20 is eliminated.例文帳に追加

本発明の薄膜磁気ヘッド１０の製造方法では、磁気抵抗効果膜２０の周囲の絶縁層４５における該膜２０に乗り上げた乗上部４５ａを除くように、絶縁層４５の上にカバー層５０を形成する。 - 特許庁

A main partition wall 14 demarcating a sintering chamber 15 comprises a heat generation layer 14a of a self-heating type by microwave, and a heat insulation layer 14b having heat insulation property and microwave transmissibility and surrounding the outside of the heat generation layer 14a.例文帳に追加

焼成室１５を区画する主隔壁１４は、マイクロ波によって自己発熱する発熱層１４ａと該発熱層１４ａの外側を包囲する断熱性及びマイクロ波透過性を有する断熱層１４ｂからなる。 - 特許庁

In an FPC formed by laminating at least an insulation film layer and a metal wiring layer, a bending groove is formed by mechanical technique at least at one position of the insulation film layer.例文帳に追加

少なくとも絶縁フィルム層及び金属配線層とが積層されてなるＦＰＣにおいて、前記絶縁フィルム層の少なくとも１箇所に、機械的手法によって形成された折り曲げ用の溝が設けられたことを特徴とするＦＰＣ。 - 特許庁

A semiconductor device includes a support substrate, a first metal layer provided on the support substrate, an insulation film provided on the first metal layer, and a semiconductor film provided on the insulation film via a second metal layer.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられた第１の金属層と、第１の金属層上に設けられた絶縁体層と、絶縁体層上に第２の金属層を介して設けられ半導体膜と、を含む。 - 特許庁

Thereafter, by diffusing the metal material from the gate electrode layer 103 to the gate insulation film 102 by heat treatment, a metal oxide silicon layer 102a is formed at least in a surface layer of the gate insulation film 102.例文帳に追加

その後、熱処理を行うことによりゲート電極層１０３からゲート絶縁膜１０２中に金属材料を拡散させることにより、ゲート絶縁膜１０２の少なくとも表面層に金属酸化シリコン層１０２ａを形成する。 - 特許庁

In the electrostatic chuck 4 consisting of a chuck electrode 41 and an insulation layer 42 provided on the surface of the relevant chuck electrode, a conductive layer 43 is formed on the entire part of the placing surface of insulation layer 42 to attract the sample.例文帳に追加

チャック電極４１と当該チャック電極の表面に設けた絶縁層４２とで構成される静電チャック４において、絶縁層４２における試料を吸着する載置面に全面に亘って導電層４３を形成する。 - 特許庁

In the fabrication process of a semiconductor device having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode, the gate insulation layer is formed by irradiating microwave.例文帳に追加

ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体デバイスの製造方法において、前記ゲート絶縁層をマイクロ波を照射して形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁

The flexure assembly 30 is constituted of a flexure 31 formed of a metal thin plate, an insulation layer 32 layered on the flexure 31, a wiring pattern 33 layered on the insulation layer 32, and a protection layer 24 layered on the wiring pattern 33.例文帳に追加

フレクシャー・アセンブリ３０は、金属の薄板からなるフレクシャー３１と、フレクシャー３１に積層される絶縁層３２と、絶縁層３２に積層される配線パターン３３と、配線パターン３３に積層される保護層３４とで構成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including a multilayer structure of an insulation layer and metal layers in which the peeling of the insulation layer and the metal layer is prevented, and to provide a highly reliable semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層と金属層との積層体を含む半導体装置の製造方法において、絶縁層と金属層との間において剥がれの生じ難い製造方法を提供し、もって信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lead 6 is connected to the side of the heating body 2 in the above space and is wired through the insulation layer 3 thereby achieving sufficient insulation.例文帳に追加

空間内で発熱体２側にリード線６が接続し、リード線６を、絶縁層３を通して配線することで、十分な絶縁を可能にできる。 - 特許庁

Butting surfaces 11a of the neighboring heat insulation materials 11 on the heat insulation layer 10 are bonded with each other with an airtight adhesive 12.例文帳に追加

この断熱層１０における隣り合う断熱材１１の突き合わせ面１１ａを、気密性を有する接着剤１２により接着接合する。 - 特許庁

When the insulating material not mixed with the magnetic body is provided in the core, insulation is enhanced by arranging a magnetic body film between the insulation films laid in layer.例文帳に追加

前記コアにおいて、磁性体を混入しない絶縁材を設けた場合は、積層した絶縁フィルム間に磁性体膜を配置して絶縁性を高めてある。 - 特許庁

After a fuse blow step, a substrate surface including the fuse- forming area is covered with an insulation film to form a rewiring layer and the solder bump on the insulation film.例文帳に追加

ヒューズブロー工程後にヒューズ形成領域を含む基板表面を絶縁膜で覆い、この絶縁膜上に再配線層およびはんだバンプを形成する。 - 特許庁

A heat insulation film system includes an upper layer ceramic heat insulation film containing a diffused bonding coat on a base metal substrate and yttria stabilization zirconia material.例文帳に追加

断熱皮膜システムは、ベース金属基体上の拡散ボンディングコートとイットリア安定化ジルコニア材料を含む上層セラミック断熱皮膜とを含む。 - 特許庁

A plurality of second floating field plates FB are formed on an upper part of the n-layer 110 through a first insulation film LA and a second insulation film LB.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の上方には、第１絶縁膜ＬＡおよび第２絶縁膜ＬＢを介して複数の第２フローティングフィールドプレートＦＢが形成される。 - 特許庁

To form an interlayer insulation film (insulation bank) for interlayer isolation of a lower conductive layer formed in a terminal part of a high density display, with a high pattern accuracy.例文帳に追加

高密度ディスプレイの端子部に形成される下層導電層を層間分離するための層間絶縁膜（絶縁性バンク）を高いパターン精度で形成する。 - 特許庁

Thereby, water contained inside the layer insulation film 6 can be removed and possibility of insulation deterioration is eliminated even in long-term storage in wafer state.例文帳に追加

これにより、層間絶縁膜６の内部に含まれる水分が離脱され、ウエハ状態で長期間保存しても絶縁劣化のおそれがなくなる。 - 特許庁

The radio frequency multilayer substrate is provided with an insulation hole connected to a through-hole electrically connecting a center conductor 10 and the microstrip line 20, the insulation hole having no conductor layer inside.例文帳に追加

中心導体１０とマイクロストリップ線路２０とを電気的に接続するスルーホールに連結し、内部に導体層を有しない絶縁孔を備える。 - 特許庁

The insulation coated assembled wire 10 comprises: a plurality of conductor wires 11 which are bundled so as to extend in parallel; and the insulation coating layer 12 which coats the conductor wires 11.例文帳に追加

絶縁被覆集合線１０は、複数の導体線１１を並行に延びるように束ねて絶縁被覆層１２で被覆したものである。 - 特許庁

A wiring layer formed on an interlayer insulation film 4 is electrically connected with the body region via a body contact provided in the interlayer insulation film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜４上に形成された配線層は、層間絶縁膜４中に設けられたボディーコンタクトを介してボディー領域と電気的に接続される。 - 特許庁

Further, an amorphous silicon layer 104 is inserted to a boundary between the electrode 105 and an insulation film 103, and a boundary between the insulation film and the semiconductor substrate.例文帳に追加

さらには、電極１０５と絶縁膜１０３との界面、絶縁膜と半導体基板との界面にも、アモルファスシリコン層１０４が挿入される。 - 特許庁

After a semiconductor board 10 is etched to form the trench, the insulation film 23 is applied into the trench, and a substance layer 24 is formed on the insulation film 23.例文帳に追加

半導体基板１０をエッチングしてトレンチを形成した後、トレンチの内部に絶縁膜２３を充填し、絶縁膜２３上に物質層２４を形成する。 - 特許庁

To provide an electric insulation structure for forming an electric insulation layer which can be used for a circuit board such as a PCB, a chip carrier, or the like.例文帳に追加

ＰＣＢ、チップキャリアおよび同様のもの等の回路基板で使用可能な電気的絶縁層を形成する電気的絶縁構造体を提供すること。 - 特許庁

Then, at least the surface side of the first semiconductor layer 31 is oxidized to form a first gate insulation film 20, and a gate electrode 23' is embedded and formed in the concave 19 wherein the first gate insulation film 20 is provided.例文帳に追加

次いで、第１の半導体層３１の少なくとも表面側を酸化することで、第１のゲート絶縁膜２０を形成する工程を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a coil of a rotary electric machine capable of winding a main insulation tape forming a main insulation layer in equal thickness around the whole circumference.例文帳に追加

本発明は、主絶縁層の主絶縁テープが全周に亘って均等な厚さにできる回転電機のコイル製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a vibration insulation mat and a vibration insulation layer using the mat by making a spring constant low and increasing it almost proportionally to the area.例文帳に追加

バネ定数を低くし、かつバネ定数が面積にほぼ比例して増加する振動遮断マット及びこれを用いた振動遮断層の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide an abrasion and flame resistant insulation cable using a non-halogen flame resistant component for an insulation layer having an abrasion resistibility equal to or higher than that of polyvinyl chloride resin component.例文帳に追加

耐摩耗性がポリ塩化ビニル樹脂組成物と同等以上のノンハロゲン難燃性組成物を絶縁層に用いた耐摩耗性難燃絶縁電線を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulation film 108 and the anti-diffusion insulation film 107 are removed, and a contact hole 109 is formed extending to the lower layer wiring 103.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０８及び拡散防止絶縁膜１０７を除去し、下層配線１０３に到達するコンタクトホール１０９を形成する。 - 特許庁

First, an insulation layer 4 is formed by applying a thermoset insulation material having a small percentage of constriction to the surface of a substrate 3A for a back panel and by drying it.例文帳に追加

まず、背面パネル用基板３Ａの表面に、熱収縮率が小さく熱硬化性の絶縁材料を塗布し、乾燥させて絶縁層４を形成する。 - 特許庁

A high-permittivity insulation film, which is realized by the same process flow as that of the logic FET, is formed as a charge-trap layer on the insulation film.例文帳に追加

この絶縁膜の上に、ロジックＦＥＴの高誘電率絶縁膜と同じプロセスフローで実現される高誘電率絶縁膜をチャージトラップ層として形成する。 - 特許庁

A tunnel insulation film 3 is directly formed on the surface of the SiGe layer 10 and a floating gate 2 is formed on the tunnel insulation film 3.例文帳に追加

このＳｉＧｅ層１０の表面上に直接トンネル絶縁膜３が形成され、このトンネル絶縁膜３上にフローティングゲート２が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 4 lies in a porous metal film on the insulation layer 3, a gate insulation film 5 is formed to cover the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極４は、絶縁層３上にある多孔質金属膜内にあり、ゲート絶縁膜５は、ゲート電極４を覆うようにして形成される。 - 特許庁

A third interlayer insulation film 13 provided with a via hole 12 is formed on a second interlayer insulation film 9 to cover a third wiring layer 11.例文帳に追加

第２層間絶縁膜９上には、ビアホール１２を有する第３層間絶縁膜１３が第３配線層１１を被覆して形成されている。 - 特許庁

In particular, a plurality of layers of the heat insulation materials 12 are installed on the lower surface of the substrates 10, and joints 21 of the insulation materials 12 in each layer are set at different positions.例文帳に追加

特に、下地材１０の下面に複数層の断熱材１２を取り付け、各層の断熱材１２の継目２１を互いに異なる位置に設定する。 - 特許庁

Drain - gate connection layers 41a and 41b are formed on a second-layer interlayer insulation layer 71, and each connects the drain - drain connection layer 31a and the gate-gate connection layer 21b, and the drain - drain connection layer 31b and the gate - gate connection layer 21a.例文帳に追加

ドレイン−ゲート接続層４１ａ，４１ｂは、第２層目の層間絶縁層７１上に形成され、其々がドレイン−ドレイン接続層３１ａとゲート−ゲート接続層２１ｂ、ドレイン−ドレイン接続層３１ｂとゲート−ゲート接続層２１ａを接続する。 - 特許庁

The low layer conductive film 3 and the upper layer conductive film 9 are not superposed in a vertical direction when no alignment error occurs and therefore the capacitance value of a capacitor 15 consisting of the low layer conductive film 3, the insulation layer 7, and the upper layer conductive layer 9 is small.例文帳に追加

アライメント誤差がない状態では、下層導電膜３と上層導電膜９が垂直方向で重なっていないので、下層導電膜３、絶縁層７及び上層導電膜９からなるキャパシタ１５の容量値は小さい。 - 特許庁

When the alignment error occurs in an X direction occurs and the low layer conductive film 3 and then the upper layer conductive film 9' are superposed, the capacitance value of the capacitor 15 consisting of the low layer conductive film 3, the insulation layer 7, and the upper layer conductive layer 9 increases.例文帳に追加

Ｘ方向でアライメント誤差が生じて下層導電膜３と上層導電膜９’が垂直方向で重なると、下層導電膜３、絶縁層７及び上層導電膜９からなるキャパシタ１５の容量値が増加する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlaminar insulation layer 36 formed above a semiconductor substrate 10, a wiring layer 70, which is formed above the first interlaminar insulation layer 36 and includes a fuse 20 which can be fused by a laser beam, a first protection layer 40 formed on the wiring layer 70 constituting the fuse 20 and a second interlaminar insulation layer 38 formed on the first protection layer 40.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１０の上方に形成された第１層間絶縁層３６と、前記第１層間絶縁層３６の上方に形成された、レーザ光により溶断可能なヒューズ２０を含む配線層７０と、前記ヒューズ２０を構成する配線層７０の上方に形成された第１保護層４０と、前記第１保護層４０の上方に形成された第２層間絶縁層３８と、を備える。 - 特許庁

In the copper-metallized film, a copper layer and/or a copper alloy layer are/is formed on an insulation film.例文帳に追加

および圧延銅箔と同程度以上の屈曲性、耐折曲げ性を有する銅メタライズドフィルムとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An inner wall face of the trench 10 is covered by a gate insulation layer 11, and a gate layer 12 is embedded to the inside of the trench 10.例文帳に追加

トレンチ１０の内壁面はゲート絶縁層１１によって被覆され、トレンチ１０の内部にはゲート層１２が埋め込まれている。 - 特許庁