「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

First and second sidewall insulation layers 8, 14 are composed of a material differing from the hard mask layer 5.例文帳に追加

第１および第２の側壁絶縁層８、１４はハードマスク層５と異なる材質よりなっている。 - 特許庁

At least one protruded part is fitted on the insulation coating layer of the first surface of the circuit board.例文帳に追加

回路基板の第１の表面の絶縁被覆層上には、少なくとも１つの突出部が設けられる。 - 特許庁

The anisotropic through hole h comprises openings h1 on one surface of the base insulation layer 2 as well as on the other surface.例文帳に追加

異方性貫通孔ｈは、ベース絶縁層２の一面および他面に開口ｈ１を有する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor 20 of the SOI structure has a silicon layer 14 on an insulation film 12.例文帳に追加

絶縁膜１２上にシリコン層１４を備えるＳＯＩ構造のＭＯＳ電界効果トランジスタ２０である。 - 特許庁

A resin-fitted metal foil is provided which comprises a first insulation resin layer, containing amide radical formed on one surface of the metal foil; and a second insulation resin layer which is formed on the first insulation resin layer comprising a resin selected from among epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, and its regenerative substance.例文帳に追加

金属箔の片面に形成したアミド基を有する第１の絶縁樹脂層と、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはポリイミド樹脂もしくはその変性物からなる群から選択される樹脂であって、前記第１の絶縁樹脂層上に形成した第２の絶縁樹脂層を有する樹脂付き金属箔である。 - 特許庁

An interface layer 106 is formed in an insulation sealing material 102 side adhesion face of rear face protection material 105.例文帳に追加

裏面保護材１０５の絶縁性封止材１０２側接着面に界面層１０６を形成する。 - 特許庁

The hollow core object 10 for a coaxial cable is provided with an inner conductor 12, and an insulation coating layer 14.例文帳に追加

同軸ケーブル用中空コア体１０は、内部導体１２と、絶縁被覆層１４とを備えている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-MATCHING SOURCE/DRAIN CMOS DEVICE PROTRUDING ON STEPPED INSULATION LAYER例文帳に追加

階段形状の絶縁層上に隆起した自己整合ソース／ドレーンＣＭＯＳデバイスを製造する方法 - 特許庁

A field insulation layer 12A, an interlayer insulation film lower layer 14a formed by a spattering, and an interlayer insulation film upper layer 14b formed by application are stacked among the upper electrode 13, the connection electrode 15 and the lower electrode 11 to insulate the lower electrode 11 from the upper electrode 13 (the upper electrode power feed line 16).例文帳に追加

上部電極１３および接続電極１５と下部電極１１の間にはフィールド絶縁層１２Aとスパッタで成膜された層間絶縁膜下層１４aと塗布成膜された層間絶縁膜上層１４bとが積層され、下部電極１１と上部電極１３（上部電極給電線１６）とを絶縁する。 - 特許庁

The crystal silicon solar cell manufacturing method according to the present invention includes a reverse side insulation layer formation step of forming a reverse side insulation layer composed of an organic material on the surface of the reverse side of a crystal silicon substrate by a printing method and a step of forming an electrode on a light-receiving surface side after the reverse side insulation layer is formed.例文帳に追加

本発明に係る結晶シリコン太陽電池の作製方法は、結晶シリコン基板の裏面側表面に有機材料からなる裏面絶縁層を印刷法により形成する裏面絶縁層形成工程と、当該裏面絶縁層形成工程の後、受光面側に電極を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

To enhance heat dissipation properties of a conductor portion formed of metal, or the like, on an insulation layer in a circuit board.例文帳に追加

回路基板における絶縁層に形成された金属等の導体部の放熱性を向上させる。 - 特許庁

In addition, a plurality of package traces are embedded in the insulation layer to be connected to one ends of the holes.例文帳に追加

加えて、複数のパッケージトレースが該絶縁層に埋め込まれて、該ホールの他方の端に接続される。 - 特許庁

The display electrode 7 is formed to be overlapped on an end portion of the gap electrode 5 through the insulation layer 6.例文帳に追加

表示電極７は、絶縁膜６を介して隙間電極５の端部と重なるように形成する。 - 特許庁

Thereby, electric short circuit caused by thin thickness of the insulation layer 45 can be prevented.例文帳に追加

これにより、絶縁層４５の厚さが薄くなることに起因する電気的ショートを防止することができる。 - 特許庁

A first electrode 61 is formed on a surface of a second insulation layer 42 covering a driving transistor Tdr.例文帳に追加

駆動トランジスタＴdrを覆う第２絶縁層４２の表面には第１電極６１が形成される。 - 特許庁

To suppress or prevent the separation of an insulation film in a mostupper wiring layer of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の最上の配線層の絶縁膜の剥離を抑制または防止する。 - 特許庁

This insulation film layer is etched to form the contact hole in its thin part 25a.例文帳に追加

この絶縁膜層２５にエッチング処理を施すことにより、その薄肉部２５ａにコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

A base metal layer 9 is formed in the opening 8 of the upper insulation film 7 and on the upper surface thereof.例文帳に追加

次に、上層絶縁膜７の開口部８内および上面に下地金属層９を形成する。 - 特許庁

In embodiments, the etching is highly selective between the material of the insulation layer and the material of the substrate.例文帳に追加

実施例でエッチングは、絶縁層の材料と基板の材料との間で高度に選択的である。 - 特許庁

Preferably, the thickness of the wiring electrode 16 is not smaller than half of the thickness of the second insulation layer 14.例文帳に追加

好ましくは、配線電極１６の厚みが、第２の絶縁層１４の厚みの半分以上である。 - 特許庁

On the exposed metal layer 7 of the insulation substrate 4, an external heat radiator (not shown in the figure) is provided.例文帳に追加

そして、露出している絶縁基板４の金属層７に外部放熱器（図示せず）が取り付けられる。 - 特許庁

The channels have different polarities, and a charge storage layer is formed on the second insulation material.例文帳に追加

チャネルは、異なる極性を有し、電荷蓄積層は、第２の絶縁材料内側に形成されている。 - 特許庁

An upper electrode 10 is formed on the surface of the upper insulation layer 8 of the 7th product.例文帳に追加

前記第７生成物の前記上部絶縁性８の表面に上部電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulation layer that is simpler and easier than electrophoresis, and to provide a piezoelectric ceramic laminate.例文帳に追加

電気泳動法より簡単で容易な絶縁層の形成方法と圧電セラミック積層体を提供する。 - 特許庁

That is, an upper insulation layer 2 is formed on the base substrate 1 by a spin coat method, to pattern-work.例文帳に追加

すなわち，ベース基板１上に，スピンコート法により上層絶縁層２を形成し，パターン加工する。 - 特許庁

An optical waveguide (thick portion) 61 is formed on a silicon layer 13 sandwiched by insulation films 12, 14.例文帳に追加

絶縁膜１２，１４に挟まれるシリコン層１３に、光導波路（肉厚部）６１が形成されている。 - 特許庁

Moreover, a high effect of heat insulation is produced between the stationary mold 31 and the valve casing 46 by the ceramic layer 67.例文帳に追加

さらに、セラミック層67により固定型31とバルブケーシング46間に高い断熱作用をなすことができる。 - 特許庁

In addition, the flow of the high frequency signal in the horizontal direction is blocked by a trench separation insulation layer 121.例文帳に追加

また、トレンチ分離絶縁層１２１により、横方向における高周波信号の流れを遮断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a gate insulation layer having good characteristics, and its fabricating method.例文帳に追加

良好な特性を有するゲート絶縁層を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An upper contact is formed in the third insulation layer so as to be electrically connected to the intermediate contact.例文帳に追加

上部コンタクトを中間コンタクトと電気的に接続されるよう第三の絶縁層内に形成する。 - 特許庁

An insulation layer mold frame has a negative differential bevel angle dBA by employing a two-mask process.例文帳に追加

２マスクプロセスを採用することにより、負のベベル角差分ｄＢＡを有する絶縁層型枠を作製する。 - 特許庁

The gate insulation layer 60 is formed on a surface between the source region 20 and the second region 14.例文帳に追加

ゲート絶縁層６０はソース領域２０と第２領域１４との間の表面上に設けられる。 - 特許庁

The hole portion 10a of the supporting substrate 10 and the recessed portion 41 of the base insulation layer 11 are overlapped with each other.例文帳に追加

支持基板１０の孔部１０ａおよびベース絶縁層１１の凹部４１は互いに重なっている。 - 特許庁

The wiring members 14 and 13 configure a wiring pattern 16 on the insulation layer 11.例文帳に追加

配線部材１４は配線部材１３と共に絶縁層１１上の配線パターン１６を構成している。 - 特許庁

In the wiring board provided with a conductor pattern 3a having a solder joint P, on at least one side of an insulation layer 16, outer surface of the conductor pattern 3a is entirely located lower than the outer surface of the insulation layer 16, and a level difference wall 16a is formed on the boundary to the insulation layer 16.例文帳に追加

ソルダ接続部Ｐを有する導体パターン３ａが、少なくとも一方の表面の絶縁層１６に設けられた配線基板において、導体パターン３ａの外表面の全体が、絶縁層１６の外表面より低い位置に配置されて、絶縁層１６との境界に段差壁１６ａが形成されている。 - 特許庁

In an insulation layer forming and securing step; a lowermost resin insulation layer 33 is formed after an electronic component 101 is contained in a containing hole 90, and then the electronic component 101 is secured to the core substrate 11 by filling the clearance between the electronic component 101 and the core substrate 11 with a portion of the lowermost resin insulation layer 33.例文帳に追加

絶縁層形成及び固定工程では、収容穴部９０に電子部品１０１を収容した後、最下樹脂絶縁層３３を形成するとともに、電子部品１０１とコア基板１１との隙間を最下樹脂絶縁層３３の一部で埋めて電子部品１０１をコア基板１１に固定する。 - 特許庁

To provide an organic EL panel for comparatively easily inspecting the presence of pinholes generated at an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層に生じたピンホールの有無を比較的簡単に検査できる有機ＥＬパネルを提供する。 - 特許庁

To provide a highly refined and reliable printed wiring board, by inactivating a palladium remaining on the surface of an insulation layer as a catalyst so as to improve the insulation property of a circuit pattern, in a method for manufacturing a printed wiring board using an additive method to form the circuit pattern by a copper plated layer formed on the surface of the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層の表面に形成した銅めっき層により回路パターンを形成するアディティブ法によるプリント配線板の製造方法において、絶縁層の表面に残留する触媒たるパラジウムを不活性化して回路パターンの絶縁性を向上させ、高精細かつ高信頼性のプリント配線板を得る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of conductor regions formed in a predetermined layer, an insulation film region which is formed in an insulation layer above the predetermined layer and covers at least a region other than the plurality of conductor regions, and an interconnection for connection which is formed along the insulation film region and connects between the plurality of conductor regions.例文帳に追加

所定層に形成された複数の導電体領域と、所定層の上層である絶縁層に形成され、少なくとも複数の導電体領域以外の領域を覆う絶縁膜領域と、絶縁膜領域に沿って形成され、複数の導電体領域間を接続する接続用配線と、を有する。 - 特許庁

This semiconductor device has a semiconductor chip having pads for the external connections; an insulation layer formed on the surface of the semiconductor chip where the pads are formed; and conductor layers which are formed on the insulation layer, have areas larger than the areas of the pads, and are connected electrically with the pads via conductors piercing through the insulation layer.例文帳に追加

外部接続のためのパッドを有する半導体チップと、半導体チップのパッドを有する面に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成され、パッドの面積より大きな面積を有しかつ絶縁層を貫通する導電体によりパッドと電気的に接続されている導電体層とを具備する。 - 特許庁

This application is related to the method of manufacturing a single-sided board wherein a resin of an insulation layer is a phenol curable epoxy resin.例文帳に追加

絶縁層の樹脂がフェノール硬化型エポキシ樹脂である片面板を製造する方法に関する。 - 特許庁

The second land is formed on a part of the second insulation layer facing to the first land.例文帳に追加

前記第２のランドは、前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられる。 - 特許庁

Thus, the gate insulation film is formed first, and then the buried type impurity diffusion layer is formed.例文帳に追加

上記のようにしてゲート絶縁膜を形成してから埋め込み型不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

An anti-fuse 12 has a gate insulation film, a gate electrode 114, and a first diffusion layer 116.例文帳に追加

アンチヒューズ１２は、ゲート絶縁膜、ゲート電極１１４、及び第１拡散層１１６を有している。 - 特許庁

The via conductor 50 is brought into direct contact with a part of the filler 40 which the insulation layer 30 is filled with.例文帳に追加

ビア導体５０は、絶縁層３０に充填された充填材４０の一部と直に接している。 - 特許庁