「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

After forming the metallic layer 240 by a forming metallic layer 230, a photosensitive insulation material 250 is formed on the semiconductor wafer, and patterning is made.例文帳に追加

金属層（２４０）を形成金属層（２４０）を形成後、半導体ウェハ上に感光性絶縁材料（２５０）を形成し、パターニングする。 - 特許庁

To provide a method capable of efficiently manufacturing a low-cost printed wiring board having a level difference in an insulation layer which forms an outermost layer.例文帳に追加

最外層をなす絶縁層に段差を有するプリント配線板を低コストで効率よく製造できる方法を提供すること。 - 特許庁

Since a double insulation structure can be made by the first cover layer 3 and the second cover layer 4, safety can be enhanced.例文帳に追加

第１の被覆層３と第２の被覆層４とにより二重絶縁構造とすることができるので、安全性を高めることができる。 - 特許庁

A base body 2 of a multi-layer circuit board 1 is structured so that a conductive layer 12 is disposed between a plurality of laminated insulation layers 11.例文帳に追加

多層回路基板１の基板本体２は、積層された複数の絶縁層１１間に導電層１２が配置された構成である。 - 特許庁

The thin film magnetic head is constructed by forming a magnetic circuit layer and an insulation layer for electromagnetic conversion on a substrate.例文帳に追加

従って、薄膜磁気ヘッドの偏摩耗を抑制するために、絶縁層となる膜の耐摩耗性を向上させるという課題があった。 - 特許庁

At least some of the constituent elements of the insulation layer 222 overlap at least some of those of the ferroelectric layer 214a.例文帳に追加

絶縁層２２２の構成元素の少なくとも一部は、強誘電体層２１４ａの構成元素の少なくとも一部と同じである。 - 特許庁

A wear-resistant layer 4 is formed on the surface of the covered insulation layer 3 on a surface of the wire 1 of shape memory alloy.例文帳に追加

これにおいて、上記形状記憶合金のワイヤー１の表面に被覆された絶縁層３の表面に耐磨耗層４を形成する。 - 特許庁

A floating electrode 110 is formed on a semiconductor layer 102 and an insulation layer is formed on the floating electrode 110.例文帳に追加

フローティング電極１１０は半導体層１０２上に形成されており、絶縁層はフローティング電極１１０上に形成されている。 - 特許庁

Since an insulation between the gate electrode 20A and the diffusion layer 26 is ensured surely, the danger of the short circuit of these gate electrode and diffusion layer is also reduced.例文帳に追加

しかも、ゲート電極２０Ａと拡散層２６との絶縁が確実に確保されることから、これらがショートする危険性も少ない。 - 特許庁

On the insulation protective layer 5, a metal thin film 6 which has oxidation treatment parts 6a around the bump terminals 7a, 7b is formed to cover the layer 5.例文帳に追加

そして、前記絶縁保護層５上に、バンプ端子７a、7ｂの周囲が酸化処理６aを有する金属薄膜6を被覆形成した。 - 特許庁

To provide a wiring board having an excellent adhesion strength between an interlayer insulation layer constituting a build-up layer and a ceramic chip for embedment.例文帳に追加

ビルドアップ層を構成する層間絶縁層と埋め込み用セラミックチップとの密着強度に優れた配線基板を提供すること。 - 特許庁

The organic transistor is formed on an insulation layer 3 formed on a conductive layer 2 formed on a substrate 1 surface and on the inner surface including it.例文帳に追加

有機トランジスタは、基板１の表面に形成された導電層２上の絶縁層３及びそれを含む内面に形成される。 - 特許庁

This split can be realized by forming the 1st layer coil 1 without forming a coil lift up insulation layer 12 in this place.例文帳に追加

この分断は、この箇所において、コイルリフトアップ絶縁層１２を設けずに第１層コイル１を形成することにより実現できる。 - 特許庁

The mandrel 2 has a patterned insulation layer 8 on the metal layer 4 for electroforming an orifice 30 in the orifice area 34.例文帳に追加

マンドレル２はオリフィス領域３４にオリフィス３０を電鋳するため金属層４の上にパターニングされた絶縁体層８を有する。 - 特許庁

To form semiconductor layers having thickness different from each other on an insulation layer, while sustaining proper crystal quality of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の結晶品質を良好に保ちつつ、互いに異なる膜厚を有する半導体層を絶縁層上に形成する。 - 特許庁

Second heat treatment is performed to the semiconductor substrate 1 and a hardened layer 4e is formed all over the surface of a layer insulation film 4f.例文帳に追加

その後、半導体基板１に第２の熱処理を行い、層間絶縁膜４ｆの全表面部に、硬化層４ｅを形成する。 - 特許庁

Specifically, the silicon layer is formed in a peripheral area of an insulation wall for an emitter region formed at a prescribed position on the silicon-germanium mixed crystal layer.例文帳に追加

特に、シリコン層は、シリコン−ゲルマニウム混晶層上の所定位置に形成したエミッタ領域用絶縁壁の外周部に設ける。 - 特許庁

The waterproof layer 13 is desirably laminated by heating and melting the asphalt after laminating an asphalt sheet 13' on the second thermal insulation layer.例文帳に追加

好ましくは第２断熱層の上にアスファルトシート（１３’）を積層してからアスファルトを加熱溶融して防水層（１３）が積層される。 - 特許庁

The bed main body part 11 is composed of a floor plate 12, a heat insulation layer 13, a heat radiation plate 14 housing a heat pipe 15, a protective cover 16 and a natural stone layer 17 in this order from a lower layer.例文帳に追加

ベッド本体部１１は、下層から順に、敷板１２、断熱層１３、ヒートパイプ１５を収納する放熱板１４、保護カバー１６、天然石層１７からなる。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor wherein insulation of a thin film dielectric material layer is not easily broken due to a defect of an upper electrode layer deposited and formed on the thin film dielectric material layer.例文帳に追加

薄膜誘電体層上に被着形成した上部電極層の欠陥による薄膜誘電体層の絶縁破壊を起こしにくい薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

An outer base diffusion layer 6 which is superposed with an outer circumference of the intrinsic base diffusion layer 7, encloses the intrinsic base diffusion layer 7, and reaches the isolation insulation film 3 is formed.例文帳に追加

この真性ベース拡散層７の外周と重畳してこの真性ベース拡散層７を取囲み、分離絶縁膜３に達する外部ベース拡散層６を形成する。 - 特許庁

In a third-layer interlayer insulation film 11 formed between the second-layer metal 9 and a third-layer metal 15, a second via 13 and a second dummy via 13a are formed.例文帳に追加

第２層目メタル９と第３層目メタル１５の間に設けられた第３層目層間絶縁膜１１に第２ＶＩＡ１３と第２ダミーＶＩＡ１３ａが形成されている。 - 特許庁

The height of the magnetic domain control layer 13 and the refill insulation film 12 is made higher than the top surface of the free layer 31 in order to increase the thickness of the magnetic domain control layer 13.例文帳に追加

磁区制御層１３の膜厚を大きくするために、磁区制御層１３とリフィル絶縁膜１２の高さは、自由層３１の上面より高くなっている。 - 特許庁

The lower end of the electrode 14 is electrically connected to the common electrode layer 12, an insulation layer 16 is provided to the upper end and electrically isolated from the transparent common electrode layer 13.例文帳に追加

電極１４の下端は共通電極層１２と電気的に接続し、上端側は絶縁層１６を設けて透明共通電極層１３と電気的に絶縁する。 - 特許庁

The first ground conductor layer 120 is provided with corresponding first ground layer openings 120K and 120L facing the via lands 142 and 143 through the first insulation layer 130.例文帳に追加

第１接地導体層１２０には、第１絶縁層１３０を介して、ビアランド１４２，１４３と対向する対応する第１接地層開口１２０Ｋ，１２０Ｌを備える。 - 特許庁

A thickness of the first magnetic underlying layer 41 is adjusted to prevent the first magnetic underlying layer 41 from presenting intra-plane magnetic anisotropy on the interlayer insulation layer 60.例文帳に追加

第１磁性下地層４１の膜厚は、層間絶縁層６０の上において第１磁性下地層４１が面内磁気異方性を発現しないように調節されている。 - 特許庁

A first opening S1 is formed to penetrate the first metal layer 110 and the insulation layer 130 and to expose a part of the top face of the second metal layer 120.例文帳に追加

第１金属層１１０および絶縁層１３０を貫通するとともに、第２金属層１２０の頂面の一部分を露出させる第１開口Ｓ１が形成される。 - 特許庁

In a second-layer interlayer insulation film 5 formed between a first-layer metal 3 and a second-layer metal 9, a first via 7 and a first dummy via 7a are formed.例文帳に追加

第１層目メタル３と第２層目メタル９の間に設けられた第２層目層間絶縁膜５に第１ＶＩＡ７と第１ダミーＶＩＡ７ａが形成されている。 - 特許庁

The heat insulation coating for a layered structure (1) of the invention is composed of; a metal adhesive layer (7), an interior ceramic layer (10) and an exterior ceramic layer (13).例文帳に追加

本発明による層組織（１）の遮熱性被覆を、金属製接着層（７）、内側セラミックス層（１０）及び外側セラミックス層（１３）から形成される層組織。 - 特許庁

A second gate layer 46 is subjected to pattern formation to the first gate layer and extended to cover a prescribed region of the gate insulation layer 40 and to cover the LDD structure 36.例文帳に追加

第二ゲート層４６は前記第一ゲート層にパターン形成され、延伸して前記ゲート絶縁層４０の所定領域を被覆し、その下の前記LDD 構造３６を被覆する。 - 特許庁

A layer insulation layer 11 and a very thin copper film 12 with a cover film are laminated with the cover film 14 located outermost on a substrate surface having an inner layer pattern 50.例文帳に追加

内層パターン５０を有する基板表面上に，層間絶縁層１１と，カバーフィルム付き極薄銅箔１２とを，カバーフィルム１４が最も外側になるように積層する。 - 特許庁

The electric wire comprises a conductor 10, an insulating layer 30 formed outside the conductor 10, and a shielding layer 50 formed outside the insulation layer 30.例文帳に追加

本発明電線は、導体10と、導体10の外方に形成される絶縁層30と、絶縁層30の外方に形成されるシールド層50とを有するワイヤハーネス用電線である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a substrate capable of precisely controlling the thickness of a semiconductor layer in a substrate with a partial insulation layer under a thin semiconductor layer.例文帳に追加

薄い半導体層の下に部分的な絶縁層を有する基板における該半導体層の厚さを精密に制御可能な基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer 10 present on an insulation layer 20 has a lower semiconductor layer 10b present under an element isolation portion 14 and a body 10a present under a closed-curve portion 150.例文帳に追加

絶縁層２０上の半導体層１０は、素子分離部１４の下方の下方半導体層１０ｂと、閉曲線部１５０の下方にあるボディ１０ａとを備えている。 - 特許庁

Further, a second metal layer is formed on the surfaces of the semiconductor layer and the first insulation layer, and a third MPE is carried out to form a source structure and a drain structure on both the sides of the ES.例文帳に追加

また該ESと、半導体層と第1絶縁層の表面に第2金属層を形成して第3MPEを行い該ESの両側にソース構造とドレイン構造とを形成する。 - 特許庁

In a step of forming an opening in an insulation layer formed on the semiconductor layer, an unnecessary part of the semiconductor layer is etched at the same time, thereby reducing a photolithography process.例文帳に追加

半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 - 特許庁

A part of P-type type substrate 2 is etched to form a P-type layer 1 comprising an insulation region 3, over which an element formation layer comprising an N-type operation layer 5 is formed.例文帳に追加

Ｐ型基板２の一部にエッチングを施して絶縁領域３を備えたＰ型層１を形成し、その上にＮ型の動作層５を含む素子形成層を形成する。 - 特許庁

Further, a p-type diffusion layer 8 is provided on the p-type layer 3', and the protective resistor 9 is provided on the n-type diffusion layer 6' via a separation insulation film 7.例文帳に追加

さらに、ｐ型埋め込み層３´の上にはｐ型拡散層８が、ｎ型拡散層６´の上には分離絶縁膜７を介して保護抵抗９が設けられている。 - 特許庁

The insulation between the hard bias layer 36 and the laminate 22 as well as that between the hard bias layer 36 and the lower shield layer 20 are kept well.例文帳に追加

また、前記ハードバイアス層３６と前記積層体２２間の絶縁性、及び前記ハードバイアス層３６と前記下部シールド層２０間の絶縁性を良好に保つことができる。 - 特許庁

In the thermal insulation composite container 1, its body includes an inner layer 2 containing bulk-processed pulp, and an outer layer 3 mainly made of pulp and having density higher than that of the inner layer 2.例文帳に追加

本発明の断熱複合容器１は、嵩高処理パルプを含む内層２と、パルプを主体とし内層２より高密度の外層３とを胴部に備えている。 - 特許庁

In this case, permittivity in a region in contact with the side face of the island-like silicon layer is made smaller on the gate insulation layer than on one surface of the island-like silicon layer.例文帳に追加

このとき、ゲート絶縁層は、島状のシリコン層の一表面上と比較して、島状のシリコン層の側面と接する領域の誘電率を小さくする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an interlayer insulation layer 20, formed on a first interconnection layer 14 and having an opening 60 reaching the first interconnection layer 14.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１の配線層１４の上に設けられた、第１の配線層１４に達する開口部６０を有する層間絶縁層２０を含む。 - 特許庁

On the second insulation layer 9, an organic layer 11 is formed, and on the organic layer 11, a positive electrode 12 as a second electrode is formed for each display pattern 3.例文帳に追加

第二絶縁層９の上には有機層１１が形成され、有機層１１の上には第二電極としての陽極１２が表示パタン３毎に形成される。 - 特許庁

In this semiconductor device, within a memory circuit forming region of a silicon substrate 1, a first gate electrode layer 4 and a hard mask layer 5 are formed on a first gate insulation layer 3.例文帳に追加

シリコン基板１のメモリ回路形成領域内には、第１のゲート絶縁層３上に第１のゲート電極層４とハードマスク層５とが形成されている。 - 特許庁

The insulation layer is formed of a self-assembly organic layer which assembles itself by chemical bond on the surface of the semiconductor oxide layer and the surface of the conductive substrate, respectively.例文帳に追加

絶縁層は、半導体酸化物層の表面と伝導性基板の表面とにそれぞれ化学結合により自己組み立てされている自己組み立て有機層で形成される。 - 特許庁