「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Only in the upper portion of the W layer 8 protruding from an interlayer insulation film 2, a Ti layer 9 and a TiN layer 10 are removed by a CMP method, and then an Al alloy layer 11 is formed to form an interconnection pattern.例文帳に追加

層間絶縁膜２から突出したＷ層８の上部のみＴｉ層９、ＴｉＮ層１０をＣＭＰ法で除去し、その後にＡｌ合金層１１を形成して配線パターンを形成する。 - 特許庁

The method comprises a process for performing heating treatment for a semiconductor device with a layer insulation film containing impurities, a process for executing a treatment for making impurity concentration distribution of an upper layer part of the layer insulation film 2 uniform after the heating treatment process and a process for polishing a layer insulation film by CMP after the uniformization treatment of impurity concentration distribution.例文帳に追加

不純物を含む層間絶縁膜を有する半導体装置を加熱処理する工程と、その加熱処理工程の後、層間絶縁膜２の上層部の不純物濃度分布を均一にするための処理を行う工程と、不純物濃度分布の均一化処理の後に、層間絶縁膜をＣＭＰにより研磨する工程とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the TFT array substrate provided with at least a first conductive film, an insulation layer, a semiconductor layer, a second conductive film and a third conductive film (or a reflector film) on an insulation substrate, the second conductive film, the semiconductor layer and the insulation layer are patterned with one photoengraving step and the second conductive film is over-etched.例文帳に追加

絶縁性基板上に少なくとも第１の導電膜、絶縁膜、半導体層、第２の導電膜および第３の導電膜（または反射膜）を有するＴＦＴアレイ基板の製造方法において、第２の導電膜、半導体層および絶縁膜を１回の写真製版工程でパターニングするとともに、第２の導電膜をオーバーエッチする。 - 特許庁

The deviated abrasion is prevented by hardening the insulation layer with addition of chromium, titanium, silicon or the like and by disposing a hard film composed of aluminum nitride, diamond-like carbon, tetrahedral amorphous carbon or the like between the insulation layer and a metal layer or between the substrate and the insulation layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、基板上に電磁変換のための磁気回路層、絶縁層を形成してなるが、絶縁層をクロム、チタン、シリコンなどの添加によって硬質化、また、絶縁層と金属層との間、基板と絶縁層との間に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド状炭素、テトラヘドラルアモルファス状炭素などの硬質膜を設置することなどで偏摩耗量を抑制する。 - 特許庁

In a large-scale integrated circuit, using the SFQ as an information carrier, a line supplying the bias current for activating the circuit, is formed on the upper part of a super conductive ground layer via an insulation layer, and the distance between the bias current supplying line and super conductive ground layer is minimized by means of the thickness of the insulation layer formed thin, within a range which ensures insulation.例文帳に追加

ＳＦＱを情報担体として用いた大規模集積回路において、回路を駆動するバイアス電流が供給される線路を、絶縁層を介して、超伝導グランド層の上部に形成し、その絶縁層の厚さを、絶縁性を確保できる範囲内で薄く構成し、バイアス電流供給線路と超伝導グランド層との距離を微小にする。 - 特許庁

The present invention comprises a metal base, an insulation layer formed on the metal base and formed of a resin having a heat conductive characteristic, and an insulation layer removal portion where the insulation layer is not formed on the metal base, and which is formed to surround a center part of the insulation layer, thereby achieving the object.例文帳に追加

本発明は、金属基材と、上記金属基材上に形成され、熱伝導性を有する樹脂からなる絶縁層と、上記金属基材上に上記絶縁層が形成されていない部分であり、かつ上記絶縁層の中心部分を囲うように形成された絶縁層除去部とを有することを特徴とする熱伝導性封止部材を提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁

A cathode support electrode 4 which is an internal electrode is arranged on an insulation layer 13 covering a wiring layer 12, and the wiring layer 12 and the cathode support electrode 4 are mutually connected and fixed by a conducting layer 18 due to conducting paste coated by a dispenser through a through hole 14 opened in the insulation layer 13.例文帳に追加

配線層１２をカバーしている絶縁層１３上に内部電極であるカソード支持電極４を配置し、その絶縁層１３に開けられたスルーホール１４を介して、配線層１２とカソード支持電極４とを、ディスペンサにて塗布される導電ペーストによる導電層１８にて接続するとともに、その固定を行う。 - 特許庁

The printed wiring board 1 is further provided with a through hole 6 formed on the insulation layer 3 and the conductive layer 4 and having the metal substrate 2 as the bottom face and the insulation layer 3 and the conductive layer 4 as the wall surfaces, and a conductive paste 7 which fills the through hole 6 and electrically connects the metal substrate 2 and the conductive layer 4.例文帳に追加

また、プリント配線板１は、絶縁層３と導電層４に形成され、金属基板２を底面とするとともに、絶縁層３、および導電層４を壁面とする貫通孔６と、貫通孔６に充填され、金属基板２と導電層４を電気的に接続するための導電性ペースト７を備えている。 - 特許庁

In a wiring substrate 4, consisting of an insulation substrate 1 and a wiring layer 2 that is deposited and formed on the surface of the insulation substrate 1, a copper-plated layer 6, a nickel-plated layer 7 that is made of essentially an amorphous alloy of nickel-phosphorous, and a gold-plated layer 8 are successively deposited on the surface of the wiring layer 2.例文帳に追加

絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面に被着形成された配線層２とから成る配線基板４であって、前記配線層２の表面に銅めっき層６と、ニッケル−リンの実質的にアモルファス合金から成るニッケルめっき層７と、金めっき層８とを順次被着させた。 - 特許庁

A semiconductor device has a structure comprising a first and second layer insulation films 9, 10 using oxide films between a charge storing lower electrode (P-doped polysilicon) 14 and a diffused layer region 2 and a nitride film 11 to be a wet etching stop layer laminated on the second layer insulation film 10 being an upper layer.例文帳に追加

半導体装置は、電荷蓄積用下部電極（リンドープポリシリコン）１４と、拡散層領域２との間の層間膜である第１層間膜９、第２層間膜１０に酸化膜を用い、上層の第２層間膜１０上に、ウエットエッチングストップ層となる窒化膜１１が積層された構造を有するものである。 - 特許庁

A high-temperature coefficient resistor layer 21 is film-formed on the surface of an insulation layer 20 consisting of a polyimide resin sheet or the like by a screen printing method, and further the polyimide resin sheet or the like is stuck as an insulation layer 24, then an aluminum foil being a heat reflection layer 26 is stuck to the surface of the layer 24, whereby a heating resistor sheet 8 is produced.例文帳に追加

ポリイミド樹脂シート等からなる絶縁体層２０の表面に高温度係数抵抗体層２１をスクリーン印刷法により成膜し、更にポリイミド樹脂シート等を絶縁体層２４としてを接着し、その表面に熱反射層２６のアルミ箔を接着して発熱抵抗体シート８を製作する。 - 特許庁

A resin layer of 200 μm or less, an inner layer circuit board having an inner layer circuit pattern for evaluating the insulation and a fluorescent layer are laminated one on top of the other, in the order, and a part of the resin layer is removed to expose terminal parts of the circuit pattern, thereby forming a test piece for testing and evaluating the insulation reliability and its manufacturing method.例文帳に追加

２００μm以下の樹脂層、絶縁性評価用の内層回路パターンを形成した内層回路板及び蛍光性層を、順に積層させ、そして該樹脂層の一部を除去して、該内層回路パターンの端子部分を露出させた、絶縁性信頼評価試験用の試験片及びその作成方法である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lamination structure wherein an active layer 20, a first embedded insulation layer 18, a conductive layer 16, a second mbedded insulation layer 14 and a supporting substrate 12 are stacked in order from the surface side when viewing the cross section crossing orthogonally the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板を表面に直交する断面で観察すると、表面側から順に、２０活性層と、第１埋め込み絶縁層１８と、導電層１６と、第２埋め込み絶縁層１４と、支持基板１２が積層された積層構造が観察される。 - 特許庁

A movable electrode 20 is formed on a sacrifice layer 15 formed on a silicon substrate 1, and a wiring laminated part where a first interlayer insulation film 16, a first wiring layer 23, a second interlayer insulation layer 17, and a second wiring layer 24 are laminated in this order while partially patterning.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された犠牲層１５上に可動電極２０を形成し、可動電極２０上に、第一層間絶縁膜１６、第一配線層２３、第二層間絶縁膜１７、第二配線層２４を、この順に一部をパターニングしながら積層させた配線積層部を形成する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method which forms a conductor layer uniformly in a groove formed on a resin insulation layer without depending on a width or a diameter (area) of the groove when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and one resin insulation layer.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、樹脂絶縁層に形成された溝部内に、当該溝部の幅又は直径（面積）に依存することなく、導体層を均一に形成することが可能な新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

Between the metal interconnection layer 1 and the insulation resin layer 6 formed of either thermosetting resin or photo-curing resin, a first functional group 4 which reacts with the insulation resin layer 6 and forms a covalent bond 7 and a coupling layer 3 formed of a material including a mercapto group are formed.例文帳に追加

金属配線層１と、熱硬化性樹脂或いは光硬化性樹脂のいずれかからなる絶縁樹脂層６との間に、絶縁樹脂層６と反応して共有結合７を形成する第１の官能基４と、メルカプト基とを有する材料からなるカップリング層３を設ける。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery has a porous insulation layer formed at least on either the cathode plate having cathode activator layer or the anode plate having the anode activator layer containing anode activator particles, and the porous insulation layer has formation areas and non-formation areas.例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に多孔質絶縁層を備え、この多孔質絶縁層は形成領域と非形成領域とを有する。 - 特許庁

A laminate substrate 5 has a support substrate 10 composed of a first semiconductor layer, an insulation layer 20 formed on the support substrate, and a second semiconductor layer 30 provided on the insulation layer.例文帳に追加

第1半導体層からなる支持基板10、支持基板上に設けられた絶縁層20、及び絶縁層上に設けられた第2半導体層30を有する積層基板5の素子分離領域50aに含まれる、絶縁層及び第2半導体層をエッチングして、素子分離領域内に支持基板の露出面53を形成する。 - 特許庁

By the release of oxygen from the insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

In an element forming region surrounded by an isolation film 15, an insulation oxide layer 16B is formed selectively by oxidizing a gallium nitride semiconductor layer grown on the carrier supply layer 14, and a gate electrode 17 is formed on the insulation oxide layer 16B.例文帳に追加

素子分離膜１５に囲まれた素子形成領域には、キャリア供給層１４の上に成長した窒化ガリウムからなる半導体層が酸化された絶縁酸化層１６Ｂが選択的に形成され、絶縁酸化層１６Ｂ上には、ゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

In the liquid crystal device, an interlayer insulation layer 191 on the lower layer side of an active matrix substrate AM and a protective film 45 equivalent to a substrate for an alignment layer 46 and a protective film equivalent to a substrate for an alignment layer of a counter substrate OP are all insulation layers formed with a polysilazane coated film.例文帳に追加

液晶装置１において、アクティブマトリクス基板ＡＭの下層側層間絶縁膜１９１、および配向膜４６の下地に相当する保護膜４５と、対向基板ＯＰの配向膜４７の下地に相当する保護膜４４は、いずれもポリシラザン塗布膜から形成した絶縁膜である。 - 特許庁

Also, by providing a polyacrylic acid based resin layer adjacently to the vapor deposition layer of the outer bag of the vacuum insulation material 1, the temporal degradation of heat conductivity is reduced even when the vapor deposition layer is set as one layer and the heat leakage through the outline of the vacuum insulation material 1 is reduced further.例文帳に追加

また、真空断熱材１の外袋の蒸着層に隣接してポリアクリル酸系樹脂層を設けることにより、蒸着層を一層とした場合にも熱伝導率の経時劣化を低減するとともに、真空断熱材１の外郭を通じた熱漏洩のさらなる低減が可能となる。 - 特許庁

To provide a substrate with a reduced step to eliminate a defect of an upper layer caused by the step of an edge of an insulation layer when the insulation layer such as an dielectric layer on the substrate and various layers are formed thereon; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に誘電体層等の絶縁層を設け、その上に種々の層を形成する際に、絶縁層のエッジの段差に起因して生じる上層の欠陥の解消を図り、段差を少なくした基板およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the thin-film transistor 10, a gate electrode 2, an organic insulation layer 3, a metal oxide insulation layer 4, and a channel layer 6 are arranged in this order on the surface of a substrate 1, and a source electrode 7 and a drain electrode 8 are arranged on the surface of the channel layer 6.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０は、基板１の表面に、ゲート電極２、有機物絶縁層３、金属酸化物絶縁層４及びチャネル層６がこの順に配置され、該チャネル層６の表面にソース電極７及び前記ドレイン電極８が配置された構成となっている。 - 特許庁

In forming the surface electrodes 3, an insulation layer 5 is formed on a principal surface of the function layer 4, and one side surface of the insulation layer 5 in a cross section crossing the extension direction of the bus electrodes 6 is made to intersect with the principal surface of the function layer 4 at an angle below the right angle.例文帳に追加

表面電極３を成膜するにあたり、機能層４の主表面に絶縁層５を形成し、バス電極６の延長方向に交差する断面での絶縁層５の一側面を機能層４の主表面に対して直角以下の角度で交差させる。 - 特許庁

In an electromagnetic wave leakage suppression structure, a tape 2 is composed of an adhesion layer 11 adhered to a housing 1, a magnetic material layer 12 provided on a surface of the adhesion layer 11, a conductive layer 13 provided on a surface of the magnetic layer 12, and an insulation layer 14 provided on a surface of the conductive layer 13, which are formed in this order from the bottom layer.例文帳に追加

テープ２は、最下層から順に、筐体１に接着される接着層１１、接着層１１の表面に設けられた磁性体層１２、磁性体層１２の表面に設けられた導電層１３、及び、導電層１３の表面に設けられた絶縁層１４によって構成される。 - 特許庁

To provide a heat insulation method for a cryogenic container for multi-layer heat insulation of the cryogenic container or a cryogenic member in a rapid and efficient manner without using special equipment or without generating leakage or heat short, and a multi-layer heat insulation blanket with package used therefor.例文帳に追加

極低温容器または極低温部材を、迅速かつ効率的に、特殊な機器を必要とすることなく、かつ漏れや熱ショートを生ぜずに多層断熱する極低温容器の断熱方法とこれに用いるパッケージ付き多層断熱ブランケットを提供する。 - 特許庁

To provide an insulation wire which includes an insulation layer containing crosslinked silicone rubber, and has excellent cold resistance and abrasion resistance while suppressing reduction of a variety of physical property due to poor appearance of the insulation layer caused by foaming in crosslinking reaction.例文帳に追加

架橋シリコーンゴムを含む絶縁層を有する絶縁電線において、架橋反応時に発泡することに起因する絶縁層の外観不良による各種物性の低下を抑えるとともに、耐寒性や耐摩耗性にも優れる絶縁電線を提供すること。 - 特許庁

Then, after an insulation film 20 is so deposited by plasma CVD method as to cover the third layer interconnections 11L3, another insulation film 15c is deposited by HDP-CVD method on top of the insulation film 20 to completely fill in spaces between adjacent interconnections of the third layer interconnections 11L3.例文帳に追加

続いて、この第３層配線１１Ｌ３を覆うように、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜２０を堆積した後、その上にＨＤＰ−ＣＶＤ法により絶縁膜１５ｃを堆積して第３層配線１１Ｌ３の隣接間を隙間無く埋め込む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of manufacturing without remarkably modifying the manufacturing device of the conventional insulation electric wire concerning the manufacture of a double coating insulation electric wire having insulation coat layer and a self fusing layer on a conductor not exceeding 60 μm of a wire diameter.例文帳に追加

線径６０μｍ程度の導体に絶縁被膜層及び自己融着層を有するダブルコート型絶縁電線の製造を従来の絶縁電線の製造装置を大幅に改変することなく製造可能とする製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A gate insulation film 52 of a TFT 12 includes a laminate structure of a first insulation film 52A made of silicon nitride (SiN), a first light-absorbing layer 52B made of a material for absorbing light of ≤420 nm wavelength, and a second insulation layer 53B made of silicon dioxide (SiO_2).例文帳に追加

ＴＦＴ１２のゲート絶縁膜５２を、窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる第１絶縁膜５２Ａと、４２０ｎｍ以下の光を吸収する材料よりなる第１光吸収層５２Ｂと、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2 ）よりなる第２絶縁膜５３Ｂとの積層構造とする。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 with the insulation film 13 as a polishing stopper, a part of the insulation film 13 is removed to be the mask, a second alignment mark 3 is formed, and the p-type semiconductor layer 14 is etched back by the degree of the part of the thickness of the insulation film 13.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、絶縁膜１３の一部を除去してマスクとし、第２のアライメントマーク３を形成するとともに、絶縁膜１３の厚さ分程度、ｐ型半導体層１４をエッチバックする。 - 特許庁

The sheet-like non-contact data carrier comprises: a sheet-like insulation substrate on the main face of which an IC chip and a layer-like antenna pattern are provided; an adhesive layer formed on the sheet-like insulation substrate; and a code mark printed on the sheet-like insulation substrate.例文帳に追加

シート状非接触データキャリアとして、主面上にＩＣチップおよび層状のアンテナパターンを備えたシート状絶縁基材と、シート状絶縁基材上に設けられた粘着材層と、シート状絶縁基材上に印設されたコード印とを具備する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a light emitting layer composed of a III-V compound semiconductor; a first electrode having a reflection metal layer; an insulation layer having an opening; a first conductivity type layer; a second conductivity type layer; and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

In the upper section of the magnetization free layer 5, the upper magnetic shield layer 7 covers surfaces of the bias layer 13 on the medium facing surface sides via the insulation layer 6 so that the bias layer 13 may not be seen from the medium facing surface sides.例文帳に追加

そして、磁化自由層５の上部において、上磁気シールド層７においては、バイアス層１３が媒体対向面側からは見えないように、絶縁層６を介してバイアス層１３の媒体対向面側の面を覆っている。 - 特許庁

(1) The optical information recording medium has an optical information storage layer part having a transparent substrate with an optical guide groove and a reversible display recording layer part and has a heat insulation layer between the optical information storage layer part and the reversible display recording layer part.例文帳に追加

（１）光案内溝付き透明基板を有する光情報記憶層部と可逆表示記録層部を有し、該光情報記憶層部と可逆表示記録層部の間に断熱層を有する光情報記録媒体。 - 特許庁

An inner peripheral side fire-resistant layer 21 and an outer peripheral side fire-resistant layer 22 are formed between a conductor 1 and an insulation layer 3, and a granular refractory material 7 is interposed between the inner peripheral side fire-resistant layer 21 and the outer peripheral side fire-resistant layer 22.例文帳に追加

導体１と絶縁層３との間に内周側耐火層２１と外周側耐火層２２を形成し、それら内周側耐火層２１と外周側耐火層２２との間に粒状耐火材７を介在させる。 - 特許庁

Then a metallic wire layer 5 is provided on the good heat conduction layer 3 via an insulation layer 4, the semiconductor chip 6 is mounted on the metallic wire layer 5 and the temperature sensor 10 is closely fitted to the good heat conduction layer 3.例文帳に追加

そして、この良熱伝導層３上に絶縁層４を介して金属配線層５を設け、この金属配線層５に半導体チップ６を実装すると共に、温度センサ１０を良熱伝導層３に密着させて取り付ける。 - 特許庁

In a field-effect transistor wafer in which a buffer layer 2, a channel layer 3, a spacer layer 4, and a carrier supply layer 5 grow on a semi-insulation substrate 1 of GaAs, the buffer layer 2 is constituted of carbon- doped GaInP.例文帳に追加

ＧａＡｓの半絶縁性基板１の上に、バッフア層２、チャネル層３、スペーサ層４およびキャリア供給層５を成長させた電界効果トランジスタ用ウエハにおいて、炭素をドーピングしたＧａＩｎＰによりバッファ層２を構成する。 - 特許庁

The board comprises a first insulation layer, a second insulation layer laminated on the first insulation layer, electric/electronic components buried in the second insulation layer, a wiring pattern held between the first and second insulation layers including electric/electronic component mounting lands, and an anisotropic adhesive members electroconductively held between electric/electronic component terminals and the mounting lands for electrically connecting the component terminals with the mounting lands.例文帳に追加

第１の絶縁層と、第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、第２の絶縁層に埋め込まれた電気／電子部品と、第１の絶縁層と第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、電気／電子部品の実装用ランドを含む配線パターンと、電気／電子部品の端子と実装用ランドとを電気的に接続するために、該端子と該実装用ランドとの間に挟設され電気的導通状態にされている異方性導電性接着部材とを具備する。 - 特許庁

A capacitor 8, which is formed on a first insulation layer 5 covering MOS transistors 3 and 4, has a columnar insulation member 8a, a first capacitive electrode 8b formed on the side of the columnar insulation member 8a, a capacitive insulation film 8c formed on the first capacitive electrode 8b, and a second capacitive electrode 8d formed on a capacitive insulation film 8c.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ３，４を覆って形成された第１絶縁層５上に形成されているキャパシタ８は、柱状絶縁部材８ａと、その側面に形成された第１容量電極８ｂと、その上に形成された容量絶縁膜８ｃと、その上に形成された第２容量電極８ｄとを含んでいる。 - 特許庁

Since the heat insulation material feeding process S9 and the gas force feed process S11 are alternately repeatedly performed until the pearlite P is filled in the heat insulation space S, not only the pearlite P of an upper layer of the heat insulation space S but also the pearlite P of a lower layer of the heat insulation space S can be sufficiently compacted, and the pearlite P can be efficiently filled in the heat insulation space S.例文帳に追加

また、断熱空間ＳにパーライトＰが充填されるまでの間に、断熱材給送工程Ｓ９と気体圧送工程Ｓ１１とを交互に繰り返して行うので、断熱空間Ｓの上層のパーライトＰのみでなく、断熱空間Ｓの下層のパーライトＰまでも十分に圧密することができ、断熱空間ＳにパーライトＰを効率良く充填することができる。 - 特許庁

An upper groove 110 is formed by etching and removing only a third insulation film 108 among a cap layer 104 deposited on a lower interconnection 101, a first insulation film 105, an intermediate stopper film 10, a second insulation film 107 and the third insulation film.例文帳に追加

下層配線１０１上に積層されたキャップ層１０４、第１の絶縁膜１０５、中間ストッパ膜１０６、第２の絶縁膜１０７及び第３の絶縁膜１０８のうち、第３の絶縁膜１０８のみをエッチング除去して上溝１１０を形成する。 - 特許庁

A first TFT 20 has a base film 70, a semiconductor layer 23 provided on the base film 70, a gate insulation film 37 provided so as to cover the semiconductor layer 23, and a gate electrode 21 provided through the gate insulation film 37 with a first and second inter-layer insulation films 51, 52 laminated thereon.例文帳に追加

第１のＴＦＴ２０は、下地膜７０と、下地膜７０上に設けられ、半導体層２３と、半導体層２３を覆うように設けられたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７を介して設けられたゲート電極２１とを有し、さらに、第１層間絶縁膜５１および第２層間絶縁膜５２が積層されている。 - 特許庁

To shorten a time for forming an insulation resin layer and eliminate the irregurality of the surface thereof in an electronic circuit device in which an LSI chip is mounted in a state where it is packaged on a circuit board by the insulation resin layer and a chip part is mounted onto the surface of the insulation resin layer.例文帳に追加

回路基板上に絶縁樹脂層によって封止された状態でＬＳＩチップを実装し、さらに絶縁樹脂層の表面にチップ部品を実装するようにした電子回路装置において、とくに絶縁樹脂層の形成のための工程時間を短縮するとともに、絶縁樹脂層の表面の凹凸をなくす。 - 特許庁