「m²」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The license key M4 is sent to the terminal device 3 by tracking the order path information M2 backward.例文帳に追加

ライセンスキーＭ４は、発注経路情報Ｍ２を逆にたどって端末装置３へ送信される。 - 特許庁

The printers P1 and P2 for outputting the diagnostic result are connected to the portable telephones M1 and M2.例文帳に追加

診断結果を出力するプリンタＰ１，Ｐ２が、携帯電話Ｍ１，Ｍ２に接続されている。 - 特許庁

The third camera position M3 is nearer to the target 30 than the first and second camera positions M1, M2.例文帳に追加

第３カメラ位置Ｍ３は、第１および第２カメラ位置Ｍ１およびＭ２よりターゲット３０に近い。 - 特許庁

The device for estimating a gripping degree comprises a steering torque detecting means M1 and an assisting torque detecting means M2.例文帳に追加

グリップ度推定装置は、操舵トルク検出手段Ｍ１、アシストトルク検出手段Ｍ２を備える。 - 特許庁

An arrow mark M1 is displayed above the pointer P, and an arrow mark M2 is displayed to the right of the pointer P.例文帳に追加

ポインタＰの上方には矢印マークＭ１、右方には矢印マークＭ２を表示させる。 - 特許庁

An arrow mark M1 is displayed at the upper part of the pointer P, and an arrow mark M2 is displayed at the right part of the pointer P.例文帳に追加

ポインタＰの上方には矢印マークＭ１、右方には矢印マークＭ２を表示させる。 - 特許庁

Transistors M1 and M2 control currents IF1 and IF2 according to the value of the current I2.例文帳に追加

トランジスタＭ１及びＭ２は、電流Ｉ2の大きさに基づいて、電流ＩF1及びＩF2を制御する。 - 特許庁

The amplification circuit 100 has a MOS transistor M1 and a MOS transistor M2, and it has the gain proportional to a square root of a ratio between a current I1 flowing in M1 and a current I2 flowing in M2.例文帳に追加

増幅回路１００は、ＭＯＳトランジスタＭ１とＭＯＳトランジスタＭ２とを有し、Ｍ１を流れる電流Ｉ１とＭ２を流れる電流Ｉ２の比の平方根に比例した利得を有する。 - 特許庁

The compound oxide powder consists of the oxide of a metal M1 and the oxide of a metal M2, which does not form a solid solution with the oxide of the metal M1, and the oxide of the metal M1 and the oxide of the metal M2 are dispersed in (nm) scale.例文帳に追加

金属Ｍ_1 の酸化物と、金属Ｍ_1 の酸化物と固溶しない金属Ｍ_2 の酸化物との複合酸化物よりなり、金属Ｍ_1 の酸化物と金属Ｍ_2 の酸化物とがnmスケールで分散している。 - 特許庁

A switching control section 12 turns the first transistor M1 and the second transistor M2 off during ste-up stop period, and turns the first transistor M1 off, while turning the second transistor M2 on, during the step-up operation period.例文帳に追加

スイッチ制御部１２は、昇圧停止期間に、第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２をオフし、昇圧動作期間において第１トランジスタＭ１をオフし、第２トランジスタＭ２をオンする。 - 特許庁

The steel sheet preferably includes 3-25% Cr for an application to building materials, and a coated weight and the standard deviation is preferably 20-50 g/m2 and 4 g/m2 or less respectively for fuel tanks.例文帳に追加

建材として使用する際にはＣｒ：３〜２５％を含有する鋼板を使用することが、また、燃料タンクとしては付着量２０〜５０ｇ／ｍ^^2 、標準偏差４ｇ／ｍ^2 以下が望ましい。 - 特許庁

D flip-flops M1, M1, M2, and M3 are connected in a line so that data is sequentially transferred while delay parts 32, 34, and 36 are connected to clock signal input ends of the M0, M1, and M2, respectively.例文帳に追加

ＤフリップフロップＭ０，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３は一列で連結してデータが順次伝達されるように構成し，Ｍ０，Ｍ１，Ｍ２の各クロック信号入力端には遅延部３２，３４，３６を各々連結する。 - 特許庁

A position of the marker light M2 for the camera shake correction is detected from an image signal to be output from the area sensor (S3), and a trajectory range of the marker light M2 for the camera shake correction is determined from the image signal (S4).例文帳に追加

エリアセンサから出力される画像信号から手ぶれ補正用マーカ光Ｍ２の位置を検出し（Ｓ３）、その画像信号から手ぶれ補正用マーカ光Ｍ２の軌跡範囲を決定する（Ｓ４）。 - 特許庁

On the surface of the plated steel sheet before the deposition of the chemical film by the nonchromic chemically treating agent, Ni is precipitated by 1 to 20 mg/m2 and/or a phosphate film is deposited by 0.2 to 3 g/m2.例文帳に追加

非クロム系化成処理剤で化成皮膜を形成する前のめっき鋼板表面に、Ｎｉを１〜２０ｍｇ／ｍ^2析出させ、および／又は、りん酸塩皮膜を０．２〜３ｇ／ｍ^2生成させる。 - 特許庁

Assuming that an exposure energy density on an electrostatic latent image carrier by exposure is E (J/m2) and the sensitivity constant of the electrostatic latent image carrier is S (J/m2), E and S are set to meet 0.9≤E/S≤2.6.例文帳に追加

露光による静電潜像担持体上での露光エネルギー密度をＥ（Ｊ／ｍ^2 ）、静電潜像担持体の感度定数をＳ（Ｊ／ｍ^2 ）とすると、０．９≦Ｅ／Ｓ≦２．６となるように、上記Ｅ，Ｓを設定する。 - 特許庁

The method for separating the platinum group element comprises the steps of: adjusting the ratio (M1/M2) of the total molar concentration (M1) of coexistent metals of Bi, Sn and Pb to the total molar concentration (M2) of the platinum group elements to ≤1; and adsorbing/separating the platinum group elements.例文帳に追加

共存金属のＢｉ、Ｓｎ、Ｐｂの合計モル濃度(Ｍ１)と、白金族元素の合計モル濃度(Ｍ２)の比(Ｍ１/Ｍ２)を１以下に調整して白金族元素を吸着分離する。 - 特許庁

A low-side detection transistor MS_L is of the same type with the low-side transistor M2, and has a source connected to a ground terminal 108 and receives the gate signal SG_L of the low-side transistor M2 at a gate of the low-side detection transistor MS_L.例文帳に追加

ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌは、ローサイドトランジスタＭ２と同型であり、そのソースが接地端子１０８に接続され、そのゲートにローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを受ける。 - 特許庁

A terminal M of external terminals P, M, N, U of a conventional module is formed into two terminals and the terminal array is formed in one linear shape in the order of M1, P, N, M2, or M1, N, P, M2, U.例文帳に追加

従来のモジュールの外部端子Ｐ，Ｍ，Ｎ，ＵのＭ端子を２端子とし、端子配列をＭ１、Ｐ，Ｎ、Ｍ２、Ｕの順序、又はＭ１、Ｎ，Ｐ、Ｍ２、Ｕの順序で、１直線状に配置する。 - 特許庁

Weight of the separating layer 22 is not less than 0.05 g/m2 and less than 0.3 g/m2, and a water contact angle on the surface of the separating layer 22 when balanced at 2 min. after dollop of water is more than 100°.例文帳に追加

離型層２２の坪量が０．０５ｇ／ｍ^2以上０．３ｇ／ｍ^2未満であり、離型層２２の表面における水の滴下から２分経過した平衡時の水の接触角が１００°以上である。 - 特許庁

Converged laser light generated from a laser radiator 7 is moved on a base fabric M1 and a welt fabric M2, a center cut and a corner cut are applied to the base fabric M1 and the welt fabric M2, and a pocket hole is formed.例文帳に追加

レーザー照射器７から発生される集光したレーザー光が身生地Ｍ１と玉布Ｍ２上で移動され、身生地Ｍ１と玉布Ｍ２にセンターカットとコーナーカットが行なわれ、ポケット穴が形成される。 - 特許庁

Thus, output terminals 21, 22 and 23 of the drive control circuit 10 are continuously kept in signal output states for stopping both the motors M1, M2, and the motors M1, M2 are kept in stopped states.例文帳に追加

これにより、駆動制御回路１０の出力端子２１，２２，２３は、モータＭ１，Ｍ２をともに停止する信号出力状態を継続してとり、モータＭ１，Ｍ２は停止状態のままを維持する。 - 特許庁

A large sound pressure is obtained from the electroacoustic transducer by selecting the Young's modulus of the adhesive 4 after curing to be 4.0×104-5.0×106 N/m2 and selecting the Young's modulus of the elastic sealing agent after curing to be 5.0×106 N/m2 or below.例文帳に追加

接着剤４の硬化後のヤング率を４．０×１０^4 〜５．０×１０^6 Ｎ／ｍ^2 とし、弾性封止剤の硬化後のヤング率を５．０×１０^6 Ｎ／ｍ^2 以下とすることで、大きな音圧を得る。 - 特許庁

M1, M2 and M3 are MOS transistors forming an initial-stage source follower circuit of the signal output section; and M1 is a driving MOS transistor, M2 is a current source MOS transistor, and M3 is a MOS transistor for resistance.例文帳に追加

Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３は信号出力部の初段のソースフォロア回路を成すＭＯＳトランジスタで、Ｍ１が駆動ＭＯＳトランジスタ、Ｍ２が電流源ＭＯＳトランジスタ、Ｍ３が抵抗用ＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

Diodes D2a, D2b that are used for the overheat detection of a transistor M2 are arranged adjacent to a side facing a transistor M1 and a side facing a transistor M3 among the sides of the transistor M2, respectively.例文帳に追加

トランジスタＭ２の過熱検出に用いられるダイオードＤ２ａ、Ｄ２ｂは、それぞれトランジスタＭ２の辺のうちトランジスタＭ１に対する辺とトランジスタＭ３に対する辺に近接して配置される。 - 特許庁

This reproduction device is provided with menu screens M12 and M23 in an intermediate hierarchy on which menus selected on menu screens M1 and M2 in a high rank hierarchy and a plurality of menus to be displayed in low rank hierarchies M2 and M3 are displayed.例文帳に追加

本発明は、上位階層のメニュー画面Ｍ1 、Ｍ２で選択されたメニューと、下位階層Ｍ２、Ｍ３で表示する複数のメニューとを表示する中間階層のメニュー画面Ｍ１２、Ｍ２３を設ける。 - 特許庁

A slope of a first slope part M2 of a third cam groove a3 formed in a first ring 30 is formed of a slope larger than the slope of the first slope part M2 of the other first and second cam grooves a1 and a2.例文帳に追加

第１リング３０に形成した第３カム溝ａ３の第１勾配部Ｍ２の勾配を、他の第１，第２カム溝ａ１，ａ２の第１勾配部Ｍ２の勾配よりも大きい勾配で形成する。 - 特許庁

A cobalt composite oxide manufactured in this method has a form of a ball or the like with a particle size of 10 nm through μm for surface area of 0.1 m2/g through 5 m2/g.例文帳に追加

この製造方法で製造されたコバルト系複合酸化物は、その形状が球形または類似球形、粒度が１０ｎｍないしμｍ表面積が０．１ｍ^２／ｇないし５ｍ^２／ｇである。 - 特許庁

The wiring layers M1, M2, M3 are mutually connected so that different voltages VDD and VSS are supplied to adjacent wires in each wiring layer M1, M2, M3, respectively.例文帳に追加

そして、各配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の、隣り合う配線におのおの異なる電位ＶＤＤ，ＶＳＳが供給されるように、配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の相互を接続してなる構成となっている。 - 特許庁

A direct current voltage which is within a withstand voltage of the MOS transistor M2 is supplied to a gate in response to a voltage supplied to a conductive terminal 6y of the MOS transistor M2 at the time of normal operation.例文帳に追加

又、通常動作時には、ＭＯＳトランジスタＭ２の導電端子６ｙに印加する電圧に応じてＭＯＳトランジスタＭ２の耐圧範囲内となる直流電圧をゲートに供給する。 - 特許庁

The movable supporting unit 20 is equipped with a movable supporting body 50 which makes the lower jaw mouthpiece M2 move freely in a prescribed direction other than the direction in which the lower jaw mouth piece M2 is moved by the actuators 24, 53.例文帳に追加

可動支持ユニット２０は、アクチュエータ２４，５３により下顎マウスピースＭ２が動く方向を除く所定方向に当該下顎マウスピースＭ２が自由に動作可能にする可動支持体５０を備えている。 - 特許庁

The cement having the bimodal particle distribution preferably comprises a cement having a specific surface area of 1,500-3,500 m2/g and a cement having a specific surface area of 4,000-7,500 m2/g.例文帳に追加

また、バイモーダルな粒度分布を有するセメントが、比表面積１５００〜３５００ｃｍ^2／ｇのセメントと、比表面積４０００〜７５００ｃｍ^2／ｇのセメントとからなるものであることが望ましい。 - 特許庁

Then, during the contention-free slot or the ATIM window, the frames whose descriptors are stored in the memory M1 are sent, followed by the frames whose descriptors are stored in the memory M2 during the contention slot.例文帳に追加

次に、競合のないスロット又はATIMウィンドウの間に、記述子がメモリM1に保存されているフレームが送信され、それに続いて競合スロットの間に、記述子がメモリM2に保存されているフレームが送信される。 - 特許庁

The belt parts are each made by laminating belt members of an inner and an outer two layers and the magnets M2 are stuck to the laminated faces by using an adhesive, etc., as a means for fixing the magnets M2 to the belt parts.例文帳に追加

磁石Ｍ２をベルト部分に固定する手段として、ベルト部分を内外２層のベルト部材を貼り合わせて構成し、磁石Ｍ２をこの貼り合わせ面に接着材等を用いて貼着する。 - 特許庁

An electronic mail M1 group decided as the unnecessary mail candidate is stored in an unnecessary mail candidate storage means 21, while an electronic mail M2 group decided as the electronic mail to be received is stored in a reception mail storage means 22.例文帳に追加

そして不要メール候補と判定された電子メールM1群は不要メール候補保存手段21に保存し、受信が必要な電子メールと判定された電子メールM2群は受信メール保存手段22に保存する。 - 特許庁

The coating weight of an ink in a pattern printing layer 2 on the surface of the base paper sheet 1 is preferably ≤10 g/m2 and the coating weight of a surface protective resin layer 3 thereon is preferably ≤3 g/m2.例文帳に追加

原紙１の表面上の絵柄印刷層２はインキの塗布量を１０ｇ／ｍ^2以下とし、さらにその上の表面保護樹脂層３は塗布量を３ｇ／ｍ^2以下とすることが望ましい。 - 特許庁

If the center thickness of the first light-transmitting member is set as D1, the central thickness of the layer of the first liquid as M1, and the center thickness of the layer of the second liquid as M2, the condition 1<D1/(M1+M2)<20 is satisfied.例文帳に追加

第１光透過部材の中心厚をＤ１とし、第１液体の層の中心厚をＭ１とし、第２液体の層の中心厚をＭ２とするとき、１＜Ｄ１／（Ｍ１＋Ｍ２）＜２０の条件を満足する。 - 特許庁

A groove 111U is formed across the arc of radius M1 and that of radius M2, while extending along the arc of radius M1 and that of radius M2.例文帳に追加

また、半径Ｍ１を有する円弧と半径Ｍ２を有する円弧に沿っているとともに、半径Ｍ１を有する円弧と半径Ｍ２を有する円弧にまたがっている溝１１１Ｕが形成されている。 - 特許庁

Firstly, an antenna of a first receiving station as a referential station is placed at B1 and an antenna of a second receiving station as a positioning station is moved in order of M1→M2→M3 to relatively measure M1, M2, and M3.例文帳に追加

まず、基準局としての第１受信局のアンテナをＢ１に置き、測位局としての第２受信局のアンテナをＭ１→Ｍ２→Ｍ３の順に移動させて、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３の相対測位を行う。 - 特許庁

The motions of rotors 20 and 30 and turning arms 21 and 31 of this multi-joint manipulator A are generated so that the forward path and return path of wires W1, W2, W3, W4 are advanced and retreated in the regular and reverse directions in the same quantity by motors M1, M2, M3, M4.例文帳に追加

多関節型マニピュレータ(A)の回転体(20,30)と回動アーム体(21,31)の運動は、ワイヤ(W1,W2,W3,W4)の往路と復路がモータ(M1,M2,M3,M4)により同量づつ正逆方向へ進退動することにより行われる。 - 特許庁

In the semiconductor device, no silicide layer is disposed on the top surfaces of diffusion layers 33a connected with connecting nodes M1, M2 of transistors P1, D1, P2, D2 for holding data, but silicide layers are disposed on the top surfaces of diffusion layers 33 other than the diffusion layers 33a.例文帳に追加

データを保持するトランジスタP1,D1,P2,D2の接続ノードM1,M2に接続される拡散層３３ａの上面にはシリサイド層を配置せず、それ以外の拡散層３３の上面にはシリサイド層を配置する。 - 特許庁

When the control voltage Vcrtl gets lower (the fosc is lower), the FET M2 is also conductive and the current Icc flowing to the amplifier 3 corresponds to the sum of currents flowing to the FET M1, M2.例文帳に追加

制御電圧Ｖｃｔｒｌが低くなると（ｆｏｓｃは低くなる）ＦＥＴＭ２もオンし、増幅器３に流れる電流Ｉｃｃは、ＦＥＴＭ１とＭ２に流れる電流の和に対応する。 - 特許庁

In this structure, the via 105 has the same minimum width as those of the M1 wiring 103 and the M2 wiring 104, and the M1 wiring 103 and the M2 wiring 104 are commonly connected through a plurality of the vias 105.例文帳に追加

この構造では、ビア１０５がＭ１配線１０３およびＭ２配線１０４と同一の最小幅で、Ｍ１配線１０３とＭ２配線１０４が共通して、複数のビア１０５で接続されている - 特許庁

The nonwoven fabric is made of a needle-punch nonwoven fabric satisfying the relation: bulk density (kg/m3) × areal density (g/m2)=5,000-32,000.例文帳に追加

(2) 前記不織布が、嵩密度(kg/m^3）×目付(g/m^2)＝5000〜32000 の関係を満足するニードパンチ不織布である畳。 - 特許庁

Similarly, expansion image data of blocks BK 2-BK 16 are transferred to the expansion image memory M2.例文帳に追加

同様にして、ブロックＢＫ２−ＢＫ１６の伸長画像データが伸長画像用メモリＭ２に転送される。 - 特許庁

The first transistor M1 and a gate terminal serving as a control terminal are commonly connected to a second transistor M2.例文帳に追加

第２トランジスタＭ２は、第１トランジスタＭ１と制御端子であるゲート端子が共通に接続される。 - 特許庁