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planar junctionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 平面接合; プレーナ接合
「planar junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
A P-N junction formed between the layers 13a, 13b and the layers 12a, 12b is only a planar junction.例文帳に追加
第１、第２のベース層１３ａ、１３ｂと第１、第２の埋込層１２ａ、１２ｂとの間に形成されるＰＮ接合はプレーナ接合だけになる。 - 特許庁
The sensor chip 3 is a rectangular shaped plate in a planar view, and on the lower surface 32 a first junction 321, a second junction 322 and a third junction 323 having a circular shape are arranged separately each other.例文帳に追加
センサーチップ３は、平面視形状が長方形の板状をなし、下面３２には、互いに離間しかつ円形状をなす第１の接合部３２１、第２の接合部３２２および第３の接合部３２３が設定されている。 - 特許庁
To increase a breakdown voltage in a planar junction terminating structure of a semiconductor device.例文帳に追加
プレーナ型の接合終端構造を有する半導体装置において、接合終端構造の耐圧を向上させること。 - 特許庁
To provide a junction field-effect transistor which is reduced in planar size, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
平面サイズの縮小化を図ることができる、接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The planar shape of the magnetic tunnel junction structure is rectangular, and the long sides of the rectangle are parallel and counterposed to each other.例文帳に追加
各磁気トンネル接合構造は、その平面形状を長方形状とし、同長方形状の長辺を平行に対向させる。 - 特許庁
This structure is so constituted that, at least, each cross section of two pipes 19, 20 of the junction part 18 is approximately semi-circular having a planar wall 4, the planar walls 4 of the both pipes 19, 20 are mutually faced to each other or closely stuck together, and the both planar walls 4 becomes an integral member folded down in the ends.例文帳に追加
少なくとも合流部１８の２本の管１９，２０の横断面が平面壁４を有する略半円形状であり、前記両管１９，２０の平面壁４が相互に対峙もしくは密着し、かつその両平面壁４が端部で折り返された一体部材である構造。 - 特許庁
A multijunction photovoltaic structure includes: a first subcell including a p-n or p-i-n junction with elongated structures; and a second subcell, arranged in tandem with the first subcell, and including a planar p-n or p-i-n junction.例文帳に追加
マルチ接合光電池構造は、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを含む。 - 特許庁
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「planar junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
The Hastelloy (R)-made supporting member is subjected to a planar junction to the attachment hole 3a of the dust collection electrode element 3 or is welded thereto so as to protrude to edges.例文帳に追加
ハステロイ（登録商標）製支持部材は集塵極エレメント３の取付け孔３ａの部分に面接合するか、端縁に張り出すようにして溶着する。 - 特許庁
Junction members 8a, 8b, and 8c are provided between a ground plate 1, radiation element 2, 3, and 4, and a radome 5 for greatly affecting the antenna characteristics of the inverse-F-type planar antenna device, respectively.例文帳に追加
逆Ｆ型の平面アンテナ装置のアンテナ特性を左右するグランド板１、放射素子２，３，４、レドーム５の間に、それぞれ接合部材８ａ，８ｂ，８ｃを設けた。 - 特許庁
In the record layer of a ferromagnetic tunnel junction element 61, its planar shape is formed asymmetrically to an axis to make easy a magnetization and symmetrically to an axis to make a magnetization difficult.例文帳に追加
強磁性トンネル接合素子６１の記録層は、平面形状が、磁化容易軸に対して非対称に、かつ、磁化困難軸に対して対称に形成されている。 - 特許庁
A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加
順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁
Therefore, the high withstand voltage characteristics can be obtained stably, because a depletion layer produced from a pn junction is uniformly spread in the planar direction without the fluctuation of its width, and a uniform electric field distribution is exhibited without generating any concentrated point of electric fields when a voltage which biases a pn junction in the reverse direction is impressed.例文帳に追加
従って、ＰＮ接合を逆方向バイアスする電圧を印加した際に、ＰＮ接合部から生じる空乏層の幅がばらつかず平面方向に一様に広がり、電界集中点が発生せずに一様な電界分布を示すため、高い耐圧特性が安定して得られる。 - 特許庁
A planar shape of each cathode electrode 18 of the LED chip 10 is formed in a circular shape having a diameter L2 not more than a diameter L1 of the circular junction face with a conductive pattern 28 of a bump 38.例文帳に追加
ＬＥＤチップ１０の各カソード電極１８の平面形状は、直径Ｌ２がバンプ３８における導体パターン２８との円形状接合面の直径Ｌ１以下の円形状に形成されている。 - 特許庁
To provide a technology to realize a MOSFET with a low on-state resistance and a low feedback capacitance by preventing punch-through of a channel layer, even if a shallow junction is formed in the channel layer in a planar MOSFET.例文帳に追加
プレーナ型ＭＯＳＦＥＴにおいて、チャネル層を浅接合化しても、チャネル層のパンチスルーを防止し、低オン抵抗かつ低帰還容量のＭＯＳＦＥＴを実現することができる技術を提供する。 - 特許庁
To provide a planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor having a special structure which makes any magnetic flux trap difficult to occur at a Josephson junction, and to provide a non-destructive inspection apparatus using it.例文帳に追加
ジョセフソン接合での磁束トラップが発生しにくい特殊な構造を有する平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサ及びそれを用いた非破壊検査用装置を提供する。 - 特許庁
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