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JPH0749531B2 - フタロシアニン化合物の製造方法 - Google Patents
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JPH0749531B2 - フタロシアニン化合物の製造方法 - Google Patents

フタロシアニン化合物の製造方法

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JPH0749531B2
JPH0749531B2 JP2118574A JP11857490A JPH0749531B2 JP H0749531 B2 JPH0749531 B2 JP H0749531B2 JP 2118574 A JP2118574 A JP 2118574A JP 11857490 A JP11857490 A JP 11857490A JP H0749531 B2 JPH0749531 B2 JP H0749531B2
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JP
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group
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phthalocyanine compound
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bromine
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貴久 小口
伸 相原
尚登 伊藤
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Yamamoto Chemicals Inc
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Yamamoto Chemicals Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、近赤外線吸収剤として有用なハロゲン化アル
コキシフタロシアニンの製造方法に関する。
〔従来の技術〕 ハロゲン化アルコキシフタロシアニンあるいはハロゲン
化アリールオキシフタロシアニンの製造方法としては、
特開昭61−197280号公報やJournal of Chemical Societ
y Perkin Transition I,2453〜2458頁(1988年)に既に
開示されており、前者はハロゲン化フタロシアニンを脂
肪族アルコールのアルカリ金属塩あるいは芳香族アルコ
ールのアルカリ金属塩等で置換して目的とするハロゲン
化アルコキシフタロシアニンあるいはハロゲン化アリー
ルオキシフタロシアニンを製造する方法であり、後者
は、ジアルコキシジハロゲノフタロニトリルを閉環して
目的とするハロゲン化アルコキシフタロシアニンを製造
する方法である。
〔発明が解決しようとする課題〕
近赤外線吸収剤、特に、追記型CD(CD−WO)の780nm用
の記録材料として有用なハロゲン化アルコキシフタロシ
アニンとしては、そのハロゲン化率が1〜4の範囲のも
のが好ましい。ハロゲン化率が5以上になると屈折率、
反射率の規格を満たすことができなくなる。上述の方法
では、ハロゲン原子の導入量を制御することができず、
CD−WO用の近赤外線吸収剤としては未だ十分であるとは
言えなかった。
〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、前項の課題を解決すべく鋭意検討の結
果、ハロゲン化溶媒中で、反応温度、溶媒量をコントロ
ールすることにより、アルコキシフタロシアニンよりハ
ロゲン化率の制御されたハロゲン化アルコキシフタロシ
アニンが得られることを見いだし、本発明に到達した。
即ち本発明は、下記一般式(I) 〔式(I)中、Rは、置換または未置換のアルキル基を
あらわし、Metは2個の水素原子、2価の金属原子、置
換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす。〕で示
されるフタロシアニン化合物をハロゲン化溶媒中、20〜
90℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする、下
式(II) 〔式(II)中、R及びMetは式(I)と同一の意味を表
し、Xは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、nは1≦
n≦4である。〕で示されるフタロシアニン化合物の製
造方法である。
一般式(I)及び式(II)中、Rで示される置換または
未置換のアルキル基のとしては、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso
−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペ
ンチル基、iso−ペンチル基、neo−ペンチル基、1,2−
ジメチルプロピル基、n−ヘキシル基、1,3−ジメチル
ブチル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、1,4−
ジメチルペンチル基、2−メチル−1−iso−プロピル
プロピル基、1−エチル−3−メチルブチル基、n−オ
クチル基、2−エチルヘキシル基、3−メチル−1−is
o−プロピルブチル基、n−ノニル基、3,5,5−トリメチ
ルヘキシル基、3−メチル−1−iso−ブチルブチル
基、n−デシル基などの炭化水素基、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、メトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエチル基、2−メトキシプロピル
基、2−エトキシプロピル基、2,3−ジメトキシプロピ
ル基、2,2−ジメトキシエチル基、2−メトキシブチル
基、1−メチル−2−メトキシエチル基、1−エチル−
2−エトキシエチル基、エトキシブチル基などのアルコ
キシアルキル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロ
キシプロピル基、4−ヒドロキシブチル基、6−ヒドロ
キシヘキシル基などのヒドロキシアルキル基、トリフル
オロメチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、ヘキサフ
ルオロ−iso−プロピル基、ペンタフルオロエチル基な
どのハロゲン化アルキル基などが挙げられる。
又、Metで表わされる2価金属の例としては、Cu(II),Zn
(II),Fe(II),Co(II),Ni(II),Ru(II),Rh(II),Pd(II),Pt
(II),Mn(II),Mg(II),Be(II),Ca(II),Ba(II),Cd(II),Hg
(II),Sn(II)など、1置換3価金属の例としては、Al−C
l,Al−Br,Al−F,Al−I,Ga−Cl,Ga−F,Ga−I,Ga−Br,In
−Cl,In−Br,In−I,In−F,Tl−Cl,Tl−Br,Tl−I,Tl−F,
Al−C6H5,Al−C6H4CH3,In−C6H5,In−C6H4CH3,In−C10H
7,Mn(OH)などが挙げられる。
2置換の4価金属の例としては、CrCl2,SiCl2,SiBr2,Si
F2,SiI2,ZrCl2,GeCl2,GeBr2,GeI2,GeF2,SnCl2,SnBr2,Sn
I2,SnF2,TiCl2,TiBr2,TiF2,Si(OH)2,Ge(OH)2,Zr(O
H)2,Mn(OH)2,Sn(OH)2,TiR2,CrR2,SiR2,SnR2,GeR2
[Rはアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘
導体を表わす]、Si(OR′)2,Sn(OR′)2,Ge(OR′)
2,Ti(OR′)2,Cr(OR′)[R′はアルキル基、フェ
ニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキ
ルアルコキシシリル基の誘導体を表わす]、Sn(SR″)
2,Ge(SR″)[R″はアルキル基、フェニル基、ナフ
チル基及びその誘導体を表わす]などが挙げられる。
オキシ金属の例としては、VO,MnO,TiOなどが挙げられ
る。
式(I)で示されるアルコキシフタロシアニン化合物の
合成法としては、下式(III)又は(IV) で示される化合物の1〜4種を混合して、例えば1,8−
ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(DBU)の存
在下にブタノール中で加熱下反応することにより得るこ
とができる。
本発明に使用できるハロゲン化剤としては、塩素、臭
素、ヨウ素、塩化スルフリル、塩化チオニル、一塩化ヨ
ウ素、4級アンモニウムクロリド、4級アンモニウムブ
ロミド、4級アンモニウムヨウダイド、次亜塩素酸t−
ブチル、3ヨウ化カリウムなどが好ましい、また、必要
に応じて酸化剤、鉄粉などの触媒を用いても良い。ハロ
ゲン化剤の量としては、原料である式(I)のフタロシ
アニンに対して、1〜6モル比が好ましい。
本発明に用いられるハロゲン化溶媒としては、四塩化炭
素、クロロホルム、ジクロロメタン、1,1,1−トリクロ
ロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、テトラクロロエ
チレン、1,1,2,2−テトラクロロエタンなどが挙げられ
る。溶媒の量としては、原料のフタロシアニンに対して
5〜500重量倍、好ましくは10〜200重量倍であり、その
量は必要とするハロゲン化率(式(II)中のnが1〜
4)により適宜調整される。
反応温度としては、20〜90℃、好ましくは40〜70℃であ
る。反応温度が20℃よりも低いと反応がうまく進行せ
ず、また90℃を越えるとハロゲン化率を制御することが
困難となる。
本発明においては、反応温度、溶媒量を調節し、生成す
るハロゲン化アルコキシフタロシアニンを反応系より反
応・析出せしめるものである。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
実施例1 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン15gを四塩化炭素375mlに装入し、45
℃に昇温して溶解させた。次に臭素19gを滴下し、50℃
で1時間攪拌した。反応液を40℃に降温し、析出した結
晶をろ別した。得られた結晶をメタノール200mlで3回
スラッジし、減圧乾燥した。収量は17.7gであった。
元素分析により、臭素の置換数は3個であることが判明
した。
元素分析:C56H61N8O4Br3Pd C H N Br 理論値(%) 53.54 4.89 8.92 19.08 分析値(%) 52.86 4.67 8.68 19.41 実施例2 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン10gを四塩化炭素150mlに装入し、40
℃に昇温して溶解させた。次に臭素6gを滴下し、40℃で
30分間攪拌した。そのままの温度で析出した結晶をろ別
した。得られた結晶をメタノール100mlで3回スラッジ
し、減圧乾燥した。収量は11gであった。
元素分析により、臭素の置換数は2個であることが判明
した。
元素分析:C56H62N8O4Br2Pd C H N Br 理論値(%) 57.13 5.31 9.52 13.57 分析値(%) 56.76 5.59 9.28 13.83 実施例3 パラジウム テトラα−(1−iso−プロピル−2−メ
チルブチルオキシ)フタロシアニン10gを1,1,2−トリク
ロロエタン400mlに装入し、40℃に昇温して溶解させ
た。次に臭素16gを滴下し、70℃で5時間攪拌した。反
応液を40℃に降温し析出した結晶をろ別した。得られた
結晶をメタノール100mlで3回スラッジし、減圧乾燥し
た。収量は12.3gであった。
元素分析により、臭素の置換数は4個であることが判明
した。
元素分析:C60H68N8O4Br4Pd C H N Br 理論値(%) 51.80 4.93 8.05 23.97 分析値(%) 51.56 5.20 8.21 23.33 実施例4 パラジウム テトラα−(2−エチルヘキシルオキシ)
フタロシアニン2gを1,1,2,2−テトラクロロエタン400ml
に装入し、40℃に昇温して溶解させた。次に臭素5gを滴
下し、50℃で1時間攪拌した。反応液を40℃に降温し析
出した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール30ml
で3回スラッジし、減圧乾燥した。収量は2.2gであっ
た。
元素分析の結果、得られたものは臭素置換数2個と3個
の中間の値を示し、臭素2個置換と3個置換のフタロシ
アニンの混合物であることが判明した。
元素分析: C H N Br 理論値(%)n=2 59.60 6.10 8.69 12.39 理論値(%)n=3 56.17 5.67 8.19 17.52 分析値(%) 57.91 5.86 8.47 14.94 実施例5 ジクロロシリコン テトラα−(2−エチルヘキシルオ
キシ)フタロシアニン5gを1,1,1−トリクロロエタン100
mlに装入し、40℃に昇温して溶解させた。次に臭素5gを
滴下し、50℃で1時間攪拌した。反応液を40℃に降温し
析出した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール10
0mlで3回スラッジし、減圧乾燥した。収量は5.2gであ
った。
元素分析により、臭素の置換数は3個であることが判明
した。
元素分析:C64H77N8O4Br3Cl2Si C H N Br Cl 理論値(%) 56.48 5.70 8.23 17.61 5.21 分析値(%) 57.05 5.85 8.33 17.01 5.38 実施例6 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン2gを四塩化炭素40mlに装入し、35℃
に昇温して溶解させた。次に塩化スルフリル2gを滴下
し、50℃で1.5時間攪拌した。反応液を35℃に降温し、
析出した結晶をろ別した。得られた結晶を水50mlで2回
洗浄し、メタノール50mlで3回スラッジし、減圧乾燥し
た。収量は2.2gであった。
元素分析により、塩素の置換数は4個であることが判明
した。
元素分析:C56H60N8O4Cl4Pd C H N Cl 理論値(%) 58.11 5.23 9.68 12.25 分析値(%) 57.73 5.10 9.58 12.65 〔発明の効果〕 本発明により、アルコキシフタロシアニンにハロゲン原
子の導入量を制御して置換することが可能となった。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(I) 〔式(I)中、Rは、置換または未置換のアルキル基を
    あらわし、Metは2個の水素原子、2価の金属原子、置
    換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす。〕で示
    されるフタロシアニン化合物をハロゲン化溶媒中、20〜
    90℃でハロゲン化剤と反応させることを特徴とする、下
    式(II) 〔式(II)中、R及びMetは式(I)と同一の意味を表
    し、Xは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、nは1≦
    n≦4である。〕で示されるフタロシアニン化合物の製
    造方法。
  2. 【請求項2】ハロゲン化溶媒の使用量が式(I)のフタ
    ロシアニン化合物に対して10〜200重量倍である請求項
    1記載の製造方法。
  3. 【請求項3】ハロゲン化剤の使用量が式(I)のフタロ
    シアニン化合物に対して1〜6モル比である請求項2記
    載の製造方法。
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