JPH0764990B2 - フタロシアニン化合物の製造方法 - Google Patents
フタロシアニン化合物の製造方法Info
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Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、近赤外線吸収剤として有用なハロゲン化アル
コキシフタロシアニンの製造方法に関する。
コキシフタロシアニンの製造方法に関する。
〔従来の技術〕 ハロゲン化アルコキシフタロシアニンあるいはハロゲン
化アリールオキシフタロシアニンの製造方法としては、
特開昭61-197280号公報やJournal of Chemical Society
Perkin Transition I,2453〜2458頁(1988年)に既に
開示されておりり、前者はハロゲン化フタロシアニンを
脂肪族アルコールのアルカリ金属塩あるいは芳香族アル
コールのアルカリ金属塩等で置換して目的とするハロゲ
ン化アルコキシフタロシアニンあるいはハロゲン化アリ
ールオキシフタロシアニンを製造する方法であり、後者
は、ジアルコキシジハロゲノフタロニトリルを閉環して
目的とするハロゲン化アルコキシフタロシアニンを製造
する方法である。
化アリールオキシフタロシアニンの製造方法としては、
特開昭61-197280号公報やJournal of Chemical Society
Perkin Transition I,2453〜2458頁(1988年)に既に
開示されておりり、前者はハロゲン化フタロシアニンを
脂肪族アルコールのアルカリ金属塩あるいは芳香族アル
コールのアルカリ金属塩等で置換して目的とするハロゲ
ン化アルコキシフタロシアニンあるいはハロゲン化アリ
ールオキシフタロシアニンを製造する方法であり、後者
は、ジアルコキシジハロゲノフタロニトリルを閉環して
目的とするハロゲン化アルコキシフタロシアニンを製造
する方法である。
近赤外線吸収剤、特に、追記型CD(CD-WO)の780nm用の
記録材料として有用なハロゲン化アルコキシフタロシア
ニンとしては、そのハロゲン化率が1〜4の範囲のもの
が好ましい。ハロゲン化率が5以上になると屈折率、反
射率の規格を満たすことができなくなる。上述の方法で
は、ハロゲン原子の導入量を制御することができず、CD
-WO用の近赤外線吸収剤としては未だ十分であるとは言
えなかった。
記録材料として有用なハロゲン化アルコキシフタロシア
ニンとしては、そのハロゲン化率が1〜4の範囲のもの
が好ましい。ハロゲン化率が5以上になると屈折率、反
射率の規格を満たすことができなくなる。上述の方法で
は、ハロゲン原子の導入量を制御することができず、CD
-WO用の近赤外線吸収剤としては未だ十分であるとは言
えなかった。
〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、前項の課題を解決すべく鋭意検討の結
果、酢酸中で、反応温度、溶媒量をコントロールするこ
とにより、アルコキシフタロシアニンよりハロゲン化率
の制御されたハロゲン化アルコキシフタロシアニンが得
られることを見いだし、本発明に到達した。
果、酢酸中で、反応温度、溶媒量をコントロールするこ
とにより、アルコキシフタロシアニンよりハロゲン化率
の制御されたハロゲン化アルコキシフタロシアニンが得
られることを見いだし、本発明に到達した。
即ち本発明は、下記一般式(I) 〔式(I)中、Rは、置換または未置換のアルキル基を
あらわし、Metは2個の水素原子、2価の金属原子、置
換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす。〕で示
されるフタロシアニン化合物を酢酸中、20〜90℃でハロ
ゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式(II) 〔式(II)中、R及びMetは式(I)と同一の意味を表
し、Xは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、nは1≦
n≦4である。〕で示されるフタロシアニン化合物の製
造方法である。
あらわし、Metは2個の水素原子、2価の金属原子、置
換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす。〕で示
されるフタロシアニン化合物を酢酸中、20〜90℃でハロ
ゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式(II) 〔式(II)中、R及びMetは式(I)と同一の意味を表
し、Xは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、nは1≦
n≦4である。〕で示されるフタロシアニン化合物の製
造方法である。
一般式(I)及び式(II)中、Rで示される置換または
未置換のアルキル基のとしては、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso
−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペ
ンチル基、iso−ペンチル基、neo−ペンチル基、1,2−
ジメチルプロピル基、n−ヘキシル基、1,3−ジメチル
ブチル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、1,4−
ジメチルペンチル基、2−メチル−1−iso−プロピル
プロピル基、1−エチル−3−メチルブチル基、n−オ
クチル基、2−エチルヘキシル基、3−メチル−1−is
o−プロピルブチル基、n−ノニル基、3,5,5−トリメチ
ルヘキシル基、3−メチル−1−iso−ブチルブチル
基、n−デシル基などの炭化水素基、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、メトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエチル基、2−メトキシプロピル
基、2−エトキシプロピル基、2,3−ジメトキシプロピ
ル基、2,2−ジメトキシエチル基、2−メトキシブチル
基、1−メチル−2−メトキシエチル基、1−エチル−
2−エトキシエチル基、エトキシブチル基などのアルコ
キシアルキル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロ
キシプロピル基、4−ヒドロキシブチル基、6−ヒドロ
キシヘキシル基などのヒドロキシアルキル基、トリフル
オロメチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、ヘキサフ
ルオロ−iso−プロピル基、ペンタフルオロエチル基な
どのハロゲン化アルキル基などが挙げられる。
未置換のアルキル基のとしては、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso
−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペ
ンチル基、iso−ペンチル基、neo−ペンチル基、1,2−
ジメチルプロピル基、n−ヘキシル基、1,3−ジメチル
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ジメチルペンチル基、2−メチル−1−iso−プロピル
プロピル基、1−エチル−3−メチルブチル基、n−オ
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o−プロピルブチル基、n−ノニル基、3,5,5−トリメチ
ルヘキシル基、3−メチル−1−iso−ブチルブチル
基、n−デシル基などの炭化水素基、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、ブトキシエチル基、メトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエチル基、2−メトキシプロピル
基、2−エトキシプロピル基、2,3−ジメトキシプロピ
ル基、2,2−ジメトキシエチル基、2−メトキシブチル
基、1−メチル−2−メトキシエチル基、1−エチル−
2−エトキシエチル基、エトキシブチル基などのアルコ
キシアルキル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロ
キシプロピル基、4−ヒドロキシブチル基、6−ヒドロ
キシヘキシル基などのヒドロキシアルキル基、トリフル
オロメチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、ヘキサフ
ルオロ−iso−プロピル基、ペンタフルオロエチル基な
どのハロゲン化アルキル基などが挙げられる。
又、Metで表わされる2価金属の例としては、Cu(II),Z
n(II),Fe(II),Co(II),Ni(II),Ru(II),Rh(II),Pd
(II),Pt(II),Mn(II),Mg(II),Be(II),Ca(II),Ba
(II),Cd(II),Hg(II),Sn(II)など、1置換3価金属の
例としては、Al-Cl,Al-Br,Al-F,Al-I,Ga-Cl,Ga-F,Ga-I,
Ga-Br,In-Cl,In-Br,In-I,In-F,Tl-Cl,Tl-Br,Tl-I,Tl-F,
Al-C6H5,Al-C64H4CH3,In-C6H5,In-C6H4CH3,In-C10H7,Mn
(OH)などが挙げられる。
n(II),Fe(II),Co(II),Ni(II),Ru(II),Rh(II),Pd
(II),Pt(II),Mn(II),Mg(II),Be(II),Ca(II),Ba
(II),Cd(II),Hg(II),Sn(II)など、1置換3価金属の
例としては、Al-Cl,Al-Br,Al-F,Al-I,Ga-Cl,Ga-F,Ga-I,
Ga-Br,In-Cl,In-Br,In-I,In-F,Tl-Cl,Tl-Br,Tl-I,Tl-F,
Al-C6H5,Al-C64H4CH3,In-C6H5,In-C6H4CH3,In-C10H7,Mn
(OH)などが挙げられる。
2置換の4価金属の例としては、CrCl2,SiCl2,ScBr2,Si
F2,SiI2,ZrCl2,GeCl2,GeBr2,GeI2,GeF2,SnCl2,SnBr2,Sn
I2,SnF2,TiCl2,TiBr2,TiF2,Si(OH)2,Ge(OH)2,Zr(OH)2,M
n(OH)2,Sn(OH)2,TiR2,CrR2,SiR2,SnR2,GeR2[Rはアル
キル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘導体を表わ
す]、Si(OR′)2,Sn(OR′)2,Ge(OR′)2,Ti(O
R′)2,Cr(OR′)2[R′はアルキル基、フェニル基、
ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコ
キシシリル基の誘導体を表わす]、Sn(SR″)2,Ge(S
R″)2[R″はアルキル基、フェニル基、ナフチル基及
びその誘導体を表わす]などが挙げられる。
F2,SiI2,ZrCl2,GeCl2,GeBr2,GeI2,GeF2,SnCl2,SnBr2,Sn
I2,SnF2,TiCl2,TiBr2,TiF2,Si(OH)2,Ge(OH)2,Zr(OH)2,M
n(OH)2,Sn(OH)2,TiR2,CrR2,SiR2,SnR2,GeR2[Rはアル
キル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘導体を表わ
す]、Si(OR′)2,Sn(OR′)2,Ge(OR′)2,Ti(O
R′)2,Cr(OR′)2[R′はアルキル基、フェニル基、
ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコ
キシシリル基の誘導体を表わす]、Sn(SR″)2,Ge(S
R″)2[R″はアルキル基、フェニル基、ナフチル基及
びその誘導体を表わす]などが挙げられる。
オキシ金属の例としては、VO,MnO,TiOなどが挙げられ
る。
る。
式(I)で示されるアルコキシフタロシアニン化合物の
合成法としては、下式(III)又は(IV) で示される化合物の1〜4種を混合して、例えば1,8−
ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(DBU)の存
在下にブタノール中で加熱下反応することにより得るこ
とができる。
合成法としては、下式(III)又は(IV) で示される化合物の1〜4種を混合して、例えば1,8−
ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(DBU)の存
在下にブタノール中で加熱下反応することにより得るこ
とができる。
本発明に使用できるハロゲン化剤としては、塩素、臭
素、ヨウ素、塩化スルフリル、塩化チオニル、一塩化ヨ
ウ素、4級アンモニウムクロリド、4級アンモニウムブ
ロミド、4級アンモニウムヨウダイド、次亜塩素酸t−
ブチル、3ヨウ化カリウムなどが好ましい。また、必要
に応じて酸化剤、鉄粉などの触媒を用いても良い。ハロ
ゲン化剤の量としては、原料である式(I)のフタロシ
アニンに対して、1〜6モル比が好ましい。
素、ヨウ素、塩化スルフリル、塩化チオニル、一塩化ヨ
ウ素、4級アンモニウムクロリド、4級アンモニウムブ
ロミド、4級アンモニウムヨウダイド、次亜塩素酸t−
ブチル、3ヨウ化カリウムなどが好ましい。また、必要
に応じて酸化剤、鉄粉などの触媒を用いても良い。ハロ
ゲン化剤の量としては、原料である式(I)のフタロシ
アニンに対して、1〜6モル比が好ましい。
酢酸溶媒の量としては、原料のフタロシアニンに対して
5〜500重量倍、好ましくは10〜200重量倍であり、その
量は必要とするハロゲン化率(式(II)中のnが1〜
4)により適宜調整される。
5〜500重量倍、好ましくは10〜200重量倍であり、その
量は必要とするハロゲン化率(式(II)中のnが1〜
4)により適宜調整される。
反応温度としては、20〜90℃、好ましくは40〜70℃であ
る。反応温度が20℃よりも低いと反応がうまく進行せ
ず、また90℃を越えるとハロゲン化率を制御することが
困難となる。
る。反応温度が20℃よりも低いと反応がうまく進行せ
ず、また90℃を越えるとハロゲン化率を制御することが
困難となる。
本発明においては、反応温度、溶媒量を調節し、生成す
るハロゲン化アルコキシフタロシアニンを反応系より反
応・析出せしめるものである。
るハロゲン化アルコキシフタロシアニンを反応系より反
応・析出せしめるものである。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
実施例1 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン15gを酢酸375mlに装入し、45℃に昇
温して溶解させた。次に臭素19gを滴下し、50℃で1時
間撹拌した。反応液を40℃に降温し、析出した結晶をろ
別した。得られた結晶をメタノール200mlで3回スラッ
ジし、減圧乾燥した。収量は17.7gであった。
シ)フタロシアニン15gを酢酸375mlに装入し、45℃に昇
温して溶解させた。次に臭素19gを滴下し、50℃で1時
間撹拌した。反応液を40℃に降温し、析出した結晶をろ
別した。得られた結晶をメタノール200mlで3回スラッ
ジし、減圧乾燥した。収量は17.7gであった。
元素分析により、臭素の置換数は3個であることが判明
した。
した。
元素分析:C56H61N8O4Br3Pd C H N Br 理論値(%) 53.54 4.89 8.92 19.08 分析値(%) 52.97 4.77 8.71 19.32 実施例2 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン10gを酢酸150mlに装入し、40℃に昇
温して溶解させた。次に臭素6gを滴下し、40℃で30分間
撹拌した。そのままの温度で析出した結晶をろ別した。
得られた結晶をメタノール100mlで3回スラッジし、減
圧乾燥した。収量は11gであった。
シ)フタロシアニン10gを酢酸150mlに装入し、40℃に昇
温して溶解させた。次に臭素6gを滴下し、40℃で30分間
撹拌した。そのままの温度で析出した結晶をろ別した。
得られた結晶をメタノール100mlで3回スラッジし、減
圧乾燥した。収量は11gであった。
元素分析により、臭素の置換数は2個であることが判明
した。
した。
元素分析:C56H62N8O4Br2Pd C H N Br 理論値(%) 57.13 5.31 9.52 13.57 分析値(%) 56.67 5.50 9.39 13.80 実施例3 パラジウム テトラα−(1−iso−プロピル−2−メ
チルブチルオキシ)フタロシアニン10gを酢酸400mlに装
入し、40℃に昇温して溶解させた。次に臭素16gを滴下
し、70℃で5時間撹拌した。反応液を40℃に降温し析出
した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール100ml
で3回スラッジし、減圧乾燥した。収量は12.3gであっ
た。
チルブチルオキシ)フタロシアニン10gを酢酸400mlに装
入し、40℃に昇温して溶解させた。次に臭素16gを滴下
し、70℃で5時間撹拌した。反応液を40℃に降温し析出
した結晶をろ別した。得られた結晶をメタノール100ml
で3回スラッジし、減圧乾燥した。収量は12.3gであっ
た。
元素分析により、臭素の置換数は4個であることが判明
した。
した。
元素分析:C60H68N8O4Br4Pd C H N Br 理論値(%) 51.80 4.93 8.05 23.97 分析値(%) 51.69 5.18 8.19 23.22 実施例4 パラジウム テトラα−(2−エチルヘキシルオキシ)
フタロシアニン2gを酢酸400mlに装入し、40℃に昇温し
て溶解させた。次に臭素5gを滴下し、50℃で1時間撹拌
した。反応液を40℃に降温し析出した結晶をろ別した。
得られた結晶をメタノール30mlで3回スラッジし、減圧
乾燥した。収量は2.2gであった。
フタロシアニン2gを酢酸400mlに装入し、40℃に昇温し
て溶解させた。次に臭素5gを滴下し、50℃で1時間撹拌
した。反応液を40℃に降温し析出した結晶をろ別した。
得られた結晶をメタノール30mlで3回スラッジし、減圧
乾燥した。収量は2.2gであった。
元素分析の結果、得られたものは臭素置換数2個と3個
の中間の値を示し、臭素2個置換と3個置換のフタロシ
アニンの混合物であることが判明した。
の中間の値を示し、臭素2個置換と3個置換のフタロシ
アニンの混合物であることが判明した。
元素分析: C H N Br
理論値(%)n=2 59.60 6.10 8.69 12.
39 理論値(%)n=3 56.17 5.67 8.19 17.
52 分析値(%) 57.89 5.90 8.44 14.
96 実施例5 ジクロロシリコン テトラα−(2−エチルヘキシルオ
キシ)フタロシアニン5gを酢酸100mlに装入し、40℃に
昇温して溶解させた。次に臭素5gを滴下し、50℃で1時
間撹拌した。反応液を40℃に降温し析出した結晶をろ別
した。得られた結晶をメタノール100mlで3回スラッジ
し、減圧乾燥した。収量は5.2gであった。
理論値(%)n=2 59.60 6.10 8.69 12.
39 理論値(%)n=3 56.17 5.67 8.19 17.
52 分析値(%) 57.89 5.90 8.44 14.
96 実施例5 ジクロロシリコン テトラα−(2−エチルヘキシルオ
キシ)フタロシアニン5gを酢酸100mlに装入し、40℃に
昇温して溶解させた。次に臭素5gを滴下し、50℃で1時
間撹拌した。反応液を40℃に降温し析出した結晶をろ別
した。得られた結晶をメタノール100mlで3回スラッジ
し、減圧乾燥した。収量は5.2gであった。
元素分析により、臭素の置換数は3個であることが判明
した。
した。
元素分析:C64H77N8O4Br3Cl2Si C H N Br Cl 理論値(%) 56.48 5.70 8.23 17.61 5.21 分析値(%) 57.03 5.81 8.35 17.00 5.40 実施例6 パラジウム テトラα−(1,3−ジメチルブチルオキ
シ)フタロシアニン2gを酢酸40mlに装入し、35℃に昇温
して溶解させた。次に塩化スルフリル2gを滴下し、50℃
で1.5時間撹拌した。反応液を35℃に降温し、析出した
結晶をろ別した。得られた結晶を水50mlで2回洗浄し、
メタノール50mlで3回スラッジし、減圧乾燥した。収量
は2.1gであった。
シ)フタロシアニン2gを酢酸40mlに装入し、35℃に昇温
して溶解させた。次に塩化スルフリル2gを滴下し、50℃
で1.5時間撹拌した。反応液を35℃に降温し、析出した
結晶をろ別した。得られた結晶を水50mlで2回洗浄し、
メタノール50mlで3回スラッジし、減圧乾燥した。収量
は2.1gであった。
元素分析により、塩素の置換数は4個であることが判明
した。
した。
元素分析:C56H60N8O4Cl4Pd C H N Cl 理論値(%) 58.11 5.23 9.68 12.25 分析値(%) 57.78 5.03 9.61 12.63 〔発明の効果〕 本発明により、アルコキシフタロシアニンにハロゲン原
子の導入量を制御して置換することが可能となった。
子の導入量を制御して置換することが可能となった。
Claims (3)
- 【請求項1】下記一般式(I) 〔式(I)中、Rは、置換または未置換のアルキル基を
あらわし、Metは2個の水素原子、2価の金属原子、置
換3価金属原子、2置換4価金属原子を表わす。〕で示
されるフタロシアニン化合物を酢酸中、20〜90℃でハロ
ゲン化剤と反応させることを特徴とする、下式(II) 〔式(II)中、R及びMetは式(I)と同一の意味を表
し、Xは、塩素、臭素、またはヨウ素を表し、nは1≦
n≦4である。〕で示されるフタロシアニン化合物の製
造方法。 - 【請求項2】酢酸の使用量が式(I)のフタロシアニン
化合物に対して10〜200重量倍である請求項1記載の製
造方法。 - 【請求項3】ハロゲン化剤の使用量が式(I)のフタロ
シアニン化合物に対して1〜6モル比である請求項2記
載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118573A JPH0764990B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | フタロシアニン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2118573A JPH0764990B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | フタロシアニン化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415263A JPH0415263A (ja) | 1992-01-20 |
| JPH0764990B2 true JPH0764990B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=14739943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2118573A Expired - Lifetime JPH0764990B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | フタロシアニン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764990B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP2118573A patent/JPH0764990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415263A (ja) | 1992-01-20 |
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Legal Events
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