P ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 339件
The maximum value AD (P/H) of the detected current value is detected for the detection period of the ion current (Step S151 to 152).例文帳に追加
イオン電流検出期間では、検出される電流値の最大値AD(P/H)を検出(ステップS151〜152)する。 - 特許庁
On the boundary of a section 62, an isolation region 64 of p^+ region is formed by ion implantation from the surface of a substrate.例文帳に追加
区画62境界に、基板表面からのイオン注入によって、p^+領域である分離領域64を形成する。 - 特許庁
When both a lithium ion battery 6 and an external power supply 8 are connected, a transistor MP1 (P-MOS) is turned off and a channel current does not flow.例文帳に追加
リチウムイオン電池6と外部電源8が共に接続された場合、MP1(PMOS)はオフし、チャンネル電流は流れない。 - 特許庁
In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加
しかし、n−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁
To provide a ZnO-based thin film improved in controllability of p-type impurity ion density by suppressing unintended mixture of impurities.例文帳に追加
意図しない不純物の混入を抑制し、p型不純物イオン濃度の制御性を良くしたZnO系薄膜を提供する。 - 特許庁
This etched masking layer is used as a P+ type body diffused layer and an ion implantation mask for N- type and source offset layer.例文帳に追加
このエッチング加工したマスク層は、P^+ 型ボディー拡散層、N^- 型のソースオフセット層のイオン注入マスクとして利用される。 - 特許庁
Next, ion implantation or heat diffusion treatment is performed to form a p^- diffusion layer 41 and an n^+ diffusion layer 31 (b).例文帳に追加
次に,イオン注入や熱拡散処理等を行うことにより,P^- 拡散層41およびN^+ 拡散層31を形成する(b)。 - 特許庁
An n+-type semiconductor region 15 of a second MISFET 14 is formed through ion-injecting n-type impurity into a p-type well 3.例文帳に追加
p型ウエル3にn型不純物をイオン注入して第2MISFET14のn^+型半導体領域15を形成する。 - 特許庁
After the aperture 32a is covered with a resist, ion implantation is performed through the aperture 32b to form a p-type deep base layer 9.例文帳に追加
そして、開口部32aをレジストで覆ったのち、開口部32bよりイオン注入してp型ディープベース層9を形成する。 - 特許庁
Further, a p floating region 51 is formed by carrying out ion injection and thermal diffusion processing from the bottom of the trench 21.例文帳に追加
次に,トレンチ21の底部からイオン注入および熱拡散処理を行うことでPフローティング領域51を形成する。 - 特許庁
Then, mask processing and ion injection are sequentially repeated to form the N-type and P-type gate electrodes 10, 12 (ST17).例文帳に追加
その後、マスク処理とイオン注入を順に繰り返し、N型及びP型のゲート電極10、12を形成する(ST17)。 - 特許庁
After that, by using ion injection, annealing, and so on, high-concentration P-type guard ring areas 14b are formed on the surfaces of the low-concentration P-type guard ring areas 14a so as to completely cover the low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加
次に、イオン注入法及びアニール処理等を用いて、低濃度P型ガードリング領域14aの表面部分に、低濃度P型ガードリング領域14aを完全に被覆する状態で高濃度P型ガードリング領域14bを形成する。 - 特許庁
After that, the mode is switched to discharging for pre-doping lithium ion into the active material 21, after dedoping of pillar element P from the lithium electrode 10.例文帳に追加
その後、放電モードに切り換えて、リチウム極10からピラー元素Pの脱ドープ後の活物質21内にリチウムイオンをプレドープする。 - 特許庁
At this time, the depth of ion implantation is controlled, thus creating the regions of n and p channels in the same process.例文帳に追加
このとき、イオン注入深さを制御することにより、nチャネル及びpチャネルの領域を同一プロセスで作り分けることが可能である。 - 特許庁
In a thin-film structure 10, a semiconductor layer 22 has a channel region 30 in which only p-type impurity ion is doped.例文帳に追加
薄膜トランジスタ構造10において、半導体層22は、p型不純物イオンのみドープされたチャネル領域30を備えている。 - 特許庁
A p-type deep layer 10 is divided into a lower layer part 10a and an upper layer part 10b, and they are formed by twice an ion implantation.例文帳に追加
p型ディープ層10を下層部分10aと上層部分10bとに分け、これらを2度のイオン注入によって形成する。 - 特許庁
Adjusting the dividing ratio setting factors P and Q allows adjustment of the pulse generation periods, thus adjusting the ion generation amount.例文帳に追加
この分周比設定係数PおよびQを調整することにより、パルス生成の期間を調整し、イオン発生量の調整を行なう。 - 特許庁
The wafer 10 includes the first p-type region 16 that is an ion implantation region formed to include the upper face 14A.例文帳に追加
ウェハ10は、上部表面14Aを含むように形成されたイオン注入領域である第1のp型領域16を含む。 - 特許庁
In the manufacturing method, impurities in the extension portion 12 are not thermally diffused into the P well 3 by activation annealing for ion implantation.例文帳に追加
この製法においては、イオン注入の活性化アニールによりエクステンション部12内の不純物がPウェル3内に熱拡散しない。 - 特許庁
Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加
その後、サイドウォール絶縁膜17を形成し、Pのイオン注入を行うことにより、N型ソース・ドレイン拡散層18を形成する。 - 特許庁
A photoresist 17 is formed on a principal surface of the semiconductor wafer 1 in order to define an injection region of the P-type impurity ion.例文帳に追加
半導体ウェハ1の主表面上にP型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト17を形成する。 - 特許庁
For improving the performance index Q, red phosphorus (P) is ion-implanted to the semiconductor substrate 2 and specific resistance of the semiconductor substrate 2 is dropped.例文帳に追加
性能指数Qを向上させるために半導体基板2に赤燐(P)をイオン注入して、半導体基板2の比抵抗を下げる。 - 特許庁
In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加
また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記P型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁
Since the initial drift current value io is overlapped on the ion current value Pi in the ion current detection value, a detection of misfire is carried out based on the current value AD (P/H) and the initial drift current value io.例文帳に追加
イオン電流検出値には、イオン電流値Piに初期ドリフト電流値ioが重畳するため、電流値AD(P/H)と初期ドリフト電流値ioとに基づいて失火検出を行う。 - 特許庁
In a winding group 5 of a lithium ion secondary battery, a positive electrode P, a negative electrode N and two separators are laminated in the order of a separator 1, the negative electrode N, a separator 2 and the positive electrode P and wound around a winding core 7.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池の捲回群5は、正極P、負極N及び2枚のセパレータが、セパレータ1、負極N、セパレータ2、正極Pの順に積層され、巻き芯7の周囲に捲回されている。 - 特許庁
An ion beam 24a of P type impurity element is also irradiated toward the rear surface 11b from above the silicon oxide film 13 and silicon nitride film 14 thus forming a P type impurity region in the rear surface 11b.例文帳に追加
また、シリコン酸化膜13及びシリコン窒化膜14の上から、裏面11bに向けてP型の不純物元素のイオンビーム24aを照射して、裏面11bにP型不純物領域を形成する。 - 特許庁
After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, an n-type region 4 and a p-type region 5 are formed by an ion implantation method to form a photodiode.例文帳に追加
Pウェル領域2が形成されたN型シリコン基板1上にフォトレジスト3を形成した後、イオン注入法によりN型領域4およびP型領域5を形成してフォトダイオードを形成する。 - 特許庁
In this electrode material, fluorite type oxygen ion conductive oxide 112 showing p-type conductivity is added as an additive to a perovskite type oxide 111 serving as a base material and showing p-type conductivity.例文帳に追加
母材であるp型伝導性を示すペロブスカイト型酸化物111に添加材として、p型伝導性を示す蛍石型酸素イオン伝導性酸化物112を添加したものを電極材料とする。 - 特許庁
A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C.例文帳に追加
フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、p型LDD6形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極3,23のサイドウォールの形成前に900℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来,その結果pチャネル型MOSトランジスタのリークレベルを低くすることができ,かつリークのばらつきも小さくできる。 - 特許庁
At least one of n drift 22a and a p partition 22b, for example, the p partition 22b in which a current flows in an on-state while being depleted in an off-state is formed by ion implantation, more particularly, by ion implantation in which an accelerating voltage is continuously changed.例文帳に追加
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するnドリフト領域22a、p仕切り領域22bのうち少なくとも一方、例えばp仕切り領域22bを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁
In this manufacturing method, in an on-state, a current flows, and in an off-state, at least one of a depleting n drift region 22a and p partition region 22b, for example, the p partition region 22b is formed with ion implantation, in particular, ion implantation in which an accelerating voltage continuously changes.例文帳に追加
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するnドリフト領域22a、p仕切り領域22bのうち少なくとも一方、例えばp仕切り領域22bを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁
As a result, lateral dispersion of the p-type impurity is suppressed to the limit of the depth where C is ion-implanted, and lateral dispersion is enlarged in the region deeper than the depth where C is ion-implanted, resulting in constitution of p-type gate region, in such a manner as to creep into under the source region.例文帳に追加
これにより、Cが注入された深さまでにおいては、p型不純物の横方向拡散が抑制され、Cが注入された深さよりも深い領域においては、p型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにp型ゲート領域4が形成される。 - 特許庁
P is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of an n channel MOS transistor part, and B is ion-implanted into the amorphous Si film 7 of a p channel MOS transistor part, and then heat treatment is carried out so that the amorphous Si film 7 can be crystallized, and impurity can be activated.例文帳に追加
nチャネルMOSトランジスタ部の非晶質Si膜7にPをイオン注入し、pチャネルMOSトランジスタ部の非晶質Si膜7にBをイオン注入した後、熱処理を行うことにより、非晶質Si膜7を結晶化させるとともに、不純物の活性化を行う。 - 特許庁
After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.例文帳に追加
シリコンゲルマニウム層にPを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁
In an NMOS forming region 10A, a channel stopper layer 14A is formed in a P-type well 11A by a first ion implantation process.例文帳に追加
NMOS形成領域10Aにおいて、第1イオン注入工程により、P型ウエル11Aの中に、チャネルストッパ層14Aを形成する。 - 特許庁
Further, by using a mask 78 with a narrower opening, an Mg ion is implanted to form a p-type region 90 in the high-resistance layer 75.例文帳に追加
さらに狭い開口部を有するマスク78を用いて、Mgイオンを注入し、高抵抗層75内にp型領域90を形成する。 - 特許庁
Then, the p-type impurity is respectively ion-implanted to portions under the gate insulating films 9, 11 to form respective body areas 19a, 19b.例文帳に追加
そして、ゲート絶縁膜9,11下にそれぞれp型不純物をイオン注入してボディ領域19a,19bをそれぞれ形成する。 - 特許庁
Phosphorus (P) is ion-injected into a (0001) surface of the silicon carbide substrate 11 of hexagonal single crystal to make the part into an amorphous layer 12.例文帳に追加
六方晶単結晶の炭化珪素基板11の(0001)面にリン(P)をイオン注入することで、その部分をアモルファス層12にする。 - 特許庁
A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask.例文帳に追加
スペーサ膜5をマスクとして、リンイオンをP型半導体基板1中にイオン注入することで、低濃度のソース領域7aを形成する。 - 特許庁
Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加
そして、半導体基板1に水素のイオン注入を施し、P−N接合界面より深い位置に注入欠陥層5を形成する。 - 特許庁
In addition, a first photoresist layer 6 is formed by using the p-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to an n-type by implanting the ion of an n-type impurity, such as the arsenic etc., into the layer 5 by using the photoresist layer 6 as an ion implanting mask.例文帳に追加
そして、Pウエルマスクを用いて、第1のフォトレジスト層6を形成し、これをイオン注入マスクとして、ヒ素等のN型不純物をポリシリコン層5内にイオン注入し、これをN型化する。 - 特許庁
A periphery insulating film 13 is formed with a film thickness through which a P-type impurity ion which is injected into an N-type region 5 in an ion implantation step of a post step on a periphery of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加
半導体ウェハ1の周縁部に、後工程のイオン注入工程でN型領域5に注入されるP型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜13を形成する。 - 特許庁
In order to decrease the number of sheets of mask, an ion implantation mask (photoresist layer 8) for regulating the threshold voltage of an N-channel MOS transistor is also used in ion implantation for forming a P-type well region.例文帳に追加
マスク枚数を削減するために、Nチャネル型MOSトランジスタのしきい値電圧調節用イオン注入とP型ウエル領域形成用イオン注入を同一のマスク(ホトレジスト層8)を用いて行うことに着目した。 - 特許庁
To provide a CMOS image sensor which can getter metallic ion contamination having high concentration by implanting a p-type impurity ion into a dummy moat region, thereby reducing leakage current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ダミーモート領域に高濃度のp型不純物イオンを注入することによって金属イオン汚染をゲッタリングし、漏れ電流を低減できるようにしたCMOSイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁
A Li ion-conductive sulfide glass production method which is a method for producing a Li ion-conductive sulfide glass containing Li, P, and S and comprises vitrifying a raw material by mechanical milling at 60-160°C is provided.例文帳に追加
LiとPとSとを含むLiイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法であって、原料を60℃〜160℃でメカニカルミリング処理してガラス化させるLiイオン伝導性硫化物ガラスの製造方法である。 - 特許庁
In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加
半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素(As),リン(P),ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか1つのイオン注入、又は−10℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁
To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加
フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するpチャネル型MOSトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁
A carbon film 7 is formed on the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 through spattering method, and then, activating anneal is effected under a condition that the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 are covered by the carbon film 7 to change the ion implantation layer 6 into a p-type well region 8.例文帳に追加
n型ドリフト層2及びイオン注入層6の上に、スパッタ法によりカーボン膜7を形成し、カーボン膜7でn型ドリフト層2及びイオン注入層6を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層6をp型ウェル領域8に変化させる。 - 特許庁
First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加
p型ベース層24をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第1および第2スペーサ層31,32を用いることによって、p型ベース層24をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁
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