「P ion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The negative ion A- is a fluorine complex ion represented by MFn- (M=B, n=4, or M=P, As or Sb, n=6).例文帳に追加

陰イオンＡ^- は、ＭＦ_n^-（Ｍ＝Ｂ、ｎ＝４、またはＭ＝Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ、ｎ＝６）で表されるフッ素錯イオンである。 - 特許庁

When the mass of the ion conductive substance is made I (mg) and the mass of the positive electrode layer 5 is made P (mg), 0.05P<I<10P is satisfied.例文帳に追加

このイオン伝導性物質の質量をI（mg）、正極層5の質量をP（mg）としたとき、0.05P＜I＜10Pを満たす。 - 特許庁

In forming a p^+-type contact region 9, skew ion implantation is executed.例文帳に追加

ｐ^+型コンタクト領域９を形成する際に、斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

Preferable substance is a Y(P, V)O4: Eu3+ fluorescent material doped with trivalent Tb3+ ion and bivalent Mg2+ ion.例文帳に追加

好ましい物質は、三価のＴｂ^3+イオンと二価のＭｇ^^2+イオンをドープしたＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_4：Ｅｕ^3+蛍光体である。 - 特許庁

The positive ion Q+ is represented by (CH3)3(C2H5)X+ (X=N, P or As) or (CH3)4X+ (X=N, P or Sb).例文帳に追加

陽イオンＱ^+ は、(ＣＨ_3）_3(Ｃ__2Ｈ_5）Ｘ^+(Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ）または(ＣＨ_3）_4Ｘ^+(Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）で表される。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁

Various kinds of ion generated at an ion source 1 are put on a revolving track P, differences of the target ion and the other kinds of ion are enlarged during the process of revolution, and unnecessary kinds of ion are discarded out of the track by a deflection electrode.例文帳に追加

イオン源１で発生させた各種イオンを周回軌道Ｐに乗せ、周回させる過程で目的イオンとそれ以外のイオンとの差を拡大させ、不要なイオンを偏向電極２により軌道Ｐ外に廃棄する。 - 特許庁

As a result, the ion implantation for the P body 4a and the ion implantation for the N source 5a are carried out by self alignment.例文帳に追加

これにより、Ｐボディ４ａ用のイオン注入とＮソース５ａ用のイオン注入はセルフアラインで行なわれる。 - 特許庁

This ion generator 20 is provided with a minus ion generating part 21, a high voltage unit P plate 43 having a high voltage power supply output part 40, and a second control P plate 42.例文帳に追加

イオン発生器２０は、マイナスイオン発生部２１と、高圧電源出力部４０を有する高圧ユニットＰ板４３と、第２制御Ｐ板４２とを備える。 - 特許庁

A camera 4 photographs the processing point P of the processing object W on which ion beams I are irradiated.例文帳に追加

カメラ４は、イオンビームＩが照射される被加工物Ｗの加工点Ｐを撮像する。 - 特許庁

As the waste plastic P, an ion-exchange resin, etc., containing water are usable together.例文帳に追加

廃プラスチックＰとして、イオン交換樹脂等の水を含んだものも一緒に処理できる。 - 特許庁

A collector region 2 is formed by carrying out ion implantation in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にイオン注入を行うことでコレクタ領域２を形成する。 - 特許庁

The As ion implantation region 13 and the P ion implantation region 14 are constituted such that each dopant of As and P can obtain at least given temperature characteristics at a given ratio and by ion implantation with a dose quantity adjusted.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４は、Ａｓ，Ｐの各ドーパントを所定の比でかつドーズ量が調整されたイオン注入によって少なくとも所定の温度特性が得られるよう構成されている。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁

To realize a p-type III nitride semiconductor having a high carrier concentration by improving the activation ratio of ion-implanted P-type impurities.例文帳に追加

イオン注入したｐ型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を実現する。 - 特許庁

The copper-zinc alloy electroplating bath contains copper salt, zinc salt and pyrophosphoric acid ion, wherein a ratio (P/M) of volume molar concentration P (mol/L) of added pyrophosphoric acid ion to total volume molar concentration M (mol/L) of copper ion and zinc ion contained in the bath is in the range of 2.0 to 3.2.例文帳に追加

銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。 - 特許庁

To provide a method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法によりｐ型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁

PHOTOCATALYST USING OXIDE CONTAINING p-BLOCK METAL ION IN d10-d10 ELECTRONIC STATE例文帳に追加

ｄ１０−ｄ１０電子状態のｐ−ブロック金属イオンを含む酸化物を用いた光触媒 - 特許庁

The high voltage unit P plate 43 outputs the high voltage power supply to the minus ion generating part 21.例文帳に追加

高圧ユニットＰ板４３は、マイナスイオン発生部２１に対して高圧電源を出力する。 - 特許庁

Next, boron ion is implanted in multiple stages using the resist mask in order to form the p-type well layer.例文帳に追加

次に、レジストマスクを用いて、多段階で、ボロンをイオン注入し、Ｐ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

Subsequently, P-type polysilicon films are formed by ion-implanting boron into P-channel MOS-transistor forming regions and bipolar-transistor forming regions.例文帳に追加

続いて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ形成領域およびバイポーラトランジスタ形成領域にボロンをイオン注入してＰ型のポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Then, a P-type impurity having a middle concentration is ion-implanted to the P-type region 11 with the field oxide film 12 as an implantation mask for forming a P-type region 15 having an intermediate impurity concentration.例文帳に追加

次に、フィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に中濃度のＰ型不純物をイオン注入し、中不純物濃度のＰ型領域１５を形成する。 - 特許庁

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度Ｐ型拡散層１０８をイオン注入により形成した後、高濃度Ｐ型拡散層１０８の上方に高濃度Ｎ型拡散層１０９をイオン注入により形成する。 - 特許庁

On the basis of the angle position and the intensity at the peak P on the small angle scatter diagram G, the molecular structure of the ion exchange membrane, accordingly the ion exchange ability, is evaluated.例文帳に追加

小角散乱線図ＧのピークＰの角度位置及び強度によって、イオン交換膜の分子構造、従ってイオン交換能力を評価する。 - 特許庁

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁

Then, ion injection into the n--type region 11 is carried out, so that a p-type well layer 12 can be formed.例文帳に追加

そして、ｎ^-型領域１１にイオン注入等を行うことで、ｐ型ウェル層１２を形成する。 - 特許庁

A P-type dopant is ion-implanted into a surface (N-type layer) of an SOI substrate to form piezo resistance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。 - 特許庁

To realize acceleration-deceleration type ion implantation in which shallow p-n junctions can be easily formed.例文帳に追加

浅いｐｎ接合を容易に形成することができる、加速・減速方式のイオン注入を実現すること。 - 特許庁

The N^+-diffusion area 3 and the P^+-diffusion area 4 are separately made by using an ion implantation mask.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散領域３とＰ^＋拡散領域４とはイオン注入マスクを用いて作り分ける。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

In the case boron doping to P channel transistors is not desired the ion is implanted with the additional mask.例文帳に追加

また、Ｐチャネルトランジスタにボロンを入れたくない場合には、マスクを追加した状態でイオン注入する。 - 特許庁

Phosphorus(P) is doped from the upper part of the protective film 2 to the polysilicon film 1 by an ion implantation method.例文帳に追加

この保護膜２の上から、多結晶シリコン膜１に対してリン（Ｐ）をイオン注入法で添加する。 - 特許庁

A p-side electrode 18 is used as a mask for ion implantation to further simplify the process.例文帳に追加

また、イオン注入のマスクとしてｐ側電極１８を用いて、工程を更に簡略化することができる。 - 特許庁

The lower layer portion 3a of a p-type base region 3 is formed not by ion implantation but by epitaxial growth.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の下層部３ａをイオン注入ではなくエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

P-type impurities 210 are ion implanted with a large inclination angle of 25° for forming pocket areas 211.例文帳に追加

ｐ型不純物２１０を大きな傾斜角度２５°でイオン注入し、ポケット領域２１１を形成する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in a p-type well forming region 20 and the positioning pattern forming region 40 to form p-type wells 8a and 8b.例文帳に追加

基板１のｐ型ウェル形成領域２０と位置合わせパターン形成領域４０に硼素をイオン注入してｐ型ウェル８ａ、８ｂを形成する。 - 特許庁

In forming a p-type deep layer 10, p-type impurities are implanted by oblique ion implantation tilted in a direction for canceling an off-angle.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を形成する際に、オフ角をキャンセルする方向に傾斜させた斜めイオン注入によりｐ型不純物を注入する。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁