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「P ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索
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P ionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 339



例文

The method is further provided with (c) a step of sintering the p-type silicon substrate 1 after the steps (a) and (b), and (d) a step of immersing the p-type silicon substrate 1 in a dilute hydrofluoric acid containing silver, as a metal ion, having ionizing tendency smaller than that of aluminum, after the step (c).例文帳に追加

そして、(c)工程(a)および工程(b)の後に、p型シリコン基板1を焼成する工程と、(d)工程(c)の後に、アルミニウムよりもイオン化傾向が小さい銀を金属イオンとして含む希フッ酸に、p型シリコン基板1を浸漬する工程とを備える。 - 特許庁

In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.例文帳に追加

p型の半導体層101には、チャネル領域108の中央部に、左右のn型の拡散領域106,107とは異なるp型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域109が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

An ion exchange resin 4 and a conductivity meter 6 for detecting the conductivity of a pure water produced by the ion exchange resin 4 are provided in a TN/TP (total N and total P) meter and the deteriorated state of the pure water produced by the ion exchange resin 4 is measured with the conductivity meter 6 to be displayed by a display lamp 8 provided outside the analyzer.例文帳に追加

TN/TP計内にイオン交換樹脂4と、イオン交換樹脂4で生成された純水の導電率を検出する導電率計6を設け、その導電率計6によってイオン交換樹脂4で生成された純水の劣化状況を計測し、装置外部に設けられた表示ランプ8によりその劣化状況を表示する。 - 特許庁

The p-type diffusing layer 6 is formed by the ion implantation step of two times conforming to the shape of a contact hole 15 and an impurity concentration at a surface area, and a deep area thereof is adjusted.例文帳に追加

P型の拡散層6は、コンタクトホール15の形状に合わせて、2回のイオン注入工程により形成され、その表面部と深部との不純物濃度が調整されている。 - 特許庁

例文

The ion implantation is performed under the condition selected in accordance with deviation of the measured film thickness of the gate insulating film from the design thickness in order to adjust impurity concentration of the p-type well (S7).例文帳に追加

そして、測定したゲート絶縁膜の膜厚の設計膜厚からのずれに応じて選択した条件でイオン注入を行い、p型ウエルの不純物濃度を調整する(S7)。 - 特許庁


例文

C(carbon) is ion-implanted to a predetermined depth, deeper than an n-type source region 3 at a reserved portion to form a p-type gate region 4 in a surface layer of an n-type drift region 2.例文帳に追加

n型ドリフト領域2の表層部のうち、p型ゲート領域4の形成予定部分に、n型ソース領域3よりも深い所定深さまでC(炭素)をイオン注入する。 - 特許庁

On that, a low-concentration p-type well region 9 is formed in a region 2 that is the peripheral part of the end part of the n-type source region 7 and becomes a channel by ion implantation using the mask 10.例文帳に追加

その上で、マスク10を用いたイオン注入により、n型ソース領域7の端部周辺部でありチャネルとなる領域2内に低濃度p型ウエル領域9を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 78 of the transistor is formed on a surface of a semiconductor substrate 62 via an insulating film 75, and then a p-type impurity is ion-implanted to form an element isolation region 65.例文帳に追加

半導体基板62の表面に絶縁膜75を介してトランジスタのゲート電極78を形成し、続いて、p型の不純物をイオン注入して素子分離領域65を形成する。 - 特許庁

In this case, a dose of a boron ion required to form the type P+ type embedded layer 2 is adjusted to a range not causing the increase of the leak current between the collector and an emitter of the NPN transistor 60 in the control part.例文帳に追加

この場合、P+型埋め込み層2形成のためのボロンイオンのドーズ量を制御部のNPNトランジスタ60のコレクタ−エミッタ間リーク電流が増大しない範囲に調節する。 - 特許庁

例文

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

P型Si基板上のPN接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Si基板上に低濃度のN型Si層を形成する。 - 特許庁

例文

In this structure, only a pair of magnetic poles need be arranged interposing the ion orbit P regardless of the number of circuiting times, thereby, the structure becomes simple compared with the case of deflecting by an electric field.例文帳に追加

この構成では、周回数に拘わらずイオン軌道Pを挟んで一対の磁極を配置しさえすればよいので、電場により偏向させる場合に比べて構造が簡単になる。 - 特許庁

Notches 23 are formed on side edges of the active material uncoated parts 27 for each length of the positive electrode plate P and the negative electrode plate N needed for one lithium ion secondary battery 20.例文帳に追加

活物質未塗工部27の側縁には、1個のリチウムイオン二次電池20あたりに要する正極板P、負極板Nの長さごとに切り欠き23が形成されている。 - 特許庁

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず,N^+ ドレイン領域11となるN^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりN^- ドリフト領域12,P^- ボディ領域41およびN^+ ソース領域31を形成する。 - 特許庁

A Lithium ion conductor comprises a compound oxide with Li, P, O, halogen element X, and element L as constituent elements; and is represented by a composition formula: Li_aPO_bX_cL_d.例文帳に追加

複合酸化物からなるリチウムイオン導電体であって、前記複合酸化物は、Li、P、O、ハロゲン元素Xおよび元素Lからなり、かつ、以下の組成式: Li_aPO_bX_cL_dで表される。 - 特許庁

The internal combustion engine 10 includes the PM filter 14 collecting particulate substances in exhaust gas, an ion generator 16 generating ions, and an exhaust pressure sensor 24 detecting an exhaust pressure P.例文帳に追加

内燃機関10は、排気ガス中の粒子状物質を捕集するPMフィルタ14と、オゾンを発生するオゾン発生器16と、排気圧Pを検出する排気圧センサ24とを備える。 - 特許庁

This electrode material is formed by preparing the perovskite type oxide powder 111 having 0.2-10.0 μm mean grain size and showing the p-type conductivity and the fluorite type oxygen ion conductive oxide powder 112 showing p-type conductivity, mixing them for forming a mixture powder containing 2-20 wt.% of fluorite type oxygen ion conductive oxide, and firing the mixture powder.例文帳に追加

この電極材料は、それぞれ平均粒径が0.2μm〜10.0μmであるp型伝導性を示すペロブスカイト型酸化物紛111と、p型伝導性を示す蛍石型酸素イオン伝導性酸化物紛112を準備し、両酸化紛を混合して、蛍石型酸素イオン伝導性酸化物を2〜20重量%含む混合紛を作製した後、この混合紛を焼成することで得られる。 - 特許庁

A plasma chamber 11, a waveguide 21 connected to the plasma chamber 11, and extraction electrodes 31, 32 and 33 are provided, and ions from plasma P generated by one or both of the dc arc discharge and the microwave MW from the waveguide are discharged from an ion extraction port 11b as an ion beam Ib.例文帳に追加

プラズマ室11と、プラズマ室11に接続する導波管21と、引出し電極31、32、33とを設け、直流アーク放電、導波管からのマイクロ波MWの一方または双方によって生成するプラズマPからのイオンをイオン引出口11bからイオンビームIb として放出させる。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、pウェル領域12,ソース領域13,p^+コンタクト領域15の上にカーボンキャップ17を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ17を除去してから、CMPにより基板の最表面を、平均表面粗さ0.1nm〜0.5nm程度まで研磨する。 - 特許庁

Furthermore, by carrying out enhanced oxidation after forming the n^++-type cathode layer 1b, and carrying out ion implantation of a p-type impurity for forming the p^++-type collector layer 1a by utilizing an oxide film 31 formed by the enhanced oxidation as a mask, these layers can be formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

さらに、n^++型カソード層1bを形成したのち増速酸化し、増速酸化によって形成された酸化膜31をマスクとしてp^++型コレクタ層1aを形成するためのp型不純物のイオン注入を行うことで、これらを自己整合的に形成する。 - 特許庁

After forming a thick gate insulating film 9 and a gate insulating film 11 thinner than the film 9, a gate electrode material is deposited and a p-type impurity is ion-implanted to portions on which body areas are to be formed under the gate insulating film 9 to form the p-type impurity area 15.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜9及びこれよりも薄いゲート絶縁膜11を形成した後、ゲート電極材料を堆積し、ゲート絶縁膜9下のボディ領域の形成予定部位にp型不純物をイオン注入してp型不純物領域15を形成する。 - 特許庁

In an S/D extension region forming process which is carried out after a gate electrode 4 is formed, a PMOS region is covered with a resist 5, As or P ion implanted into an NMOS region at a low acceleration speed.例文帳に追加

ゲート電極4が形成された後のS/Dエクステンション領域形成工程において、pMOS領域をレジスト5で覆い、nMOS領域にAsまたはPの低加速注入を行う。 - 特許庁

An oxide film is deposited on the rear surface by CVD, and on its front surface, a region which is to be a p-type partition region 11 is formed with a resist mask and the oxide film is etched with an etching ion to form a groove.例文帳に追加

さらに、裏面にCVDで酸化膜を堆積し、その表面にp型仕切領域11となる領域をレジストマスクで形成して酸化膜をエッチングイオンによってエッチングして溝を形成する。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor substrate 1 is prepared and along with impurity ion-implantation in the substrate 1, the impurities are diffused in the substrate 1 to form P-type and N-type diffused layers 3 and 4 in the substrate 1.例文帳に追加

単結晶の半導体基板1を用意し、半導体基板1に不純物をイオン注入する共に、不純物を拡散させてp型拡散層3及びn型拡散層4を形成する。 - 特許庁

Based on a fixed drive current Ion flowing from one storage element to the ground level GND, a fixed drive voltage for turning the p-type MOS transistors Q3 and Q4 in a selection circuit 121 is generated.例文帳に追加

一の蓄電素子からグランドレベルGNDへ流れる一定の駆動電流Ionに基づいて、選択回路121のp型のMOSトランジスタQ3,Q4をオンさせる一定の駆動電圧が発生する。 - 特許庁

Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.例文帳に追加

また、トランジスタのゲート電極78の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部50を有するマスク51を用いてp型の不純物をイオン注入してLDD領域90を形成する。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第1不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト5bをマスクにP型不純物をイオン注入して第2の不純物層7を形成する。 - 特許庁

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.例文帳に追加

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜7aの下方において、BOX層2との界面付近におけるシリコン層3内には、P型不純物が不純物濃度P2で注入されている。 - 特許庁

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11.例文帳に追加

また、リンイオン21を、P型領域形成位置9では注入マスク用絶縁膜13に留まり、N型領域形成位置11ではSOI層5に留まる条件で注入する。 - 特許庁

A p-type base region 35 to the silicon oxide film 32 formed on the silicon layer 33 is formed by oblique ion implantation from the surface of the silicon layer 33 including the groove 45.例文帳に追加

そして、シリコン層33に形成されたシリコン酸化膜32まで到達したP型ベース領域35は、溝45を含むシリコン層33の表面からの斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

Placing of a hydrogen ion is performed to an impurity semiconductor layer 2 formed in the upper surface of a p-type semiconductor substrate 1, so that a high concentration ionized layer L may be formed in the impurity semiconductor layer 2.例文帳に追加

P型半導体基板1の上面に形成された不純物半導体層2に対して水素イオンの打ち込みを行って高濃度イオン層Lを不純物半導体層2内に形成する。 - 特許庁

The first phosphorus ion implantation is performed to a p-type silicon substrate using a resist mask as the implantation mask to form a deep n-type well layer, and the n-type well layer is also formed simultaneously with the LOCOS oxidation.例文帳に追加

P型シリコン基板に深いN型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第1のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、N型ウエル層を形成する。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、n型InP層13の上面の一部にp型InP領域14(2導電型半導体領域)が形成されている。 - 特許庁

In the copper alloy tube for the heat exchanger having a composition comprising specified amounts of Sn and P and having fine crystal grain sizes, P is solid-soluted in a fixed amount prescribed by the count number of P analyzed by secondary ion mass spectrometry into a copper alloy tube matrix, and its softening resistance as a heat transfer tube for a heat exchanger is improved even if the copper alloy tube is brazed and heated.例文帳に追加

Sn、Pを特定量含有する組成を有し、結晶粒径が細かい熱交換器用銅合金管において、二次イオン質量分析法により分析したPのカウント数で規定される一定量以上だけ、含有するPを銅合金管マトリックス中に固溶させて、銅合金管がろう付け加熱されても、熱交換器用伝熱管としての耐軟化性を向上させる。 - 特許庁

A halo impurity of the opposite conductivity type from a first impurity of first conductivity type is ion implanted into a silicon substrate 10, and then the first impurity of the first conductivity type is ion implanted into the substrate and flash lamp annealing is performed thereon, so that a p-type halo region 113 and an n-type extension region 111 are formed.例文帳に追加

シリコン基板101に、第一導電型の第一不純物と反対導電型のハロー不純物をイオン注入した後、第一導電型の第一不純物をイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、p型ハロー領域113およびn型エクステンション領域111を形成する。 - 特許庁

A low voltage driven n-channel transistor LV-N-LVt of a low threshold value type is formed directly on a p-type silicon substrate 1 without forming a well, and a process is reduced by integrating the ion injection process for the threshold value adjustment with the ion injection process for the threshold value adjustment of other transistor.例文帳に追加

低閾値型の低電圧駆動NチャンネルトランジスタLV−N−LVtをウェルを形成せず、直接P型のシリコン基板1に形成するようにし、閾値調整のためのイオン注入工程を他のトランジスタの閾値調整のためのイオン注入工程と統合させることで工程の短縮を図る。 - 特許庁

In this light-receiving circuit and method of manufacturing the same, since the p-type light-absorbing layer of a single running carrier photodiode is formed in the undoped InGaAs layer corresponding to the collector of the heterojunction bipolar transistor, Be is doped into the p-type light- absorbing layer with the Be ion injection method having superior controllability of the doping profile in the depth direction.例文帳に追加

本発明は、単一走行キャリアフォトダイオードのp形光吸収層をヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタに相当するアンドープInGaAs層中に形成するため深さ方向ドーピングプロファイルの制御性に優れたBeイオン注入法を用い、p形光吸収層にBeドープすることを特徴とする。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にn型半導体層、発光層及びp型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびp型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してn型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド9の目ずれが原因でN−拡散層6の一部がオーバーエッチングされてPウェル1が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりN−拡散層11で覆うため、N−拡散層6とPウェル1との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

A polysilicon layer 105 is formed on a wafer, with which a P well 102 and an N well 103 are formed, and after a gate electrode 105A is formed on the P well 102 with a photoresist pattern 106 as a mask, the LDD region of N-channel MOS is formed by conducting ion implantation, in a state of the photoresist pattern 106 being left.例文帳に追加

Pウェル102、Nウェル103の形成された基板上にポリシリコン層105を形成し、フォトレジストパターン106をマスクとして、Pウェル102上にゲート電極105Aを形成した後、フォトレジストパターン106が残存した状態でイオン注入を行ってNチャネルMOSのLDD領域を形成する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層RMによりPチャネル型MISFETを覆いつつ、Nチャネル型MISFETのN型ソース領域およびN型ドレイン領域に、イオン(F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む)を注入する。 - 特許庁

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41.例文帳に追加

ここで、ヒータ36とサーモパイル37、38のポリシリコン細線41には、P(燐)がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ36のドーピング量がポリシリコン細線41よりも大きくなっている。 - 特許庁

Since the regions 36A can be formed thin and the openings 8 can be made fine in size due to low-energy ion implantation, the p-type regions A constituting the channel stop regions 40A can be made fine in size.例文帳に追加

第2のフォトレジスト層6は、イオン注入エネルギーが低いため、薄く形成してよく、微細な開口部8を形成できるため、チャンネルストップ領域40Aを成すp型領域36Aを微細化することができる。 - 特許庁

Consequently, since B, which is a p-type dopant, and C for filling C holes can be positioned close to each other from immediately after the ion implantation, B can be replaced fully, even when a little amount of C is implanted.例文帳に追加

これにより、p型ドーパントであるBとC空孔を埋めるためのCとがイオン注入直後から近接した場所に位置するようにできるため、Cの注入量が少なくても十分にBの置換が行われる。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層23を押込み酸化してp^-型不純物層24を形成すると共に、前記n^-型半導体基板45のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜21bを形成する(S4a)。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン3をマスクにしたイオン注入によって、P型領域5の表面層になる深さにN型不純物6を導入し、基板1の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域7を形成する。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板11の上部にP型チャネル拡散層12を形成する。 - 特許庁

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加

イオン注入処理によりエッチング溶液E(例えばリモネン)に不溶な表面改質層21を基板Pの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層21に開口部21Uを形成する。 - 特許庁

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

この拡散抑止層21が形成された側から、ホウ素(B)およびインジウム(In)のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層21よりも浅くp型カウンタ層6Aを形成する。 - 特許庁

例文

The lithium ion conductor is constituted of a compound oxide containing at least Li, P, O and halogen X, the halogen X being at least one selected from among a group consisting of F, Cl, Br and I.例文帳に追加

少なくともLi、P、Oおよびハロゲン元素Xを含み、ハロゲン元素Xが、F、Cl、Br、およびIからなる群より選択される少なくとも1種である複合酸化物からなるリチウムイオン導電体。 - 特許庁




  
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