「P ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Ions in the plasma P is drawn out by a grid G, and is irradiated on a substrate S as an ion beam flux IB.例文帳に追加

このプラズマＰ中のイオンはグリッドＧにより引き出され、イオンビーム束ＩＢとして基板Ｓに照射される。 - 特許庁

Thereafter, a p-type second gate layer 7 is formed on the surface of the channel layer 6 by an ion implanting method.例文帳に追加

その後、このチャネル層６の表面にイオン注入法によってＰ型の第２のゲート層７を形成する。 - 特許庁

Also gate electrodes of the p-tpe and n-type thin film transistors are formed through second and third mask steps, and steps to dope polycrystalline semiconductor layers of the respective thin film transistors with a p+ ion, an n+ ion, and an n- ion are conducted so as to form a second storage electrode.例文帳に追加

また、第２マスク工程及び第３マスク工程によって、ｐ型及びｎ型の薄膜トランジスタのゲート電極を形成して、前記各薄膜トランジスタの多結晶半導体層にｐ＋イオンと、ｎ＋イオンのドーピング工程及びｎ-イオンのドーピング工程を行い、第２ストレージ電極を形成する。 - 特許庁

After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。 - 特許庁

The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加

Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁

In this case, the n-well 7 and p-well 11 are formed in the manner that impurity concentration peak 10 of the p-well 11 becomes deeper than impurity concentration peak 6 of the n-well 7 by adjusting ion implantation energy of n-type impurity and ion implantation energy of p-type impurity.例文帳に追加

このとき、Ｎウエル７及びＰウエル１１は、Ｎ型不純物のイオン注入エネルギー及びＰ型不純物のイオン注入エネルギーを調整することによりＰウエル１１の不純物濃度ピーク１０がＮウエル７の不純物濃度ピーク６よりも深くなるように形成される。 - 特許庁

An n type ion is implanted to a memory cell transistor 110 in an on-state, and a p type ion is implanted to at least a part of a memory cell transistor 120 in an off-state.例文帳に追加

オン状態のメモリセルトランジスタ１１０にｎ型イオンが注入されており、オフ状態のメモリセルトランジスタ１２０の少なくとも一部にｐ型イオンが注入されている。 - 特許庁

The ion implantation of phosphor that forms an N well region 53 on the whole surface of a silicon substrate 51 is performed and then the ion implantation of boron that forms a P well region 54 is performed.例文帳に追加

シリコン基板５１の全面にＮウエル領域５３を形成するリンのイオン注入を行い、その後にＰウエル領域５４を形成するボロンのイオン注入を行う。 - 特許庁

The element ion larger than Si is implanted to the contact liner 513 in a P-channel region 202 to break the connection of the constituent atoms, and then oxygen or the like is ion-implanted.例文帳に追加

Ｐチャネル領域２０２内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断後、酸素などをイオン注入する。 - 特許庁

Next, an As^+ ion implantation layer 9 is formed by ion implantation so that the concentration peak of the n^+ region 10 comes near to the surface of the p^- semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次に、ｎ^+領域１０の濃度のピークが、ｐ^-半導体基板３表面付近になるように、Ａｓ^+イオン注入層９をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10.例文帳に追加

次に、ｐ領域６の濃度のピークが、最終的にｎ^+領域１０とのＰＮ接合８部になるように、Ｂ^+イオン注入層５をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

This way, a silicide film 15 of equal thickness is made without hindering the growth at the boundary section between the n+ ion implantation region and the p+ ion implantation region.例文帳に追加

こうして、ｎ＋イオン注入領域とｐ＋イオン注入領域との境界部分での成長を妨げることなく、均一な膜厚のシリサイド膜１５を形成する。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

A P-type region 19 is formed by injecting the P-type impurity ion into a predetermined region of the N-type region 5 of the semiconductor wafer 1 using the photoresist 17 and the periphery insulating film 13 as masks by an ion implantation method.例文帳に追加

イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。 - 特許庁

Then p-type regions 36A are formed, by introducing a p-type impurity to the surface section of the substrate 22 by low-energy ion implantation by using the photoresistor layer 6 as a mask.例文帳に追加

この第２のフォトレジスト層６をマスクとしてｐ型不純物を基板表面部に低エネルギーのイオン注入により導入し、ｐ型領域３６Ａを形成する。 - 特許庁

Into a p-layer region 107 constituted of a non-doped GaAlN layer 105 and a non-doped GaN layer 106, first, a p-type dopant is implanted by an ion implantation.例文帳に追加

ノンドープＧａＡｌＮ層１０５とノンドープＧａＮ層１０６から構成されるｐ層領域１０７に対し、まず、イオン注入によりｐ型ドーパントを注入させる。 - 特許庁

A P-type transistor cap film 108 is formed by introducing an ion 107 to the N-type transistor cap film 104 located in the P-type transistor area Rp.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタ領域Ｒｐに位置するＮ型トランジスタ用キャップ膜１０４にイオン１０７を導入することにより、Ｐ型トランジスタ用キャップ膜１０８を形成する。 - 特許庁

A P type epitaxial layer is provided on an N+ substrate, and a buried N region is formed by ion implantation on a boundary between the N+ substrate and the P type epitaxial layer.例文帳に追加

Ｎ＋基板上に、Ｐ型エピタキシャル層を設け、当該Ｎ＋基板とＰ型エピタキシャル層との境界に埋込Ｎ領域をイオン注入によって形成する。 - 特許庁

In the method for forming a p-type gallium nitride semiconductor region, a gallium nitride semiconductor film 13 is ion-implanted with a p-type dopant 17 by using a mask 15 to form a gallium nitride semiconductor film 13b.例文帳に追加

マスク１５を用いて窒化ガリウム系半導体膜１３にｐ型ドーパント１７のイオン注入を行って、窒化ガリウム系半導体膜１３ｂを形成する。 - 特許庁

Then p-type regions 38A are formed on the substrate 22, by injecting a low- concentration p-type impurity deep into the substrate 22, by high-energy ion implantation by using the photoresist film 2 as a mask.例文帳に追加

この第１のフォトレジスト層２をマスクとして低濃度のｐ型不純物を深部に高エネルギーのイオン注入により導入しｐ型領域３８Ａを形成する。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

The injecting emitter that has n^+-p-M and n^+-p-p^+-M structures uses relatively low electric field and is not affected by the contamination and/or absorption of the accelerated ion, and therefore is stable.例文帳に追加

ｎ^＋−ｐ−Ｍおよびｎ^＋−ｐ−ｐ^＋−Ｍ構造を備えた注入エミッタは、比較的低い電界を使用し、加速されたイオンからの汚染および（または）吸収による影響を受けないので、安定的である。 - 特許庁

A fluorine capturing agent is added to a fluorotitanium complex ion-containing aq. soln. mixed with the P-type semiconductor component and the composite film consisting of titanium and the P-type semiconductor is precipitated on the substrate immersed in this aq. soln. to produce a composite film having photocatalytic activity.例文帳に追加

p型半導体成分を混合したフルオロチタン錯イオン含有水溶液にフッ素捕捉剤を添加し、この水溶液に浸漬した基板上に、酸化チタン及びp型半導体からなる複合膜を析出させる、光触媒活性を有する複合膜の製造方法。 - 特許庁

Next, a P^+-drain layer 1 is formed on the rear surface of the N^+-buffer layer 2 by means of the ion implantation and irradiation of a second laser light beam.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋バッファ層２の裏面にイオン注入と第２のレーザ照射によりＰ^＋ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

And then, a p-type diffusion layer 18 is formed using the openings 21 by ion implantation according to a self-aligning technique.例文帳に追加

そして、該開口部２１を用いて、自己整合技術によりＰ型の拡散層１８をイオン注入により形成する。 - 特許庁

The LDD region of P-channel MOS is similarly formed by conducting ion implantation in a state of the photoresist being left.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳのＬＤＤ領域も同様にフォトレジストが残存した状態でイオン注入を行って形成する。 - 特許庁

To provide a doping method and ion implantation apparatus which can form a shallow p-type layer or n-type layer.例文帳に追加

浅いｐ形層またはｎ形層を形成することができるドーピング方法、およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device.例文帳に追加

イオン注入法を用いてｐｎ接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。 - 特許庁

The method also includes steps of: removing the substrate protective film 2; activating the B^+ion implantation layer 6, the As^+ion implantation layer 7, and the BF_2^+ ion implantation layer 9 by a heat treatment; and forming a p-type region 10, a cathode layer 11, and an anode contact layer 12.例文帳に追加

次に、基板保護膜２を除去した後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層６，Ａｓ^+イオン注入層７，ＢＦ_２^+イオン注入層９を活性化させ、ｐ領域１０，カソード層１１，アノードコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁

A region where an As ion implantation region 13 and a P ion implantation region 14 mixedly exist becomes an effective region of the resistor device, and contact regions 151, 152 are formed only in the portion of the As ion implantation region 13.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４の混在している領域が抵抗素子の有効領域となり、Ａｓイオン注入領域１３のみの部分でコンタクト領域１５１，１５２が形成されている。 - 特許庁

Where, M expresses a transition metal, A^a+ expresses a metal ion, a proton, or an onium ion, a expresses 1-3, b expresses 1-3, p expresses b/a, m expresses 1-4, n expresses 1-8, and q expresses 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属等，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

Since the area 12 is formed by implanting the ion of a p-type impurity into the area 12 at a high concentration by using a narrowly converged ion beam, the area 12 has a very small occupying area.例文帳に追加

このｐ^+領域１２は、微細に集束されたイオンビームによって高濃度のｐ形不純物が打ち込まれて形成されたものであり、占有面積を非常に小さくしたものである。 - 特許庁

To provide an ion generator capable of reducing the production cost due to urethane resin P which is unnecessarily injected into a space between the circuit substrate 4 and the bottom of the casing 2 and the number of components by eliminating an optional shield to shut off noises from a discharging electrode in the conventional ion generator.例文帳に追加

回路基板４とケーシング２の底面との間にウレタン樹脂Ｐが無駄に多く注入しなければならない従来のものでは、ウレタン樹脂のコストが高くなる。 - 特許庁

The determination means 11 transmits a signal for stopping ion beam emission to the sample, to an ion gun control means 12, when determining that the high-brightness picture elements P run in line over the prescribed number or more.例文帳に追加

判定手段１１は、高輝度画素Ｐが所定個数以上連なっていると判定した場合、試料へのイオンビーム照射を停止させる信号をイオン銃制御手段１２に送る。 - 特許庁

The multiple oxide solid soln. having a triclinic structure is an oxide ion conductor whose atomic compsn. is represented by the formula Bi46M8O89 (where M is V and As, P and S, or V, P and S).例文帳に追加

原子組成がＢｉ_46Ｍ_8 Ｏ_89（Ｍは、ＶとＡｓ，ＰとＳ，またはＶとＰとＳを示す）で表される酸化物イオン伝導体である三斜晶系構造の複酸化物固溶体。 - 特許庁

After connection holes 20 to 22 are formed in the silicon oxide film 19, etc., a p-type semiconductor region 24 is formed in a bottom part of the connection hole 20 by ion implantation of p-type impurities.例文帳に追加

シリコン酸化膜１９等に接続孔２０〜２２を形成した後、ｐ型不純物をイオン注入して接続孔２０の底部にｐ型半導体領域２４を形成する。 - 特許庁

Next, a supporting substrate 101 on which a p^+-layer 104 is formed is heated and a boric ion included in the p^+-layer 104 is infiltrated into the implanted substrate 102 through a silicon oxide film 105.例文帳に追加

次に、Ｐ^＋層１０４が形成された支持基板１０１を加熱して、Ｐ^＋層１０４に含まれるボロンイオンをシリコン酸化膜１０５を介して注入基板１０２に浸透させる。 - 特許庁

Consequently, the p-type RESURF layer 21 can be connected to the p-type base region 3 without requiring oblique ion implantation even if the side wall of the recess 20 is steep.例文帳に追加

これにより、凹部２０の側壁が急峻であったとしても、斜めイオン注入を行うことなく、ｐ型ベース領域３に対してｐ型リサーフ層２１を接続することができる。 - 特許庁

The n^+-type active region 1 of an n-channel MOS transistor and a p^+-type active region 2 of a p-channel MOS transistor are formed on a semiconductor substrate by ion implanting, etc.例文帳に追加

半導体基板上にｎチャネルＭＯＳトランジスタのＮ＋活性領域１とｐチャネルＭＯＳトランジスタのＰ＋活性領域２がイオン注入等により形成されている。 - 特許庁

Since ion energy of the plasma P can be reduced while obtaining high density plasma P, damage on the surface of the susceptor 3 can be minimized while performing a good cleaning.例文帳に追加

これにより、高密度なプラズマＰを得ながらそのプラズマＰのイオンエネルギーを低減させることができるため、良好なクリーニングを行いつつサセプタ３の表面の損傷を抑えることができる。 - 特許庁

Specifically, a pump P for circulating bathtub water within the reheating circulation pipe line 3 is arranged in the merged part 7, and the bactericidal metallic ion generator 6 is provided within the pump P.例文帳に追加

具体的には、合流部７に浴槽水を追焚き循環管路３内に循環させるポンプＰが配設され、このポンプＰ内に殺菌性金属イオン発生装置６が設けられる。 - 特許庁

Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第１絶縁体７１０の上記開口を介してｐ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面６１Ｓ内にｐベース層６２１を形成する。 - 特許庁

The P type impurity is ion-implanted into a junction area of the PMOS and P+ pickup area exposed by contact holes.例文帳に追加

マスクパターンをイオン注入障壁として使用してコンタクトホールにより露出されたＰＭＯＳの接合領域及びＰ＋ピックアップ領域内にＰ型不純物イオン注入を遂行する。 - 特許庁

It is determined whether an ion is generated or not when the source potential of the p-MOS type FET 181 is measured.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のソース電位を計測することによりイオンが発生しているか否かの検出を行う。 - 特許庁

A matrix for mass analysis of glycopeptide or glycoprotein is ion liquid containing 3-aminoquinoline ions and p-coumaric acid ions.例文帳に追加

３−アミノキノリンイオンとｐ−クマル酸イオンとを含むイオン液体である、糖ペプチド又は糖タンパク質の質量分析用マトリックス。 - 特許庁