「P ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The n-type dopant is ion-implanted through the opening in the same mask to form the n-type implantation region which is shallower than the p-type implantation region.例文帳に追加

マスクの同じ開口部を通してｎ型ドーパントをイオン注入して前記ｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device capable of reducing elimination of ion-implanted p^+ layers while reducing contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗を低減しつつ、イオン注入したｐ^+層の消失を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The SiC substrate 3 patterns a section for forming a p-type impurity region, and performs the ion implantation of He or the like to a required depth for changing into amorphous.例文帳に追加

ＳｉＣ基板３はｐ型不純物領域を形成すべき部分をパターンニングし、必要な深さだけＨｅ等をイオン注入してアモルファス化している。 - 特許庁

To compensate the presence of a defect in the p-well ion-implant process step, enhance manufacturing yield of semiconductor devices, and reduce device unit cost.例文帳に追加

ｐ−ウェルイオン注入プロセスステップにおける欠陥の存在を無力化し、半導体デバイスの製造歩留りを向上させ、デバイス単価を低下させる。 - 特許庁

B ion implantation is carried out into an n- type epitaxial layer 2, and then the layer is subjected to an annealing operation to activate B and to form a p-type base region 3.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２にＢのイオン注入を行ったのち、Ｂを活性化させるアニール処理を行ってｐ型ベース領域３を形成する。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の間のＪ−ＦＥＴ部６及び表面チャネル層５に炭素（Ｃ）等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。 - 特許庁

After that, the retaining substrate 15 is stripped, and ion implantation is performed for forming a p-type impurity layer 19 on the back side of the substrate 11.例文帳に追加

その後、支持基板１５を取り除き、第１の半導体基板１１の裏面側にｐ型不純物層１９を形成するために、イオン注入をおこなう。 - 特許庁

After forming the oxide film 2 on the semiconductor substrate 1, a p^+-type diffused layer 3 is formed on the cortex of the semiconductor substrate 1 by ion injection.例文帳に追加

半導体基板１の上に酸化膜２を形成した後、半導体基板１の表層にＰ^＋型拡散層３をイオン注入により形成する。 - 特許庁

In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction.例文帳に追加

シリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１が形成されている状態で、ｐ型不純物２３_１，２３_２を、Ｙ方向の斜め上方からイオン注入する。 - 特許庁

On the main surface side of a semiconductor layer 3 composed of a p-type silicon layer on an insulation layer 2, ion implantation is conducted for controlling a threshold voltage (Figure 1 (a)).例文帳に追加

絶縁層２上のｐ形シリコン層よりなる半導体層３の主表面側にしきい値電圧を制御するためのイオン注入を行う（図１（ａ））。 - 特許庁

By performing ion implantation by using a first implantation mask 4 having an opening part with a width Lp, a high-concentration p-type well region 6 is formed.例文帳に追加

幅Ｌｐの開口部を有する第１注入マスク４を利用してイオン注入を行うことで、高濃度ｐ型ウエル領域６を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a p-type impurity is ion-implanted into the polysilicon film, and a predetermined thickness of the polysilicon film is removed by a chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

次いで、前記ポリシリコン膜にｐ型不純物をイオン注入し、前記ポリシリコン膜の所定厚さほどを化学機械的研磨方法で除去する。 - 特許庁

A p^+ region 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the p^+ region 4a is partially exposed by selectively etching the p^+ region 4a, thereby forming a p^+ semiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ^+領域４ａを形成し、当該ｐ^+領域４ａを選択的にエッチングしてｐ^+領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ^+半導体凸部４を形成する。 - 特許庁

An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask.例文帳に追加

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁

The fluorine-based ion exchange membrane has 1-500 μm membrane thickness, ≥0.0005 plane orientation degree (▵P), ≥0.05 S/cm horizontal ion conductivity at 25°C and ≥1 shift (▵T) of α-dispersion temperature.例文帳に追加

膜厚が１〜５００μｍ、面配向度（ΔＰ）が０．０００５以上、２５℃における水平イオン伝導度が０．０５Ｓ／ｃｍ以上、かつ、α分散温度シフト（ΔＴ）が１以上であることを特徴とするフッ素系イオン交換膜。 - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

Thus, even when the n type ion implanted to the memory cell transistor 110 in the on-state reaches the adjacent memory cell transistor 120 in the off-state when writing data, the influence is dissolved by the p type ion.例文帳に追加

このため、データ書込のときにオン状態のメモリセルトランジスタ１１０に注入されたｎ型イオンが、隣接するオフ状態のメモリセルトランジスタ１２０まで到達していても、その影響がｐ型イオンにより解消されている。 - 特許庁

The novel ionic compound with a low melting point comprises an onium type cation having at least a heteroatom such as N, O, S and P bearing a positive charge and an anion including, wholly or partially, at least an ion imidide such as (FX^1O)N^-(OX^2F) (wherein X^1 and X^2 are identical or different and comprise SO or PF).例文帳に追加

本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX^1O)N^-(OX^2F)(式中、X^1及びX^2は同じか又は異なり、SO又はPFである。 - 特許庁

After a reaction preventing film 7, consisting of a metal nitride film such as a TiN film, is formed on the film 6, P-type impurities, such as B and N-type impurities such as P are selectively ion-implanted in the film 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜６上にＴｉＮ膜などの金属窒化膜からなる反応防止膜７を製膜した後、多結晶Ｓｉ膜６に選択的にＢなどのｐ型不純物やＰなどのｎ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

In succession, while a photoresist 8 and the film 107 are used as a mask, p-type dopant ions are ion-implanted, activation annealing operation is then executed, and a p-type diffused region 12 is formed in the lower part of the trench 9.例文帳に追加

引き続き、フォトレジスト８，第１の層間絶縁膜１０７をマスクにして、ｐ型ドーパントイオンをイオン注入した後、活性化アニールを施すことで、トレンチ９の下方にｐ型不純物拡散領域１２を形成する。 - 特許庁

After the N well 7 and thermal oxide film 25 are formed ((c), (d)), boron 27 is ion-implanted in the P substrate 1 using the thermal oxide films 17, 25 as the mask (e) and the IP well and P well are formed simultaneously through the annealing process (f).例文帳に追加

Ｎウエル７及び熱酸化膜２５を形成した後（（ｃ），（ｄ））、熱酸化膜１７，２５をマスクにしてＰ基板１にボロン２７のイオン注入を行ない（ｅ）、アニール処理を施してＩＰウエル５とＰウエル９を同時に形成する（ｆ）。 - 特許庁

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

After the substrate 44 is removed, a p-type impurity is ion-injected to form the collector layer on the rear surface of the substrate 42, and diffused by heat treatment to form the collector layer.例文帳に追加

支持基板４２を取り除いた後、ウェハ裏面に、コレクタ層を形成するためのｐ型不純物のイオン注入をし、熱処理により拡散させてコレクタ層を形成する。 - 特許庁

Then, ion implantation of Mg is executed, by subjecting the mask 2, as it is, to heat treatment, thereby forming a p-type region 4 on the side and bottom of the trench groove 3 (Fig. 1c).例文帳に追加

次に、そのままマスク２を用いてＭｇをイオン注入し、熱処理をすることで、トレンチ溝３の側部と底部にｐ型領域４を形成する（図１ｃ）。 - 特許庁

This method is used to manufacture a p-channel type MOS transistor, and a III-group acceptor 21 or its compound is applied to a channel area through ion implantation.例文帳に追加

Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタの製造方法であって、ゲート電極７形成前に、III族アクセプター２１あるいはその化合物をチャネル領域にイオン注入する。 - 特許庁

The external layer 26b of a transfer roller 26 transferring the toner image on an intermediate transfer belt 17 to a record medium P is constituted by a material with an ion agent added thereto.例文帳に追加

中間転写ベルト１７上のトナー像を記録媒体Ｐ上に転写する転写ローラ２６の外側層２６ｂを、イオン剤の添加された材料によって構成する。 - 特許庁

Furthermore, non-impurity ion species, i.e., hydrogen ions, are implanted in order to form an amorphous layer 40 at the surface layer part of the p type base region 3.例文帳に追加

そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、ｐ型ベース領域３の表層部をアモルファス化させてアモルファス層４０を形成する。 - 特許庁

A static eliminator for eliminating static electricity from an electrified work P by using ion is provided with a control circuit 13 for varying a balance between positive and negative ions.例文帳に追加

ワークＰに帯電した静電気をイオンを用いて除去する静電気除去装置であって、イオンの正負のバランスを変化させる制御回路１３を設けている。 - 特許庁

Ionized Ga and N, which are substances constituting an n-type layer or a p-type layer, are implanted into an ion implantation area 10A under the surface of a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面下のイオン打ち込み領域１０Ａにｎ層またはｐ型層を構成する物質であるイオン化したＧａおよびＮを打ち込む。 - 特許庁

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, a photoelectric conversion section (photodiode) 4 is formed by an ion implantation method.例文帳に追加

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法により光電変換部（フォトダイオード）４を形成する。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁

In ISFET(ion sensitive field-effect transistor), a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of a P-type silicon substrate 1 in a spaced-apart state and an ion responsive film 6 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5.例文帳に追加

ＩＳＦＥＴは、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してイオン感応膜６が形成されている。 - 特許庁

A resist mask with a part of a silicon core 132 exposed therefrom is formed, and then, by an ion implantation technology using the resist mask as a mask, a p-type impurity is implanted into a part of the silicon core 132 to form a p-type silicon core 132a on an oxide silicon layer 102.例文帳に追加

一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。 - 特許庁

In the same impurity ion introduction process, a p^- type semiconductor region 10 and a p^- type field limiting ring 11 are formed collectively in a gate wiring region GLA to contact a groove 5 with a gate extraction electrode 8 formed therein.例文帳に追加

同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域ＧＬＡでｐ^−型半導体領域１０およびｐ^−型フィールドリミッティングリング１１をゲート引き出し電極８の形成された溝５と接するように一括して、形成する。 - 特許庁

An N-type impurity having a high concentration is ion-implanted to a P-type region 11 with a field oxide film 12 formed on the P-type region 11 having a low impurity concentration as an implantation mask, and an N-type region 14 having a high impurity concentration is formed.例文帳に追加

低不純物濃度のＰ型領域１１上に形成されたフィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に高濃度のＮ型不純物をイオン注入し、高不純物濃度のＮ型領域１４を形成する。 - 特許庁

This negative ion generator is provided with a negative ion generation part 30 generating negative ions, an air feeding means 50 generating and sending wind, and a force feed guide means 20 forming a ventilation flue P tapered from the air feeding means 50 to the negative ion generation part 30 and compressing and guiding the wind sent out by the air feeding means 50 to the negative ion generation part 30.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置は、マイナスイオンを発生させるマイナスイオン発生部３０と、風を発生させて送り出す送風手段５０と、送風手段５０からマイナスイオン発生部３０に向けて先細る通風路Ｐを形成し、送風手段５０によって送り出された風をマイナスイオン発生部３０に向けて圧縮しながら案内する圧送ガイド手段２０とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁

This electrochromic material has an electrochromic compound, a counter electrode reactant, and an ion stabilizer, and the ion stabilizer contains any of 1,2-diphenoxy ethane (DPE), tetra methyl benzine (TMB), triton-X and tetramethyl-p-phenylene diamine (TMPD).例文帳に追加

エレクトロクロミック化合物と、対極反応剤と、イオン安定化剤とを有するエレクトロクロミック材料であって、イオン安定化剤は、１，２−ジフェノキシエタン（ＤＰＥ）、テトラメチルベンジジン（ＴＭＢ）、トライトンＸ（ＴｒＩｔｏｎ−Ｘ）、テトラメチルパラフェニレンジアミン（ＴＭＰＤ）のいずれかを含む。 - 特許庁

Furthermore, a number of punch out transpositions P due to the oxygen deposit (a) are generated in the high-temperature annealing after the ion implantation, thus sufficiently achieving the gettering of the metal impurities in the high-temperature annealing and device with the punch out transpositions P as a gettering site.例文帳に追加

しかも、イオン注入後の高温アニール時に、酸素析出物ａに起因する多数のパンチアウト転位Ｐを発生させるので、パンチアウト転位Ｐをゲッタリングサイトとして、高温アニール時およびデバイス時に、金属不純物をそれぞれ十分にゲッタリングできる。 - 特許庁

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

Also, arsenic, etc. are selectively ion-injected into the p-well region 23 from the inclined direction of the longitudinal direction of the trench 25 which is inclined at an angle not smaller than 10° and not larger than 30°, relative to the direction vertical to the surface of a substrate to form an n^+-source region by activating the p-well region 23.例文帳に追加

基板表面の鉛直方向に対してトレンチ２５の長手方向に１０度以上３０度以下の角度で傾く斜め方向からｐウェル領域２３に選択的に砒素等をイオン注入し、活性化させてｎ^+ソース領域を形成する。 - 特許庁

A p-type clad layer 15 and a p-side contact layer 16 are formed sequentially on an active layer 14, which are selectively ion-implanted with a material as that lowering the refractive index to form a low refractive-index region 17.例文帳に追加

活性層１４上にｐ型クラッド層１５およびｐ側コンタクト層１６を順次形成し、このｐ型クラッド層１５、ｐ側コンタクト層１６に、その屈折率を減少させる材料を選択的にイオン注入することにより低屈折率領域１７を形成する。 - 特許庁