「TEOS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An overetched portion 3 of glass is filled with a transparent film 6 by electron beam deposition using TEOS (tetraethoxy silane) or siloxane molecules as a material.例文帳に追加

ガラスのオーバーエッチ部3をTEOSやシロキ酸系分子を原料とする電子ビームデポジションの透明な膜6で埋める。 - 特許庁

TEOS or the like is used as the organic material gas.例文帳に追加

有機系材料ガスとしては、ＴＥＯＳ等を用いる。 - 特許庁

DEPOSITION OF TEOS OXIDE USING PULSE RF PLASMA例文帳に追加

パルスＲＦプラズマを用いたＴＥＯＳ酸化物の堆積 - 特許庁

Next, a first ozone TEOS film 112 is grown on the base oxide film 111 by a first ozone TEOS method with relatively low ozone concentration, and then a second ozone TEOS film 113 is grown on the first ozone TEOS film 112 by a second ozone TEOS method with relatively high ozone concentration.例文帳に追加

次に、オゾン濃度が相対的に低い第１のオゾンＴＥＯＳ法により、下地酸化膜１１１の上に第１のオゾンＴＥＯＳ膜１１２を成長させた後、オゾン濃度が相対的に高い第２のオゾンＴＥＯＳ法により、第１のオゾンＴＥＯＳ膜１１２の上に第２のオゾンＴＥＯＳ膜１１３を成長させる。 - 特許庁

The L-shaped TEOS gas ejector is fixed in parallel with the vertical axis of a TEOS reaction chamber in the longitudinal direction.例文帳に追加

Ｌ字形のガス噴射装置の長手方向は、ＴＥＯＳ反応チャンバの垂直軸線に対し平行に取り付けられている。 - 特許庁

After the TEOS film 18 is flattened out by a CMP method, a SiH_4 base silicon oxide film 30 preferable for capturing fluorine is formed on it.例文帳に追加

TEOS膜１８をＣＭＰ法で平坦化した後、その上に、フッ素の捕獲に好適なSiH_４系シリコン酸化膜３０を形成する。 - 特許庁

DEPOSITION OF O3-TEOS OXIDE FILM AND DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

Ｏ３−ＴＥＯＳ酸化膜蒸着方法及び蒸着装置 - 特許庁

The raw material of the silicon oxide film 22 is, for example, TEOS.例文帳に追加

シリコン酸化膜２２は、例えばＴＥＯＳを原料としている。 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR DEPOSITING O3-TEOS OXIDE FILM, AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加

Ｏ３−ＴＥＯＳ酸化膜蒸着方法及び蒸着装置 - 特許庁

After a TEOS film is deposited, the TEOS film is patterned to form a silicidizing mask 10a having an opening for a silicidizing region Rsi.例文帳に追加

ＴＥＯＳ膜を堆積した後、これをパターニングしてシリサイド化領域Ｒsiを開口したシリサイド化用マスク１０ａを形成する。 - 特許庁

On the exposed surface, a first P-TEOS film 4 is formed.例文帳に追加

その露出面に第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４を形成する。 - 特許庁

After a TEOS film 1 is formed, an FSG film 2 is formed on the TEOS film 1 by a CVD method or PVD method.例文帳に追加

ＴＥＯＳ膜１を形成した後、ＣＶＤ法あるいはＰＶＤ法により、ＦＳＧ膜２をＴＥＯＳ膜１上に形成する。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film (O_3-TEOS film 3) which uses TEOS as a raw material and ozone as an oxidizing agent is formed under conditions of 400°C, and 450 Torr.例文帳に追加

続いて、４００℃、４５０Ｔｏｒｒで原料をＴＥＯＳ、酸化剤をオゾンとするシリコン酸化膜（Ｏ_3-ＴＥＯＳ膜３）を成膜する。 - 特許庁

To provide an etchant that selectively etches a hafnium based oxide film and a zirconium based oxide film with respect to a silicon oxide film such as THOX or TEOS.例文帳に追加

THOX、TEOSなどのシリコン酸化膜に対し、ハフニウム系酸化物膜、ジルコニウム系酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a thin-film resistance film 5 for inspection of crack between a 1st TEOS film 4 and a 2nd TEOS film 6 as an interlayer insulating film.例文帳に追加

１ｓｔＴＥＯＳ膜４と２ｎｄＴＥＯＳ膜６という層間絶縁膜の間にクラック検査用の薄膜抵抗膜５を備える。 - 特許庁

A TEOS oxide film 13 is formed on the TEOS oxide film 12 and the semiconductor layer 3 to bury an inside of the trench 11.例文帳に追加

トレンチ１１内を埋め込むようにＴＥＯＳ酸化膜１２上および半導体層３上に、ＴＥＯＳ酸化膜１３が形成される。 - 特許庁

A first TEOS oxide film 2, a silicon nitride film 3, a first amorphous silicon film 4, and a second TEOS oxide film 5 are laminatedly formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、第１のＴＥＯＳ酸化膜２、シリコン窒化膜３、第１のアモルファスシリコン膜４、第２のＴＥＯＳ酸化膜５を積層形成する。 - 特許庁

To obtain a method for depositing an O3-TEOS oxide film and a deposition apparatus for depositing a predetermined substance film including the O3-TEOS oxide film.例文帳に追加

Ｏ_3−ＴＥＯＳ酸化膜の蒸着方法及びＯ_3−ＴＥＯＳ酸化膜を含む所定の物質膜を蒸着するための蒸着装置を提供する。 - 特許庁

TEOS films of different thickness are formed independently on the opposite sides or TEOS films are formed independently on the opposite sides under different film deposition conditions.例文帳に追加

この際、膜厚の異なるＴＥＯＳ膜を両面に別々に形成するか、または成膜条件の異なるＴＥＯＳ膜を両面に別々に形成する。 - 特許庁

As a result, an O_3-TEOS film having a dielectric constant lower than that of the O_3-TEOS film can be formed directly on the single- crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

その結果、単結晶シリコン基板１に直接成膜したＯ_3-ＴＥＯＳ膜よりも誘電率の低いＯ_3-ＴＥＯＳ膜を得ることができる。 - 特許庁

The TEOS film is etched back with the exception of a section just under the photo-resist 132.例文帳に追加

次に、ＴＥＯＳ膜を、フォトレジスト１３２直下を除きエッチバックする。 - 特許庁

To form a TEOS film with reduced adsorption of moisture and organic substances.例文帳に追加

水分および有機物の吸着量の少ないＴＥＯＳ膜を形成する。 - 特許庁

Until the PL-TEOS oxide film 14 is removed, the second HDP oxide film 15 and the PL-TEOS oxide film 14 are simultaneously leveled by the CMP.例文帳に追加

そして、ＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４が除去されるまで、第２ＨＤＰ酸化膜１５とＰＬ−ＴＥＯＳ酸化膜１４とを同時にＣＭＰにより平坦化する。 - 特許庁

There are provided a TEOS film 5 formed on the main surface of a silicon substrate 1, and a reflective pattern 21 consisting of an Al film 7 formed on the surface of the TEOS film 5.例文帳に追加

シリコン基板１の主面に形成されたＴＥＯＳ膜５と、ＴＥＯＳ膜５の表面に形成されたＡｌ膜７からなる反射パターン２１とを備える。 - 特許庁

When an ozone TEOS-SiO_2 film is used as an insulating layer on a ferroelectric capacitor, a hydrogen barrier film forming position is on this ozone TEOS-SiO_2.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ上に絶縁層としてオゾンＴＥＯＳ−ＳｉＯ_２膜をもちいるときは、水素バリア膜の形成位置をこのオゾンＴＥＯＳ−ＳｉＯ_２上とする。 - 特許庁

To enhance the properties of an ozone TEOS film formed on a capacitive element.例文帳に追加

容量素子の上に形成されるオゾンＴＥＯＳ膜の特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for vapor depositing an O_3-TEOS (Tetraethylorthosilicate) oxide film, and a vapor deposition apparatus for vapor depositing a prescribed substance film containing an O_3-TEOS oxide film.例文帳に追加

Ｏ_3−ＴＥＯＳ酸化膜の蒸着方法及びＯ_3−ＴＥＯＳ酸化膜を含む所定の物質膜を蒸着するための蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Next, the plasma TEOS film 8 is flattened by etching the entire surface to a predetermined thickness.例文帳に追加

次に、プラズマＴＥＯＳ膜８を所定の厚さ全面的にエッチングして平坦化する。 - 特許庁

A resist pattern 3 is formed on a TEOS (tetraethylorthosilicate) film 2 using the KrF lithography technique.例文帳に追加

ＴＥＯＳ膜２上にＫｒＦリソグラフィ技術を用いてレジストパターン３を形成する。 - 特許庁

In addition, an ozone TEOS film is used as an interlayer insulation film 16 on the capacitive element 15.例文帳に追加

また、容量素子１５上の層間絶縁膜１６にオゾンＴＥＯＳ膜を用いる。 - 特許庁

An organic system source, such as TEOS gas or TEOG gas is introduced into the chamber 1.例文帳に追加

チャンバ１内にＴＥＯＳガスやＴＥＯＧガスのような有機系ソースを導入する。 - 特許庁

The first gas mixture has tetraethylorthosilicate(TEOS), helium (He) and nitrogen (N_2).例文帳に追加

第１の混合ガスはテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び窒素（Ｎ_2）を有する。 - 特許庁

A polysilicon layer 38, a TEOS layer 40 and a polysilicon layer 42 are formed at the opening.例文帳に追加

開口３０には、ポリシリコン層３８、ＴＥＯＳ層４０、ポリシリコン層４２が設けられる。 - 特許庁

Then, the silicon oxide film is formed by a CVD method, using TEOS and oxygen.例文帳に追加

その際にＴＥＯＳと酸素を用いたＣＶＤ法により、酸化珪素膜を形成する。 - 特許庁

The decomposition of the TEOS gas in a vapor phase is restrained for adsorbing on the workpiece.例文帳に追加

ＴＥＯＳガスは気相中での分解が抑えられ、被処理体の上に吸着する。 - 特許庁

Of an TEOS/SOG/TEOS film 3 underlying the thin film resistor 4, a step 3c is formed between the surface of a region 3a underlying the resistor 4 and the surface of the surrounding region 3b of the region 3a.例文帳に追加

薄膜抵抗４の下のＴＥＯＳ／ＳＯＧ／ＴＥＯＳ膜３のうち、薄膜抵抗４の下側に位置する領域３ａの表面と、その周りの領域３ｂの表面との間に段差３ｃを形成する。 - 特許庁

Then, a TEOS film 9 is formed on all the surface, and a thermal oxide film 10 is formed on a normal withstand voltage MOS transistor forming region through the intermediary of the TEOS film 9.例文帳に追加

次に、全面にＴＥＯＳ膜９を形成した後に、このＴＥＯＳ膜９を介して通常耐圧ＭＯＳトランジスタ形成領域上に熱酸化膜１０を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an ozone TEOS film 107 is deposited, as a protective film, on the silicon oxide film 111 by ozone TEOS method and subjected to heat treatment.例文帳に追加

次に、オゾンＴＥＯＳ法により、シリコン酸化膜１１１の上に保護膜としてのオゾンＴＥＯＳ膜１０７を堆積した後、該オゾンＴＥＯＳ膜１０７に対して熱処理を行なう。 - 特許庁

When stopping the supply of the TEOS gas, the gas supplying section 14 does it in three stages so that the supply of the TEOS gas may be completely stopped in a specified period of time after the section 14 starts the stoppage of the supply of the TEOS gas.例文帳に追加

ガス供給部１４は、ＴＥＯＳガスの供給を停止するに際して、ＴＥＯＳガスの供給の停止を開始した時刻から一定時間経過後にＴＥＯＳガスの供給の停止が完了するように、３段階に分けて上記ＴＥＯＳガスの供給を停止する。 - 特許庁

After that, an SiO2 film 4 is formed using TEOS gas and a flattening of the surface of the film 4 is performed.例文帳に追加

その後、ＴＥＯＳガスを用いてＳｉＯ_2 膜４を形成し表面平坦化を行う。 - 特許庁

A plasma silicon nitride film 2 and a plasma TEOS oxide film 3 are formed on a substrate insulating film 1.例文帳に追加

下地絶縁膜１の上にプラズマシリコン窒化膜２、プラズマＴＥＯＳ酸化膜３を形成する。 - 特許庁

Lastly, an NSG film 104 of a TEOS material is formed through a CVD method.例文帳に追加

最後に、ＴＥＯＳ原料を用いたＮＳＧ膜１０４をＣＶＤ法を用いて形成する。 - 特許庁

Then, a metal film is formed in an area surrounded by a TEOS oxide film 12 and polysilicon 3.例文帳に追加

その後、ＴＥＯＳ酸化膜１２及びポリシリコン３で囲まれた領域に金属膜を形成する。 - 特許庁

Since the stress of the TEOS film works in the direction of emphasizing the warp of the silicon wafer in this constitution, interactive force between the silicon wafer and the TEOS film can be alleviated.例文帳に追加

このような構成であれば、ＴＥＯＳ膜の応力はシリコンウエーハの反りを強調する方向に働くので、シリコンウエーハとＴＥＯＳ膜との間で作用し合う力を緩和することができる。 - 特許庁

In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.例文帳に追加

しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁