「A p-n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加

半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書

To thin a p-i-n diode without its property deteriorated.例文帳に追加

p-i-nダイオードをその特性の劣化なしに薄くする。 - 特許庁

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加

最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

For example, N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(4'-methoxybiphenyl-4-yl)benzidine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(hydroxybiphenyl-4-yl)benzidine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce an acrylic acid ester compound.例文帳に追加

例えば、N,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４´-メトキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してN,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４-ヒドロキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてアクリル酸エステル化合物とする。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The expression (1) is P=(A-B)*|A-B|^(n-1)/(|A-B|^n+|C-D|^n), and the expression (2) is P=(C-D)*|C-D|^(n-1)/(|A-B|^n+|C-D|^n).例文帳に追加

Ｐ＝（Ａ−Ｂ）＊｜Ａ−Ｂ｜＾（ｎ−１）／（｜Ａ−Ｂ｜＾ｎ＋｜Ｃ−Ｄ｜＾ｎ）・・・（１）Ｐ＝（Ｃ−Ｄ）＊｜Ｃ−Ｄ｜＾（ｎ−１）／（｜Ａ−Ｂ｜＾ｎ＋｜Ｃ−Ｄ｜＾ｎ）・・・（２） - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The P-I-N photo diode 7 and the transparent electrode 9 both demarcate a sub pixel 5.例文帳に追加

P-I-Nフォトダイオード及び透明電極が共に副画素５を画定する。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained.例文帳に追加

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

A P-N junction, between a deep N well 114 and a P type silicon substrate 126, is responsive to red light and the P-N junction between the deep N well and a P well 116 is responsive to the red light.例文帳に追加

深いＮウェル１１４とＰ型シリコン基板１２６の間のＰＮ接合が赤色光に反応し、深いＮウェルとＰウェル１１６の間のＰＮ接合が赤色光に反応する。 - 特許庁

Print elements n, n+1, n+2,..., n+6 at the left end of the print chip 12-n are arranged with a regular pitch P and print elements N, N+1, N+2,..., N+6 at the right end of the print chip 12-N are arranged with a pitch P' which is greater than the pitch P by 2 μm.例文帳に追加

印字チップ１２−ｎ左端の正規ピッチＰの印字素子ｎ、ｎ＋１、ｎ＋２、・・・、ｎ＋６に対して、印字チップ１２−Ｎの右端の印字素子Ｎ、Ｎ＋１、Ｎ＋２、・・・、Ｎ＋６は２μｍ大きいピッチＰ′で配列されている。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

A data amplifier DAP0 is composed of an n-channel transistor TNA, a p-channel transistor TPA, an amplifier circuit AMP and inverters MP, MN.例文帳に追加

データアンプDAP0はnチャンネルトランジスタTNA,pチャンネルトランジスタTPA,アンプ回路AMP,インバータMP,MNで構成されている。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

A storage unit 12 stores N pieces of speech data D[1] to D[N] for indicating speech collected at different positions P[1] to P[N] in a space R.例文帳に追加

記憶装置１２は、空間Ｒ内の相異なる位置Ｐ[1]〜Ｐ[N]にて収音された音声を示すＮ個の音声データＤ[1]〜Ｄ[N]を記憶する。 - 特許庁

The N RESURF layers 2 and the P RESURF layers 3 are repeatedly formed alternately in a direction substantially vertically to the direction of connecting the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10.例文帳に追加

Nリサーフ層２とPリサーフ層３は、Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０とを結ぶ方向と概略垂直方向に交互に繰り返し形成されている。 - 特許庁

A voice recognition part 13 respectively recognizes the voice-inputted numeral figures (8, 0, 0, 0) and alphabets (A, L, P, I, N, E).例文帳に追加

音声認識部１３は音声入力された数字(8,0,0,0)及びアルファベット(A,L,P,I,N,E)をそれぞれ認識する。 - 特許庁

As a result, the substrate to which a fine pattern N is transferred or a worked layer P is obtained.例文帳に追加

その結果、微細パタンＮが転写された基板又は被加工層Pを得る。 - 特許庁

A communication time predicting part 18 predicts p(n).例文帳に追加

通信時間予測部１８がｐ（ｎ）を予測する。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

In a lamp diagnosis device provided with a N-P-N type transistor 15 supplying minute current to a stop lamp 1 and a computer 10 diagnosing the stop lamp 1 based on voltage applied to the stop lamp 1, the N-P-N transistor 15 intermittently supplies the minute current.例文帳に追加

本発明は、ストップランプ１に微電流を入力するn-p-n型トランジスタ１５と、ストップランプ１に加えられている電圧に基づいてストップランプ１を診断するコンピュータ１０と、を備えたランプ診断装置において、n-p-n型トランジスタ１５を、前記微電流を断続的に入力するようにした。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型のウェル領域ＰＷＥＬが一様に設けられている。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁

When an FET is identified, a P/N ratio is calculated for every possible input combination.例文帳に追加

FETが識別されると、可能性のある全ての入力の組合せについてP/N比が計算される。 - 特許庁

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁