「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A fuel cell module is provided with a membrane electrode assembly, two gas diffusion layers, two current collectors 303, two sealing members 20 and a flow field plate assembly 10.例文帳に追加

燃料電池モジュールは、膜電極接合体と、２つのガス拡散層と、２つの電流コレクタ３０３と、２つの密封部材２０と、流れ場プレートアッセンブリ１０と、を有する。 - 特許庁

To provide an optical receiver in which performance and reliability can be enhanced by suppressing a diffusion current generated in the circumference of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の周囲部で発生する拡散電流を抑止することで、性能および信頼性の向上を図ることが可能な光受信装置を提供する。 - 特許庁

To constitute a light-emitting diode in a structure with the electrodes not being peeled off a transparent conductive film which is used as a current diffusion film at manufacturing of the diode.例文帳に追加

電流分散膜として透明導電膜を用いた発光ダイオードを製造する際に、透明導電膜からの電極剥がれを起こさない構造とする。 - 特許庁

The diffusion current stop band 5 is formed not only in the circumference of the light receiving element 2, but also in the circumference of a control circuit 3 for controlling a received optical signal.例文帳に追加

また、拡散電流阻止帯５は、受光素子部２の周囲と共に、受信した光信号を制御する制御回路部３の周囲にも形成されている。 - 特許庁

To provide a heat-resistant alloy member capable of preventing the diffusion of Cr from the corner part and to provide a current collecting member of a fuel cell, a fuel cell stack, and the fuel cell.例文帳に追加

角部からのＣｒの拡散を防止できる耐熱性合金部材及び燃料電池用集電部材並びに燃料電池セルスタック、燃料電池を提供する。 - 特許庁

To suppress diffusion of Cr, as much as possible, in a current collection member formed of metal having conductivity and heat resistance and containing Cr.例文帳に追加

導電性と耐熱性のあるＣｒを含む金属からなる集電部材において、Ｃｒ拡散を極力抑えることのできる集電部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a polycrystaline silicon electrode connected to the diffusion layer of a cell transistor and a metal electrode connected to the diffusion layer of a peripheral transistor are installed, and bonding leakage current of the diffusion layer is restrained in which the polycrystaline silicon electrode has been formed, so that good data holding characteristics is installed.例文帳に追加

セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The fuel cell 1A is constituted by laminating a polymer electrolyte membrane 2, a catalyst layer 3A or 3B, a gas diffusion layer 5A or 5B, and a current collector 6A or 6B in this order, and humidity control layers 9A and 9B are arranged on the opposite sides to the gas diffusion layers 5A and 5B of the current collectors 6A and 6B.例文帳に追加

高分子電解質膜２と、触媒層３Ａ又は３Ｂと、ガス拡散層５Ａ又は５Ｂと、集電体６Ａ又は６Ｂとがこの順に積層され、集電体６Ａ及び６Ｂに対してガス拡散層５Ａ及び５Ｂとは反対側に、調湿層９Ａ及び９Ｂが設けられていることを特徴とする燃料電池１Ａ。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

Quantity of a current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section consisting of the charge storage film 23 and the fine particles 10.例文帳に追加

蓄電体膜２３と微粒子１０とからなる電荷保持部に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方の上記ソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

To provide a diffusion port device capable of generating efficiently an induced air current to enhance diffusion performance, by arranging properly guide vanes for generating a vortex flow, capable of exhibiting an air conditioning effect to the maximum, and capable of preventing surely dew from being condensed.例文帳に追加

旋回流を生じさせる案内羽根を適切な箇所に配置して、誘引気流を効率よく生じさせて拡散性能を向上させ、空気調和効果を最大限発揮できる上、結露の発生も確実に防止できる吹出口装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for a secondary battery capable of forming the secondary battery for controlling diffusion of a current collector material to an active material thin film, improving adhesion of the active material thin film to a current collector, with an excellent cycle characteristic.例文帳に追加

集電体材料の活物質薄膜への拡散を制御して、集電体に対する活物質薄膜の密着性が良好で、かつサイクル特性に優れた二次電池とすることができる二次電池用電極の製造方法を得る。 - 特許庁

An air filter 14, an electric fan 15 and a heater 16 are arranged within the warm air generating means 11, and a deflection member 13 changing an air current advancing direction is provided within the base end part 12c of the cylindrical body 12 as an air current diffusion means.例文帳に追加

温風発生手段１１内には、エアフィルタ１４，電動ファン１５及びヒータ１６が配置され、筒状体１２の基端部１２ｃ内には、気流拡散手段として、気流進行方向を変更する偏向部材１３が設けられている。 - 特許庁

A light-emitting device with high light-emission intensity is constructed by providing a lattice-matched light-emitting region and a current diffusion layer on a Si substrate via a buffer layer containing phosphorus or arsenic, so that a device driving current is diffused over a wide range of the light-emitting region.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にリンまたは砒素を含む緩衝層を介して、格子整合する発光部と電流拡散層とを設け、素子駆動電流を発光部の広範囲に拡散できる様にして高発光強度の発光素子を構成する。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 313 has diffusion layer regions 35 and 36, a gate electrode 15 and memory function parts 25 and 26, and the quantity of current between the diffusion layer regions 35 and 36 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of charges being held in the memory function parts 25 and 26.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子３１３は、拡散層領域３５，３６、ゲート電極１５、メモリ機能部２５，２６を備え、メモリ機能部２５，２６が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３５，３６間の電流量を変化させる。 - 特許庁

Write of recording is possible, by forming the state of high concentration of diffusion species in the electrode A102 or the electrode B103 by making a current flow, and read of record is possible, by employing method for detecting movement of charge from the sense electrode 104 which anompanies the movement of diffusion species.例文帳に追加

電流を流して電極Ａ１０２または電極Ｂ１０３に拡散種の濃度が高い状態を形成することで、記録の書き込みができ、また、拡散種の移動にともなうセンス電極１０４からの電荷の移動を検出する方法を用いることにより記録の読み出しができる。 - 特許庁

Then, against a pattern portion of each of the obtained binarized images, diffusion of an intermediate point group in the same pixel direction and a similar straight line obtained from the intermediate point group is calculated and an average value of the diffusion in each of the binarized images is calculated to obtain an emission pattern evaluation value in the filament current value.例文帳に追加

次に、得られた各２値化画像のパターン部に対し、同じ画素方向における中間点群と、該中間点群から求めた近似直線との分散を求め、各２値化画像における分散の平均値を算出して、このフィラメント電流値におけるエミッションパターンの評価値とする。 - 特許庁

Likewise, a second reaction layer is formed at a discharge device 120g, a second gas diffusion layer, at a discharge device 120h, and a second current-collecting layer, at a discharge device 120i.例文帳に追加

同様に、吐出装置１２０ｇにおいて第２の反応層を、吐出装置１２０ｈにおいてガス拡散層を、吐出装置１２０ｉにおいて第２の集電層を形成する。 - 特許庁

Only the MOS transistor 2 proximate to the output terminal 44 is provided with a diffusion layer 60 for extracting a surge current, inputted to the drain 22 from the output terminal 44, into the substrate 10.例文帳に追加

出力端子４４に近接するＭＯＳトランジスタ２のみが、ドレイン２２に出力端子４４から入力されるサージ電流を基板１０内に引き抜く拡散層６０を備えている。 - 特許庁

The battery is provided with a gas diffusion means in a current collector, and further with a gas discharge means for a sealing part in the sealing part and/or with a gas discharge means for a outer package in the outer package.例文帳に追加

集電体にガス拡散手段を設け、更にシール部にシール部用ガス放出手段および／または外装に外装用ガス放出手段を設けることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In manufacturing a light emitting device 100, a light emitting layer portion 24 and a current diffusion layer 7 each comprising a III-V compound semiconductor are formed on a single crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

An annular peripheral rim electrode 215 is formed at the peripheral rim on the p-AlGaAs current diffusion layer 210 while the inside of the same constitutes a light emission surface w.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０上の周縁部にはリング状の周縁電極部２１５が形成されており、その内側が光出射面ｗを構成する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

This electrolytic cell has an elastic cushioning material 5 composed of a corrosion resistant frame 3 having a metallic coil body 4 wound around it, arranged between the gas diffusion cathode and a cathode wall surface or a cathode current collector.例文帳に追加

耐食性フレーム３に金属製コイル体４を巻回して構成した弾性クッション材５を、ガス拡散陰極と陰極壁面又は陰極集電体間に設置する。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a heat resistant conductive member very small in a Cr diffusion amount; to provide an alloy member for a fuel cell; to provide a current collecting member for a fuel cell; to provide a cell stack; and to provide a fuel cell.例文帳に追加

Ｃｒ拡散量が非常に少ない耐熱性導電部材、燃料電池用合金部材及び燃料電池用集電部並びにセルスタック、燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell capable of exhibiting a stable performance even at a high current density, and a gas diffusion layer electrode base material suited for obtaining the same, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

高電流密度でも安定した性能が発揮できる高分子電解質型燃料電池、これを得るに好適なガス拡散層電極基材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell securing diffusion of gas and liquid produced/consumed in an electrode and preventing decrease in power generation performance in high current density operation.例文帳に追加

高電流密度における運転において、電極内で生成・消費するガスおよび液体の拡散性を確保し、発電性能が低下を防止する燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

To provide a division method of a nitride semiconductor wafer capable of reducing cost by dispensing with the formation of a current diffusion conductive film with respect to a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に対する電流拡散導電膜の形成を不要なものし、コストの低廉化を図ることができる窒化物半導体ウエハの分割方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high output vertical cavity surface emitting laser element which makes current diffusion to a longitudinal direction easy by using tunnel junction, and to provide a laser pumping part for the laser element.例文帳に追加

トンネル接合を利用して横方向への電流拡散を容易にした高出力垂直外部共振器面発光レーザー素子、及び該レーザー素子用のレーザーポンピング部を提供する。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板１上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００の製造に際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

Accordingly, even when metal lithium is dropped from the negative electrode current collector 23 of the negative electrode 15, the diffusion of the metal lithium in the electric storage device 10 can be prevented.例文帳に追加

これにより、負極１５の負極集電体２３上から金属リチウムが脱落した場合であっても、金属リチウムの蓄電デバイス１０内への拡散を防止することが可能となる。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁

The concentration of NOx, permeating through the diffusion resistance part 133 to enter the measuring chamber 132, is detected on the basis of the current value caused by the first reaction in the value of the current flowing through the electrode part 181 from the electrode part 191 of the solid electrolyte 120.例文帳に追加

固体電解質体１２０の電極部１９１から電極部１８１へ流れる電流値の内、第１の反応に起因する電流値に基づいて、測定室１３２に拡散抵抗部１３３を透過して入って来たＮＯｘの濃度を検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion membrane for a solid polyelectrolyte fuel cell which is superior in water management in a wide range of battery reaction ranging from a high electric current density area to a low electric current density area, and which does not obstruct a battery reaction, and in which permeation of the gas is uniform.例文帳に追加

高電流密度域から低電流密度域までの広範囲な電池反応における水分管理に優れ、電池反応を阻害することなく、ガスの透過も均一である固体高分子電解質型燃料電池用ガス拡散膜を提供する。 - 特許庁

Moreover, the driving method for driving this liquid crystal display device according to this invention is a method letting the current detection means detect a current at the time when a transfer voltage pulse for transferring the liquid crystal layer into bend alignment is applied, and applying an ion diffusion voltage pulse in accordance with the current value to eliminate the display unevenness.例文帳に追加

また本発明の駆動方法は、この液晶表示装置を駆動するにおいて、液晶層をベンド配向に転移させるための、転移用電圧パルスが印加された時の電流を電流検出手段により検出し、その電流値に応じた、イオンを拡散させるためのイオン拡散電圧パルスを印加し、ムラを解消する。 - 特許庁

An AC current measurement processing part 6 for measuring the value of an AC current, oscillator 4 for generating an AC current used for measurement of the ground resistance and a spectrum diffusion part 5 for diffusing a frequency distribution of an AC signal generated by the oscillator 4 to a wide band are provided in the ground resistance measuring device 1.例文帳に追加

接地抵抗測定装置１の内部には、交流電流の値を測定するための交流電流測定処理部６と、接地抵抗の測定に用いる交流信号を発生させるためのオシレータ４と、オシレータ４が発生する交流信号の周波数分布を広帯域に拡散させるためのスペクトラム拡散部５と、を備える。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

Thereby, electric field concentration on the vicinity of a transfer gate TG end easily causing a crystal defect in the floating diffusion region FD in turning off the transfer gate is prevented, and leak current is suppressed.例文帳に追加

これにより、転送ゲートがオフ時に、フローティングディフュージョン領域ＦＤにおいて、結晶欠陥が生じ易い転送ゲートＴＧ端付近への電界集中を防ぎ、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

As a result, free Ba (source of thermoelectron radiation) is generated according to the diffusion of reductive element (for example, Zr) from the base body 1 to the electron emitting substance layer 2, and a stable cathode current is obtained.例文帳に追加

この結果、基体１から電子放射物質層２への還元性元素（例えば、Ｚｒ）の拡散に伴う遊離Ｂａ（熱電子の放射源）の生成が維持され、安定したカソード電流が得られる。 - 特許庁