「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The ESD protection element includes: a bipolar transistor having a collector diffusion layer 7 connected with a first terminal (Pad), and an emitter terminal; and current control resistors 11 provided on a plurality of current paths from a second terminal (GND) to the collector diffusion layer 7 through an emitter diffusion layer 4, respectively.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、第１端子（Ｐａｄ）に接続されるコレクタ拡散層７とエミッタ端子とを備えるバイポーラトランジスタと、第２端子（ＧＮＤ）からエミッタ拡散層４を介してコレクタ拡散層７に至る複数の電流経路上のそれぞれに設けられた電流制御抵抗１１とを具備する。 - 特許庁

To provide a current collection structure of a fuel cell capable of suppressing diffusion of Cr more than a conventional one.例文帳に追加

従来よりもＣｒの拡散を抑制することが可能な燃料電池の集電構造を提供する。 - 特許庁

To provide a current collection structure of a fuel cell capable of suppressing diffusion of Cr than a conventional one.例文帳に追加

従来よりもＣｒの拡散を抑制することが可能な燃料電池の集電構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which effectively reduces the junction leakage current in the diffusion region.例文帳に追加

拡散領域の接合リーク電流を効果的に低減した半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When a depression type reset transistor is adopted, a leak current to floating diffusion is suppressed and a dynamic range is extended.例文帳に追加

リセットトランジスタをディプレション型にすることで、フローティングディフュージョンへのリーク電流を抑制し、ダイナミックレンジを広げる。 - 特許庁

To provide a heavy-current short-time resistor capable of suppressing diffusion of Joule heat without using a heat insulator.例文帳に追加

断熱材を用いることなくジュール熱の拡散を抑制した大電流短時間用抵抗器を作製する。 - 特許庁

Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.例文帳に追加

本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁

More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density.例文帳に追加

すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。 - 特許庁

The translucent positive electrode comprises a contact metal layer in contact with a p-type semiconductor layer, a current diffusion layer on the contact metal layer having electric conductivity higher than that of the contact metal layer, and a bonding pad layer on the current diffusion layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなることを特徴とする透光性正極。 - 特許庁

To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.例文帳に追加

ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁

Furthermore, the surface of the current collection member 20 on the fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as the edge portion of the current collection member 20 is covered with the Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.例文帳に追加

また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁

Furthermore, a surface of the current collection member 20 on a fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as an edge portion of the current collection member 20 is covered with a Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.例文帳に追加

また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、 Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁

The gas diffusion layer for the fuel cell also has a joint part 114 to electrically connect the current-collecting layer and the wire materials.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層はまた、集電層と線材とを電気的に接続する接合部１１４を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which current capacity can be enhanced through an arrangement provided with no buried diffusion layer.例文帳に追加

埋め込み拡散層を設けない構成で電流能力を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is not limited by the concentration of a diffusion layer and of which junction leak current is reduced enough.例文帳に追加

拡散層濃度に制約されず、接合リーク電流が十分に低減された半導体装置を製造する。 - 特許庁

Thereafter, a second current narrow layer 15b made of GaAs is removed in the impurity diffusion areas Za, Zb.例文帳に追加

その後、不純物拡散領域Ｚａ，Ｚｂにおける、ＧａＡｓからなる第２の電流狭窄層１５ｂを除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of efficiently forming a current diffusion layer whose conductivity type is n-type.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加

また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

A channel stopper 20 is formed between a diffusion layer 12 and a diffusion layer 13 of an ESD protective circuit 10A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing the leak current.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１０Ａの拡散層１２と拡散層１３との間にチャンネルストッパー２０を形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode inexpensive in the production cost and excellent in the efficiency of electric power at the time of electrolysis without providing a current collector such as a silver net in the conventional gas diffusion electrode.例文帳に追加

従来のガス拡散電極中の銀網のような集電体を設けることなく、製造コストが安く、電解時の電力効率も優れたガス拡散電極を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 100 for the fuel cell has a porous and conductive current-collecting layer 120, and a plurality of conductive wire materials 110 aligned on a face of the current collecting layer.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層１００は、多孔質で導電性の集電層１２０と、集電層の面に並んだ複数の導電性の線材１１０とを有する。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor laser which can reduce threshold current with a low cost by effectively suppressing the diffusion of an injecting current in a horizontal direction.例文帳に追加

注入電流の横方向への拡散を効果的に抑えることによって閾値電流を低くし、かつ、低コストの新規な半導体レーザ装置を提案すること。 - 特許庁

Since a resistance in a transverse direction of the current diffusion layer (6) having the two dimensional electron gas effect is small, there occurs current broadening, and consequently the light extraction efficiency improves.例文帳に追加

２次元電子ガス効果を有する電流分散層（６）の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

To provide a current detection device in which diffusion layers of the respective electrodes do not overlap with each other and which allows high-speed and precise current detection even when current detection is simultaneously performed in microelectrodes which are integrated in high density.例文帳に追加

高密度に集積した微小電極において電流検出を同時行っても、各電極の拡散層が重なり合わず、高速かつ正確な電流検出を可能とする電流検出装置を提供する。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 14 is connected to the n-type well 12 regarding the diode 17, and a current is controlled by the diode 17.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層１４は、ダイオード１７に係るＮ型ウェル１２と接続され、ダイオード１７によって電流が制御される。 - 特許庁

To reduce leakage current in a floating diffusion region without leaving an electrical charge on a photo diode to improve yield of an imaging device.例文帳に追加

フォトダイオードに電荷を残すことなく、フローティングディフュージョン領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上する。 - 特許庁

Application of high voltage to the inside diffusion region 1b side reduces a leak current between the adjacent elements.例文帳に追加

内部拡散領域１ｂ側に高電圧を印加することで、隣接する素子との間のリーク電流の低減が可能である。 - 特許庁

Further, an etching stop layer can be provided between the p clad layer 6 and the p current diffusion layer 4 to make the processing easy.例文帳に追加

プロセスを容易にするためｐ型クラッド層６とｐ型電流拡散層４の間にエッチングストップ層を形成しても良い。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR PROSPECTIVE CORRECTION OF HIGH ORDER EDDY-CURRENT-INDUCED DISTORTION IN DIFFUSION-WEIGHTED ECHO PLANAR IMAGING例文帳に追加

拡散強調エコープラナー撮像法において高次渦電流に誘発された歪みを予測補正するためのシステムおよび方法 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode material for a fuel cell improving cell characteristics on the high current-density side, and enhancing overall cell characteristics.例文帳に追加

高電流密度側の電池特性を改善でき、電池特性に優れる燃料電用ガス拡散電極材を提供する。 - 特許庁

To restrain the leakage current caused, i.e., by the ion diffusion in an embedded layer for forming an overflow barrier in the deep part of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の深部にオーバフローバリアを形成するための埋め込み層のイオン拡散等によるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

With this method, the diffusion of impurity ions in a semiconductor element can be prevented, and the contact resistance and leakage current can be reduced.例文帳に追加

これにより、半導体素子の不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる。 - 特許庁

Current collection members 20, 21 for extracting power generation output in the MEA 13 are installed on the gas diffusion layers 14, 15 in conduction.例文帳に追加

ＭＥＡ１３における発電出力を取り出す集電部材２０，２１をガス拡散層１４，１５に導通させて設けた。 - 特許庁

A high leak current structure, in which a leak current density upon impressing a bias in the reverse direction of the first impurities diffusion area and the first well becomes larger than the leak current density upon impressing the bias of the same voltage in the reverse direction of the second impurities diffusion area and the first well, is formed.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域と前記第１のウェルとに逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度が、第２の不純物拡散領域と第１のウェルとに同一電圧の逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度よりも大きくなるような高リーク電流構造が形成されている。 - 特許庁

A boundary condition setting part 140 successively sets boundary conditions in the active-material interface for the diffusion equation of the diffusion estimation part 100 on the basis of the estimated battery current density I(t).例文帳に追加

境界条件設定部１４０は、推定された電池電流密度Ｉ（ｔ）に基づいて、拡散推定部１００の拡散方程式の活物質界面での境界条件を逐次設定する。 - 特許庁

A DC power supply 15 applies a voltage between the N^+ diffusion layer 8 and the P^+ diffusion layer 9 so as to flow a drain current corresponding to the quantity of the to-be-detected object attached to the sensing area 6.例文帳に追加

直流電源１５は、センシング領域６への検出対象の付着量に応じたドレイン電流を流すために、Ｎ^+拡散層８とＰ^+拡散層９との間に電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a anti-diffusion film of a semiconductor device which can prevent the phenomenon that impurities diffuse into a semiconductor substrate, electrical resistance is made high and a leakage current is increased, and a manufacturing method of the anti-diffusion film.例文帳に追加

不純物が半導体基板内に拡散して、電気的抵抗を高くし、漏泄電流を増大させる現象を防止し得る半導体素子の拡散防止膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion coefficient selection part 650 sets a diffusion coefficient set for diffusing a quantization error at the time of quantizing a pixel in the vicinity of the noticed picture element over the noticed picture element in accordance with a position of the noticed picture element in a current processing area of the error diffusion processing.例文帳に追加

拡散係数選択部650は、誤差拡散処理の現在の処理領域における注目画素の位置に応じて、注目画素の近傍の画素を量子化した際の量子化誤差を注目画素に拡散するための拡散係数セットを設定する。 - 特許庁

The energy gap of the current diffusion layer 16 is made larger than that of the active layer 14 while the GaP substrate 12 and the InGaP current diffusion layer 16 at the top layer are made transparent to the radiation light from the InAlGaP active layer 14, for raised light-emission efficiency.例文帳に追加

また、電流拡散層１６のエネルギーギャプを、活性層１４のエネルギーギャプよりも大きくして、ＧaＰ基板１１と最上層のＩnＧaＰ電流拡散層１６とをＩnＡlＧaＰ活性層１４からの放射光に対して透明にして発光効率を高める。 - 特許庁

A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加

配線の構造を作成し、背景場（温度、電流密度）を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数（格子、粒界、界面、表面）を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

The electric current value is an index value showing a flow velocity of hydrogen in an anode gas flow passage, and a value obtained by converting a diffusion velocity of nitrogen in the anode gas passage into an electric current value is the reference value.例文帳に追加

電流値はアノードガス流路での水素の流速を示す指標値であり、アノードガス流路での窒素の拡散速度を電流値に換算したものが前記の参照値である。 - 特許庁

Next, a first current-collecting layer is formed at a discharge device 120c, and a first gas diffusion layer, at a discharge device 120d.例文帳に追加

次に、吐出装置１２０ｃにおいて第１の集電層を、吐出装置１２０ｄにおいて第１のガス拡散層を形成する。 - 特許庁