「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To make a semiconductor device finer, and suppress a current leak in a common contact connecting a gate electrode and an impurity diffusion area.例文帳に追加

半導体装置を微細化するとともに、ゲート電極と不純物拡散領域とを接続する共通コンタクトにおける電流リークを抑制する。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

The surface of the current diffusion layer 14 on the protruding part 15 side is connected continuously and smoothly to the lower part 17, having a concave cross section and the upper part 16, having a convex cross section.例文帳に追加

電流拡散層１４の凸部１５側の表面は、断面凹の下部１７と断面凸の上部１６とに連続的になめらかに連なっている。 - 特許庁

Thereby a current block layer 10 does not have to be laminated above the impurity diffusion region 16, and manufacture can be easily done.例文帳に追加

これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a highly reliable semiconductor device in which generation of a junction leak current is suppressed by suppressing diffusion of metal.例文帳に追加

金属の拡散を抑えることによって、接合リーク電流の発生を抑制するとともに信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this point, capacitance is formed between the well and the diffusion layer, whose conductivity is opposite type to that of the well, so that current is restrained from changing sharply.例文帳に追加

このとき、ウェルとそのウェルと反対の導電型の拡散層との間に容量を有することになるので、電流の急激な変化を抑制する。 - 特許庁

This protective method for the alkali chloride electrolysis cell consists in passing slight current while the alkali chloride electrolysis cell having the gas diffusion cathode stops.例文帳に追加

ガス拡散陰極を備えた塩化アルカリ電解槽が停止している間、微少電流を流すことを特徴とする塩化アルカリ電解槽の保護方法。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium-ion secondary battery capable of lowering Li-ion diffusion resistance inside the electrode when high-current-rate charge and discharge are carried out.例文帳に追加

高電流レートの充放電を行った際、電極内部のＬｉイオン拡散抵抗を下げることが可能なリチウムイオン二次電池用電極を提供する。 - 特許庁

The space for reaction gas flow is formed with the separator and the current collector, thereby installation of a gas diffusion layer and a gas passage member is made unnecessary.例文帳に追加

また、セパレータと集電体とによって反応ガス流動用の空間が形成されることから、ガス拡散層およびガス流路部材を設けなくてもよい。 - 特許庁

To improve the on current of a PMOS transistor by forming a SiGe layer in the source/drain diffusion layer of the PMOS transistor without increasing the number of masks.例文帳に追加

マスク数を増やすことなく、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン拡散層内にＳｉＧｅ層を形成することで、ＰＭＯＳトランジスタのオン電流を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor and a method of manufacturing the same, capable of preventing diffusion of Cu around electrodes and reducing leak current.例文帳に追加

電極の周囲へのＣｕの拡散を防止することができ、かつ、リーク電流の低減を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect.例文帳に追加

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。 - 特許庁

The means 105 successively switches the connected state by successively transferring reference data, so that a summed current of plug current signals only and a summed current of minus current signals only are obtained respectively in first and second adding systems when the arrangement of chip information agrees with that of inverse diffusion data.例文帳に追加

加減算手段１０５はチップ情報の配列が逆拡散データの配列と一致したとき第１加算系統と第２加算系統とにプラス電流信号のみの加算電流とマイナス電流信号のみの加算電流とが得られるように、参照データの順次転送により接続状態を順次切り替える。 - 特許庁

To restrict a short-channel effect and increase a drain current at the operation of a transistor without increasing a leak current when polysilicon doped with P or As is used as a contact to a diffusion layer of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの拡散層へのコンタクトとしてP またはAsをドープした多結晶シリコンを用いる場合に、短チヤネル効果を抑制し、リーク電流を増加させることなく、トランジスタの動作時のドレイン電流を増加させる。 - 特許庁

According to this structure, the InP semiconductor substrate 3 and the current block portion 13 are not in direct contact with each other, so that the diffusion of the dopant (S) into the current block portion 13 from the InP semiconductor substrate 3 can effectively be suppressed.例文帳に追加

この構成により、ＩｎＰ半導体基板３と電流ブロック部１３とが直接接しないので、ＩｎＰ半導体基板３から電流ブロック部１３へのドーパント（Ｓ）の拡散を効果的に抑制できる。 - 特許庁

To provide a cell of a solid oxide fuel cell hardly causing the separation of a current collecting layer (an LSC layer) formed on the top surface of an air electrode base layer from the base layer, and decreasing current collecting resistance and diffusion resistance.例文帳に追加

空気極ベース層の上面に形成される集電層（ＬＳＣ層）がベース層との剥離が発生し難く、集電抵抗及び拡散抵抗を小さくできる固体酸化物形燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode of high luminance and a low cost having current narrow structure by which an epitaxial layer never includes a fault part causing leak current and the diffusion of dopant into the epitaxial layer does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル層中にリーク電流の原因となる断層部を有さず、かつエピタキシャル層中へのドーパントの拡散も起こっていない電流狭窄構造を有する高輝度で低コストの発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The AuBe contact electrode 214 of the peripheral rim electrode 215 is directly contacted with the p-AlGaAs current diffusion layer 210, however, the central electrode 220 is electrically connected to the p-AlGaAs current diffusion layer 210 through a p-GaAs contact layer 222 comprising a high concentration of p-type impurities.例文帳に追加

周縁電極部２１５のＡｕＢｅコンタクト電極２１４は直接ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と接触するが、中心電極部２２０は高濃度のｐ型不純物を含むｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と電気的に接合される。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

As the other means, the controller sets protection current to less than the diffusion limit current density of dissolved oxygen, so as to control protection current to the fixed one, and, by the partial formation of electrocoating, the electric potential in the surface part of the steel in contact with fresh water is reduced to -0.7 V(SHE) or lower.例文帳に追加

他の手段として、制御装置は、防食電流密度を溶存酸素の拡散限界電流密度未満に設定して防食電流を定電流制御し、エレクトロコーティングの部分的な形成によって、淡水と接触する鋼材表面部分の電位を-0.7V（SHE）以下に低下させる。 - 特許庁

An impurity diffusion region 34 located below an upper electrode 20 is deeper at its peripheral part than at its center, so that the peripheral part in which a current is concentrated is prevented from increasing in current density and furthermore from deteriorating in quality due to an increase in current density.例文帳に追加

上部電極２０の下側に位置する不純物拡散領域３４の外周部が中央部に比べて深く形成されていることから、電流が集中するその外周部における電流密度の上昇が抑制され、延いてはそれに起因する劣化が抑制される。 - 特許庁

The amount of current flowing from one diffusion layer region to the other diffusion layer region at voltage application to the gate electrode 13 varies, according to the amount of charges held on the nanodot 15 of each charge-holding portion 61, 62.例文帳に追加

各電荷保持部６１、６２のナノドット１５に保持された電荷の多寡に応じて、ゲート電極１３に電圧を印加した際の一方の拡散層領域から他方の拡散層領域に流れる電流量を変化させるようになっている。 - 特許庁

The Cr diffusion preventing layer 202 is formed on the surface of the current collecting substrate 201 by heat-treating a metal layer formed by a plating method or an electrostatic coating method, and the covering layer 203 is formed on the surface of the Cr diffusion preventing layer 202.例文帳に追加

こメッキ法又は静電塗装法により形成された金属層を熱処理して集電基材２０１の表面にＣｒ拡散防止層２０２が形成され、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面に被覆層２０３が形成されている。 - 特許庁

To provide a solid state imaging apparatus capable of suppressing generation of a junction leakage current even when the layout pattern width of a floating diffusion layer becomes small and a polysilicon pattern is arranged circumferentially along the floating diffusion layer, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

浮遊拡散層のレイアウトパターン幅が小さくなり、かつその周囲にポリシリコンパターンが浮遊拡散層に沿って配置された場合でも、接合リーク電流の発生を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The air current diffusion device (diffusion fan) is provided with an impeller comprising blade members 30, spoke members 40 and a hub member 50; a shaft member 20 constituting a rotating shaft of the impeller; and a hanging member 10 for hanging the shaft member 20 from a ceiling surface.例文帳に追加

気流拡散装置（拡散扇）は、羽根部材３０とスポーク部材４０とハブ部材５０とからなる羽根車と、羽根車の回転軸を構成するシャフト部材２０と、天井面からシャフト部材２０を吊り下げる吊下部材１０と、を備える。 - 特許庁

In the memory 32, the quantity of current flowing from one source/drain diffusion region 13 to the other source/drain diffusion region 13 upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the memory function body 25.例文帳に追加

半導体記憶素子３２では、メモリ機能体２５に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン領域１３から他方のソース／ドレイン領域１３に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

The organic EL illuminating device 1 includes a flat organic EL element 2, a flat heat diffusion plate 3 arranged on one face of the organic EL element 2, and a constant current circuit element 4 arranged to contact with the heat diffusion plate 3.例文帳に追加

有機ＥＬ照明装置１は、平面状の有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２の一方の面に設けられた平面状の熱拡散板３と、熱拡散板３と接するように設置された定電流回路素子４とを備えている。 - 特許庁

Mutual diffusion of impurities between the high resistance buried layer 13 and the clad layer 15 is prevented, efficiency of current injection to an active layer is improved by preventing current leak path in the high resistance buried layer, and light emission efficiency is improved.例文帳に追加

高抵抗埋め込み層１３とクラッド層１５との間の不純物の相互拡散を防止し、高抵抗埋め込み層での電流リークパスを防止して活性層への電流注入の効率を改善し、発光効率を改善する。 - 特許庁

The edge part of the semiconductor layer (intrinsic region 3) in a current direction is formed into a P+ diffusion region, so the edge part serves as an anode electrode 6 to prevent a current determining the performance of the optical sensor element from flowing through the edge part.例文帳に追加

電流方向における半導体層（真性領域３）のエッジ部分をＰ＋拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極６となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。 - 特許庁

Considering the diffusion of p-type impurities from a tertiary p-type light guide layer 10 to a current constriction layer 9, n-type impurity concentration is made so distributed that it has at least one peak in the current constriction layer 9.例文帳に追加

第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。 - 特許庁

To suppress an off-current in a cell transistor even if the transistor has a designed size that allows a significant short channel effect to occur, and to suppress a leak current from a joint on the capacitor side diffusion layer of the cell transistor.例文帳に追加

短チャネル効果が顕著に現れるような設計寸法であったとしてもセルトランジスタのオフ電流を抑制することができ、さらにセルトランジスタのキャパシタ側拡散層の接合部におけるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

An n-AlGaInP clad layer 204, an active layer 206, a p-AlGaInP clad layer 208 and a p-AlGaAs current diffusion layer 210 are sequentially laminated on an n-GaAs substrate 202 so as to have a current constriction mesa structure.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２０２上に、順次、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、活性層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０８、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０が電流狭窄メサ構造に積層される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.例文帳に追加

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The free layer structure can include a spin diffusion layer that prevents shunt of a spin current to the voltage source by assuring that all spin current is scattered and lost completely before it reaches the lead to the voltage source.例文帳に追加

自由層構造は、電圧源へのリードに到達する前に全てのスピン電流が完全に散失されることを保証することによって、電圧源へのスピン電流の分流を阻止する、スピン拡散層を含むことができる。 - 特許庁

Photons directly come into an exposure drift area, so that the hole-electron pairs are excited and uniformly separated by the action of the built-in electric field, a current is outputted, and the generation of push energy loss and recombination loss is evaded due to a diffusion current.例文帳に追加

光子は直接に暴露のドリフト領域に進入するので、ホール・エレクトロンペアを励起して均一に内蔵電場作用で分離し電流を出力し拡散電流による押しエネルギー損失と再結合損失の発生を避ける。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode, a light-emitting device, and a method of manufacturing the same that increases the efficiency of current diffusion for an indium tin oxide (ITO) layer and improves luminance and light-emitting performance.例文帳に追加

ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

So, while a short turn-off time is maintained, concentration of current that occurs at a corner part of the high-concentration collector diffusion layer is suppressed, resulting in improved on-breakdown strength.例文帳に追加

これにより、短いターンオフ時間を維持しながら、高濃度コレクタ拡散層のコーナー部分で起こる電流集中を抑制し、オン耐圧の向上を実現する。 - 特許庁

A part of the protective film 6 formed on the current diffusion layer 5 is eliminated, a p-side electrode 8 is formed as the outermost layer of an element, and the surface is made a bonding pad.例文帳に追加

電流拡散層５上に設けた保護膜６の一部を取除き、そこにｐ側電極８を素子の最外層として設け、表面をボンディングパッドとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of injecting a uniform current into a gain unit by suppressing the Zn diffusion in the resonator lengthwise direction through the heat treatment upon the formation of a window structure.例文帳に追加

窓構造形成時の熱処理により共振器長方向へのＺｎ拡散を抑制し、利得部に均一な電流注入ができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a static protection element in which static damage is reduced by avoiding concentration of current to the vicinity of surface of an impurity diffusion region.例文帳に追加

静電保護用素子を有する半導体装置において、不純物拡散領域の表面近傍における電流集中を回避して静電破壊を起こり難くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for preventing degradation of a cell current by elevation of resistance because of decrease of impurity concentration of a diffusion layer or a semiconductor layer.例文帳に追加

拡散層、または半導体層の不純物濃度の低下による抵抗の上昇によるセル電流の低下を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses diffusion of copper elements in a semiconductor substrate direction and a leakage current between adjacent wiring layers, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

銅元素の半導体基板方向への拡散及び隣接した配線層間のリーク電流を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current can be reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁

The leakage current density of the MIM capacitor is lowered by interposing a Ta film 5 for preventing the diffusion/oxidation of Cu between a Cu film and a Ta_2O_5 film 7.例文帳に追加

Ｃｕ膜とＴａ_２Ｏ_５膜７間にＣｕの拡散防止・酸化防止のためのＴａ膜５を挿入することにより、キャパシタのリーク電流密度を低減した。 - 特許庁