「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique for restraining cross leak of gas or generation of leak current in a fuel cell equipped with a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層を備える燃料電池において、ガスのクロスリークまたはリーク電流の発生を抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

To reduce both a light leakage current and diffusion of impurities to a channel region e.g. when a pixel pitch is narrowed.例文帳に追加

例えば、画素ピッチが狭小化された場合に、光リーク電流、及びチャネル領域への不純物の拡散の両方を低減する。 - 特許庁

The controller sets protection current density to the diffusion limit current density of dissolved oxygen or higher, so as to control protection current, or controls protection current in such a manner that the electric potential in the surface part of the steel in contact with fresh water is initially reduced to -0.7 V (SHE) or lower.例文帳に追加

制御装置は、防食電流密度を溶存酸素の拡散限界電流密度以上に設定して防食電流を制御し、或いは、淡水と接触する鋼材表面部分の電位が初期的に-0.7V（SHE）以下に低下するように防食電流を制御する。 - 特許庁

The insulation circuit board has structure wherein one or more layers of a heat diffusion plate in which a ceramics plate is disposed are arranged between a circuit board and a radiating plate, the heat diffusion plate is made a current flowing path of the semiconductor power element, and, if necessary, a water channel for cooling is formed in the heat diffusion plate.例文帳に追加

回路板と放熱板の間に、セラミックス板を設けた熱拡散板を１層以上配置した基板で、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とし、必要に応じ熱拡散板中に冷却用の水路を設けた構造の絶縁回路基板。 - 特許庁

A error diffusion processing part 630 quantizes the noticed picture element to which the quantization error is added in accordance with the diffusion coefficient set, and stores the quantization error of the noticed picture element in a quantization error memory 640 for referring to the quantization error in the error diffusion processing of the current processing area.例文帳に追加

誤差拡散処理部630は、拡散係数セットに応じて量子化誤差を加算した注目画素を量子化し、現在の処理領域の誤差拡散処理において量子化誤差を参照するために注目画素の量子化誤差を量子化誤差メモリ640に格納する。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a light emitting element which can suppress or prevent the oxidation of a light emitting layer and a current diffusion layer even if an oxide transparent conductive film is formed on the light emitting layer or the current diffusion layer formed of a compound semiconductor including an Al, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌを含む化合物半導体より構成される発光層部あるいは電流拡散層上に酸化物透明導電膜を形成させる場合にも、これら発光層部や電流拡散層の酸化を抑制ないし防止できる発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion current stop band 5 is provided with an n-type semiconductor layer connected with the power supply on the semiconductor substrate of p-type semiconductor, and the n-type semiconductor layer of the diffusion current stop band 5 is formed deeper than the n-type semiconductor layer of the light receiving element 2.例文帳に追加

この拡散電流阻止帯５は、ｐ型半導体の前記半導体基板に、前記電源に接続されたｎ型半導体層を備えており、拡散電流阻止帯５のｎ型半導体層は、受光素子部２のｎ型半導体層より深く形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting device, capable of efficiently forming a current diffusion layer having an n-type of conductivity as a first problem, and provide a light emitting device capable of improving the life of a device while using the n-type current diffusion layer as a second problem.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、ｎ型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。 - 特許庁

The second layer is provided between the processing layer and the clad layer, and has a first conductivity type formed of either one of a region having a higher impurity density than that of the current diffusion layer and a region having a dopant different from that of the current diffusion layer.例文帳に追加

第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path.例文帳に追加

一方、拡散防止層３１は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層３１自体が電流リークパスとなることも抑制される。 - 特許庁

The modulation current, flowing between a source diffusion region 202 and a drain diffusion region 203 of the field effect transistor, is subjected to synchronous detection by the modulation frequency of the modulation means 104 in a detection circuit 205.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのソース拡散領域２０２とドレイン拡散領域２０３間を流れる変調電流は、検出回路２０５にて、変調手段１０４の変調周波数にて同期検波される - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of balancing prevention of generation of a leak current, with a reduction in the resistance in a diffusion region, in manufacturing a semiconductor device that include the diffusion region having a step.例文帳に追加

段差を有する拡散領域を含む半導体装置の製造に際し、リーク電流の発生回避と拡散領域内の低抵抗化との両立可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The limiting current type oxygen sensor 10 is equipped with: an ion conductor 11; electrodes 12a and 12b; a gas diffusion mechanism 16 for supplying a gas limited in its diffusion rate; and a heater 17 for heating the ion conductor 11.例文帳に追加

限界電流式酸素センサ１０は、イオン導電体１１と、電極１２ａ，１２ｂと、拡散律速されたガスを供給するガス拡散機構１６と、イオン伝導体１１を加熱するヒータ１７とを備える。 - 特許庁

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

Sometimes, a downward air current is formed on the foundation bed 3 by a suction device in place of the blower, and the diffusion of the pollutants in the pile 2 into the air is controlled by the downward air current.例文帳に追加

場合によっては、送気装置に代えて吸気装置により基盤３上に下向きの気流を形成し、下向気流によりパイル２中の汚染物質の大気中への揮散を抑制する。 - 特許庁

The second conductivity type layer is provided between the light-emitting layer and the second electrode and includes a current diffusion layer and a second contact layer.例文帳に追加

前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode and a light emitting device where the efficiency of current diffusion to an ITO layer is raised and brightness and light emitting performance are improved.例文帳に追加

ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。 - 特許庁

To reduce noise caused by leak current generated by floating diffusion in low illuminance or dark time, in a solid-state imaging element.例文帳に追加

固体撮像素子において、低照度時または暗時に、フローティングディフュージョンで生じるリーク電流に起因するノイズを低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element that can lower diffusion temperature of impurities and prevent a decrease in light emission efficiency and an increase in threshold current.例文帳に追加

不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The diffusion capacitance is thereby reduced compared to a tub having a uniform tub depth, so that a high saturation current is produced at low voltages.例文帳に追加

拡散容量はそれにより、一様な深さを持つタブと比較して減少し、その結果、低電圧において高い飽和電流が生み出される。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which decreases a dark current by including a floating diffusion region containing a plurality of impurity doping region.例文帳に追加

複数の不純物ドーピング領域を含むフローティング拡散領域を備えて暗電流を低減し得るＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

Consequently, appropriate simultaneous multiplex exposures of the two-dimensional pixel array can be realized with a low dark current, pixel structure which does not employ floating diffusion.例文帳に追加

これにより、フローティングデフュージョンを用いない暗電流の少ない画素構造で、２次元画素アレイの適正な同時多重露光を実現できる。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

The PEM fuel cell has a current collector comprising a polymer composite and a diffusion medium engaging the polymer composite.例文帳に追加

高分子複合材料および前記高分子複合材料と係合する拡散媒体を備える集電板を有するＰＥＭ燃料電池。 - 特許庁

Crystal grains of the polysilicon are not passed through the gate insulation film by this composite film, the leakage current is not increased, and a diffusion of the dopant will not take place either.例文帳に追加

この複合膜により、ポリシリコンの結晶グレインはゲート絶縁膜に貫通しないのでリーク電流が増加せず、ドーパントの拡散もない。 - 特許庁

A current consisting of a signal current corresponding to the light reception intensity and the dark current which flows even in the absence of light flows to the photoelectric conversion element 1, and only the dark current flows to the photoelectric conversion element 20, so a difference between them appears at a connection point (floating diffusion) 6 between the photoelectric conversion elements 1 and 20, and only a signal component excluding the dark current is obtained.例文帳に追加

光電変換素子１には受光強度に応じた信号電流と光がなくても流れる暗電流分の電流が流れ、光電変換素子２０には暗電流のみが流れることから、光電変換素子１，２０の接続点（フローティングディフュージョン）６にはこれらの差分が現れ、暗電流の取り除かれた信号成分のみが得られる。 - 特許庁

To provide a pollution diffusion preventive device which can surely prevent diffusion of pollution caused by offshore construction work, without allowing the pollution to leake out of the construction sea area even where there is a water current, and can follow changes in tidal level.例文帳に追加

海上工事によって発生する濁りが、水流が生じる場合であっても、工事海域外に漏れ出すことがなく、確実に濁りの拡散を防止することができ、潮位変化にも追従可能な濁り防止装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an air-fuel ratio sensor exhibiting a high yield of manufacture in which a stabilized pumping current can be obtained by preventing a material forming a spray layer of spinel, or the like, from adhering to a porous tubular body responsible for diffusion controlled reaction through a gas diffusion hole.例文帳に追加

拡散律速を担う多孔質筒体にガス拡散孔を介してスピネルなどの溶射層を形成する材料が付着することを防ぎ、安定したポンピング電流が得られ、製造歩留りの高い空燃比センサ素子を得る。 - 特許庁

The error diffusion processing part 630 also stores the quantization error of the noticed picture element in accordance with the position of the noticed picture element in an error buffer 670 for referring to the quantization error in the error diffusion processing of an unprocessed area processed after processing of the current processing area.例文帳に追加

また、現在の処理領域の処理後に処理する未処理領域の誤差拡散処理において量子化誤差を参照するために、注目画素の位置に応じて注目画素の量子化誤差を誤差バッファ670に格納する。 - 特許庁

In the element 31, quantity of current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section 10.例文帳に追加

素子３１では、電荷保持部１０に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方のソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device in which the electrical characteristics of the light-emitting device are improved by smoothing current diffusion.例文帳に追加

電流拡散を円滑にして発光素子の電気的な特性を向上させたIII族窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a switchgear not suffering from ground fault even in case a metal foil of a flexible conductor is damaged, through restraint of charged particle diffusion on switching current.例文帳に追加

電流開閉時の荷電粒子拡散を抑制し、可とう性導体の金属箔が折損した場合においても地絡事故に至らないスイッチギヤを提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion type dust collection device of a cleaner in which an air current pressure loss is small, dust collection effectiveness is good, the filtration accuracy of dust is high, and a noise is low.例文帳に追加

気流圧力損失が小さく、集塵効果がよく、塵の濾過精度が高い低騒音である掃除機の拡散式集塵装置を提供する。 - 特許庁

According to this structure, when the vertical P-type PNP transistor is put in ON operation, a parasitic current flows, mainly through a zone having the P-type diffusion layer 23 formed therein.例文帳に追加

この構造により、縦型ＰＮＰトランジスタがオン動作した際に、Ｐ型の拡散層２３が形成された領域が、主に、寄生電流の経路となる。 - 特許庁

Further, layers are just sequentially formed, starting with the lattice strain relaxing layer 12 up to the current diffusion layer 16, on the n-GaP substrate 11 for reduced manufacturing cost.例文帳に追加

また、ｎ‐ＧaＰ基板１１上に格子歪緩和層１２から電流拡散層１６までを順次形成するだけであるから製造コストを低減できる。 - 特許庁

A first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, a current diffusion layer 15 and a contact layer 16 are laminated sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に第１クラッド層１２、活性層１３、第２クラッド層１４、電流拡散層１５、コンタクト層１６が順次積層されている。 - 特許庁

Since a current diffusion property is improved by the auxiliary electrode 109, light extraction efficiency can be improved by reducing the area of the n-electrode.例文帳に追加

補助電極１０９により電流拡散性が向上するため、ｎ電極の面積を低減して光取り出し効率を向上させることができる。 - 特許庁

A fuel cell is provided with a membrane electrode assembly, two gas diffusion layers, two current collectors, two sealing members and a flow field plate assembly.例文帳に追加

燃料電池は膜電極接合体と２つのガス拡散層と２つの電流コレクタと２つの密封部材と流れ場プレートアッセンブリとを有する。 - 特許庁