「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加

作用電極７と電解液１２との境界では、作用電極７内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極７に電流が流れる。 - 特許庁

The cold cathode fluorescent lamp having an inner diameter of 1.2 mm or less is lit with high frequency, and at least one of a lamp current density J [mAmrs/m2] or a lamp tube wall temperature Tw[°C] is adjusted to obtain a diffusion coefficient D of mercury vapor in the lamp axial direction of 10-6 [m2/s] or more.例文帳に追加

内直径が１．２ｍｍ以下の冷陰極蛍光ランプを高周波点灯させるとともに、ランプ軸方向への水銀蒸気の拡散係数Ｄが１０^−６［ｍ^２／ｓ］よりも大となるようにランプ電流密度Ｊ［ｍＡｒｍｓ／ｍ^２］又はランプ管壁温度Ｔ__ｗ［℃］の少なくとも一方を調整するようにする。 - 特許庁

To provide a precursor useful for manufacturing a superconducting wire rod to exhibit superior superconductive characteristics (especially critical current density and alternate current loss) by using Nb or a Nb group alloy sheet capable of exhibiting superior workability in the Nb or the Nb group alloy sheet used as a diffusion barrier layer, and the Nb or the Nb group alloy sheet like this when constituting an Nb_3Sn superconducting wire rod precursor.例文帳に追加

Ｎｂ_3Ｓｎ超電導線材前駆体を構成するときに、拡散障壁層として用いるＮｂまたはＮｂ基合金シートにおける加工性を良好にすることのできるＮｂまたはＮｂ基合金シート、およびこのようなＮｂまたはＮｂ基合金シートを用いて、良好な超電導特性（特に臨界電流密度および交流損失）を発揮する超電導線材を製造するための有用な前駆体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region.例文帳に追加

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純物拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-electrode 6 as a bonding electrode is formed while it is directly in contact with a p-type layer 4 made of p-type GaN-based compound semiconductor, and a current diffusion layer 5 that has light transmitting property as well as higher conductivity that the p-type layer 4 is formed in a part on the surface of the p-type layer 4 excluding the p-electrode 6.例文帳に追加

ｐ型のＧａＮ系化合物半導体にて形成されたｐ型層４に直接に接触して、ボンディング電極であるｐ電極６が形成されており、ｐ型層４の表面のｐ電極６以外の部分に、透光性でｐ型層４よりも高い導電性を有する電流拡散層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a diffusion situation prediction device for a diffusive substance capable of predicting efficiently an elaborate air current field around the periphery of an event generation place as the center, even in an event incapable of specifying the place in advance, capable of shortening a processing time, and capable of making the device compact, a method therefor, and a program.例文帳に追加

事前に場所の特定ができないような事象に対しても、その事象発生場所周辺を中心とした緻密な気流場を効率よく予測を行うとともに、処理時間の短縮および装置の小型化を図ることのできる拡散物質の拡散状態予測装置及びその方法並びにプログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

As the outer layer part of an anisotropic conductive connector contains conductive particles of which, the surface is covered with diffusion resistant metal, the cover layer is not degenerated by the transition of solder into the cover layer even the electrode material is made of tin-lead alloy solder, and the conductivity of the part forming a current path is hardly lowered.例文帳に追加

本発明の異方導電性コネクターにおいては、表層部分に耐拡散性金属によって被覆された表面を有する導電性粒子が含有されているので、電極物質が錫−鉛半田合金であっても、導電性粒子の被覆層に半田が移行することによる当該被覆層の変質が少なく、導電路形成部の導電性の低下が少ない。 - 特許庁

The fuel cell is composed of two or more of fuel battery cells, in which a gas diffusion electrode is joined on both faces of an electrolyte film sheet, in which an anode electrode/hydrogen ion conductive polyelectrolyte film/cathode electrode are laminated in this order, and the anode electrode side of the fuel battery cell and the cathode electrode side of the fuel battery cell adjacent to the cell are electrically connected by a current collecting sheet.例文帳に追加

本発明の燃料電池は、アノード極／水素イオン伝導性高分子電解質膜／カソード極の順に積層された電解質膜シートの両面にガス拡散電極を接合した燃料電池セル２個以上からなり、燃料電池セルのアノード極側と該セルに隣接する燃料電池セルのカソード極側とが集電シートにより電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises: an n-type clad layer of AlGaInP; a luminous layer of undoped AlGaInP formed on the n-type clad layer; a p-type clad layer of Mg-added AlGaInP formed on the luminous layer; and a current diffusion layer of Zn-added p-type GaInP formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 - 特許庁

By restraining rise of positive electrode potential through a fair treatment of relation between the proton diffusion coefficient and the particle diameter of the nickel hydroxide and diminishing of gradient of proton concentration in the particles at charging, oxygen generated by electrolysis of water that is a solvent of electrolyte solution can be restrained, and as a result, charging efficiency is to be kept high even at large current charging under high temperature environment.例文帳に追加

水酸化ニッケルのプロトン拡散係数とその粒子径との関係を適正化し、充電時における粒子内のプロトン濃度の勾配を小さくして正極電位の上昇を抑制することで、電解液の溶媒である水の電気分解によって生じる酸素の発生を抑制でき、その結果、高温環境下の大電流充電においても充電効率が良好なものとなる。 - 特許庁

To solve such problems that when silicon is used as a negative active material for a lithium secondary battery, an electrode having an active material layer 1 comprising spaces and columnar particles 6 can be formed on a current collector 5 having recessed and projecting parts on the surface by vapor deposition from the diagonal direction, but since spaces in the surface part are reduced, diffusion of lithium ions through an electrolyte is made insufficient.例文帳に追加

リチウム二次電池用負極活物質としてケイ素を用いる際に、表面に凹凸を有する集電体上５に斜め方向からの蒸着により空間と柱状粒子６から成る活物質層１を有する電極を形成することができるが、表面部分での空間が小さくなるため、電解液を介してのリチウムイオンの拡散が不十分となる。 - 特許庁

Since the p-type GaAs semiconductor can easily establish both translucency and low resistivity as compared with a metal thin film, appropriate current diffusion can be realized by providing a contact layer 20 by an p-type GaAs semiconductor having a necessary and sufficient thickness, thus providing the nitride-based semiconductor light-emitting device 10 for obtaining light having high emission intensity from the surface of the translucent conductive layer 22.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ半導体は金属薄膜に比較して透光性、低抵抗性を両立し易いので必要十分な厚さのｐ型ＧａＡｓ半導体によるコンタクト層２０を設けることで好適な電流拡散が実現でき、透光性導電体層２２の表面から高い発光強度の光が得られる窒化物系半導体発光素子１０を提供することができる。 - 特許庁

In Japan as well, then-Deputy Governor Yutaka Yamaguchi of the Bank of Japan pointed out regarding the current financial system wherein globalization and diffusion of IT are progressing, that the depth and ample liquidity of markets created by technological innovation and globalization in normal times could be immediately lost in times of a financial crisis accompanied by enormous stress, and there is an inherent risk that it would further amplify the crisis.He also added, “Under such circumstances, we should not suppress, by regulation, the development of technology and innovation in the market. Rather, we should strive to provide a supportive market infrastructure, including regulation and supervision, market practices, disclosure, and accounting methods, in a broad context and to make it more robust. The systematic improvement of market infrastructure will contribute to reducing the risk of financial crises, which is the most serious uncertainty.” 13例文帳に追加

また、我が国においても、日本銀行の山口副総裁（当時）は、グローバル化・IT化の進む現在の金融システムに対して、「技術革新とグローバル化によって平時にもたらされている市場の厚みあるいは潤沢な流動性は、大きなストレスを受ける金融危機時には瞬時に失われ、そのことが危機を増幅させるリスクを孕んでいる。」と指摘した上で、「こうした状況の中で我々がまず為すべきことは、規制によって技術の展開や市場の革新を抑え込もうとすることではなく、規制・監督、市場慣行、ディスクロージャー、会計制度等々が含まれる広い意味での市場インフラを整備し頑健なものにしていくことであり、これらを体系的に改善していくことは金融危機のリスクという不確実性の最たるものを減らすことに貢献する。」と指摘している13。 - 経済産業省