「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser device with multiple resonators which avoids generation of leakage current caused by diffusion of impurities and degradation in reliability during high power operation.例文帳に追加

不純物拡散によるリーク電流の発生及び高出力動作時における信頼性の低下が生じることがない複数の共振器を備えた半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The protective device for the alkali chloride electrolysis cell has a protective system into which a device 45 for automatically passing the light current while the alkali chloride electrolysis cell having the gas diffusion cathode is held stopped is incorporated.例文帳に追加

ガス拡散陰極を備えた塩化アルカリ電解槽が停止している間、自動的に微少電流を流す装置が組み込まれている保護システムを有する塩化アルカリ電解槽の保護装置。 - 特許庁

To provide the unit pixel of a CMOS image sensor in which the occurrence of a defective pixel and generation of a leakage current due to a power supply voltage can be suppressed by reducing the capacitor capacitance of a floating diffusion node.例文帳に追加

フローティング拡散ノードのキャパシタ容量を減少させ、画素不良の発生及び電源電圧によるリーク電流を抑制可能なＣＭＯＳイメージセンサの単位画素を提供すること。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes a thermally conductive high-resistance portion which limits inflow of a current from the side face of the conductive support while allowing thermal diffusion from the side face of the conductive support to the base, and an electrically conductive portion which allows inflow of a current from the bottom surface of the support.例文帳に追加

光半導体装置は、導電性支持体の側面から基台への熱拡散を許容しつつ導電性支持体の側面からの電流の流入を制限する伝熱性高抵抗部と、導電性支持体の底面からの電流の流入を許容する導電部と、を有する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁

The adhesion between the current collector and the active material layer is improved without forming the diffusion layer between the current collector and the active material layer, thereby obtaining the electrode compatible with suppression of deformation of an electrode plate and exfoliation of the active material due to charge and discharge reactions of a battery.例文帳に追加

これによって、集電体と活物質層間に拡散層を形成することなく、集電体と活物質層間の密着性が向上し、電池の充放電反応による極板の変形及び活物質の剥離の抑制を両立した電極を得ることが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor device generates a laser beam from an active layer 2 and has a ridge-shaped mesa 5 including an active layer 2, a current block layer 6 formed to fill both sides of the mesa 5, a diffusion stopping layer 10 formed to continue to the mesa 5 and the current block layer 6 and a p-InP clad layer 7 which is formed on the diffusion stopping layer 10 and contains prescribed impurities.例文帳に追加

活性層２からレーザ光を発生させる半導体装置であって、活性層２を含むリッジ状のメサ５と、メサ５の両側を埋め込むように形成された電流ブロック層６と、メサ５及び電流ブロック層６上に連なるように形成された拡散阻止層１０と、拡散阻止層１０上に形成され、所定の不純物を含有したｐ−ＩｎＰクラッド層７とを備える。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is produced by laminating a reaction layer sheet 2 which is a member constituting the gas diffusion electrode, a gas supply layer sheet 3 and a current collector 4, laminating the metallic terminal on one part thereof and hot pressing the laminated under the conditions of a temperature above the melting point of a used fluororesin and ≤400°C and a pressing pressure of ≥5 g/cm2.例文帳に追加

ガス拡散電極を構成する部材である反応層シートとガス供給層シートと集電体とを積層するとともに、一部に金属端子も合わせて積層し、使用したフッ素樹脂の融点以上、４００℃以下の温度、プレス圧５ｋｇ／ｃｍ^2 以上の条件下でホットプレスして製造。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

In a negative limiting current oxygen sensor, a heater is arranged, while being alienated from a place on the heater surface of a diffusion layer for gas diffusion speed control at the boundary section between a portion where the lead takeout section of an electrode layer comes into contact with a solid electrolyte layer and a portion exposed to an atmosphere of the lead takeout section of a cathode layer.例文帳に追加

陰極層のリード取り出し部と固体電解質層とが接触している部分と陰極層のリード取り出し部の雰囲気中に露出している部分との境界部のガス拡散律速用拡散層のヒータ側面における箇所から離間してヒータが配されている限界電流式酸素センサ。 - 特許庁

To make a high speed operation possible with small power consumption by reducing the junction capacitance of a diffusion layer region and a shallow well region, related to a DTMOS wherein lengthening of a gate depletion layer is suppressed and driving current is increased.例文帳に追加

ゲート空乏層の伸びを抑制して駆動電流を大きくしたＤＴＭＯＳにおいて、拡散層領域と浅いウエル領域の接合容量を低減し、より低消費電力で、高速動作を可能にする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum valve capable of suppressing diffusion of metal vapor produced when a main current is carried and cut off and preventing it from depositing on an insulation tube and on a flexible body, simple in internal structure, and reduced in size and weight.例文帳に追加

主電流を通流、遮断するときに発生する金属蒸気の拡散を抑制して絶縁筒及び可撓体への付着を防止でき、内部構造が簡単で小型化、軽量化した真空バルブを提供する。 - 特許庁

Although an extremely thin layer is included in the laminated structure (32), a high barrier action is obtained by a diffusion of copper due to high electric conductivity necessary for electroless-depositing the copper by using an external current.例文帳に追加

積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists.例文帳に追加

高いＩＧ能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁

An n-electrode 6 which makes an ohmic contact with the n-type layer 2 is provided nearly at the center in planar view, and a p-electrode 7 which is connected to the current diffusion layer 5 is formed at an end in plan view.例文帳に追加

平面視で略中心の位置には、ｎ型層２へのオーミックコンタクトをなすｎ電極６が設けられ、平面視で端の部分に、電流拡散層５に接続するｐ電極７が形成されている。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

To apply a battery pack attached to portable electrical equipment and used to a high rate applying a large current by promoting diffusion of the heat generated by a battery cell to suppresses rise of the temperature of the battery cell itself.例文帳に追加

携帯電気機器に取り付けられて使用されるバッテリパックに関し、バッテリセルが発生する熱の拡散を促進して、バッテリセル自体の温度の上昇を抑えて、大電流を流すハイレート化に適用可能とする。 - 特許庁

To provide a high luminance nitride-based semiconductor light-emitting diode adapted to optimize a current diffusion effect and minimize an electrostatic discharge impact to make it possible to stabilize from a high static electricity.例文帳に追加

電流拡散効果を最適化すると共に、静電気放電衝撃を最小化することにより、高い静電気から安定化させることができる高輝度の窒化物系半導体発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

With this constitution, a negative current can be made to flow in the respective cells and the detection of an enriched gas becomes possible, and the gas concentration in the porous diffusion layer 101 can be kept constant with respect to the enriched gas.例文帳に追加

これにより、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リッチガスの検出が可能になると共に、リッチガスに対して多孔質拡散層１０１内のガス濃度を一定に保つことができる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a membrane structure submerged dike capable of preventing the diffusion of polluted water in the area of the sea by a submerged dike, making sure of wave dissipation and reduction of the velocity of a current and, at the same time, finely prolonging the life of the submerged dike.例文帳に追加

潜堤によって、水域における汚濁水の拡散防止、波の消波、および水流の流速の低減が、より確実にできるようにすると共に、潜堤の寿命が良好に保持できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a leakage current even when MIS transistors having a plurality of kinds of threshold voltages are made high in threshold voltage without increasing a number of photoresists and without adding an impurity diffusion step.例文帳に追加

複数種類の閾値電圧のＭＩＳトランジスタをフォトレジスト数及び不純物拡散工程を追加することなく、閾値電圧を高くしてもリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The current diffusion layer includes: an island-like or netlike salient; a processing layer having a surface including a bottom portion provided adjacently to the salient; and a first layer provided between the processing layer and the clad layer.例文帳に追加

電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加

銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.例文帳に追加

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁

The diffusion means 30 has a cross flow fan 31 for generating an ascending air current, and this cross flow fan is arranged at the position deviated from the vertical line passing through the center of the heating body 12 at the upper side of the drop nozzle 21.例文帳に追加

拡散手段３０は上昇気流を発生させるクロスフローファン３１を有し、このクロスフローファンは、滴下ノズル２１の上方で、かつ加熱体１２の中心を通る鉛直線からずれた位置に配置される。 - 特許庁

Further, since the channel region of the J-FET can be formed simultaneously with emitter diffusion, IDSS and a pinch-off voltage become stable, and variance in consumption current as the amplifying element is reduced to improve productivity.例文帳に追加

また、Ｊ−ＦＥＴのチャネル領域は、エミツタ拡散31と同時に形成できるため、ＩＤＳＳＳや、ピンチオフ電圧が安定し、増幅素子としての消費電流のばらつきが低減し、生産性が向上する。 - 特許庁

The ion current reference sensor device is positioned near the chamber(s) of the engine and fuel provided to the chamber(s) is routed to provide a diffusion flame and the resultant ion current from the flame is measured and provided to the processing module at discrete intervals during the combustion process.例文帳に追加

イオン電流基準センサ装置はエンジンの燃焼室近傍に位置決めされ、燃焼室に供給される燃料は拡散火炎を提供すべく流路指定され、当該火炎からの結果としてのイオン電流が測定され、燃焼プロセスの間に離散的な間隔において処理モジュールに対して提供される。 - 特許庁

A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくともｎ形層２とｐ形層４とを有する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられ、その表面に電流阻止層７が部分的に、さらに電流拡散用電極８が全面に設けられ、その上にボンディング用電極９が設けられている。 - 特許庁

To solve such problem that in the conventional electrolytic NF_3 synthesis, NF_3 is synthesized by direct electrolysis occurring on an electrode surface and near the electrode, but when current is permitted to flow in an amount exceeding that corresponding to the rate of ammonium ion diffusion, the reaction between excess fluorine radicals and ammonium ions does not proceed on the electrode surface, resulting in a reduced current efficiency.例文帳に追加

従来のＮＦ_3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりＮＦ_3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。 - 特許庁

It can be seen that the film thickness of the offset spacer layer 4 has a correlation with the leak current level, and the film thickness of the offset spacer layer 4 is equal to the length from a part of the semiconductor layer 1 touching the outer end of the offset spacer layer 4 to the forward end of an impurity diffusion layer when the leak current level is 0.例文帳に追加

これにより、オフセットスペーサ層４の膜厚値とリーク電流値には相関関係があり、また、リーク電流値が０になるときのオフセットスペーサ層４の膜厚値は、半導体層１のうちオフセットスペーサ層４の外端と接する部分から不純物拡散層の先端までの長さであることがわかる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode for a lithium secondary battery, having high discharge capacity and high charge/-discharge characteristics, by properly controlling a diffusion state of components of a current collector into an active material layer, when forming an active material layer comprising a plurality of layers on both surfaces of the current collector.例文帳に追加

集電体の両面に複数の層からなる活物質層を形成する場合に、集電体の成分の活物質層への拡散状態を適切に制御することによって、放電容量が高く、かつ、良好な充放電特性を得ることが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

When an excessive positive surge voltage is generated at a source electrode 16 of a semiconductor device 20, a parasitic diode 27 including parasitic diodes 25 and 26 plus the high-concentration diffusion layer 13 and electrode extraction layer 14 as current paths is turned on, which causes a ESD current to escape from the source electrode 16 toward the drain electrode 17.例文帳に追加

半導体装置２０のソース電極１６に過大な正のサージ電圧が生じると、寄生ダイオード２５，２６に加えて、高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４を経路として含む寄生ダイオード２７がオンしてソース電極１６側からドレイン電極１７側にＥＳＤ電流を逃がす。 - 特許庁

A carrier diffusion preventing layer 25 is provided between a charge releasing layer 20 and one or more of semiconductor layers, which are a first semiconductor layer 10 and a second semiconductor layer 30, for preventing the diffusion into the layer 20 of carriers at least from one of the layers 10, 30, which reduces the dark current attributable to the capturing level.例文帳に追加

電荷放出層２０と第１の半導体層１０及び第２の半導体層３０のうち少なくとも一方の半導体層との間に形成され、少なくとも一方の半導体層から電荷放出層２０へのキャリアの拡散を防止するキャリア拡散防止層２５を設けるようにして、捕獲準位による暗電流を小さくするようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The surface of a current collecting substrate 201 containing Cr is covered with a dense Cr-diffusion preventing layer 202 made of an oxide, the surface of the Cr diffusion preventing layer 202 is covered with a conductive covering layer 203 made of an oxide, and the thickness of the covering layer 203 in the plane part is made thicker than that at the corner part.例文帳に追加

Ｃｒを含有する集電基材２０１の表面を酸化物からなる緻密なＣｒ拡散防止層２０２で被覆し、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面を酸化物からなる導電性の被覆層２０３で被覆してなるとともに、被覆層２０３の厚みが集電基材２０１の平面部よりも角部の方が厚いことを特徴とする。 - 特許庁

In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm.例文帳に追加

また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current.例文帳に追加

このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 - 特許庁