「Diffusion current」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a polarographic apparatus for measuring a concentration of residual chlorine which can easily and always stably detect a diffusion current by a reduction reaction of the residual chlorine, even when a fluid state of a sample solution with a wide range concentration to be measured changes.例文帳に追加

広範囲の濃度を持つ被測定試料液の流動状態が変化しても、容易にかつ常に安定して残留塩素の還元反応による拡散電流を検出できるポーラログラフ式の残留塩素濃度測定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide semiconductor device or the like which is allocated within the front surface of an insulating film between low dielectric constant layers placed in contact with the lower surface of a copper diffusion preventing film having a film stress in the compressing direction, and is capable of preventing generation of leak current between wires.例文帳に追加

この発明は、圧縮方向の膜ストレスを有する銅拡散防止膜の下面と接触している低誘電率層間絶縁膜の表面内に配設されている、配線間のリーク電流の発生を防止することができる半導体装置等を提供する。 - 特許庁

(5) The diffusion index (DI) of business sentiment, sales, ordinary profits, etc., by industry and region in every quarter will be calculated, and a Survey on SME Business Conditions will be implemented to ascertain current business trends affecting SMEs. (continuation) (included in SMRJ operating expense subsidy)例文帳に追加

（5）四半期ごとに業況判断・売上高・経常利益等のDI値を産業別・地域別等に算出し、中小企業における足元の景気動向を把握するための「中小企業景況調査」を実施する。（継続）（中小機構運営費交付金の内数） - 経済産業省

This current collecting member 20 is characterized by that a Cr diffusion prevention layer 202, formed of a single element oxide of a fourth-period metal element in the periodic table except for a perovskite structure or a composite oxide of the fourth-period metal element in the periodic table, and Cr is formed on a surface of a current collection body 201 formed of alloy-containing Cr.例文帳に追加

本発明の集電部材２０は、Ｃｒを含有する合金からなる集電本体２０１の表面に、ペロブスカイト型構造を除く周期律表第４周期金属元素の単一元素酸化物または前記周期律表第４周期金属元素とＣｒとの複合酸化物からなるＣｒ拡散防止層２０２が設けられたことを特徴とする集電部材２０である。 - 特許庁

When the potential difference between the anode electrode and the cathode electrode is 0 V, the output current value is measured, and the value obtained by dividing the output current value by the electrode area is used as the limiting current density to calculate the diffusion polarization.例文帳に追加

電解質部を介して互いに対向配置された、アノード極及びカソード極と、前記アノード極及びカソード極にそれぞれ設けられ電解質を含む触媒層を備えた1対のガス拡散電極と、を配置して膜−電極接合体とした燃料電池用電極の評価方法であって、アノード極とカソード極との電位差が0Vとなる時の出力電流値を測定し、該出力電流値を電極面積で除した値を、拡散分極を算出するための限界電流密度とする。 - 特許庁

This limiting current type oxygen sensor 13 is constituted of at least an oxygen ion conductive solid electrolyte sheet 15, a pair of electrode films 16, 17 formed on a surface of the solid electrolyte sheet 15, and an oxygen diffusion limiting body 19 joined via a glass film 18 surrounding the one-side electrode film 16.例文帳に追加

酸素イオン伝導性固体電解質板１５と、酸素イオン伝導性固体電解質板１５の表面に形成した一対の電極膜１６、１７と、片側の電極膜１６を囲む硝子膜１８を介して接合させた酸素拡散制限体１９とから少なくとも構成される。 - 特許庁

The material of a hole injection layer constituting the organic electroluminescent device is formed of a main chain conjugated high-molecular derivative having a crosslinked mesh structure, and the organic electroluminescent device can be made longer in service life by suppressing a deterioration in the hole injection layer due to application of a current to the layer and diffusion of a decomposition product into an organic layer.例文帳に追加

有機電界発光素子を構成する正孔注入層の材料が、架橋した網目構造を有する主鎖共役系高分子誘導体からなり、正孔注入層への通電による劣化、分解物の有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

Since the supply rate of oxygen is controlled by the presence of the atmosphere diffusion rate controlling layer 38c also in a crack detection mode and the flow of large current into an oxygen ion conductive solid electrolyte 34 is suppressed, the oxygen ion conductive solid electrolyte 34 can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加

クラック検出モード時にも大気用拡散律速層３８ｃの存在により酸素の供給が律速されて酸素イオン導電性固体電解質３４に大量に電流が流れるのが阻止されるので、酸素イオン導電性固体電解質３４の劣化を防止できる。 - 特許庁

As I said earlier, I think that it is necessary to re-investigate the current condition. However, at least in the first half of this year, the construction industry was in the most difficult situation, followed by the transport and retail industries, according to the overall DI (diffusion index). 例文帳に追加

直近の状態につきましては、先ほど申し上げたように、また改めて実態調査といったものが必要だと私は思っておりますが、少なくとも今年の前半の状況でいいますと、確かに苦しい業種で言いましたら建設が一番だと思います。 - 金融庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which leak current among wiring portions due to partially selective breakage or the like, in a semiconductor device in which a metal diffusion preventive layer is selectively formed on the upper side of a wiring layer embedded in a groove for wiring formed in an insulating layer.例文帳に追加

絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly is provided with at least a corresponding one between the two gas diffusion layers; at least a corresponding one of the two current collectors; and at least a corresponding one of the two sealing members between the flow field plate assembly and the first side face of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体は、流れ場プレートアッセンブリと膜電極接合体の第１側面との間に、２つのガス拡散層のうち対応する少なくとも１つ、２つの電流コレクタのうち対応する少なくとも１つ、および、２つの密封部材のうち対応する少なくとも１つを有する。 - 特許庁

The apexes of projections formed on both of first and second articles to be welded are butted and pressurized, and the projections are bonded by diffusion by supplying a pulse-formed electric current through the projections of the first and second objects to be bonded while being pressurized.例文帳に追加

第１と第２の被溶接物品の双方に形成されたプロジェクションの頂部同士を突き合わせると共に加圧し、その加圧した状態で、パルス状の電流を前記第１、第２の被溶接物品の前記プロジェクション間に流して前記プロジェクション同士を拡散接合する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

By continuously changing the blowout direction of outside air from an air supply part from the directly underneath direction to the hood interior lower direction, a lid of outside air expanded below the hood to have a mountain shape is formed, so as to prevent diffusion of hot air, and at the same time, to alleviate ascending current.例文帳に追加

給気部からの外気の噴出方向を真下方向からフード内下側方向に連続的に変化させることにより、フード下方に山形に広がる外気の蓋が形成され、熱気の拡散防止と上昇流の緩和を同時に行うことが可能となる。 - 特許庁

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.例文帳に追加

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b and zinc diffusion source layers 17a, 17b are formed in the vicinity of a laser output side end surface 15 and a reflection side end surface 16, respectively, which are both end surfaces of an element in the length direction.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、素子の長さ方向の両端面であるレーザ出射側端面１５および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂおよび亜鉛拡散源層１７ａ，１７ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

Since a conventional high-cost metallic porous member to serve as the gas diffusion layer and the current collector is not used and, in place of this, the fluid passage layers 16, 17 which do not require conductivity and the metallic cooling plate (separator) 12 having corrosion resistance are used, low cost and high power generation efficiency are attained.例文帳に追加

従来のガス拡散層及び集電体兼用の高価な金属製多孔質部材を用いず、これに代えて導電性が無用の流体流路層１６，１７と耐蝕性を有する金属製冷却板（セパレータ）１２とを用いて、低コスト化と高発電効率化を図った。 - 特許庁

The electric diffusion joining device 1 includes upper and lower electrodes 11 and 12 fastening the members M to be joined and electrically conductive to the members M, a power source unit 20 supplying the electric current to electrodes 11 and 12, and a pressurizing unit 30 imparting pressure to joining surfaces.例文帳に追加

通電拡散接合装置１は、被接合部材Ｍ，Ｍを挟持して、被接合部材Ｍ，Ｍと電気的に導通可能な上下電極１１，１２と、電極１１，１２に電流を供給する電源ユニット２０と、接合面に圧力を付与する加圧ユニット３０とを備える。 - 特許庁

To provide a cathode for an electron gun, capable of realizing long service life at high current density by securing a diffusion route of a reductive element contained in a base metal and smoothly achieving generation of free barium atoms.例文帳に追加

陰極線管に使用する電子銃用陰極に関するもので、ベースメタルに含有される還元性元素の拡散経路を確保し、遊離バリウム原子の生成を円滑に達成することにより、高電流密度での長寿命を実現できる電子銃用陰極を提供する。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

To obtain a high drive current by forming a fine channel and shallow source and drain of nm order size by utilizing a heavily doped silicon layer of a source and drain junction without separate lithographic process as a diffusion source and increasing an effective width of the channel in the same area.例文帳に追加

別途のリソグラフィ工程なしにソース及びドレイン接合部の高不純物濃度のシリコン層を拡散源として利用してｎｍ大きさの微細チャネルと浅いソース及びドレインを形成すること、また同じ面積内でチャネルの実効幅を増加させることによって高い駆動電流を得ること。 - 特許庁

The CPU 7 acquires a correction condition on resistance polarization from the ROM 8 when a charging current is inputted thereinto, acquires a correction condition on diffusion polarization therefrom when a voltage is inputted, and acquires a correction condition on activation polarization therefrom when temperature is inputted.例文帳に追加

ＣＰＵ７は、充電電流が入力された場合には、ＲＯＭ８から抵抗分極に関する補正条件を、電圧が入力された場合には拡散分極に関する補正条件を、温度が入力された場合には活性化分極に関する補正条件を取得する。 - 特許庁

To obtain both a self pulsation operation characteristic and static characteristics which are to be required, by preventing the self pulsation operation from being weakened or stopped by the transparency or reduction of a saturable absorption region with a diffusion current in a high-temperature operation, and to improve the instability of a pattern in a near-field image.例文帳に追加

高温動作時の拡散電流による可飽和吸収領域の透明化あるいは低減によるセルフパルセーション動作の弱化あるいは停止を防止し、かつ近視野像のパターンの不安定性を改善し、要求されるセルフパルセーション動作特性と静特性とを両立させる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

When voltage impression from a DC power supply 37 is stopped by opening a selector switch 38, a combustible gas in the measured gas diffused within the diffusion layer 33 from the opening end 33A side in an arrow B direction is oxidatively reacted near the outside electrode 32, and a current detector 40 detects a pump current Ip1 flowing through the electrodes 32 and 30 to oxidate gaseous hydrogen.例文帳に追加

そして、直流電源３７からの電圧印加を切換スイッチ３８の開成により停止したときに、ガス拡散層３３内を開口端３３Ａ側から矢示Ｂ方向に拡散してくる被測定ガス中の可燃性ガスを、外側電極３２の近傍で酸化反応させ、このときに水素ガスを酸化するために電極３２，３０間を流れるポンプ電流Ｉｐ１を電流検出器４０により検出する。 - 特許庁

To provide a method for refining materials where materials of a metal, an alloy, a semiconductor or the like are melted by the irradiation of electron beams, thus impurity elements included in the materials are removed, the convection current stirring and diffusion of the impurity elements are suppressed, and sufficiently refined high purity materials can be obtained.例文帳に追加

金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。 - 特許庁

A constant current ICONST is applied to an electromotive force cell 24 being pinched between a diffusion chamber 20 in a fixed atmosphere and an oxygen reference chamber 26 in fixed oxygen concentration to measure a resistance value, thus accurately measuring the resistance value regardless of the oxygen concentration in the measurement atmosphere of an oxygen sensor element 10.例文帳に追加

一定の雰囲気である拡散室２０と一定酸素濃度である酸素基準室２６とに挟まれた起電力セル２４に一定電流ＩCONST を印加して抵抗値を測定するため、酸素センサ素子１０の測定定雰囲気中の酸素濃度とは無関係に、抵抗値を正確に測定することができる。 - 特許庁

Since the upper region 3a of the p-type diffusion layers 3 is made narrow, a contact part of the n^--type epitaxial layer 2 with a Schottky electrode 5 is widened and contact resistance between the n^--type epitaxial layer 2 and the Schottky electrode 5 can be reduced while increasing a current passage resulting in low ON resistance.例文帳に追加

また、ｐ型拡散層３の上部領域３ａの幅を狭くしてあるため、ｎ^-型エピ層２のうちショットキー電極５との接触部位を広くとれ、ｎ^-型エピ層２とショットキー電極５との接触抵抗を低減および電流経路の増大を図ることができ、低オン抵抗化を図ることができる。 - 特許庁

To obtain an NROM type memory array of such a structure as adjacent memory units MU share a diffusion bit line interposed between in which generation of a through current path is blocked at the time of reading or writing data simultaneously from or into two memory transistor cells.例文帳に追加

隣接するメモリユニットＭＵがその間にある拡散ビット線を共有する構成であるＮＲＯＭ型メモリアレイにおいて、２個のメモリトランジスタセルを同時に読み出すあるいは書込む場合に貫通電流パスが生じるため本発明は、かかる貫通電流パスの生成を阻止するＮＲＯＭ型メモリアレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, even if hydrogen which could not be prevented with a diffusion barrier 32, when the ferroelectric memory element is subjected to hydrogen sintering processing bonds with oxygen contained in the SBT thin film to form oxygen vacancies, electrons generated from the oxygen vacancies are so neutralized by the holes as to very much reduce the leakage current of the ferroelectric memory element.例文帳に追加

その結果、水素シンター処理の際に拡散バリア３２で防止できなかった水素がＳＢＴ中の酸素と結合して酸素空格子が形成されても、上記正孔によって酸素空格子による電子が中和されて本強誘電体メモリ素子のリーク電流が極めて小さくなる。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31.例文帳に追加

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。 - 特許庁

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of obtaining a desired working speed and a desired optical sensing property from an element to which a design rule of a hyperfine line width is applied and capable of inhibiting the generation of a leakage current in a floating diffusion area which is a sensing node in a pixel region, a pixel of the image sensor, and a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加

超微細な線幅のデザインルールが適用される素子から所望の動作速度と光感知特性とを得ることができ、画素領域のセンシングノードである浮遊拡散領域の漏れ電流の発生を抑制することができるＣＭＯＳイメージセンサ、その画素及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

By making hardness of the inner face higher than that of the outer face by forming a diffusion hardening layer on the inner face of the metal sheath, and by applying wire drawing by filling a MgB_2 superconductor, and as needed, improvement materials of the critical current density such as indium, copper, and tin into the sheath in the state, the superconducting wire rod is produced.例文帳に追加

金属シースの内面に拡散硬化層を形成して内面の硬さを外面の硬さよりも高くし、その状態でシース内にＭｇＢ_２超電導体、更に必要に応じてインジウム、銅、錫等の臨界密度向上物質を充填して伸線加工を施し、超電導線材を製造する。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁

A deep diffusion part with high conductivity of a conductivity type same as a drift region is provided between adjacent trenches of a trench type IGBT and at the lower part of these trenches to reduce the resistance of a drift region to the electric current at the time when a device is turned on and the resistance component at the time when spreading resistance is turned on.例文帳に追加

デバイスがターンオンしているときの電流に対するドリフト領域の抵抗、および広がり抵抗のターンオン時の抵抗成分を小さくするように、トレンチタイプのＩＧＢＴの隣接するトレンチの間であって、これらトレンチの下方に、ドリフト領域と同じ導電性タイプの大きい導電度の深い拡散部を設ける。 - 特許庁