「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(164ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device has a diffusion layer 205 constituting source-drain and a gate 203 formed on the diffusion layer 205 which are formed, respectively, on a semiconductor substrate, and includes a plurality of MISFETs 201 and 202 constituted of a plurality of unit MISFETs connected in parallel with each other.例文帳に追加

半導体装置は、それぞれが半導体基板に形成され、ソースドレインを構成する拡散層２０５及び該拡散層２０５の上に形成されたゲート２０３を有し、且つ互いに並列接続された複数の単位ＭＩＳＦＥＴから構成される複数のＭＩＳＦＥＴ２０１、２０２を含む。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention layer material composed of Ta or Ta based alloy layer wherein rupture of the Ta or Ta based alloy layer which is the diffusion prevention layer or superconductive electric wire itself is enabled not to occur at the time of wire drawing in a manufacturing process of the superconductive electric wire.例文帳に追加

超電導線の製造工程における線引き加工の際に、拡散防止層であるＴａまたはＴａ基合金層、あるいは超電導線そのものの破断を起こさないようにすることができるＴａもしくはＴａ基合金からなる拡散防止層用材を提供する。 - 特許庁

As a result, the bright-lines generated at the peripheral end of the diffusion sheet 2, i.e., the peripheral end of the display region of an liquid crystal display element may be prevented and the offset of the diffusion sheet 2 and the sheets 3 may be prevented and the sure fixing of these sheets to the resin frame 6 is made possible.例文帳に追加

これにより、拡散シート２周辺端部、すなわち液晶表示素子の表示領域の周辺端部に発生する輝線を防止できると共に、拡散シート２及びシート類３のずれを防止することができ、それらを樹脂フレーム６に確実に固定することができる。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure.例文帳に追加

半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。 - 特許庁

More specifically, the diffusion illumination light source consisting of a straight pipe fluorescent lamp (light source body) 21 provided along the extension direction of the test piece and the diffusion plate 22 interposed between the light source body, and the test piece and diffusing and transmitting the light emitted from the light source body is provided.例文帳に追加

具体的には試験片の伸び方向に沿って設けられた直管蛍光灯（光源体）２１と、この光源体と試験片との間に介装されて該光源体から放射された光を拡散透過する拡散板２２とからなる拡散照明光源を設ける。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting device, capable of efficiently forming a current diffusion layer having an n-type of conductivity as a first problem, and provide a light emitting device capable of improving the life of a device while using the n-type current diffusion layer as a second problem.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、ｎ型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。 - 特許庁

To provide an acrylic resin composition by which the reduction of brightness, the occurrence of unevenness of image quality, and the reduction of luminescent quality are suppressed over a long period by inhibiting the yellowing of a light diffusion plate by irradiation of light, and preventing the attachment of dust or the like on the light diffusion plate.例文帳に追加

光の照射による光拡散板の黄変を抑制し、光拡散板への埃などの付着を防止し、長期間に亘って光拡散板の輝度低下や画質斑の発生、発光品位の低下を抑制することが可能なアクリル樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Ｆｅ原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のＦｅ原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のＮｉ、Ｃｒをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

An Fe-Ni diffusion layer 3 is formed on a steel plate 2 having an Fe purity above 98%, its Fe/Ni ratio is regulated to be set within 0.1-2.5, and this battery can 1 having a predetermined shape is formed to set the Fe-Ni diffusion layer 3 as the inside surface of the can.例文帳に追加

Ｆｅ純度が９８％以上の鋼板２の表面にＦｅ−Ｎｉ拡散層３を形成し、そのＦｅ／Ｎｉ比率が０．１〜２．５の範囲内になるように規制し、このＦｅ−Ｎｉ拡散層３が缶内面となるように所定形状寸法の電池缶１に成形する。 - 特許庁

This lighting system is provided with an LED module in which a plurality of the LEDs and a connecting terminal for power supply are formed, a diffusion guide diffusing light generated by the plurality of LEDs, and a cover in which the diffusion guide is installed and with which the LED module is connected.例文帳に追加

本発明の照明装置は、複数のＬＥＤ及び電源供給のための接続端子が形成されたＬＥＤモジュールと、前記複数のＬＥＤから発生した光を拡散させる拡散ガイド部と、前記拡散ガイド部が設置され、前記ＬＥＤモジュールが結合されるカバーとが備えられる。 - 特許庁

Then, against a pattern portion of each of the obtained binarized images, diffusion of an intermediate point group in the same pixel direction and a similar straight line obtained from the intermediate point group is calculated and an average value of the diffusion in each of the binarized images is calculated to obtain an emission pattern evaluation value in the filament current value.例文帳に追加

次に、得られた各２値化画像のパターン部に対し、同じ画素方向における中間点群と、該中間点群から求めた近似直線との分散を求め、各２値化画像における分散の平均値を算出して、このフィラメント電流値におけるエミッションパターンの評価値とする。 - 特許庁

A diffusion resistance element RA having a positive temperature characteristic and a polysilicon resistance element RB having a negative temperature characteristic are lapped planely with a silicon oxide film 50 set between so that the diffusion resistance element RA is a lower side and the polysilicon resistance element RB is an upper side.例文帳に追加

正の温度特性を有する拡散抵抗素子部ＲＡと負の温度特性を有するポリシリコン抵抗素子部ＲＢとが、シリコン酸化膜５０を間において、拡散抵抗素子部ＲＡが下側、ポリシリコン抵抗素子部ＲＢが上側とされて平面的に重なって配置してある。 - 特許庁

Since light emitted from the LED light source is reflected from the reflecting plate and then enters the diffusion plate in the rear of the LED light source, the thickness of the back light device can be decreased while the distance capable of sufficiently mixing light before it enters the diffusion plate is ensured.例文帳に追加

こうすると、LED光源から放出された光が反射板から反射した後LED光源後方の拡散板に入射するので、光が拡散板に入射するまで互いに充分に混合され得る距離を確保しながらもバックライト装置の厚さを縮小させることができる。 - 特許庁

In the cyan image halftone processing part 102, the magenta image halftone processing part 104, and the black image halftone processing part 108, error diffusion processing is performed using a dither threshold, and in the yellow image halftone processing part 106, error diffusion processing is performed using a fixed threshold.例文帳に追加

シアン画像中間調処理部１０２、マゼンタ画像中間調処理部１０４、ブラック画像中間調処理部１０８では、ディザしきい値を用いた誤差拡散処理を行い、イエロー画像中間調処理部１０６では、固定しきい値を用いた誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

The second layer is provided between the processing layer and the clad layer, and has a first conductivity type formed of either one of a region having a higher impurity density than that of the current diffusion layer and a region having a dopant different from that of the current diffusion layer.例文帳に追加

第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。 - 特許庁

The light guide panel is molded by using the molding die and has a diffusion pattern 20 (high-density concave pattern) formed by the above high-density convex pattern and also has fine concave portions 24 on the surface of concave portions 22 in the diffusion pattern 20 by the fine particles.例文帳に追加

導光パネルはこの成型用金型を用いて成形され、その高密度凸状パターンによって、導光パネルに拡散パターン２０（高密度凹状パターン）が形成されるとともに、微粒子によって、拡散パターン２０の凹部２２の表面に微細凹部２４が形成される。 - 特許庁

A fuel cell which comprises a fuel cell system comprises: an electrolyte membrane; a pair of electrodes; a porous gas diffusion layer; and a radical inhibitory substance disposed in at least one of the electrodes and/or in a region containing a boundary with the electrode on at lease one side of the gas diffusion region.例文帳に追加

燃料電池システムが備える燃料電池は、電解質膜と、一対の電極と、多孔質なガス拡散層と、少なくとも一方の電極内、および／または、少なくとも一方のガス拡散層における電極との境界を含む領域内に配置されたラジカル抑制物質と、を備える。 - 特許庁

The diffusion prevention film 5 is formed between the glass substrate 3, and the electrodes 7a, 7b, 7c, 7d and 7e and the dielectric layer 9; and diffusion is prevented from occurring between the glass substrate 3 and the electrodes 7a, 7b, 7c, 7d and 7e and between the glass substrate 3 and the dielectric layer 9.例文帳に追加

ガラス基板３と電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅおよび誘電体層９の間には拡散防止膜５が設けられており、ガラス基板３と電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅの間およびガラス基板３と誘電体層９の間で拡散が生じるのを防止している。 - 特許庁

Then, the brightness of the just-under type liquid crystal display device 1100 can be partially adjusted by properly changing the distance(s) between the light diffusion member and the lamp(s) and thereby compensating for the brightness at both end parts of the light diffusion member to improve the display quality.例文帳に追加

この時、光拡散部材とランプ３１０との間の距離を適切に変更することにより、光拡散部材の両端部での輝度を補償して表示品質を向上させ、直下型液晶表示装置１１００の輝度を部分的に調整することができる。 - 特許庁

The surface light source device 20 includes a plurality of light sources 21 arranged in parallel each in separation, a lamp box 22 housing the light sources, a light diffusion plate 23 arranged on the lamp box, and a plurality of spacer pins 25 which are arranged in the lamp box 22 and support the light diffusion plate 23.例文帳に追加

面光源装置２０は、互いに離間して並列配置される複数の光源２１と、複数の光源を収容するランプボックス２２と、ランプボックス上に設けられる光拡散板２３と、ランプボックス２２内に設けられており光拡散板２３を支持する複数のスペーサピン２５とを備える。 - 特許庁

The unevenness of the transparent film 5 is inspected, based on the light and shade of light reflected by a metal film 4 by lighting a light source 38 of a diffusion light source unit 28, irradiating the whole area of the transparent film 5 with diffused light S1 diffused by a translucent white plate 39, a diffusion plate 40 and a color filter 41.例文帳に追加

透明膜５のムラは、拡散光源ユニット２８の光源３８を点灯させ、乳白色板３９、拡散板４０、カラーフィルタ４１により拡散された拡散光Ｓ１を透明膜５の全域に照射し、金属膜４で反射された光の濃淡に基づいて検査する。 - 特許庁

The molding die for glass has such a layered structure that an electrically conductive layer deposited by a vapor phase method, a metal-plated layer formed by electroplating and a diffusion preventing layer for preventing the diffusion of lower-layer constituent components at the least are layered in this order on the surface of the base material part of the molding die.例文帳に追加

型基材部表面に、気相法により形成された導電層と、電気めっきにより形成された金属めっき層と、少なくとも下層構成成分の拡散を防止する拡散防止層とがこの順に積層された積層構造を有するガラス成形型とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

This MEA 1 is provided with an anode 4 having an anode catalyst layer 2 and an anode gas diffusion layer 3, a cathode 7 having a cathode catalyst layer 5 and a cathode gas diffusion layer 6, and an electrolyte membrane 8 of proton conductivity pinched between the anode catalyst layer 2 and the cathode catalyst layer 5.例文帳に追加

このＭＥＡ１は、アノード触媒層２とアノードガス拡散層３を有するアノード４と、カソード触媒層５とカソードガス拡散層６を有するカソード７、およびアノード触媒層２とカソード触媒層５との間に挟持されたプロトン伝導性の電解質膜８を備えている。 - 特許庁

By using the diffusion barrier which is disclosed in the invention, the diffusion of ions from the NFET side to the PFET side via a common gate in a CMOS technology semiconductor device node can be greatly reduced and even prevented completely.例文帳に追加

本明細書中で開示されるような拡散バリアを使用することによって、ＣＭＯＳ技術半導体デバイス・ノードにおけるＮＦＥＴ側からＰＦＥＴ側への共通ゲートを通してのイオンの拡散は、大いに低減されることができる又は完全に防止することさえもできる。 - 特許庁

The fuel cell has a membrane-electrode assembly provided with a proton transmitting membrane held between an anode and a cathode allowing permeation of water, and a fuel supplying passage having a reversed diffusion preventing layer, supplying the fuel containing methanol to the anode through the reversed diffusion preventing layer.例文帳に追加

燃料電池は、アノードと、カソードと、その間に挟持された水の透過を許容するプロトン透過膜と、を備えた膜電極アセンブリと、逆拡散防止層を有して前記逆拡散防止層を通して前記アノードへメタノールを含む燃料を供給する燃料供給路と、を備える。 - 特許庁

In a semiconductor device having dual gate electrodes 17 and 18 and such a structure that an insulating film 9 for preventing diffusion of impurity is formed in the dual gate electrodes 17 and 18, the insulating film 9 is selectively formed only in the electrode 18 having the higher impurity diffusion coefficient.例文帳に追加

デュアルゲート電極１７，１８を有し、かつ、デュアルゲート電極中に不純物拡散防止のための絶縁膜９を配した構造を持つ半導体装置において、該絶縁膜９を、ゲート電極中の不純物の拡散係数の高い方の電極１８にのみ選択的に形成する。 - 特許庁

This semiconductor device 100 includes an MOSFET 110 having: a gate electrode 115 formed above a silicon substrate 101; and a first impurity diffusion region 103 and a second impurity diffusion region 105, formed in the silicon substrate 101 in different sides of the gate electrode 115.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１の上部に設けられたゲート電極１１５と、ゲート電極１１５の異なる側方においてシリコン基板１０１に設けられた第一不純物拡散領域１０３および第二不純物拡散領域１０５とを有するＭＯＳＦＥＴ１１０を含む。 - 特許庁

A membrane electrode assembly 1 has a cathode 2 formed with a cathode catalyst layer and a cathode gas diffusion layer 21, an anode 3 formed with an anode catalyst layer 30 and an anode gas diffusion layer 31, and an ion conductive membrane 4 interposed between the anode catalyst layer 30 and the cathode catalyst layer 20.例文帳に追加

膜電極接合体１は、カソード触媒層２０およびカソードガス拡散層２１で形成されたカソード２と、アノード触媒層３０およびアノードガス拡散層３１で形成されたアノード３と、アノード触媒層３０とカソード触媒層２０とで挟持されたイオン伝導膜４とを有する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly with gas diffusion layer is equipped with a solid polymer electrolyte membrane; a cathode catalyst layer and an anode catalyst layer interposing the solid polymer electrolyte membrane between them; and the gas diffusion layer arranged on each opposite side of the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer.例文帳に追加

ガス拡散層付き膜電極接合体は、固体高分子電解質膜と、この固体高分子電解質膜を挟持するように配設されるカソード触媒層及びアノード触媒層と、これらカソード触媒層及びアノード触媒層の互いに反する側に配設される上記ガス拡散層を備える。 - 特許庁

The membrane electrode stack 48 includes an electrolyte membrane 10, an oxidation electrode 32 and a fuel electrode 34, wherein the oxidation electrode 32 includes an oxidation electrode catalyst layer 12 and an oxidation electrode diffusion body 36; and the fuel electrode 34 includes a fuel electrode catalyst layer 14 and a fuel electrode diffusion body 42.例文帳に追加

膜電極積層体４８は、電解質膜１０と、酸化極３２および燃料極３４を備え、酸化極３２は、酸化極触媒層１２と酸化極拡散部３６とを含み、燃料極３４は、燃料極触媒層１４と燃料極拡散部４２とを含む。 - 特許庁

To provide an air cleaning device capable of effectively preventing the diffusion of pollutant at the working space where the diffusion of a pollutant such as dioxins could occur, to ensure the safety of a worker and also to prevent air pollution and to complete a safe hygiene managing system.例文帳に追加

ダイオキシン類等の汚染物が拡散するおそれがある作業スペースにおいて汚染物の拡散を効果的に防止することができる空気清浄装置を提供して、作業者の安全を確保するとともに大気汚染の防止を図り、安全衛生管理体制を充実させる。 - 特許庁

To provide a catalyst layer retaining diffusion layer for a fuel cell, a membrane electrode assembly for a fuel cell, a manufacturing method of the catalyst layer retaining diffusion layer for a fuel cell, and a manufacturing method of the membrane electrode assembly for a fuel cell, which is advantageous to improve resistance to a cross-leak.例文帳に追加

クロスリークに対する抵抗性を高めるのに有利な燃料電池用の触媒層保有拡散層、燃料電池用の膜電極接合体、燃料電池用の触媒層保有拡散層の製造方法、燃料電池用の膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming one or at least two slit-shaped or island-shaped P-type high-concentration diffusion layers 17 in a polycrystalline silicon high- resistance P-type low-concentration diffusion layer 18, a polycrystalline silicon high resistor with a plurality of sheet resistors can be simultaneously manufactured without any additional processes.例文帳に追加

多結晶シリコン高抵抗のＰ型低濃度拡散層１８の中に、１つ又は２つ以上のスリット状又は島状のＰ型高濃度拡散層１７を形成することで、追加工程なしで複数のシート抵抗を持つ多結晶シリコン高抵抗を同時に作製するように出来る。 - 特許庁

The gate wiring 105 has a dummy contact 105b, having a symmetrical shape to the contact 105a as holding the p-type impurity diffusion region 101, while having the dummy contact 105c, having the symmetrical shape to the contact 105a as holding the n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

また、ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｂを有すると共に、Ｎ型不純物拡散領域１０２を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｃを有する。 - 特許庁

This light diffusion sheet has a light diffusion layer having a compressive strength of 0.05-1.0 kgf/mm2 and comprising crosslinked (meth) acrylic ester based polymer fine particles having an average particle diameter of 1-30 μm on one side or both sides of a light transmission synthetic resin sheet.例文帳に追加

光透過性の合成樹脂シートの片面または両面に、圧縮強度が０．０５〜１．０ｋｇｆ／ｍｍ^2 であり、平均粒子径が１〜３０μｍである架橋（メタ）アクリル酸エステル系重合体微粒子を含む光拡散層を設けることにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet where members for a back light unit can be reduced while having improved diffusion performance and maintaining basic optical characteristics capable of obtaining high transmissivity related to whole light and high luminance, and to provide a complex light diffusing plate, and to provide a backlight unit using those.例文帳に追加

光拡散性に優れると共に高い全光線透過率および輝度が得られるという基本的な光学特性を維持しながら、バックライトユニットの部材を削減することができる光拡散シートおよび複合光拡散板、ならびにそれらを用いたバックライトユニットを提供すること。 - 特許庁

In a separator using a porous membrane, a flat membrane of an average pore diameter of ≥2 nm and ≤2 μm, a porosity of ≥40% and ≤90% and a membrane thickness of ≥30 μm and ≤1 nm is used and a steady diffusion method using the diffusion phenomenon in pores of the membrane is applied.例文帳に追加

多孔膜を利用した分離機において、平均孔径が２ｎｍ以上２ミクロン以下、空孔率４０％以上９０％以下で膜厚３０ミクロン以上１ｍｍ以下の平膜を用い、膜中の孔内部の拡散現象を利用した定常拡散法を適用する。 - 特許庁

A high temperature superconductive thin film wire 100 is constructed by layering an intermediate layer 2, a high temperature superconductive layer 3 of high temperature superconductor, a protective layer 4 of metal, and a diffusion prevention layer 5 made of copper or nickel and preventing the diffusion of protective layer 4, in this order.例文帳に追加

金属基板１の上に、中間層２、高温超電導体からなる高温超電導層３、金属からなる保護層４、銅またはニッケルからなり保護層４の拡散を抑止する拡散防止層５、を順次積層して高温超電導薄膜線材１００を構成する。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

Relating to solid-liquid separator provided with a membrane separator arranged inside a membrane separation tank and a diffusion device arranged at the lower part of the membrane separator, the diffusion device is constituted of main pipes 5, a first branch pipe 6 connected with the main pipes 5, and second branch pipes 8 connected with the first branch pipe 6.例文帳に追加

膜分離槽の内部に配設された膜分離装置と、該膜分離装置の下方に配設された散気装置とを備えた固液分離装置において、散気装置を、主管５と、主管５に接続された第一枝管６と、第一枝管６に接続された第二枝管８からなるものとする。 - 特許庁

In the separator 3, a plurality of grooves 9 forming a plurality of air passages 8 are formed at a surface which faces to the diffusion layer 4 on the side of the air electrode 6, and further, a plurality of grooves 11 forming a plurality of fuel passages 10 are formed at a surface facing to the diffusion layer 4 on the side of the fuel electrode 7.例文帳に追加

セパレータ３は，空気極６側の拡散層４との対向面に複数の空気通路８を形成する複数の溝９を有し，また燃料極７側の拡散層４との対向面に複数の燃料通路１０を形成する複数の溝１１を有する。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 64 transferring charge generated by the photodiode 61 to a floating diffusion region 65 and a reset transistor 66 discharging charge in the floating diffusion region 65, are arranged.例文帳に追加

CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。 - 特許庁