「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(161ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an air conditioning unit for a vehicle capable of reducing diffusion of heat from an exposed part in a heating heat exchanger and in a heat medium pipe exposed from a unit case and diffusion of cold air from an exposed part in a cooling heat exchanger and in a refrigerant pipe exposed from the unit case.例文帳に追加

ユニットケースから露出する加熱用熱交換器及び熱媒パイプの露出部分からの熱気の拡散と、ユニットケースから露出する冷却用熱交換器及び冷媒パイプの露出部分からの冷気の拡散とを抑えることができる車両用の空気調和ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁

In a gaseous diffusion electrode sealing method where sealing is performed in order to prevent the leakage of liquid from a liquid cell into a gas cell of a gas diffusion electrode 1, sealing is performed by filling an interstice with PTFE fine powder and subjecting a filling part 6 to ultrasonic welding.例文帳に追加

液室からガス拡散電極のガス室に液漏れがしないようにシールするガス拡散電極のシール方法において、間隙にＰＴＦＥファインパウダーを充填し、充填部を超音波溶着することでシールすることを特徴とするガス拡散電極のシール方法。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

The pigment, having the above-described water surface diffusion area, ratio of water surface diffusion area to average particle size, and leafing value, is prepared by controlling the shape of an aluminum powder before grinding or milling, the conditions of grinding or milling, and the like.例文帳に追加

なお、水面拡散面積と、平均粒子径に対する水面拡散面積の比と、リーフィング値と、がそれぞれ上記の範囲にある、アルミニウム顔料は、粉砕、磨砕前のアルミニウム粉末の形状、粉砕条件または磨砕条件などを制御することにより得ることができる。 - 特許庁

The fuel control part 4 includes: a fuel diffusion plate 27 having a needle part 26 of a penetration shape; a fuel control membrane 29 having a slit part 28 corresponding to the needle part 26; and a moving mechanism 30 which moves at least either the fuel diffusion plate 27 or the fuel control membrane 29.例文帳に追加

燃料制御部４は、貫通形状のニードル部２６を有する燃料拡散板２７と、ニードル部２６に対応するスリット部２８を有する燃料制御膜２９と、燃料拡散板２７と燃料制御膜２９の少なくとも一方を移動させる移動機構３０とを備える。 - 特許庁

An introduction passage 110 is opened on a gas sensor element surface 101, the gas sensor element surface 101 comprises a diffusion resistance layer 17 for coating the introduction passage 110, and a dense layer 162 for coating the sensor cell, and the heat blocking part 100 is located between the diffusion resistance layer 17 and the dense layer 162.例文帳に追加

またはガスセンサ素子表面１０１に導入路１１０が開口し、かつガスセンサ素子表面１０１は導入路１１０を覆う拡散抵抗層１７と、センサセルを覆う緻密層１６２とよりなり、拡散抵抗層１７と緻密層１６２との間に熱遮断部１０を有する。 - 特許庁

The impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is provided in the vicinity of the active layer 5 so that p-type impurities present in the p-type clad layer 10, p-type second guide layer 9, etc., can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8 and are not diffused in the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

A channel P diffusion layer 7 is formed on the outer circumferential side at the surface layer part of the element forming layer 6b, an emitter region 5 is formed to surround the collector region 3 on the outer circumferential side of the unit cell 1 at the surface layer part of the channel P diffusion layer 7, and a base region 4 is formed on the central part side.例文帳に追加

また、素子形成層６ｂの表層部のうち外周側にchannelP拡散層７が形成され、channelP拡散層７の表層部のうち単位セル１の外周側にコレクタ領域３を囲む様にしてエミッタ領域５が形成され、中心部側にベース領域４が形成されている。 - 特許庁

Main spray E diffused by the first spray hole 41 only in the vertical direction and having a fixed thickness in the lateral direction is formed and diffusion spray F having a diffusion angle α only in the lateral direction by the pair of right and left second spray holes 43 and having a fixed thickness in the vertical direction is formed.例文帳に追加

第１噴口４１によって縦方向のみに拡散し、横方向に一定の厚みを有する主噴射Ｅが形成されるとともに、左右一対の第２噴口４３によって横方向のみに拡散角αを有し、縦方向に一定の厚みを有する拡散噴射Ｆが形成される。 - 特許庁

The backlight unit is a parallel-light light source device that emits collimated light of which the half-luminance angle is 3 to 35° toward the liquid crystal cell and the ratio Fw(BL)/Fw(FD) of the half-diffusion angle Fw(FD) of the light diffusion element to the half-luminance angle Fw(BL) of the collimated light is 0.5 or less.例文帳に追加

バックライトユニットは、液晶セルに向かって輝度半値角が３°〜３５°であるコリメート光を出射する平行光光源装置であり、光拡散素子の光拡散半値角Ｆｗ（ＦＤ）とコリメート光の輝度半値角Ｆｗ（ＢＬ）との比Ｆｗ（ＢＬ）／Ｆｗ（ＦＤ）は、０．５以下である。 - 特許庁

To provide a light diffusion optical member capable of suppressing the generation of a Newton ring even when the light diffusion optical member is superimposed and arranged on other optical sheets, etc. and achieving a natural high-quality color display, without being red when viewed not only from a front direction, but also from an oblique direction.例文帳に追加

他の光学シート等と重ね合わせて配置してもニュートンリングの発生を抑制できると共に、正面方向は勿論のこと斜め方向から見た時も赤みを帯びることなく自然で高品位なカラー表示を実現できる光拡散性光学部材を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁

To provide: a gas diffusion layer for a fuel cell, easy to set a flow passage pitch, and capable of achieving suppression of contact resistance; a method of manufacturing the gas diffusion layer for the fuel cell; the fuel cell capable of achieving suppression of reduction in power generating performance; and a fuel cell automobile.例文帳に追加

流路ピッチを設定し易く、また、接触抵抗の抑制を図り得る燃料電池用ガス拡散層、および燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供し、また、発電性能の低下抑制を図り得る燃料電池、および燃料電池自動車を提供する。 - 特許庁

A calculation method for a density distribution of diffusion material comprises: obtaining a density distribution of diffusion material in room space (S15-1); performing an allotment calculation process for dividing the obtained density distribution into densities according to occurrence time (S15-2); and correcting a total amount based on the allotted densities according to occurrence time (S15-3).例文帳に追加

拡散物質の濃度分布計算方法は、室内空間の拡散物質の濃度分布を求め（Ｓ１５−１）、求めた濃度分布から発生時刻別の濃度に分ける分配計算処理を行って（Ｓ１５−２）、分配された発生時刻別の濃度から総量補正を行う（Ｓ１５−３）。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

An individual electrode 44 is formed in a region of the piezoelectric layer 43 overlapping a part of a region of the common electrode 42 formed on the diffusion prevention layer 41 in the plan view, and an extraction electrode 47 is formed in a region of the piezoelectric layer 43 without overlapping the diffusion prevention layer 41 in the plan view.例文帳に追加

圧電層４３の平面視で共通電極４２の拡散防止層４１上に形成された領域の一部と重なる領域に個別電極４４を形成するとともに、圧電層４３の平面視で拡散防止層４１と重ならない領域に引出電極４７を形成する。 - 特許庁

Each through hole 13A is surrounded by a side wall 13B having a normal in an in-face direction parallel to the surface of the liquid crystal panel 20, and the side wall 13B comprises material and thickness expressing at least one function of transmission diffusion and reflection diffusion.例文帳に追加

各貫通孔１３Ａは液晶パネル２０の表面と平行な面内方向に法線を有する側壁１３Ｂで囲まれてなり、この側壁１３Ｂは透過拡散および反射拡散の少なくとも一方の機能を発現する材料および厚さにより構成されている。 - 特許庁

To provide a light emitting element which can suppress or prevent the oxidation of a light emitting layer and a current diffusion layer even if an oxide transparent conductive film is formed on the light emitting layer or the current diffusion layer formed of a compound semiconductor including an Al, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌを含む化合物半導体より構成される発光層部あるいは電流拡散層上に酸化物透明導電膜を形成させる場合にも、これら発光層部や電流拡散層の酸化を抑制ないし防止できる発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion and charging device K is provided with raw material charge openings 1 for charging a raw material, rotating shafts 3 and diffusion panels 4 rotating around the rotating shafts 3 and diffusing the raw material charged from the raw material charge opening 1 onto a net face 5 of a screen and charging the same.例文帳に追加

拡散投入装置Ｋは、原料を投入するための原料投入口１と、回転軸３と、その回転軸３を中心に回転することで、前記原料投入口１から投下された原料を、篩の網面５上に、拡散させて投入する拡散盤４とを備えている。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which dramatically enhances the efficiency of taking light out and improves the angle dependency of colors emitted from a plane surface of an illuminator and can achieve white light in high quality, and to provide an organic electroluminescent element employing the light diffusion sheet.例文帳に追加

本発明は、光取り出し効率を大幅に向上させ、かつ面発光体の発光色の角度依存性を改善し、品質の高い白色光を実現することが可能な光拡散シート、及び前記光拡散シートを用いた有機ＥＬ素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide a diffusion plate having both of excellent brightness and brightness uniformity in a backlight which has a desired thickness and in which the small number of point-like light sources difficult to have been achieved by a conventional technique are arranged; and also to provide a backlight device using the diffusion plate.例文帳に追加

本発明の目的は、所望のバックライト厚み、且つ従来技術では達成し得なかった少ない個数の点光源を配置したバックライトにおいて、優れた輝度及び輝度均一性の両立が可能となる拡散板、及び前記拡散板を用いたバックライト装置を提供することである。 - 特許庁

The image processor 1 comprises a section 91 for dividing input multivalued image data into a plurality of bands, a section 21 for quantizing each pixel by performing error diffusion processing on each divided band, and a section 92 for controlling the dividing section 91 and the error diffusion processing section 21.例文帳に追加

画像処理装置１は、入力多値画像データを複数のバンドに分割する分割部９１と、分割された各バンドに誤差拡散処理を行って各画素を量子化する誤差拡散処理部２１と、分割部９１及び誤差拡散処理部２１を制御する制御部９２とを備える。 - 特許庁

A metal film 8 is formed on a silicon substrate 1 provided with a gate electrode 4 and a deep diffusion layer 7 becoming a source or a drain and heat treated at a low temperature to form a gate electrode 4 and a metal silicide layer 9 on the deep diffusion layer 7.例文帳に追加

ゲート電極４およびソースまたはドレインとなる深い拡散層７が設けられたシリコン基板１の上に金属膜８を形成し、金属膜８に低温で加熱処理を施すことによって、ゲート電極４および深い拡散層７の上に金属シリサイド層９を形成する。 - 特許庁

With this configuration, respective highest luminance points of irradiation light from the LED are essentially in agreement on the surface of the diffusion plate, thus uniformizing the ratio of luminance of irradiation light from each LED on the surface of the diffusion plate and hence reducing color irregularities in the LED backlight.例文帳に追加

このような構成とすると、ＬＥＤからの照射光のそれぞれの最高輝度点が拡散板面上で実質的に合致するため、それぞれのＬＥＤからの照射光輝度比が拡散板面上で均一化され、その結果、ＬＥＤバックライトの色ムラの低減が可能となる。 - 特許庁

This method includes a process of adhering a film 11, containing ≥70 wt.% zinc oxide and silicon oxide onto compound semiconductor layers 2 to 8 from a diffusion source, and a process of diffusing zinc in the compound semiconductor layers 2 to 8 by heating from the diffusion source.例文帳に追加

酸化亜鉛を７０重量％以上含有する酸化亜鉛と酸化シリコンを含有する膜１１を拡散源を化合物半導体層２〜８上に被着する工程と、加熱により前記拡散源より前記化合物半導体層２〜８内に亜鉛を拡散する工程とを含む。 - 特許庁

The transistor comprises a columnar semiconductor layer 2, gate electrode 4 formed to surround the columnar semiconductor layer 2 through a gate insulation film 3, and a drain diffusion layer 5 and a source diffusion layer 6 formed in an upper and a lower end of the columnar semiconductor layer 2, respectively.例文帳に追加

トランジスタは、柱状半導体層２と、この柱状半導体層２を取り囲むようにゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極４と、柱状半導体層２の上端部及び下端部に形成されたドレイン拡散層５及びソース拡散層６とを有する。 - 特許庁

With this, even if gas diffusion performance is interfered by water freezing at the time of starting at freezing, since hydrogen with a small molecule size and a high content is supplied at the anode side, hydrogen diffusion on the anode at the starting at freezing is further improved than in the case of air supplying.例文帳に追加

これにより、凍結起動時において水の凍結によりガス拡散性が阻害されても、アノード側では分子サイズが小さく含有率も高い水素が供給されることから、凍結起動時におけるアノードでの水素の拡散は、空気供給の場合に比して高まる。 - 特許庁

To provide a high-performance gas diffusion body capable of smoothly supplying/exhausting hydrogen gas and oxygen gas, and supplying/draining water, in a porous gas diffusion body of a constituent part of a solid polymer type reversible cell having two functions of a water electrolytic cell and a fuel cell.例文帳に追加

水電解槽と燃料電池の二つの機能を有する固体高分子型の可逆セルの構成部分である、多孔質ガス拡散体において、水素ガス・酸素ガスの供給排出および水の供給排出を円滑に行なうことができる、高性能のガス拡散体を提供すること。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

The membrane electrode assembly is formed by stacking a gas diffusion layer 3 for fuel having a conductive fiber substrate, a catalyst layer 5 for fuel, the electrolyte membrane 2, a gas diffusion layer 4 for an oxidant having a conductive fiber substrate, and a catalyst layer 6 for the oxidant in order.例文帳に追加

膜電極接合体は、導電性繊維を基材とする燃料用ガス拡散層３と、燃料用触媒層５と、電解質膜２と、導電性繊維を基材とする酸化剤用ガス拡散層４と、酸化剤用触媒層６とを順に積層して形成されている。 - 特許庁

A transmitter 221 applies serial-parallel conversion to transmission signals, respectively performs spectrum spread of the transmission signals by using the cyclic expansion diffusion code, adds results obtained by using different diffusion signals, modulates added results with a different frequency by using inverse Fourier transform, etc., and outputs the results.例文帳に追加

送信装置２２１は、伝送信号をシリアルパラレル変換し、そのそれぞれを巡回拡張拡散符号を用いてスペクトラム拡散し、異なる拡散符号を用いた結果を加算し、加算した結果を逆フーリエ変換などを用いて異なる周波数で変調し、送信する。 - 特許庁

To provide an image processor performing quantization output by repeating error diffusion processing without quantization for one line in the vicinity of the head of each band obtained by dividing image data, and performing error diffusion processing sequentially from the head of each band based on an error value thus obtained.例文帳に追加

画像データを分割した各バンド先頭付近の１つのラインに対して、量子化を伴わない誤差拡散処理を繰り返し、得られた誤差値に基づいて、各バンドの先頭から順に誤差拡散処理を行って量子化出力する画像処理装置を提供する。 - 特許庁

A process for forming a chromium diffusion portion comprises: forming a slurry comprising chromium and silicon, applying the slurry to an article, and heating the article to a sufficient temperature and for a sufficient period of time to diffuse chromium and silicon into the article and form a diffusion portion comprising silicon and a microstructure comprising α-chromium.例文帳に追加

クロム及びケイ素を含有するスラリーを形成し、スラリーを物品に塗布し、物品中にクロム及びケイ素を拡散させ、ケイ素を含有する拡散部分及びα−クロムを含有するミクロ組織を形成するのに十分な温度に十分な時間物品を加熱する工程を含む。 - 特許庁

The touch panel is stuck to the display overall by a diffusion adhesive layer for refracting and reflecting visible light from the display, and visible light from the display is diffused in multiple directions before made incident on the touch panel by fillers in the diffusion adhesive layer.例文帳に追加

ディスプレイからの可視光を屈折及び反射させる拡散粘着剤層により、タッチパネルとディスプレイとを全面的に接着し、この拡散粘着剤層中のフィラーによってディスプレイからの可視光をタッチパネル内に入射する前にあらかじめ多方向に散乱させる。 - 特許庁

Between a p-gate diffusion region 23 on the left side and a p-gate diffusion region 23' on the right side on an n-type silicon substrate, and in between the CH1 and the CH2, a channel isolation region 29 is formed of an oxygen doped semi-insulating polycrystalline silicon film 35a doped with phosphorus.例文帳に追加

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。 - 特許庁

The passage is formed by passing water from one side to the other side of the diffusion layer 12 by a water pressure, a cation exchange resin solution is filled in the passage, it is dried, and porous layers 13a, 13b are formed by an application method, in order to manufacture this diffusion layer 14.例文帳に追加

この拡散層１４は、拡散層１２の一面側から他面側に水圧によって水を通過させることによって通路を形成し、この通路に陽イオン交換樹脂溶液を充填し、乾燥させ、塗布法によってポーラス層１３ａ、１３ｂを形成させて製造する。 - 特許庁

A nitrogen diffusion layer having excellent adhesive properties with a steel base layer is formed on the surface of the pressurized head relative component by using a lustering nitrogen diffusing method, and a ceramic layer of a CrN, a TiN or the like having excellent wear resistance and a high hardness is formed on the surface of the diffusion layer by using an AIP method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れた窒素拡散層を形成させ、その表面にＡＩＰ法を用いて耐摩耗性に優れた高硬度のＣｒＮ、ＴｉＮ等のセラミック層を形成させる。 - 特許庁

Were P is the total of diffusion transmission intensity of light diffused and transmitted when visible light is emitted normally from the opposite side of an observer's side of the optical sheet measured at each degree between -85° to +85°, and Q (regular transmission intensity) is the diffusion transmission intensity at 0°.例文帳に追加

０．６４＜Ｑ／Ｐ＜０．９４ （Ｉ）Ｐ；光学シートの観察者側と反対側の面から垂直に可視光線を照射した際の拡散透過した光を−８５度〜＋８５度までの範囲で１度ごとに測定した拡散透過強度の総和Ｑ（正透過強度）；０度における拡散透過強度 - 特許庁

In this method of fabricating a copper damascene structure, an organic insulation film in the thickness of 1 to 100 nm is provided between an inorganic system insulation film and copper diffusion preventing layer, at the time of chemically and mechanically grinding the inorganic system insulation film formed on the copper diffusion preventing layer.例文帳に追加

銅ダマシン構造の製造において、銅拡散防止層上に形成された無機系絶縁膜を化学的機械的研磨する際に、無機系絶縁膜と銅拡散防止層との間に厚さ１〜１００ｎｍの有機系絶縁膜を存在させることを特徴とする銅ダマシン構造の製造方法。 - 特許庁

The projection and recessed surface 31a of the light diffusion plate 31 for which a convex and concave surface 31a is formed on at least one surface is turned to a lower side and disposed, a primer liquid is applied from the lower side to the convex and concave surface 31a turned to the lower side, and thus the light diffusion plate with the primer layer is manufactured.例文帳に追加

少なくとも片面に凹凸面３１ａが形成された光拡散板３１の凹凸面３１ａを下側に向けて配置せしめ、該下側を向いた凹凸面３１ａに対して下方側からプライマー液を塗布することによって、プライマー層付き光拡散板を製造する。 - 特許庁

This dial 1' for the timepiece has a base material 2, a multilayer film 3 equipped with a plurality of layers (metal oxide layers) constituted mainly of a metal oxide, a polarizer 4 having a function for polarizing entering light, and a diffusion layer 5 constituted of a material including a diffusion agent.例文帳に追加

時計用文字板１’は、基材２と、主として金属酸化物で構成された複数の層（金属酸化物層）を備えた多層膜３と、入射した光を偏光させる機能を有する偏光体４と、拡散剤を含む材料で構成された拡散層５とを有している。 - 特許庁

The diffusion current stop band 5 is provided with an n-type semiconductor layer connected with the power supply on the semiconductor substrate of p-type semiconductor, and the n-type semiconductor layer of the diffusion current stop band 5 is formed deeper than the n-type semiconductor layer of the light receiving element 2.例文帳に追加

この拡散電流阻止帯５は、ｐ型半導体の前記半導体基板に、前記電源に接続されたｎ型半導体層を備えており、拡散電流阻止帯５のｎ型半導体層は、受光素子部２のｎ型半導体層より深く形成されている。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁