「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(163ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of introducing the impurity into a semiconductor substrate while depositing a layer to become an impurity diffusion source on a surface of the substrate, and then heat treating the substrate for a sufficient time to stabilize a quality of the deposited layer to become the impurity diffusion source.例文帳に追加

半導体基板表面に不純物拡散源となる層を堆積させながら半導体基板内に不純物を導入した後、堆積した不純物拡散源となる層の膜質を安定化させるのに十分な時間熱処理することからなる半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加

Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁

The second wells are formed in the first conductivity type region formed extensively over the surface layer region of the side face of the step from a region adjacent to the impurity diffusion region of a flat region between the first well and the impurity diffusion region and having an impurity concentration lower than that of the first well.例文帳に追加

第２ウェルは、第１ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第１ウェルよりも不純物濃度が低い第１導電型の領域である。 - 特許庁

To provide an instrument for a vehicle designed to enable optical processing for light source side by a diffusion plate interposed between its translucent scale plate and plural light sources for the translucent scale plate, improving lighting brightness while minimizing unevenness in luminance of the diffusion plate.例文帳に追加

車両用計器において、その透光性目盛り盤と当該目盛り盤用の複数の光源との間に介装される拡散板の光源側の面に対する光学的処理に工夫を凝らし、当該拡散板の輝度むらを最小限に抑制しつつ当該拡散板による照明輝度を高める。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層６は、半導体層３の表面から埋め込み絶縁層２に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域１４の周囲を取り囲むことで、ソース／ドレイン領域１１が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域１４とを分け隔てている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and the semiconductor device in which the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of an impurity diffusion layer can be controlled, and the impurity diffusion layer displaying an approximately constant impurity concentration in the depth direction can be formed.例文帳に追加

不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, since the thickness of the sodium diffusion limiting film 32 itself is set so that the reflectivity of the sodium diffusion limiting film 32 equals the reflectivity of the glass substrate 24, reflections at the surface of the entire reflector 10 are reduced whereby formation of double images due to surface reflections can be reduced or prevented.例文帳に追加

しかも、ナトリウム拡散制限皮膜３２自体も反射率がガラス基盤２４の反射率と同等となるようにその厚さが設定されるため、反射鏡１０全体として表面反射が軽減され、表面反射による二重像の発生を軽減或いは防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体層の表面側に第２導電形（ｐ形）の拡散領域（ボディ領域）２が形成され、その拡散領域２の表面側に第１導電形（ｎ形）のソース領域３が形成されている。 - 特許庁

The hole 116h has a first part A1 reaching the end surface of the diffusion layer 120 from the end surface of the catalyst layer 112 and a second part A2 reaching the end surface of the diffusion layer 120 from the end surface of the catalyst layer 112 and having hydrophilic nature higher than that of the fist part A1, on the inner surface A0.例文帳に追加

孔１１６ｈは、触媒層１１２側の端面から拡散層１２０側の端面に至る第１の部分Ａ１と、触媒層１１２側の端面から拡散層１２０側の端面に至り第１の部分Ａ１よりも親水性が高い第２の部分Ａ２と、を内面Ａ０に有する。 - 特許庁

The dust receiving box 16 is disposed on the above part of a ball valve 13 as the fuel gas diffusion valve disposed on the straight pipe part of 121 of the fuel gas diffusion pipe 12 and the dust falling from the straight pipe part 121 to the inside of the dust receiving box 16 is received and caught by the dust catching plate 17.例文帳に追加

ダスト受入箱１６は燃料ガス放散管１２の直管部１２１に設けられた燃料ガス放散弁としてのボール弁１３の上部に設けられ、直管部１２１からダスト受入箱１６の内部に落下したダストはダスト捕捉板１７により受け止められて捕捉される。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

A mask film 14 is disposed on an uncured permanent resist layer 13 comprising a negative photosensitive resist, and a light-transmitting light diffusion sheet 15 is disposed on the mask film 14 to carry out parallel light exposure through the light diffusion sheet 15 to cure the photosensitive resist in an exposed portion.例文帳に追加

ネガティブタイプの感光性レジストによる未硬化の永久レジスト層１３上にマスクフィルム１４を配置し、更にマスクフィルム１４上に、光透過性の光拡散シート１５を配置し、光拡散シート１５を通して平行光露光を行い、露光部分の感光性レジストを硬化させる。 - 特許庁

As a result, the bright lines generated at the peripheral end of the diffusion sheet 2, i.e. the peripheral end of the display region of the liquid crystal display element can be prevented and the prevention of the slippage of the diffusion sheet 2 and the sheets 4 and the sure fixing thereof to the resin frame 6 is made possible.例文帳に追加

これにより、拡散シート２周辺端部、すなわち液晶表示素子の表示領域の周辺端部に発生する輝線を防止できると共に、拡散シート２及びシート類３のずれを防止することができ、それらを樹脂フレーム６に確実に固定することができる。 - 特許庁

A lens barrier 2, comprising light diffusion and light transmission properties, is provided in the aperture part of the bent lens barrel 20, and external light can be converted into predetermined diffusion light (detection light) and guided to the imaging device 25, so that black defective pixels can be detected, while closing the lens barrier 2.例文帳に追加

屈曲型鏡胴２０の開口部には、光拡散性及び光透過性を備えたレンズバリア２が設けられ、外部の光を所定の拡散光（検出光）に変換して前記撮像素子２５へ導光可能とされ、レンズバリア２を閉じた状態で黒欠陥画素が検出可能とされている。 - 特許庁

The lamp unit for a vehicle 1 is provided with a plurality of light sources 5, ..., a first reflection surface 21 and a second reflection surface 22 performing diffusion-reflection of the light emitted from the plurality of the light sources 5, ..., and an inner lens 4 for transmitting the diffusion-reflected light on the second reflection surface 22 to a frontal direction.例文帳に追加

車両用灯具ユニット１は、複数の光源５，…と、複数の光源５，…から出射された光を拡散反射する第１反射面２１及び第２反射面２２と、第２反射面２２で拡散反射された光を前方へ透過するインナーレンズ４と、を備える。 - 特許庁

The composite copper foil is constituted so that a heat diffusion preventing layer, which suppresses the diffusion of copper due to heat between the support copper foil and an extremely thin copper foil, and a peeling layer, which separates the support copper foil and the extremely thin copper foil mechanically, are provided between the support copper foil and the extremely thin copper foil.例文帳に追加

支持体銅箔と極薄銅箔との間に、支持体銅箔と極薄銅箔との間の熱による銅の拡散を抑制するための熱拡散防止層及び支持体銅箔と極薄銅箔を機械的に分離するための剥離層を有する複合銅箔。 - 特許庁

Then, the sum of diffusion coefficients by which quantization errors to be diffused to a direction opposite to the scanning direction of the band area 310 are to be multiplied is made smaller than the sum of diffusion coefficients by which quantization errors to be diffused to the same direction as the scanning direction of the band area 310 are to be multiplied.例文帳に追加

そして、バンド領域３１０の走査方向とは逆方向へ伝搬させる量子化誤差に乗ぜられる拡散係数の和を、バンド領域３１０の走査方向と同じ方向へ伝搬する量子化誤差に乗ぜられる拡散係数の和よりも小さくする。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate which prevents light projected to the back of a specified display character from being incident on the back of another display character and a display unit which uses the light diffusion plate while decreasing the number of components and facilitating assembly.例文帳に追加

部品点数の削減及び組み付けの簡素化を図りつつ、所定の表示キャラクタの背面に向かって出射された光が、他の表示キャラクタの背面に入射されてしまうことを防止した光拡散板及び当該光拡散板を用いた表示器を提供する。 - 特許庁

A fuel cell constituted with a solid electrolyte which is sandwiched and held between a pair of gas diffusion electrodes or between a gas diffusion electrode and a hydrogen storing metal alloy electrode, wherein the solid electrolyte of which a part of Ce is replaced by Y in BaCeO3 which consists of Ba and Ce as fundamental ingredients, and an electrolyte is prepared by the sol-gel method.例文帳に追加

ＢａとＣｅとを基本成分とするＢａＣｅＯ_3においてＣｅの一部をＹで置き換えた固体電解質、該電解質はゾル、ゲル法で作成したもの、およびこれをガス拡散電極同士又はガス拡散電極と水素吸蔵合金電極とで挾持してなる燃料電池である。 - 特許庁

The light diffusion sheet for the liquid crystal display device is equipped with a transparent base material layer and a light diffusion layer layered on a surface side of the base material layer and contains a near-infrared light absorbent and has a near-infrared light transmittance of 50% or less.例文帳に追加

本発明は、透明な基材層とこの基材層の表面側に積層される光拡散層とを備える液晶表示装置用光拡散シートであって、近赤外線吸収剤を含有し、近赤外線透過率が５０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.例文帳に追加

前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A structure of a screen 38 in configured with a hard transparent material 382, an optical diffusion material 381 and a hard transparent material 383 sequentially in a direction perpendicular to a major plane, and the optical diffusion material 381 diffuses an incident optical wave into an incident side and its opposite side nearly similarly.例文帳に追加

スクリーン３８の構造を主面に垂直な方向に対して順に、硬質透明材３８２、光拡散材３８１および硬質透明材３８３を有するものとし、光拡散材３８１により入射する光波を入射側およびその反対側にほぼ同様に拡散放射させる。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

The backlight apparatus has a rectangular ring-shaped frame 2 wherein the linear light sources 1 are assembled at intervals and a reflection sheet 3 and a light diffusion plate 4 which are disposed on both sides of the frame 2 and is so constituted that a liquid crystal panel is illuminated with light transmitted through the light diffusion plate 4 from its rear side.例文帳に追加

線状光源１を間隔を隔てて組み付けた矩形環状の枠フレーム２と、枠フレーム２の両側に配備された反射シート３と光拡散板４とを有し、光拡散板４を透過した光が液晶パネルを背後から照明するようになっている。 - 特許庁

Light GL other than the light flooded and projected as the spot light SL in the predetermined direction from a light-flooding aperture 6 of a lamp cover 4 is diffusion-reflected and attenuated by the light diffusion element group 7 on the inner surface of the lamp chamber 5.例文帳に追加

この結果、ＬＥＤ２からの光のうち、ランプカバー４の投光用開口孔６から所定の方向にスポット光ＳＬとして投光照射される光以外の光ＧＬを、灯室５の内面の光拡散素子群７において拡散反射させて減衰させることができる。 - 特許庁

(1) A fuel cell of which distance between a pair of diffusion layer contacts 40 is larger than that between a pair of electrolyte membrane holders 41 is filled in a space between an end in plane direction 43 of the diffusion layers 13 and 16 and the electrolyte membrane holder 41 with an adhesive 44.例文帳に追加

（１）一対の拡散層接触部４０間の距離が一対の電解質膜保持部４１間の距離より大である燃料電池であって、拡散層１３、１６の面方向端部４３と電解質膜保持部４１との間を接着剤４４でほぼ満たした燃料電池。 - 特許庁

The diffusion-charging apparatus K has a conveyer part having a conveyer 1 for conveying a supplied raw material and a diffusion part having the diffusing board 2 which receives the raw material dropped from one end side of the conveyer part while being rotated, diffuses the material on the screen N, and charges it.例文帳に追加

拡散投入装置Ｋは、搬入される原料を載せて搬送するコンベヤー１を備えたコンベヤー部と、そのコンベヤー部の一端側から投下される前記原料を、回転しながら受けて、篩Ｎ上に拡散させて投入する拡散盤２を備えた拡散部とを有している。 - 特許庁

With regard to two adjacent bit lines 1132, one bit line 1132 is connected electrically with one source/drain diffusion region 1107 on the same row while the other bit line 1132 is connected electrically with the other source/drain diffusion region 1107 on the same row.例文帳に追加

また、隣り合う２つのビット線１１３２に関して、一方のビット線１１３２は同一列のソース／ドレイン拡散領域１１０７の一方に電気的に接続する一方、他方のビット線１１３２はその同一列のソース／ドレイン拡散領域１１０７の他方に電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a diffusion testing device capable of reducing a composition ratio change and a volumetric change caused by evaporation of a sample and capable of more accurately measuring a diffusion factor by sharply reducing solidification when steam of the sample having high steam pressure infiltrates into clearance between rotary shafts and share cells.例文帳に追加

蒸気圧の高い試料の蒸気が回転軸やシェアセルの隙間等に侵入して凝固するのを大幅に低減でき、これにより、試料の蒸発に伴う組成比率の変化や体積変化を低減し、拡散係数をより正確に測定することができる拡散試験装置を提供する。 - 特許庁

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁

A recess is formed on the main surface of a single-crystal silicon substrate 101 so as to form a trench, n+ diffusion layers 117 as a pair of counter electrodes are formed by sandwiching the trench in the face direction of the substrate, and an n+ diffusion layer 117 is formed in a direction at right angles to the face direction of the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのｎ＋拡散層１１７を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にｎ＋拡散層１１７を形成する。 - 特許庁

An RGB LED for composing a full-color LED is arranged on a mount plate 10 so that respective highest luminance points 32R, 32G, 32B of illumination light (regions indicated by 31R, 31G, 31B) of LEDs onto a diffusion plate 20 are nearly in agreement on the surface of the diffusion plate 20.例文帳に追加

フルカラーＬＥＤを構成するＲＧＢのＬＥＤは、拡散板２０上へのＬＥＤの照射光（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂで示した領域）のそれぞれの最高輝度点（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）が、拡散板２０の面上で概ね合致するように実装プレート１０上に配置されている。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

Whether or not a secondary spreading code is multiplexed is decided on the basis of a result by performing back diffusion of data parts of the received signals by a primary spreading code corresponding to the mid- amble shifts included in the received signals and a result by performing the back diffusion of the data parts of the received signals by the secondary spreading code corresponding to the primary spreading code.例文帳に追加

受信信号に含まれたミッドアンブルシフトに対応するプライマリ拡散コードで受信信号のデータ部を逆拡散した結果と、プライマリ拡散コードに対応するセカンダリ拡散コードで逆拡散した結果とに基づいて、セカンダリ拡散コードが多重されているかを判定する。 - 特許庁

Alternatively, an introducing channel 110 is opened on a surface 101 of the gas sensor element, and the surface of gas sensor element 101 is composed of a diffusion resistive layer 17 covering the introducing channel 110 and a fine layer 162 covering the sensor cell, and a thermal insulating section 10 is arranged between the diffusion resistive layer 17 and the fine layer 162.例文帳に追加

またはガスセンサ素子表面１０１に導入路１１０が開口し，かつガスセンサ素子表面１０１は導入路１１０を覆う拡散抵抗層１７と，センサセルを覆う緻密層１６２とよりなり，拡散抵抗層１７と緻密層１６２との間に熱遮断部１０を有する。 - 特許庁

To provide a raw material gas diffusion suppression-type apparatus for producing carbon nanostructures which maintains initial high concentration of a raw material gas by preventing diffusion of the raw material gas in a continuous synthesis process of the carbon nanostructures, and mass-produces high-quality carbon nanostructures.例文帳に追加

カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。 - 特許庁

The outer layer part 35 is adjacent to the internal electrode 20a and has a diffusion region 37 with a compound including Mn and Si diffused, and the internal electrode 20a is adjacent to the outer layer part 35 and has a diffusion region 22 with an Ni-Mn alloy diffused therein.例文帳に追加

外層部３５は、内部電極２０ａに隣接すると共にＭｎとＳｉとを含む化合物が拡散された拡散領域３７を有し、内部電極２０ａは、外層部３５に隣接すると共にＮｉ—Ｍｎ合金が拡散された拡散領域２２を有している。 - 特許庁

An automatic layout circuit design supporter 10 of the semiconductor integrated circuit uses library data 212 to which layout coordinates data 221 of a diffusion layer inside cells is added, calculates a distance between the diffusion layers with respect to the adjacently arranged cells, and decides an arrangement position of the cell concerned based on the distance.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路の自動レイアウト回路設計支援装置１０は、セル内の拡散層のレイアウト座標データ２２１を付加したライブラリデータ２１２を用い、隣接配置するセルとの拡散層間の距離を計算し、その距離に基づいて当該セルの配置位置を決定する。 - 特許庁

Next, an anode side gas diffusion layer 130a and a cathode side gas diffusion layer 130c are joined by hot pressing to the anode side catalyst layer 120a and the humidity retaining layer 122 respectively before a solvent included in the humidity retaining layer forming solution is dried and the humidity retaining layer is solidified (step S120).例文帳に追加

次に、保湿層形成溶液に含まれる溶媒が乾燥して固化する前に、アノード側触媒層１２０ａ、および、保湿層１２２の表面に、それぞれ、アノード側ガス拡散層１３０ａ、および、カソード側ガス拡散層１３０ｃを、ホットプレス接合する（ステップＳ１２０）。 - 特許庁

Gas flow field data is used for estimating diffusion states of diffusing substances at a plurality of estimation points in a specific region A3, and the use of the gas flow field data in which estimation points are finely set allows further detailed estimation of the diffusion states of the diffusing substances.例文帳に追加

気流場データは、特定領域Ａ３内の複数の評価地点における拡散物質の拡散状況を予測するために用いるデータであり、評価地点が細かく設定された気流場データを用いることによって、拡散物質の拡散状況をより詳細に予測することができる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is provided with a substrate 10, a thermal diffusion layer 11 formed on the substrate 10 and patterned at prescribed intervals, a flat layer 12 covering the thermal diffusion layer 11 and having a flat surface, and a light emitting part 18 formed on the flat layer 12.例文帳に追加

基板１０、基板１０上に形成され、所定の間隔でパターニングされた熱拡散層１１、熱拡散層１１を覆い、平坦な表面を有する平坦層１２、及び平坦層１２上に形成された発光部１８を備えることを特徴とする半導体発光素子である。 - 特許庁