Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加
約1100℃以上の高温熱処理を実施してn型不純物固相拡散領域11をSiの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部14近傍領域の活性層4内に選択的に窓領域12を形成する。 - 特許庁
To provide a reflective liquid crystal display device having a light diffusion function without any alignment defects of a liquid crystal and a high quality displaying effect by introducing a transparent light scattering function thereinto without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加
本発明は、製造工程を増やさないで透明光拡散機能を液晶表示装置に導入し、かつ液晶の配向不良が無く光の拡散機能を有する高品位な表示効果をもつ反射型液晶表示装置を提供せんとするものである。 - 特許庁
A plurality of pixels including a photoelectric conversion device PD and a pixel transistor are arranged, and a channel width of a transfer gate 21 in the transfer transistor of the pixel transistors is formed wider on the side of a floating diffusion (FD) region 20 than on the side of the photoelectric conversion device PD.例文帳に追加
光電変換素子PDと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲート21のチャネル幅が、前記光電変換素子PD側よりフローティングディフージョン(FD)領域20側で広くして成る。 - 特許庁
In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.例文帳に追加
p型の半導体層101には、チャネル領域108の中央部に、左右のn型の拡散領域106,107とは異なるp型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域109が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁
To provide a wiring structure in which a cap film that does not worsen wiring delays is formed by using a cap film preventing the rise of wiring resistances and the diffusion of copper and consisting of an insulating film having an oxidation resistance and a hydrofluoric acid resistance on wiring at the necessary minimum.例文帳に追加
配線抵抗の上昇を抑え、銅の拡散を防止し、耐酸化性・耐フッ酸性を有する絶縁膜からなるキャップ膜を配線上に必要最小限に用いることで、配線遅延を悪化させないキャップ膜を形成した配線構造を提供する。 - 特許庁
Since the p-type surface diffusion part 206 has a depth d of 4μm and a width w of 2μm, a relatively wide crosstalk width is provided even against the incident light of short wavelength to allow detection of deviation in incident light across a relatively wide range.例文帳に追加
P型表面拡散部206は、4μmの深さdを有すると共に2μmの幅wを有するので、短波長の入射光に対しても比較的広いクロストーク幅が得られて、比較的広い範囲に亘る入射光のずれを検出できる。 - 特許庁
The converging part of the light guide 31 comprises the first converging part and the second converging part different each other in inclination angles of outer circumferential faces thereof, and a boundary position between the first converging part and the second converging part is conformed with a position of a joining face of the diffusion plate 32 and the light guide 31.例文帳に追加
導光体31の絞り部は、外周面の傾斜角度が互いに異なる第1絞り部と第2絞り部からなり、第1絞り部と第2絞り部の境界位置は拡散板32と導光体31との接合面の位置に一致している。 - 特許庁
In addition, a liaison organization called the Industrial Network for Fluorocarbon Recovery Promotion, or INFREP, has also been set up to expedite the recovery of fluorocarbon refrigerant. INFREP engages in activities for diffusion of and enlightenment about execution measures to reduce refrigerant emissions as related to commercial refrigeration and air conditioning equipment. 例文帳に追加
他にも、フロン回収推進を目的として設立されたINFREP(インフレップ)・フロン回収推進産業協議会という連携組織があり、業務用冷凍空調機器に関連したフロン類排出抑制対策に関する啓発・啓蒙活動を行っています。 - 経済産業省
The sheet body 1 is provided with a diffusion reflection sheet in the inside center in parallel to the sheet face so as to emit the ultraviolet light guided to the inside from the sheet faces in the both sides, and the respective sheet faces are formed with grooves so as to provide edge light effects.例文帳に追加
またシート体1は内部に導光した紫外光を両側のシート面から出射できるように内部中央に拡散反射シートをシート面に並行するように設けたり、各シート面にエッジライト効果を得るための溝など形成してある。 - 特許庁
In a vacuum container, on each smooth surface of two substrates having a smooth surface, a high density microcrystallized continuous thin film is formed which is composed of materials having a body diffusion coefficient ≥1×10^-80 m^2/s at room temperature and a density ≥80%.例文帳に追加
真空容器内において,平滑面を有する2つの基体それぞれの前記平滑面に,室温における体拡散係数が1×10^-80m^2/s以上の材料から成り,かつ,密度が80%以上である高密度の微結晶連続薄膜を形成する。 - 特許庁
To provide semiconductor device or the like which is allocated within the front surface of an insulating film between low dielectric constant layers placed in contact with the lower surface of a copper diffusion preventing film having a film stress in the compressing direction, and is capable of preventing generation of leak current between wires.例文帳に追加
この発明は、圧縮方向の膜ストレスを有する銅拡散防止膜の下面と接触している低誘電率層間絶縁膜の表面内に配設されている、配線間のリーク電流の発生を防止することができる半導体装置等を提供する。 - 特許庁
(5) The diffusion index (DI) of business sentiment, sales, ordinary profits, etc., by industry and region in every quarter will be calculated, and a Survey on SME Business Conditions will be implemented to ascertain current business trends affecting SMEs. (continuation) (included in SMRJ operating expense subsidy)例文帳に追加
(5)四半期ごとに業況判断・売上高・経常利益等のDI値を産業別・地域別等に算出し、中小企業における足元の景気動向を把握するための「中小企業景況調査」を実施する。(継続)(中小機構運営費交付金の内数) - 経済産業省
In addition, a liaison organization called the Industrial Network for Fluorocarbon Recovery Promotion, or INFREP, has also been set up to expedite the recovery of fluorocarbon refrigerant. INFREP engages in activities for diffusion of and enlightenment about execution measures to reduce refrigerant emissions as related to commercial refrigeration and air conditioning equipment. 例文帳に追加
"他にも、フロン回収推進を目的として設立されたINFREP(インフレップ)・フロン回収推進産業協議会という連携組織があり、業務用冷凍空調機器に関連したフロン類排出抑制対策に関する啓発・啓蒙活動を行っています。" - 経済産業省
Given the importance of these new technologies to improving safety and reducing traffic congestion and emissions, we instruct officials to continue to share updates on their policy approaches to facilitate the diffusion of advanced technology and alternative-fueled motor vehicles.例文帳に追加
安全を向上させ,交通渋滞及び排出を削減するこれらの新技術の重要性に鑑み,我々は,実務者に対し,向上した技術及び代替燃料車の普及を円滑化させる政策アプローチに関する更新の共有を続けるよう指示する。 - 経済産業省
This allows the time taken until power generation in heating the part 41a of the separator 2 to remain unchanged and allows faster diffusion of the reaction heat to the other part 41b, as compared with a fuel cell which uses a separator having low thermal conductivity.例文帳に追加
これにより、熱伝導率が低いセパレータを用いた燃料電池と比較して、セパレータ2の一部の部位41aの加熱では、発電までにかかる時間はそのままで、反応熱を他の部位41bに拡散させるときでは、早く熱を拡散させることができる。 - 特許庁
To provide a thermal lithographic printing plate which can suppress diffusion of heat into an aluminum substrate and enables formation of an image by laser irradiation with reduced energy and which is improved in resistance to impairment and plate wear, and a manufacturing method of a base plate for the lithographic printing plate.例文帳に追加
アルミニウム支持体への熱の拡散が抑制でき、より低エネルギーのレーザー照射によって画像形成が可能であり、傷つきにくさ及び耐刷性を向上させた感熱性平版印刷版及び平版印刷版用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
A positive bevel structure where the cross section shape of the trench is formed to a downward sectorial trapezoid, and an angle θwhich the down groove wall direction of the trance makes against the boundary line of the p-base diffusion layer and the n-Si layer becomes under 90 degrees, is provided.例文帳に追加
トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がp−ベース拡散層とn−Si層との境界線に対して成す角度θは、90°未満になっている正ベベル構造となっている。 - 特許庁
The relation between a pressure drop PLf by the air inflow channel 23p (gas inflow channel) and the cathode off-gas outflow channel 24p (gas outflow channel), and a pressure drop PLd by the cathode-side gas diffusion layer 16 is determined to be (PLd/PLf)×100>9(%).例文帳に追加
空気流入流路23p(ガス流入流路)およびカソードオフガス流出流路24p(ガス流出流路)の圧力損失PLfと、カソード側のガス拡散層16の圧力損失PLdとの関係を、PLd/PLf×100>9(%)とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a power MOSFET which is capable of forming a body layer without performing a thermal diffusion treatment carried out at a high temperature for a long time, and preventing impurities contained in a gate electrode from diffusing into a semiconductor substrate through a gate insulating film.例文帳に追加
高温、長時間の熱拡散処理を行わずにボディ層を形成することができ、ゲート電極中に含まれる不純物がゲート絶縁膜を通して半導体基板中に拡散することを防止できるパワーMOSFETの製造方法を提供する。 - 特許庁
The heating air rotation guiding injection device 20 is disposed around the after burner for burning a high-temperature combustible gas while rotating in a direction opposite to the spiral within the diffusion type fire blast nozzle of diffusion type spiral heating air mixing method.例文帳に追加
焼却炉3、回転式火台4、拡散型超高温熱分解火墳出口1と超高温アフターバーナー2、加熱空気回転誘導噴射装置20などを内部構造として設け、拡散型超高温熱分解火墳出口1と、超高温アフターバーナー2と、拡散型螺旋加熱空気混合方法の拡散型火墳出口で螺旋の反対方向に高温の可燃性ガスが回転しながら燃焼するアフターバーナーの周りに装置された加熱空気回転誘導噴射装置20等を主要な特徴としている拡散型螺旋加熱空気混合方法のPCB超高温焼却熱分解炉。 - 特許庁
To provide a high sensitivity thermal negative type planographic printing plate original capable of ensuring both high adhesion of an image recording layer to a support and high stain resistance of a non-image area and capable of efficiently using energy by exposure in image formation, that is, excellent in thermal diffusion inhibiting effect.例文帳に追加
画像記録層と支持体との密着性および非画像部の耐汚れ性を高い水準で両立し、かつ、露光によるエネルギーを効率的に画像形成に用いることができ、即ち、熱拡散抑制効果に優れる、高感度のサーマルネガタイプの平版印刷版原版の提供。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for forming an image capable of deforming the image in a predetermined range while holding a rough profile shape so as not to largely collapse a previously prepared pattern to deform the image by a reaction diffusion system by using a computer.例文帳に追加
コンピュータを用いて反応拡散系による画像変形を行うにあたり、あらかじめ用意した模様が大きく崩れないように大まかな輪郭形状を保ったまま、所定の範囲で画像変形を行うことが可能な画像作成方法および装置を提供する。 - 特許庁
The layer 3 is formed of W, and the layer 5 comprises a high melting point film formed of HfC, one kind of a material of melting point higher than that of a silicon, and its film thickness is set at thermal diffusion or low which is decided by a thermal conductivity, a thermal capacitance and a waveform.例文帳に追加
発熱体層3は、Wにより形成され、酸化防止層5は、シリコンよりも高融点の材料の一種であるHfCにより形成された高融点膜からなり膜厚が熱伝導率と熱容量と上記波形とで決まる熱拡散長以下に設定されている。 - 特許庁
At a memory part A1, on the other hand, the silicide layer 14 is not formed on the diffusion area 12b, which is covered with the high dielectric-constant insulating film 7 to prevent the semiconductor substrate 1 from being damaged when a spacer 13, the silicide layer 14, and a contact hole 17 are formed.例文帳に追加
一方、メモリ部A1では、MISトランジスタの拡散領域12b上にシリサイド層14を形成せず、それを高誘電率絶縁膜7で覆い、スペーサ13、シリサイド層14およびコンタクトホール17を形成する際の半導体基板1へ及ぼすダメージを防止する。 - 特許庁
A steel plate 11 and a steel plate 11 are butted and these steel plates 11, 11 are interposed from both sides with attached plates 12, 12 composed of the steel plate, and both steel plates 11, 11 are joined by joining each attached plate 12 and respective steel plates 11, 11 with a liquid-phase diffusion joining K.例文帳に追加
鋼板11と鋼板11とが突き合わされ、これらの鋼板11,11が鋼板からなる添板12,12によって両側から挟み込まれ、各添板12と各鋼板11,11とが液相拡散接合Kにより接合されることにより、鋼板11と鋼板11とが接合されている。 - 特許庁
In this piston ring provided with a nitride layer on a side face of a base material, and the thermally sprayed coating at least on its outer peripheral sliding face, a porosity of the sprayed coating is 1.5% or less, and a nitride diffusion layer is formed between the sprayed coating and the base material.例文帳に追加
本発明のピストンリングは、母材の側面に窒化層が形成され、少なくとも外周摺動面に溶射皮膜が形成されているピストンリングであって、前記溶射皮膜の気孔率は1.5%以下であり、前記溶射皮膜と前記母材との間に窒化拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
When fluorite is manufactured, the diffusion or adsorption of moisture to carbon in a furnace where adsorbed moisture is held up to 800°C can be prevented by that fluorite is chemically changed to an inert oxide gradually at a temperature range (up to about 300°C) where the majority of adsorbed moisture is desorbed.例文帳に追加
蛍石製造にあたり、大部分の吸着水分が脱離を起こす温度範囲(約300℃まで)において逐次これを不活性な酸化物へ化学変化させることで、800℃まで吸着水分を保持してしまう炉内カーボンへの水分の拡散・吸着を防ぐことができる。 - 特許庁
To provide an optical amplifier having a reflector of light that increases diffusion efficiency of the heat generated on the reflection surface of the reflector of light or ideally inhibits generation of heat, and to provide a semiconductor laser amplifier having a reflector of light which suitably increases stimulation efficiency.例文帳に追加
光の反射体の反射面において発生する熱の拡散効率を高める、あるいは、熱の発生を抑えるのに好適な光の反射体を有する光増幅器及び励起効率を高めるのに好適な光の反射体を有する半導体レーザ増幅器を提供する。 - 特許庁
This method, on the premise of the diffusion, finds a time-resolved waveform between the detecting positions from the time-resolved waveforms in the respective detecting positions by a time/space interpolation and calculates the internal information on the subject based on the detected time-resolved waveform and the time-resolved waveform obtained by interpolation.例文帳に追加
この拡散性を前提として、各検出位置における時間分解波形から時間的空間的補間により検出位置間における時間分解波形を求め、検出した時間分解波形と前記補間により求めた時間分解波形を基にして被検体の内部情報を算出する。 - 特許庁
Consequently, many gas particles such as oxygen radicals can be entered into the fine gap for plasma treatment by increasing a gas diffusion coefficient at the time of plasma discharge, and a good surface improvement can be efficiently performed even in the deep part of the fine gap.例文帳に追加
これにより、プラズマ放電時においてガスの拡散係数を増大させて酸素ラジカルなどのガス粒子をプラズマ処理対象の微小隙間内に多数進入させることができ、微少隙間の奥部においても良好な表面改質を効率よく行うことが出来る。 - 特許庁
After the concentrations of the impurities and the variable T of diffusion time have been respectively set at their initial values (Nd and Na) and 0, the electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found by setting the variable T at T+ΔT.例文帳に追加
まず、不純物濃度の初期値(Nd、Na)を設定し、拡散時間の変数Tに初期値0をセットした後、拡散時間の変数TにT+ΔTを設定し、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて求める。 - 特許庁
One or more insulating layers (32) are formed on a substrate (30), and the metal wiring is formed by electrically plating a diffusion blocking layer and a seed layer (34) on a recess formed on the substrate before electrically plating a metal layer for filling the recess formed on the insulating layer (32).例文帳に追加
基板(30)上に一つ以上の絶縁層(32)を形成し、前記絶縁層(32)上に形成されたリセスを埋め込む金属層が電気メッキされる前に、前記金属配線は基板に形成されているリセス上に拡散阻止層及びシード層(34)を電気メッキして形成する。 - 特許庁
Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加
従って、n型活性領域121とp型活性領域122とが互いに接するように混在する場合(バッティングディフュージョン)においても、n型活性領域121とp型活性領域122との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁
In a two-transistor PMOS memory cell 40, having a PMOS floating gate (FG) transistor 40a and a PMOS selection gate (SG) transistor 40b, the drain of the FG transistor and the source of the selecting gate transistor are formed by a common P+ diffusion region 48 formed in an N-well 42.例文帳に追加
PMOSフローティングゲート(FG)トランジスタ(40a)とPMOS選択ゲート(SG)トランジスタ(40b)とを有する2トランジスタPMOSメモリセル(40)において、FGトランジスタのドレインとSGトランジスタのソースはN−ウェル(42)内に形成された共通のP+拡散領域(48)により形成される。 - 特許庁
An imaging processing section sets the initial value of absorption coefficient of a fluorescent substance based on the concentration distribution of the fluorescent substance, and operates the intensity distribution of the fluorescence based on the absorption coefficient and the diffusion coefficient of the object preset to compare the measurement data with the operation result (step 104-108).例文帳に追加
また、画像処理部では、蛍光体の濃度分布に基づく蛍光体の吸収係数の初期値を設定すると、予め設定されている検体の吸収係数及び拡散係数に基づいて蛍光強度分布を演算し、計測データと演算結果を比較する(ステップ104〜108)。 - 特許庁
An anti-glare layer (diffusion means ) 10 is provided in a 1st polarization plate (polarization means) 9 provided on the reflective plate 8 and the liquid crystal element 2 is illuminated through the light outgoing means 6 by diffusing the light reflected to the light outgoing means 6 side by the reflective plate 8.例文帳に追加
さらに、反射板8上に設けた第1偏光板(偏光手段)9にアンチグレア層(拡散手段)10を設けて、反射板8によって光出射手段6側に反射された光を拡散して当該光出射手段6を介して液晶表示素子2を照明する。 - 特許庁
Since the lubricating oil 15 is guided and sprayed thereby, diffusion of the lubricating oil 15 otherwise outwardly is prevented, the friction surface of the clutch disk assembly 4 is adequately lubricated, the temperature rise of the friction surface is suppressed, and the abrasion lifetime of the clutch disk assembly 4 is prolonged.例文帳に追加
これにより、潤滑オイル15を誘導して吹き付けるので、潤滑オイル15の他の外方への拡散を防止すると共に、クラッチディスクアッセンブリ4の摩擦面の潤滑を適切に行い、摩擦面の温度上昇を抑制してクラッチディスクアッセンブリ4の摩耗寿命を延長することができる。 - 特許庁
A diffusion sheet 13 has a plurality of grooves 14, which are parallel and random to each other, at least on one surface thereof, and the grooves are formed such that the average pitch of the plurality of grooves 14 is equal to or less than 30 μm while the average depth of the plurality of grooves 14 is 1 to 50 μm.例文帳に追加
拡散シート13の少なくとも一方の表面に互いに平行でランダムな複数本の溝14を有し、前記複数本の溝14の平均ピッチが30μm以下であって、前記複数本の溝14の平均深さが1〜50μmであるように形成する。 - 特許庁
To save resources by means of realizing the diffusion of Joule's heat generated inside an electronic device for an internal combustion engine by using a small size radiator, decreasing the risk of a malfunction caused by intrusion of electric noise by shortening the lengths of wires, and decreasing the costs of the radiator, the wires and malfunction preventing countermeasures.例文帳に追加
内燃機関用の電子装置の内部で発生するジュール熱の放散を小型の放熱器で実現し、配線類の長さを短縮して混入する電気的雑音による誤動作の危険を低減し、放熱器、諸配線、誤動作防止対策のコストを低減し省資源化する。 - 特許庁
A lens sheet 30 comprises: a sheet-like translucent substrate 33; a lens layer 32 arranged on a first face of the sheet-like translucent substrate 33 and provided with a plurality of substantially parallel lens arrays; and a light diffusion layer 34 arranged on a second face of the sheet-like translucent substrate 33.例文帳に追加
レンズシート30は、シート状透光性基材33と、シート状透光性基材33の第1の面に付されており且つ略平行な複数のレンズ列を有するレンズ層32と、シート状透光性基材33の第2の面に付された光拡散層34とを備える。 - 特許庁
The fuel cell includes a fuel electrode to which fuel is supplied, the air electrode to which an oxidant is supplied, and a polymer solid electrolyte membrane sandwiched between the fuel electrode and the air electrode, and the air electrode has the gas diffusion layer.例文帳に追加
また、燃料が供給される燃料極と、酸化剤が供給される空気極と、前記燃料極と前記空気極とに挟まれるようにして設けられた高分子固体電解質膜と、を備え、前記空気極は、上記のガス拡散層を有すること、を特徴とする燃料電池が提供される。 - 特許庁
In addition, the device has a subtracting means 3 calculating the quantization error E1 of the value Q1 and the value Q'1, an error data buffer 4 storing the error E1 and an error arithmetic means 5 calculating a correcting portion for error diffusion by using plural quantization errors and weighting coefficients.例文帳に追加
さらに、補正画素値Q1と量子化画素値Q'1の量子化誤差E1を算出する減算手段3と、量子化誤差E1を格納するエラーデータバッファ4と、複数の量子化誤差と重み係数を用いて、誤差拡散のための補正分を算出する誤差演算手段5を有する。 - 特許庁
The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(A)基板11上にゲート電極13を形成するステップと、(B)ゲート電極13の三次元形状を検出するステップと、(C)不純物イオン31を注入することによって、基板11中に拡散領域32を形成するステップとを備える。 - 特許庁
The land 26 is equipped with a nickel layer 28 on the wiring layer 16 and a gold layer 32 which comes into contact with the terminal 18, and a diffusion stop layer 30 which is formed of Pd or Pd alloy to stop Ni from being diffused into the gold layer 32 is interposed between the layer 28 and 32.例文帳に追加
このランド部26が、配線層16上のニッケル層28と端子体18に接する金層32とを有し、両者間に、例えばPd又はPd合金からなり、Niが金層32内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層30が介在している。 - 特許庁
The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.例文帳に追加
各IGBTセルのPベース層2は、1)主トレンチ6によってその底部2BFが貫通され且つエミッタ領域3を有する平坦領域2FRと、2)平坦領域2FRを挟み込む第1及び第2サイド拡散領域2SDR1,2SDR2を有している。 - 特許庁
By adopting this process, bonding of the impurities contained in the atmospheric air to the surface of the semiconductor film is prevented, and contamination (diffusion) of the impurities into the semiconductor layer during the crystallization by light irradiation, which is a fourth step that follows the third step, is also prevented.例文帳に追加
本プロセスによれば、大気中等に含まれる不純物が半導体膜表面に結合することを防ぐことができるとともに、上記第3工程に続く第4工程としての光照射による結晶化において、半導体層中に不純物が混入(拡散)することを防げる。 - 特許庁
The top face of an upper electrode 33 and the side faces of the upper electrode 33, a capacitor insulating film 32, and an embedded insulating film 16 are also composed of aluminum oxide having film thicknesses of about 5-100 nm and covered with second barrier layers 17 which prevent diffusion of hydrogen.例文帳に追加
また、上部電極33の上面並びに該上部電極33、容量絶縁膜32及び埋込み絶縁膜16の各側面は、膜厚が5nm〜100nm程度の酸化アルミニウムからなり、水素の拡散を防ぐ第2の絶縁性バリア層17により覆われている。 - 特許庁
Further, if an insulated thin film is arranged between a semiconductor substrate and the nonlinear optical silica thin film, diffusion of an undesired impurity or the like for the semiconductor device or other device and occurrence of crystal defect of the substrate being due to the silica thin film can be prevented.例文帳に追加
なお、半導体基板と上記非線形光学シリカ薄膜との間に絶縁性薄膜を介在配置すれば、半導体基板や他の素子に不要な不純物などが拡散したり、基板に上記シリカ薄膜に起因した結晶欠陥が発生することを防止できる。 - 特許庁
A high fusing point metal film 8 is deposited by anisotropic sputtering, such that while suppressing the high fusing point metal 8 from being stuck on sidewalls 6a and 6b, the high fusing point metal film 8 is formed on source/drain diffusion areas 7a and 7b and on a polycrystal silicon gate 4.例文帳に追加
高融点金属膜8を異方性スパッタにより積層することにより、サイドウォール6a、6b側壁への高融点金属膜8の付着を抑制しつつ、ソース/ドレイン拡散領域7a、7b上および多結晶シリコンゲート4上に高融点金属膜8を形成する。 - 特許庁
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