「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(318ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the sloped faces of the resist layers in the low-temperature-held sample and the heated sample are component-analyzed by a micro-area quantitative determination means to determine distributions of an acid component, two obtained component distributions are compared each other to determine the acid diffusion constant of an acid existing in the resist.例文帳に追加

次いで低温保持サンプルと加熱サンプルのレジスト層の傾斜面を、微少領域定量分析手段によって成分分析して酸成分の分布を決定し、得られる２つの成分分布を比較することにより、レジスト中に存在する酸の酸拡散定数を決定する。 - 特許庁

An insulating oxygen barrier layer 15 consisting of Al_2O_3 of about 20nm in thickness is formed on a side face of the conductive oxygen barrier layer 14, wherein the barrier layer 15 prevents diffusion of the oxygen atoms to the contact 13 from a side of the lower layer 14a of the conductive oxygen barrier layer 14.例文帳に追加

導電性酸素バリア層１４の側面上には、Ａｌ_２Ｏ_３からなり、導電性酸素バリア層１４の下部層１４ａの側方からの、すなわちコンタクト１３への側方からの酸素原子の拡散を防ぐ絶縁性酸素バリア層１５が２０ｎｍ程度の厚さに形成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory is equipped with: a semiconductor substrate 20; a gate electrode 34; first and second impurity diffusion regions 24a, 24b; first and second resistance change portions 22a, 22b; first and second main electrodes 36a, 36b; and first and second charge storage sections 40a, 40b.例文帳に追加

半導体基板２０と、ゲート電極３４と、第１及び第２不純物拡散領域２４ａ及び２４ｂと、第１及び第２抵抗変化部２２ａ及び２２ｂと、第１及び第２主電極３６ａ及び３６ｂと、第１及び第２電荷蓄積部４０ａ及び４０ｂとを備えている。 - 特許庁

The electrode preferably has an aspect wherein the electrode layer includes an electrode material metal, an aspect having a substrate, the metal silicide-including layer and the electrode layer in this order, or an aspect having the substrate, the metal silicide-including layer, an electrode material metal diffusion prevention layer and the electrode layer in this order.例文帳に追加

電極層が電極材金属を含有する態様、基板と金属シリサイド含有層と電極層とをこの順に有する態様、基板と金属シリサイド含有層と電極材金属拡散防止層と電極層とをこの順に有する態様が好ましい。 - 特許庁

Though the specific surface area of an electrode composed of the transparent electrode 10 and the semiconductor layer 20 can be increased by fining and lengthening the projections, and forming them densely, the space factor and the aspect ratio of the projections are set considering the problem of diffusion in the transfer layer 40, etc.例文帳に追加

透明電極１０及び半導体層２０からなる電極の比表面積を高めるためには、突起を細かくかつ長くし、そして密に形成すればよいが、電荷移動層４０中の拡散の問題等を考慮して、突起の空間占有率及びアスペクト比を設定する。 - 特許庁

The nitride film is formed from the side wall of the gate electrode on the upper part of the first oxide film to the rear side of the side contacting the side wall of the gate electrode of the first oxide film and all over a low concentration impurity diffusion region 35.例文帳に追加

上記窒化膜は、上記第１の酸化膜の上部における上記ゲート電極の側壁から、上記第１の酸化膜における上記ゲート電極の側壁に接する側面の裏面側、及び上記低濃度の不純物拡散領域３５上にわたって形成される。 - 特許庁

To obtain an electronic component which is capable of suppressing metal diffusion between an electrode layer made of Al or an Al alloy and another metal layer in a wiring electrode, an under-bump metal layer, or a pad electrode, and is provided with an electrode in which contact resistance between electrode layers is reliably reduced.例文帳に追加

配線電極、アンダーバンプメタル層またはパッド電極におけるＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極層と、他の金属層との間の金属の拡散を抑制することができ、電極層間の接触抵抗が確実に低められた電極を備える電子部品を得る。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Since the grain boundaries of the first platinum layer 81 are fed, while being difficult to continue to the grain boundary of the second platinum layer 82, a grain boundary diffusion is made hard to occur and reductant seeds are difficult to reach the oxide dielectrics film 7 via the grain boundary, even under hydrogen sintering with an aluminum wiring layer.例文帳に追加

第１白金層８１の粒界が少なく、また第２白金層８２の粒界とは連続しにくいので、粒界拡散が生じにくく、アルミ配線層１１の水素シンタを行っても還元種が粒界を介して酸化物誘電体膜７に到達しにくくなる。 - 特許庁

Since the adhesive 13 is coated on only a part of the electrode, the durability and reliability can be improved without the diffusion of the reactants such as a fuel and oxygen, and products such as water and carbon dioxide being inhibited, and without the degradation of the characteristics the fuel cell must have.例文帳に追加

接着剤１３は電極の一部にのみ塗布するので、燃料及び酸素などの反応物や、水及び二酸化炭素などの生成物の拡散を阻害することがなく、燃料電池が具備すべき特性を低下させることなく、耐久性や信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁

To provide an air cleaning device which securely prevents the diffusion of contaminated air, can effectively remove the contaminated air even though there are obstacles, and can remove the contaminated air without directly directing air flow to a user even though there is the user in a contaminated air area.例文帳に追加

汚染空気の拡散を確実に防ぎ、障害物があっても効果的に汚染空気を除去することができ、使用者が汚染空気エリアに存在しても直接気流を当てることなく汚染空気を除去できる空気清浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a channel layer 18 which is formed on a silicon substrate 10 and composed of SiGe whose thickness is 2-6 nm, a gate electrode 22 which is formed on the channel layer through a gate insulating film 20, and a source/drain diffusion layer 32 which is formed in both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリコン基板１０上に形成された、厚さ２〜６ｎｍのＳｉＧｅより成るチャネル層１８と、チャネル層上に、ゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層３２とを有している。 - 特許庁

To provide a steel sheet cleaning equipment constituted in such a manner that steel sheets can be uniformly and well cleaned by evenly spraying cleaning oil in the longitudinal direction of a brush roll and that the stagnation of foreign matter in respective oil diffusion pipes of cleaning oil discharge piping can be drastically suppressed.例文帳に追加

ブラシロールの長手方向に洗浄油を均等に吹き付けて鋼板を偏りなく良好に洗浄することができ、しかも、洗浄油吐出配管の各散油管内における異物の滞留を大幅に抑制できるようにした鋼板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

Since a heating means 45 constituted of a PTC element is directly brought into contact with a package of a packed beverage to heat the beverage, only the necessary quantity of beverages can be efficiently and quickly heated up to the temperature suitable for drinking while suppressing the diffusion of heat as much as possible.例文帳に追加

ＰＴＣ素子により構成された発熱手段４５と販売する容器入り飲料の容器とを直接接触して飲料を加温するものであるから、必要な本数分だけ飲み頃温度まで熱の拡散を極力抑えて効率よく短時間に加温できる。 - 特許庁

A diffusion member 110 is arranged in a space SP taken by eight suction nozzles 83, an LED lighting part 120 is arranged in a region on one side of a virtual vertical plane VP, and an imaging part 130 is arranged in a region on the other side.例文帳に追加

８本の吸着ノズル８３で取り込まれた空間ＳＰに拡散部材１１０が配置されるとともに、仮想鉛直面ＶＰに対して一方側の領域にＬＥＤ照明部１２０が配置される一方、他方側の領域に撮像部１３０が配置されている。 - 特許庁

To provide a new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while reducing the effect disturbing a crystal structure, without locally supplying energy more than is required, and which is injected into the semiconductor substrate to be used as a function region.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

To provide an injection molding machine capable of molding an LED illumination housing capable of preventing uneven brightness by diffusion of transmitted light and capable of preventing the deformation of the LED illumination housing even when a mold is opened before the LED illumination housing is completely cured.例文帳に追加

透過する光を拡散して輝度むらを防止できるＬＥＤ照明ハウジングを成形することができ、かつ、ＬＥＤ照明ハウジングが完全に硬化する前に金型を開いた場合でも該ＬＥＤ照明ハウジングが変形する事を防止できる射出成形機を提供する。 - 特許庁

First metal wirings 10 and 14 of first and second transistors connected, respectively, with first and second gates 4 and 6 constituting a pair transistor are connected, with first and second P-type diffusion layers 7 and 11, respectively.例文帳に追加

ペアトランジスタを構成する第一のゲート電極４と第二のゲート電極６にそれぞれ接続している第一トランジスタの第一金属配線１０と第二トランジスタの第一金属配線１４が、それぞれ第一のＰ型拡散層７および第二のＰ型拡散層１１に接続された構成とする。 - 特許庁

A gas chamber material 1 consisting of a shape memory alloy formed of a Ni-Ti alloy to achieve the phase transition from the martensitic phase during the assembly to the austenitic phase during the operation, is used for the gas chamber material provided in a gas chamber 3 formed of a gas diffusion electrode 4 and a frame 2.例文帳に追加

ガス拡散電極４とフレーム２とで形成されるガス室３内に設けるガス室材として、組立時にはマルテンサイト相であるが、運転時にはオーステナイト相と相変態するＮｉ−Ｔｉ合金で作った形状記憶合金からなるガス室材１を使用する。 - 特許庁

The lens cover 11 is equipped with a first reflection section 41 for reflecting light 101 emitted from the included angle light diffusion reflecting section 25 to the front side of the lighting fixture and a first emission section 43 for emitting the light 102 reflected by the first reflection section 41 from the lens surface.例文帳に追加

レンズカバー１１は、挟角光拡散反射部２５から出射された光１０１を灯具前方に反射する第１反射部４１と、該第１反射部４１によって反射された光１０２をレンズ表面から出射させる第１出射部４３とを有する。 - 特許庁

A spray type diffusion mixer has a clearance adjustment mechanism 6 which changes a clearance C to be an orifice corresponding to the change of the pressure of the inflow side with the change of the flow rate of the liquid to maintain the pressure of the inflow side at a preset target pressure irrespectively of the flow rate.例文帳に追加

流量の多少にかかわらずその流入側の圧力を予め設定された目標圧力に維持することができるように、液体の流量変化に伴う流入側の圧力変化に応じてオリフィスとなるクリアランスＣを変化させるクリアランス調整機構６を備えた。 - 特許庁

A region just under a charge holding part, of the bottom surface of both sides of the projection of a semiconductor substrate having a projection step in the cross-section in the direction perpendicular to the gate electrode is formed as a part of the diffusion layer region completely working as the source/drain on the active region.例文帳に追加

ゲート電極に垂直な方向の断面において、凸部の段差を有する半導体基板の凸部両側底面であって電荷保持部の直下である領域が、活性領域上では、全てソース／ドレインである拡散層領域の一部である構造にした。 - 特許庁

To provide a light emitting element having an element substrate bonded to an emission layer part through a contact metal layer and a reflection metal layer in which the emission layer part is insusceptible to diffusion of components from the contact metal layer even if the contact metal layer is subjected to heat treatment for alloying.例文帳に追加

コンタクト金属層及び反射用の金属層を介して素子基板を発光層部に結合した発光素子において、コンタクト金属層の合金化熱処理を行っても、該コンタクト金属層からの成分拡散の影響が発光層部に及びにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。 - 特許庁

This porous gas diffusion body is formed as an aggregate of fibers of a conductive substance, the surfaces of the individual fibers are coated with a fluororesin (PTFE), and the coating amount thereof is set in the range of 0.06-1.20mg/cm^2 with respect to the total surface area of the fibers.例文帳に追加

多孔質ガス拡散体を、導電性物質の繊維の集合体として構成し、その個々の繊維の表面をフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）で被覆してあり、その被覆量が、繊維の全表面積に関して０．０６〜１．２０ｍｇ／ｃｍ^２の範囲にあるようにしたもの。 - 特許庁

To provide a light diffusion film which can efficiently remove luminance irregularity and has both of high uniformity ratio and high luminance characteristics, and to provide a surface light source which unites both characteristics of high luminance and high uniformity ratio and can be used as a novel direct type backlight.例文帳に追加

本発明は、輝度ムラを効率良く解消し、画面上の均斉度と高輝度特性を両立することができる光拡散フィルムと、それを用いた高輝度かつ高均斉度を兼ね備えた新規な直下型バックライトとなり得る面光源を提供せんとするものである。 - 特許庁

A light diffusion plate 10 obtained by dispersedly mixing light scattering particles 13 into a resin 12 includes at least two layers of the first resin layer 20 having a light transmission of T1% and the second resin layer 21 having a light transmission of T2% (T1%<T2%).例文帳に追加

樹脂１２に光散乱粒子１３が分散混入されてなる光拡散板１０を、全光線透過率がＴ１％である第１樹脂層２０と全光線透過率がＴ２％（Ｔ１％＜Ｔ２％）である第２樹脂層２１との少なくとも２層から構成する。 - 特許庁

A capacity value of the floating diffusion region 30 is equal to or larger than a sum of a first capacity value necessary for accepting the maximum signal charge accumulation amount and a second capacity value necessary for accepting signal charges generated from a photodiode 10 in the first period.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域３０の容量値は、最大信号電荷蓄積量を受入れるために必要な第１の容量値と、上記第１の期間においてフォトダイオード１０が発生する信号電荷を受入れるために必要な第２の容量値との和以上である。 - 特許庁

Since the distance (d1) between the gate electrode 5 and the drain electrode, the distance (d2) between the gate electrode 5 and the drain wiring, and the distance between the gate electrode 5 and the drain diffusion region can be made larger than those in the conventional semiconductor device having the same size, the capacitance between them can be reduced.例文帳に追加

このようなゲート電極構造により、ゲート電極−ドレイン電極間距離（ｄ１）、ゲート電極−ドレイン配線間距離（ｄ２）、ゲート電極−ドレイン拡散領域間距離を同じサイズの従来のものより大きくすることができるのでそれらの間の容量が低減される。 - 特許庁

In this way, at the time of proofreading the pressure measuring means (105), the flow of the gas for proofreading a pressure measuring means is generated in the reaction vessel (102), so that the reverse diffusion of oil in an evacuating apparatus (103) into the reaction vessel (102) can be prevented.例文帳に追加

これにより、圧力測定手段（１０５）の校正を実施する際に、反応容器（１０２）内に圧力測定手段校正用ガスの流れが発生することになるため、排気装置（１０３）内の油が反応容器（１０２）内に逆拡散することを防止することができる。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

In the image processing method with which a multi-gradation image is divided into two regions and the regions are composed after error diffusion processing is executed, before dividing the source image into the two regions, an error of each pixel on a dividing line is diffused over the two regions.例文帳に追加

多階調画像を２つの領域に分割し、各領域に対して誤差拡散処理を実行してから合成するようにした画像処理方法であって、前記原画像を２つの領域に分割する前に、分割ライン上の各画素の誤差を２つの領域に拡散する。 - 特許庁

This limiting current type oxygen sensor 13 is constituted of at least an oxygen ion conductive solid electrolyte sheet 15, a pair of electrode films 16, 17 formed on a surface of the solid electrolyte sheet 15, and an oxygen diffusion limiting body 19 joined via a glass film 18 surrounding the one-side electrode film 16.例文帳に追加

酸素イオン伝導性固体電解質板１５と、酸素イオン伝導性固体電解質板１５の表面に形成した一対の電極膜１６、１７と、片側の電極膜１６を囲む硝子膜１８を介して接合させた酸素拡散制限体１９とから少なくとも構成される。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

P-type impurity is diffused into a semiconductor substrate 100 with an n-type semiconductor region 1 and an n^--type semiconductor region 2a formed thereon through heat diffusion method, until a predetermined depth is obtained to form an n^--type semiconductor region 2 and a p-type semiconductor region 3a.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１及びｎ^−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ^−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。 - 特許庁

In the lithographic printing plate having at least one silver halide emulsion layer on a surface-roughened and anodically oxidized aluminum support and applying the silver complex salt diffusion transfer process, a polymeric latex having a Tg of ≥0°C is contained in the silver halide emulsion layer.例文帳に追加

粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該ハロゲン化銀乳剤層にＴｇが０℃以上のポリマーラテックスを含有させることによって達成された。 - 特許庁

The light diffusion sheet 1 comprises the substrate 2; grooves 3 formed on the substrate 2 substantially with a constant pitch such that long axial directions become parallel to one another; and the transparent resin layer 4, having a refractive index different from that of the substrate 2 embedded in the grooves 3.例文帳に追加

本発明に係る光拡散シート１は、基材２と、基材２上に形成され、長軸方向が互いに平行になるように、略一定のピッチで形成された溝３と、溝３中に埋め込まれた基材２と屈折率の異なる透明樹脂層４とを有するものである。 - 特許庁

This air conditioner for the vehicle comprising a steam compression type freezing cycle using the flammable refrigerant, is provided with a relief diffusion valve capable of diffusing and releasing the refrigerant in the freezing cycle to the atmospheric air while changing the releasing direction, in the freezing cycle.例文帳に追加

可燃性冷媒を使用する蒸気圧縮式冷凍サイクルを備えた車両用空調装置において、冷凍サイクル中に、冷凍サイクル内の冷媒を放出方向を変えながら大気中に拡散放出可能なリリーフ拡散弁を設けたことを特徴とする車両用空調装置。 - 特許庁

To ensure stable cell performance by enabling it to perform satisfactory diffusion of gases necessary for the reaction, while retaining mechanical strength for the electrode, and in particular, by forming a carbon layer which has a smooth surface, regardless of unevenness of the electrode substrate and has an improved uniform water repellency.例文帳に追加

電極の機械的な強度を確保しながら、反応に必要な気体の拡散を良好に行うことを可能にし、特に、電極基材の凹凸に関わらず平滑な表面を持つ、均一で撥水性に優れたカーボン層を形成し、安定な電池性能を確保する。 - 特許庁

To provide a contaminant diffusion prevention mat making a noxious substance absorbing layer extremely thin, easily and surely laid on contaminated sediment without becoming too low in specific gravity like a conventional water permeable sheet and preventing whirling-up of the contaminated sediment when covering it with sand.例文帳に追加

有害物質を吸収する層を非常に薄くすることができ、また従来の透水性シートのように比重が小さくなり過ぎず汚染底質への敷設を容易且つ確実にでき、更に覆砂する際に汚染底質の巻き上げを防止できる汚染物質拡散防止マットを提供する。 - 特許庁

Lower layer embedded interconnections 103 are formed via a first diffusion preventive layer 102 on a first insulation film 101, formed on a semiconductor substrate 100 and a second insulation film 104, is formed on the lower layer embedded interconnections 103 and the first insulation film 101.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の絶縁膜１０１には、第１の拡散防止層１０２を介して下層の埋め込み配線１０３が形成されており、下層の埋め込み配線１０３及び第１の絶縁膜１０１の上には第２の絶縁膜１０４が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

A substrate storing container 102 has a supply opening 103 for supplying gas and an exhaust opening 104 for exhausting the gas, and is provided with a diffusion part 109 so that the gas supplied from the supply opening 103 does not generate a strong stream.例文帳に追加

基板収容器１０２には、気体を供給するための供給口１０３と気体を排出するための排出口１０４が設けられ、更に、供給口１０３から供給した気体が強い気流を生じさせないように、供給口付近に拡散部１０９が設けられている。 - 特許庁

There is provided an oxygen-consuming electrode including a support in the form of a sheet-like structure and a coating which includes a gas diffusion layer and a catalytically active component, wherein the support is based on a material which can be at least partly removed by dissolution, decomposition, melting and/or vaporization.例文帳に追加

シート様構造物状の支持体、並びにガス拡散層および触媒活性成分を含んでなる被膜を含んでなる酸素消費電極であって、支持体が溶解、分解、溶融および／または蒸発によって少なくとも部分的に除去できる材料に基づく酸素消費電極。 - 特許庁