「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A main body 150 having the light outgoing end face 150a for the outgoing of laser light is formed on a semiconductor substrate or an n-type GaAs substrate.例文帳に追加

半導体基板ｎ型ＧａＡｓ基板上には、レーザ光を出射する光出射端面１５０ａを有する本体１５０が形成されている。 - 特許庁

A WSi film 71a is deposited on a GaAs substrate 70, and an Si ion is implanted using a mask 72, to form an active layer 74a.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板７０の上にＷＳｉ膜７１ａを堆積し、マスク７２を用いて、Ｓｉイオンを注入して活性層７４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semi-insulating GaAs single crystal with a constant carbon concentration in the direction of crystal growth through a VGF or VB method.例文帳に追加

ＶＧＦ法およびＶＢ法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法を提供する。 - 特許庁

Material gas supplied into a reactor is decomposed thermally near a heated GaAs substrate 1, and an AlGaAs layer 2 grows on the substrate 1.例文帳に追加

反応炉内に供給された原料ガスは、加熱されたＧａＡｓ基板１付近で熱分解され、基板１上にＡｌＧａＡｓ層２が成長する。 - 特許庁

An Al oxide layer (AlO_x) 88 in the thickness of 40 nm is individually provided between the GaAs substrate and the first semiconductor elements 84A, 84B.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と第１の半導体素子８４Ａ、Ｂとの間には、膜厚４０ｎｍのＡｌ酸化層（ＡｌＯ_ｘ ）８８が個別に介在している。 - 特許庁

An SiO_2 protective layer 20 is grown on the rear face of a GaAs substrate 10 having a (001) plane and an about 10 nm GaN buffer layer 12 is grown on the surface.例文帳に追加

（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。 - 特許庁

In this method of producing the conductive impurity-doped GaAs semiconductive single crystal, arsenic is doped in a doping amount (the weight ratio of an amount of arsenic to an amount of crystal) of >7×10-5<3×10-4.例文帳に追加

ドープ量（結晶の重量に対する硼素の重量比）が７×１０^-5より大きく３×１０^-4より小さくなるように硼素をドープする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can prevent damages by a plasma and can manufacture the device in a small number of processes, in a GaAs semiconductor process.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、プラズマによるダメージから防ぐことができ、かつ工程が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the GaAs layer 106 is semi-insulating, even if the p-type diffused region 107 is made, pn junction is not made in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１０６が半絶縁性なので、ｐ型拡散領域１０７を形成しても、基板表面付近にはｐｎ接合が形成されない。 - 特許庁

To provide a GaAs Hall element, capable of maintaining I/O resistance characteristics, cumulative sensitivity, or the like, stably and with high accuracy ranging over a long term.例文帳に追加

入出力抵抗や積感度等の特性を長期間に亘り安定かつ高精度に維持することが可能なＧａＡｓホール素子を提供する。 - 特許庁

Then, the p-type upper clad layer 18 is exposed by forming a stripe-like opening 24 in the GaAs cap layer 20 by performing selective etching only on the layer 20.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓキャップ層のみに選択エッチングを行い、ストライプ状の開口２４を設け、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層を露出させる。 - 特許庁

A ridge 2 for red laser, which extends in a direction <011> and has a shape of inverse mesa stripe, is formed on the main surface of the n-type GaAs off-board 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓオフ基板１の主面には、＜０１１＞方向に延在する逆メサストライプ形状の赤色レーザ用リッジ２が形成されている。 - 特許庁

To provide an emitter-follower type bias circuit which can operate at a low reference voltage suited to a reference voltage generating circuit using a GaAs BiFET (HBT+FET) process.例文帳に追加

ＧａＡｓ系ＢｉＦＥＴ（ＨＢＴ＋ＦＥＴ）プロセスを用いた基準電圧発生回路に適した、低い基準電圧で動作できるエミッタフォロワ型バイアス回路を提供する。 - 特許庁

Silicon and boron are doped in an amount of 1×1017 to 2×1018/cm3 and 1×1018 to 5×1018/cm3, respectively, into the Zn-doped GaAs.例文帳に追加

ＺｎドープＧａＡｓ中に、１×１０^17〜２×１０^18ｃｍ^-3の濃度のシリコンと１×１０^18〜５×１０^18ｃｍ^-3の濃度のホウ素を含有させる。 - 特許庁

The process includes an operation 508 for introducing ammonia together with an acceleration reagent of ammonia decomposition into a reaction chamber including a thin film of GaAs.例文帳に追加

この方法は、ＧａＡｓ薄膜を有する反応室内にアンモニアの分解を促進する試剤と共にアンモニアを導入する操作５０８を有する。 - 特許庁

A diode/FET electrode 9 is formed between the diode electrode 8 and the FET gate electrode 5 on the upper surface side of the first GaAs layer 4.例文帳に追加

第１ＧａＡｓ層４の上面側にダイオード電極８とＦＥＴゲート電極５との間で形成されるダイオード／ＦＥＴ電極９が形成されている。 - 特許庁

Nitrogen as an element having an action of hardening impurities and a dopant other than nitrogen are jointly doped, so that the GaAs single crystals having small dislocation density can be obtained.例文帳に追加

不純物硬化作用元素としての窒素と、窒素以外のドーパントとを共にドープすることにより転位密度が小さいＧａＡｓ単結晶が得られる。 - 特許庁

To ensure a smooth current flow between a III-V compound semiconductor single crystal including GaAs and an ohmic electrode for external connection.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む３−５族化合物半導体単結晶と外部接続用オーミック電極との間で電流を円滑に流すことができるようにすること。 - 特許庁

The vacuum suction of a GaAs substrate 1 to a vacuum chuck 5 is performed, and a positive resist 4 is exposed through a mask 7a from an exposing light source 6a to perform patterning.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１を真空チャック５に真空吸着し、露光光源６ａからマスク７ａを通してポジ型レジスト４を感光させ、パターニングを行う。 - 特許庁

The compound semiconductor single crystal is manufactured by growing a GaAs single crystal or an InP single crystal by a vertical Bridgman method using the vessel.例文帳に追加

この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 - 特許庁

Temperature T of a gallium arsenide (GaAs) single crystal substrate is set to T1 and a homogeneous layer having the same composition as the single crystal substrate is epitaxially grown.例文帳に追加

ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）単結晶基板の基板温度ＴをＴ１に設定し、単結晶基板と同一組成のホモ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 10 has a p-type semiconductor layer 2 and an n-type semiconductor layer 4 formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１０は、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられたｐ型半導体層２とｎ型半導体層４とを備える。 - 特許庁

To obtain an element where light-emitting efficiency is high and an oscillation threshold is low in an optical semiconductor element of long wavelength using a GaAs substrate and a GaInAsN well layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と、ＧａＩｎＡｓＮ井戸層と、を用いた長波長の光半導体素子において、発光効率が高く、発振閾値が低い素子を得る。 - 特許庁

A p electrode is formed over a top face of the mesa contact layer and the insulating film, and an n electrode is formed in a second surface of the GaAs substrate.例文帳に追加

メサコンタクト層の上面及び絶縁膜に掛けてｐ電極が形成され、ＧａＡｓ基板の第２の面にはｎ電極が形成されている。 - 特許庁

In a nitride-based semiconductor, the height of a Schottky barrier Φ_B markedly changes with respect to the work function of a metal Φ_M, unlike GaAs and Si.例文帳に追加

ナイトライド系半導体では、ＧａＡｓ及びＳｉとは異なり、金属の仕事関数Φ_Mに対してショットキー障壁高さΦ_Bが顕著に変化する。 - 特許庁

A first electrode part formed of a WSi/W film is made on a GaAs semiconductor substrate, and a second electrode part including a Pt film is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体基板上にＷＳｉ／Ｗ膜からなる第１の電極部を形成した後、Ｐｔ膜を含む第２の電極部を形成する。 - 特許庁

To reduce the size of a semiconductor device by integrally forming a GaAs semiconductor element and an Si semiconductor element on a single substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体素子と、Ｓｉ半導体素子と、一つの基板上に集積して形成することにより、半導体装置を小型化することを目的とする。 - 特許庁

For actual use, a first electrode is formed on the NiAl layer 5 and a second electrode is formed on the n+-GaAs layer 3 exposed by etching.例文帳に追加

尚、実際の使用には、ＮiＡl層５上に第１の電極を形成し、エッチングで露出したｎ^+-ＧaＡs層３上に第２の電極を形成する。 - 特許庁

In the manufacture of a mirror-finished wafer, the undoped semi-insulating GaAs crystal is allowed to grow, is cooled and, thereafter, is worked into a wafer and the wafer is subjected to mirror surface polishing.例文帳に追加

鏡面ウェハを得るには、アンドープ半絶縁性ＧａＡｓ結晶を成長し、結晶を冷却し、その後ウェハに加工し、鏡面研磨する。 - 特許庁

The p-type GaAs base layer 34 and the metal electrode 18 are electrically connected by a connecting portion 40 outside the semi-insulating region 38.例文帳に追加

半絶縁性領域３８よりも外側において、ｐ型ＧａＡｓベース層３４と金属電極１８は接続部４０により電気的に接続されている。 - 特許庁

To reduce the dispersion in the specific resistance value and/or carrier mobility in a plane parallel to the crystal main plane of a GaAs crystal having high specific resistance.例文帳に追加

比抵抗の高いＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきを低減する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 10 includes a first conductive GaAs board 12, a group third-fifth compound semiconductor layer 14 formed on the GaAs board 12, an active layer 16 formed on the group third-fifth compound semiconductor layer 14, and a second conductive upper clad layer 18 formed on the active layer 16.例文帳に追加

半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。 - 特許庁

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces.例文帳に追加

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。 - 特許庁

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid.例文帳に追加

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a field effect transistor which has excellent high-frequency characteristics by suppressing the formation of a surface oxide layer and the occurrence of a metal contamination or the like by exposing the surface of a GaAs layer with the air and keeping the surface of the GaAs layer clean and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＧａＡｓ層表面が空気に暴露されることによる表面酸化層の形成や金属汚染などの発生を抑制し、ＧａＡｓ層表面を清浄に保つことにより高周波特性に優れた電界効果トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The FET 1 has an electron supply layer 14 made of AlGaAs, an interface stabilizing layer 15 which is provided on the electron supply layer 14 and contains no Al, an etching stop layer 16 which is provided on the interface stabilizing layer 15 and made of InGaP, and a contact layer 17 which is provided on the etching stop layer 16 and made of GaAs.例文帳に追加

ＦＥＴ１は、AlGaAsからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に設けられた、Alを含まない界面安定化層１５と、界面安定化層１５上に設けられた、InGaPからなるエッチングストップ層１６と、エッチングストップ層１６上に設けられた、GaAsからなるコンタクト層１７と、を備えている。 - 特許庁

The instability of meniscus in the growth of single crystal is improved by using a small amount of B2O3 6 having an amount to cover a gap of a contact part of a PBN container 7 and a GaAs single crystal 5 as a lower limit and such an amount as to expose part of the surface of a GaAs single crystal to an atmosphere as an upper limit.例文帳に追加

下限をＰＢＮ容器７とＧａＡｓ単結晶５との接触部の隙間を覆う量とし、上限をＧａＡｓ単結晶５の上面の一部が露出する程度の量とした少量のＢ_2 Ｏ_3 ６を使用することにより、単結晶成長時のメニスカスの不安定性が改善される。 - 特許庁

There is a difference in height between a GaAs/AlGaAs based infrared colored laser element 20 and an AlGaInP based infrared colored laser element 30 formed on an n-GaAs substrate 10, while the element-mounting face of the sub-mount member 40 has a step, corresponding to the difference in the height of both laser elements.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０表面上に形成されているＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系赤外色レーザ素子２０とＡｌＧａＩｎＰ系赤外色レーザ素子３０とには高低差がある一方、サブマウント部材４０の素子搭載面には両レーザ素子の高低差に対応した段差が設けられている。 - 特許庁

The carrier concentration of the Si-GaAs substrate 1 is set to 1×10^17 cm^-3 or larger and 7×10^17 cm^-3 or smaller, and the number of atoms diffused from the Si-GaAs substrate 1 to the active layer 4 is reduced, thus obtaining a semiconductor laser having improved emission characteristics of the active layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３以上７×１０^１７ｃｍ^−３以下とすることによって、Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１から活性層４へと拡散する原子の数を低減して、活性層４の発光特性に優れた半導体レーザとすることができる。 - 特許庁

The infrared detector comprises a GaAs substrate 10, a multiple quantum well layer 14 formed thereon, and an antireflection film 24 formed on the rear surface of the GaAs substrate in order to reduce reflectance for infrared rays of 8-12 μm to 1% or below at the time of normal incidence.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０と、ＧａＡｓ基板１０上に形成された多重量子井戸層１４と、ＧａＡｓ基板の裏面に形成され、波長が８〜１２μｍの赤外線に対する垂直入射時の反射率を１％以下に低減する反射防止膜２４とにより赤外線検出器を構成する。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor laser device includes a step of forming a GaAs layer, a step of forming a protective layer, a step of activating impurities, and a step of removing the protective layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子の製造方法は、ＧａＡｓ層形成工程と、保護層形成工程と、不純物活性化工程と、保護層除去工程とを含んで構成される。 - 特許庁

Therefore, the modified region 7 having extremely high function as the cut start point is formed on the board-like processing object 1 having the GaAs substrate 12.例文帳に追加

従って、ＧａＡｓ基板１２を備える板状の加工対象物１に対し、切断の起点としての機能が極めて高い改質領域７を形成することができる。 - 特許庁

Furthermore, in a GaAs-based semiconductor light-emitting device, to trap carriers in an active layer, InrGa1-rN (0<r≤1) having a large band gap is used for a clad layer.例文帳に追加

また、ＧａＡｓ系の半導体発光素子において、活性層にキャリアを閉じ込めるために、バンドギャップが大きいＩｎ_ｒＧａ_１−ｒＮ（０＜ｒ≦１）をクラッド層に用いる。 - 特許庁

The photonic crystalline body 2 consists of a face-centered cubic lattice structure two-dimensionally or three-dimensionally arrayed with rod-like GaAs at specified intervals and has photonic bands.例文帳に追加

フォトニック結晶体２は、棒状のＧａＡｓを一定間隔で２次元的もしくは３次元的に配列した面心立方格子構造から成り、フォトニックバンドを有する。 - 特許庁