「GaaS」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

This compound semiconductor epitaxial wafer comprises a buffer of a multilayer structure obtained, by laminating a buffer layer 10 of a multilayer structure obtained through lamination of AlGaAs and GaAs in a plurality of periods, the buffer layer of a multilayer structure obtained by laminating AlXGa1-XAs and AlYGa1-YAs in a plurality of periods or a buffer layer of a multilayer structure obtained by laminating InGaAs and GaAs in a plurality of periods.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間に、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層１０、もしくはＡｌ_x Ｇａ_1-x ＡｓとＡｌ_y Ｇａ_1-y Ａｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層２０、もしくはＩｎＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層３０を設ける。 - 特許庁

When the back metal electrode film 7a (or, a side metal electrode film 7b) has an electric field of a potential applied thereon and higher than that of an epitaxial resistor 3, a hole-injection from the side of the back metal electrode film 7a (or, the side metal electrode film 7b) to the semi-insulating GaAs substrate 1 can be prevented.例文帳に追加

このような構造とすることにより、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）がエピタキシャル抵抗部３より高電位となるような電界を印加する場合、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）側から半絶縁性GaAs基板１へホール注入されるのを防止することができる。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁

By utilizing the selection etching characteristics of the GaAs and InGaAs of etching solution where hydrogen peroxide water is mixed with alkaline solution, and at the same time the pH of the mixed liquid is equal to 9.5 or more and 11.5 or less, an InGaAs layer is set to an overhang, and the undercut structure is formed in a shape where a GaAs layer is engraved.例文帳に追加

過酸化水素水とアルカリ性水溶液を混合し、かつ、その混合液のｐＨが９．５以上１１．５以下であるエッチング溶液が持つＧａＡｓとＩｎＧａＡｓの選択エッチング特性を利用することにより、ＩｎＧａＡｓ層を庇としＧａＡｓ層が掘り込まれた形状のアンダーカット構造を形成することができる。 - 特許庁

Lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 6 and a p-AlGaAs clad layer 5 are cut by etching, and lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 26 and a p-AlGaInP clad layer 25 are cut by etching.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出されてある。 - 特許庁

The J-FET is equipped with an undoped InGaAs channel layer 5 that stores carriers of first-conductivity type, a p^+-type GaAs layer 17 (semiconductor layer) which is formed on the undoped InGaAs channel layer 5 and contains impurities of second-conductivity type, and a gate electrode 18 formed on the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るＪ−ＦＥＴは、第１導電型のキャリアを蓄積するアンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５と、アンドープＩｎＧａＡｓチャネル層５上に設けられ、第２導電型の不純物を含有するｐ^＋型ＧａＡｓ層１７（半導体層）と、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７上に設けられたゲート電極１８と、を備えている。 - 特許庁

The face light-emitting type semiconductor laser device 30 comprises an n-type lower semiconductor multilayer film reflector 32, a lower cladding layer 33, an active layer 34, an upper cladding layer 35, a p-type upper semiconductor multilayer film reflector 36, and a p-type GaAs cap layer 37 successively formed on an n-type GaAs substrate 31 as constituting layers.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に、順次に形成された、ｎ型の下部半導体多層膜反射鏡３２、下部クラッド層３３、活性層３４、上部クラッド層３５、ｐ型の上部半導体多層膜反射鏡３６、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層３７を構成層として備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, the GaAs group vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure formed on the surface of a GaAs monocrystal substrate by epitaxial growth is directly joined with the surface of a 1st base body constituted of forming a compound semiconductor layer on the surface of Si group monocrystal substrate consisting of Si, SiGe or Ge by epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ、又は、ＳｉＧｅ、又は、ＧｅからなるＳｉ系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第１の基体上に、ＧａＡｓ単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＧａＡｓ系面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）構造体が直接接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

The method also includes: applying a resist 5 on the hydrophilic portion 4; forming an opening on a desired part of the resist 5; forming an opening on the hydrophilic portion 4 and the silicon-containing thin film 1 by using a chemical containing fluorine to expose the surface of the GaAs semiconductor substrate 2; and forming a via hole 6 by etching on the GaAs semiconductor substrate 2 by a dry etching method.例文帳に追加

この親水化部４上にレジスト５を塗布し、該レジスト５の所望の部位に開口部を形成し、フッ素を含む薬液によりレジスト開口部内の親水化部４および含シリコン薄膜１に、開口部を形成してＧａＡｓ半導体基板２の表面を露出し、ドライエッチ法によりＧａＡｓ半導体基板２にビアホール６をエッチング形成する。 - 特許庁

The light-emitting element comprises a main light-emitting layer 5 which emits infrared light beams, a p-AlGaAs layer 7 which covers the main light-emitting layer 5, a heavily-doped p-GaAs layer 8 jointed directly on the p-AlGaAs layer 7, and an InTiO_x layer 9 jointed directly on the p-GaAs layer 8.例文帳に追加

本発明による発光素子は、近赤外線を発生する主発光層５と、主発光層５を被覆するｐ−ＡｌＧａＡｓ層７と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層７の上に直接に接合された、高濃度にドープされたｐ−ＧａＡｓ層８と、ｐ−ＧａＡｓ層８の上に直接に接合されたＩｎＴｉＯ_ｘ層９とを具備する。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

The light-emitting device comprises a current blocking layer 32 which is formed on a GaAs substrate 28 having a (100)-like face as a major face; and first and second extended portions 30, 31 of the current blocking layer 32, which are formed continuously from the current blocking layer 32 and extended substantially perpendicular to flat surfaces of the GaAs substrate 28, respectively.例文帳に追加

ほぼ（１００）面を主面とするＧａＡｓ基板２８上に形成された電流阻止層３２を含む発光素子と、この電流阻止層３２に連続形成され、前記ＧａＡｓ基板のフラット面それぞれ実質的に垂直な方向に延長された第１および第２の電流阻止層延長部３０、３１が形成されている。 - 特許庁

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer.例文帳に追加

本発明の光検知装置におけるＭＱＷ構造は、ｎ−ＧａＡｓ層２１上に量子井戸ポテンシャルを有するＧａＡｓ層２２と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するＡｌＧａＡｓ層２３とを交互に複数積層成長させ、最上層にＩｎバンプ１５との良好な接続を確保するためのｎ−ＧａＡｓ層２４が形成されてなり、各ＡｌＧａＡｓ層２３には、ＧａＡｓ層２２から見たＧａＡｓ基板１１側の界面に選択的にｎ^+型不純物２５、一般的にＳｉが選択的にドーピングされている。 - 特許庁

The GaAs switch SW1 is provided with 6 terminals S11-S16, the low pass filter LPF1 is connected to the terminal S14 and the low pass filter LPF2 is connected to the terminal S16 respectively.例文帳に追加

ＧａＡｓスイッチＳＷ１は６つの端子Ｓ１１〜Ｓ１６を備え、端子Ｓ１４には低域通過フィルタＬＰＦ１、端子Ｓ１６には低域通過フィルタＬＰＦ２がそれぞれ接続される。 - 特許庁

The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型下部クラッド層１２、活性層１３、p型上部クラッド層１４を順次成長させて発光部を構成する。 - 特許庁

The JFET 30 has the same constitution as that of the conventional JEFT, except that a protective film 32 on a GaAs substrate 12 is formed as a double layer structure.例文帳に追加

本ＪＦＥＴ３０は、ＧａＡs 基板１２上の保護膜３２が２層構造として形成されていることを除いて、従来のＪＦＥＴ１０の構成と同じ構成を備えている。 - 特許庁

An n-type semiconductor distributed Bragg reflection mirror 3 is formed on an n-type GaAs substrate 2, and an n-type Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 having a thickness of λ/4 is laminated thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 2, an n-semiconductor distribution Bragg reflector 3 is formed and on it, an n-Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 with a thickness λ/4 is laminated.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁

A projecting part 20 is formed on the cap layer of p-GaAs in the area close to the end face, and a projecting area 21 is formed in the area of a first electrode 10 close to the end face.例文帳に追加

端面近傍の領域におけるｐ−ＧａＡｓキャップ層に隆起部２０が形成され、端面近傍における第１電極１０の領域に隆起領域２１が形成される。 - 特許庁

Between the second GaP light extraction layer 90 and the light emitting layer 24, a connection layer 91 composed of GaAs_XP_1-X (where, X is GaAs mixed crystal ratio: 0<X<1) is provided.例文帳に追加

そして、第二のＧａＰ光取出層９０と発光層部２４との間に、ＧａＡｓ_ＸＰ_１−Ｘ（ただし、ＸはＧａＡｓ混晶比：０＜Ｘ＜１）からなる接続層９１を設ける。 - 特許庁

Further, the base epitaxial resistance element 28 has a base epitaxial resistance element region 29 crossing the wiring portion 26 when being viewed from a direction perpendicular to a principal surface of a semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

また、ベースエピ抵抗素子２８は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の主面に垂直な方向から見て、配線部２６と交差しているベースエピ抵抗素子領域２９を有する。 - 特許庁

To this structure, a mask material is buried in the lower part of the overhang, and a region that is not covered with the mask material is etched by solution for etching the GaAs, thus forming the ledge structure.例文帳に追加

この構造に対し、庇部分の下部にマスク材を埋め込み、ＧａＡｓをエッチングする溶液によりマスク材に覆われていない領域をエッチングすることによりレッジ構造を形成する。 - 特許庁

An initial-stage amplifying element Fe1 for amplifying an input signal, and a poststage amplifying element Q2 for amplifying the output signal of the Fe1 are formed on the same GaAs substrate.例文帳に追加

同一のＧａＡｓ基板上に、入力信号を増幅する初段増幅素子Ｆｅ１と、Ｆｅ１の出力信号を増幅する後段増幅素子Ｑ２が形成されている。 - 特許庁

A polyparaxylilene film 16 of the dielectric constant of about 2.4 is formed on the n+-GaAs contact layer 14, while an opening part 18b is formed above the recess channel 23.例文帳に追加

また、ｎ^+ −ＧａＡｓコンタクト層１４上には、比誘電率２．４程度のポリパラキシリレン膜１６が形成されていると共に、リセス溝２３上方に開口部１８ｂが形成されている。 - 特許庁

Then an AlGaAs first contact layer 12 having a thickness of 0.01 μm and a GaAs second contact layer 13 having a thickness of 0.01 μm are provided on the semiconductor region 2.例文帳に追加

半導体領域３の上に厚さ０．０１μmのＡｌＧａＡｓから成る第１のコンタクト層１２と厚さ０．０１μmのＧａＡｓから成る第２のコンタクト層１３とを設ける。 - 特許庁

By forming an N-channel MOS device 114 and a P-channel MOS device 116 in the GaAs well 106 and the Ge well 110, respectively, an integrated circuit is formed by interconnection.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳ装置１１４及びＰチャンネルＭＯＳ装置１１６を夫々ＧａＡｓウエル１０６及びＧｅウエル１１０内に形成し、相互接続して集積回路を形成する。 - 特許庁

The first base layers 3 are formed of GaAs, and arranged on the first main surface MP in such a way that they are adjacent to a widthwise direction in a form where inverted V-shape cross-sections are convexes.例文帳に追加

第一ベース層３はＧａＡｓからなり、各々逆Ｖ字断面の凸条形態により第一主表面ＭＰ上にて幅方向に隣接する形で配置されている。 - 特許庁

A lattice mismatching coefficient of an n-type Al_xIn_zP current block layer 50 for an n-type GaAs substrate 41 is set to the uniform value of -0.10% within the n-type Al_xIn_zP current block layer 50.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板４１に対するｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０の格子不整合率を、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０内で一様に−０.１０％とする。 - 特許庁

To provide a transistor element that can suppress deterioration of HEMT mobility as regards the transistor element which has HEMT and HBT laminated sequentially on its GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＨＥＭＴ、ＨＢＴを順次積層してなるトランジスタ素子において、ＨＥＭＴの移動度の低下を抑制することが可能なトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

A second substrate 31 made of GaAs is provided with: a laser oscillation part 60 made of an AlGaAs based semiconductor layer; and a laser oscillation part 70 made of an AlGaInP based semiconductor layer.例文帳に追加

ＧａＡｓよりなる第２の基板３１にＡｌＧａＡｓ系半導体層よりなるレーザ発振部６０と、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層よりなるレーザ発振部７０とを設ける。 - 特許庁

To largely improve light emitting efficiency by growing an AlGaInP semiconductor layer having good crystallinity on a GaAs substrate inclined froma plane (100) toward a direction [011].例文帳に追加

（１００）面から［０１１］方向に傾斜したＧａＡｓ基板上に良好な結晶性を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層を成長させて、発光効率を大幅に改善する。 - 特許庁

In the process shown in (i), the three-dimensional microfabrication structure is fabricated on which a dent is formed by performing etching and by detaching Ga preferably from the exposed portion of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 - 特許庁

Then, after the GaAs substrate is separated from the cell main body 5, a back electrode 12 is formed extending from the rear of the cell main body 5 to the rear of the cover glass 9.例文帳に追加

次に、セル本体５からＧａＡｓ基板を分離させた後、セル本体５の裏面からカバーガラス９の裏側の表面にわたって延在する裏面電極１２が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with bipolar transistor elements connected in parallel and disposed to a GaAs chip 1 and an emitter electrode 4 connected in common to each emitter 3 of the bipolar transistor elements.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１に設けられ、互いに並列接続されるバイポーラトランジスタ素子と、バイポーラトランジスタ素子各々のエミッタ３に共通接続されるエミッタ電極４とを具備する。 - 特許庁

Since big concavity and convexity on GaAs surface such as trench and polyimide disappear, the distance margin taken misalignment of a mask into consideration is unnecessary, therefore, considerable shrinkage in the chip realizes.例文帳に追加

トレンチやポリイミドなどＧａＡｓ表面の大きな凹凸がなくなるので、マスクの合わせずれを考慮した距離のマージンを必要としないので、大幅なチップシュリンクが実現する。 - 特許庁

A first nitride film 3 is formed on a wide recess 1 provided to a GaAs substrate 2, and an oxide film 4 that is more easily etched than the first nitride film 3 is formed on the nitride film 3.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上に形成したワイドリセス１の上に第１の窒化膜３を形成し、この上に第１の窒化膜３に比べてエッチングされやすい酸化膜４を形成する。 - 特許庁

As a result, the strain layer 40 curves by the groove 11 so as to relieve strain caused by a difference in a lattice constant between an InGaAs layer 4 and a GaAs layer 5 for constituting the strain layer 40.例文帳に追加

その結果、歪層４０を構成するＩｎＧａＡｓ層４とＧａＡｓ層５との格子定数の差に起因する歪を緩和するように歪層４０が溝１１で湾曲する。 - 特許庁

To increase light absorption efficiency by forming texture on a Si or GaAs substrate or the like used for a solar cell panel to reduce reflectance of the panel surface.例文帳に追加

太陽電池パネルに用いるＳｉやＧａＡｓ基板等の表面に、テクスチャーを形成してパネル表面の反射率を低減し、光の吸収効率を向上させる技術の改善に関する。 - 特許庁

To provide an inexpensive and simple method of measuring which can observe the dislocation distribution on the front surface of a wafer without conventional mirror polishing process for the wafer sliced from a GaAs crystal.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からスライスしたウェハについて、従来の鏡面研磨工程なしに、そのウェハ表面の転位分布を観察可能とする、安価で簡易な測定方法を提供すること。 - 特許庁

In the respective LEDs 100, GaAs layers, doped with Si being amphoteric impurity, is formed on the flat parts 1a and 1c and the inclination part 1b by epitaxial growth.例文帳に追加

各ＬＥＤ１００において、平坦部１ａ，１ｃ上および傾斜部１ｂ上にエピタキシャル成長により両性不純物であるＳｉがドープされたＧａＡｓ層が形成される。 - 特許庁

To provide a high-reliabile long-wavelength-band surface-emitting laser element reduced in the occurrence of transition even when an undoped DBR mirror is stacked on n-type GaAs.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ上にアンドープＤＢＲミラーを積層した場合であっても転位の発生を低減した高信頼性の長波長帯域面発光レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

The laser oscillation element has quantum dots formed on a GaAs(311)A substrate in its active layer to a density of 2×10^10/cm^2 to 1×10^11/cm^2.例文帳に追加

レーザ発振素子において、その活性層は、２×１０^１０／ｃｍ^２〜１×１０^１１／ｃｍ^２の密度でＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に量子ドットが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor optical integrated element 100 includes: a substrate 10 comprising GaAs, a first semiconductor lamination structure 51 and a second semiconductor lamination structure 52 arranged on the substrate.例文帳に追加

半導体光集積素子１００は、ＧａＡｓからなる基板１０と、この基板上に配置された第１の半導体積層構造５１及び第２の半導体積層構造５２を有している。 - 特許庁

A p-type GaAs contact layer 108 is arranged so that the layer 8 does not include the position which is spaced by the length of 1/4 (odd multiple of 1/4) of a laser light wavelength from the surface of a p-type DBR 106.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８は、ｐ型ＤＢＲ１０６の表面から数えて、レーザ光波長の１／４（１／４の奇数倍）の位置が含まれないように配置されている。 - 特許庁