「n²」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

A voltage non-linear resistor is mainly formed of SiC particles doped with impurities such as N2 or the like, where oxygen elements are diffused in the surface of the SiC particle at a distance of 100 nm or below, and at least one element out of Al and B is also diffused at a distance of 5 to 100 nm.例文帳に追加

Ｎ_2等の不純物をドープしたＳｉＣ粒子を主成分とする電圧非直線抵抗体であって、ＳｉＣ粒子の表面に、酸素元素が１００ｎｍ以下の距離で拡散し、かつ、Ａｌ又はＢのうち少なくとも１種の元素が５〜１００ｎｍの距離で拡散している。 - 特許庁

The film formation device is provided with: a vacuum tank 11 having an N2 gas introduction means; hearths 31, 31 for M (M denotes Ti or Cr) or for Al; hollow cathode-shaped electron guns 20, 20; an electron beam source; a bias source for workpieces W, W, ...; a mass analyzer 50; and a compositional ratio control system.例文帳に追加

Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 - 特許庁

The distance L1 of the carrying path of transfer paper P from the secondary transfer nip N1 of a 1st image forming unit 13a to the secondary transfer nip N2 of a 2nd image forming unit 13b is made longer than the dimension (length) L2 in the carrying direction of the paper P of maximum size which can be carried.例文帳に追加

第１作像ユニット１３ａの２次転写ニップＮ１から、第２作像ユニット１３ｂの２次転写ニップＮ２までの転写紙Ｐの搬送経路の距離Ｌ１を、搬送可能な最大サイズの転写紙Ｐの搬送方向の寸法（長さ）Ｌ２よりも大きくした構成とする。 - 特許庁

Power supplied to the halogen heaters 36, 37 is set such that the maximal value of power supplied to the upstream heater 36 arranged upstream of the external heat contact part N2 is lower than the maximal value of power supplied to the downstream heater 37 arranged downstream.例文帳に追加

外部加熱接触部Ｎ２の上流に配置される上流ヒータ３６に供給する電力の最大値を、下流に配置される下流ヒータ３７に供給する電力の最大値よりも小さくなるようにハロゲンヒータ３６、３７に供給する電力を設定する。 - 特許庁

Further, it is provided with an edge detector 23 for detecting the transition of the output signals of the differential amplifier 21 and a switching part S connected between the first and second input terminals N1 and N2 of the differential amplifier 21 for responding to the output signals of the edge detector 23.例文帳に追加

さらに前記差動増幅器２１の出力信号の遷移を検出するエッジ検出器２３と、前記差動増幅器２１の第１及び第２入力端Ｎ１，Ｎ２間に接続され、前記エッジ検出器２３の出力信号に応答するスイッチング部Ｓとを具備する。 - 特許庁

And the circuit is provided with a capacity element C2 charging a gate node of the transistor Q3 based on a signal input to a first input terminal IN1 and boosting the gate node of the charged transistor Q3 based on a signal input to a second input terminal N2.例文帳に追加

そして、第１入力端子ＩＮ１に入力される信号に基づいて、トランジスタＱ３のゲートノードを充電するトランジスタＱ８と、第２入力端子ＩＮ２に入力される信号に基づいて、充電されたトランジスタＱ３のゲートノードを昇圧する容量素子Ｃ２とを備える。 - 特許庁

Moreover, it is provided with a series resonance circuit (N2-C2) also for, for example, the secondary side, and the primary and secondary coupling coefficients k in an insulated converter transformer PIT are lowered under specified values, whereby the control range of switching frequency required for stabilization is scaled down, for wide range compatibility.例文帳に追加

また、例えば二次側に対しても直列共振回路（Ｎ２−Ｃ２）を設け、絶縁コンバータトランスＰＩＴにおける一次側と二次側の結合係数ｋを所定以下に低下させることで、安定化に必要なスイッチング周波数の制御範囲の縮小化が図られ、ワイドレンジ対応が実現される。 - 特許庁

IPA-N2 feed pipes 424b are arranged on the peripheral edge part of the upper end of this member 424a, and IPA vapor is discharged directly through the pipes 424b along with nitrogen gas, towards the space SP to form an atmosphere containing IPA vapor in the space SP.例文帳に追加

この仕切部材４２４ａの上端周縁部には、ＩＰＡ・Ｎ2供給管４２４ｂが配置されており、乾燥処理空間ＳＰに向けてＩＰＡペーバーを窒素ガスとともに直接吐出して乾燥処理空間ＳＰ内にＩＰＡベーパーを含む雰囲気を形成する。 - 特許庁

In this case, when none of a plurality of pieces of data is selected using selection signals S0-S2, the first node N1 becomes H, so that the electric charge of the second node N2 is discharged and the output signal Q goes into a condition of malfunctioning the L level.例文帳に追加

この状態において、選択信号Ｓ０〜Ｓ２によって複数のデータＤ０〜Ｄ２の何れもが選択されなくなった際には、第１ノードＮ１がＨとなり、前記第２ノードＮ２は、その電荷が放電されて、出力信号ＱはＬレベルに誤動作する状況となる。 - 特許庁

Meanwhile, when any one of drive transistors TB0 to TB2 turns ON, current is pulled to the ground node from the node N2, current flows into the node N1 from the power supply node with a current mirror circuit 101, and voltage level of the node N1 changes to high level from low level.例文帳に追加

一方、駆動トランジスタＴＢ０〜ＴＢ２のいずれか１つがオン状態になると、ノードＮ２から接地ノードに電流が引き込まれ、カレントミラー回路１０１によって電源ノードからノードＮ１に電流が供給され、ノードＮ１の電圧レベルがローレベルからハイレベルになる。 - 特許庁

A current is supplied from a fixed layer 102 where magnetization is fixed by an antiferromagnetic member 103 to a nonmagnetic thin line 101 having a part N1 affected by an external magnetic field and a part N2 not affected by the external magnetic field to store spin-polarized electrons (I_s1, I_s2) in the nonmagnetic thin line 101.例文帳に追加

外部磁界に影響を受ける部位Ｎ１と影響を受けない部位Ｎ２を有する非磁性細線１０１へ、反強磁性体１０３によって磁化が固定された固定層１０２から電流を流し、非磁性細線１０１中にスピン偏極した電子（Ｉ_s1，Ｉ_s2）を蓄積させる。 - 特許庁

An air blowing device 60 to blow a gas (e.g. N2 gas) is disposed on the side of the edge remover unit ER, and the air blowing device 60 is equipped with a blowing nozzle 61 to blow the gas in the horizontal direction to the upper face of the substrate G where the resist applied.例文帳に追加

エッジリムーバーユニット（ＥＲ）２３の側方には、気体（例えば、Ｎ_２ガス）を吹き出して送風するための送風装置６０が設けられ、この送風装置６０には、レジストが塗布された基板Ｇの上面に、その側方から気体を吹き出すための吹出ノズル６１を有している。 - 特許庁

This second muffler 17A has a cup shape, and is symmetrically arranged in the direction different by 90 degrees from a position of first muffler delivery ports 16a, 16b around a crankshaft, and has cutout areas n1, n2 of a semi arcuate shape extending from a second muffler crankshaft hole 17h outward.例文帳に追加

この第２マフラー１７Ａは、カップ形状を有し、クランク軸を中心に第１マフラ吐出口１６ａ，１６ｂの位置から９０度異なる方向に対称に配置され、第２マフラクランク軸孔１７ｈから外方に向かう半円弧形状の切欠領域ｎ１，ｎ２を有している。 - 特許庁

A node N2, which becomes a new driving system due to a trouble occurring to a node N1 which exclusively uses logical units 22A and 22B, issues, to the mapping management part 230, a mapping releasing request 71 for releasing the allocation of the logical units 22A and 22B to the node N1.例文帳に追加

論理ユニット２２Ａ及び２２Ｂを排他使用していたノードＮ１で障害が発生したために、新たに稼働系となったノードＮ２は、ノードＮ１への論理ユニット２２Ａ及び２２Ｂの割り当てを解除させるためのマッピング解除要求７１をマッピング管理部２３０に発行する。 - 特許庁

First antenna elements U1, U2 are configured with conductor pieces, 2nd antenna elements D1, D2 are configured with a conductor pattern connected to a ground 3 of a board 1 and the 1st antenna elements are fixed to the board 1 by screws N1, N2.例文帳に追加

図は１枚の基板１に２つのダイポールアンテナを構成した例を示し、各アンテナの第１アンテナ素子Ｕ１、Ｕ２を導体片から構成する一方、第２アンテナ素子Ｄ１、Ｄ２を基板１の接地部３と接続された導体パターンから構成し、第１アンテナ素子をネジＮ１、Ｎ２で基板１に固定した。 - 特許庁

In this case, embodiments of the wavelength of the diazonium of 330 to 390 nm, pKa of the coupler of 2 to 13, pKa of the base of 4 to 13 and the salt represented by Ar-N2+X (wherein Ar is an aromatic group part, and X is an acid anion) are preferable.例文帳に追加

ジアゾニウム塩の最大吸収波長λ_max が３３０〜３９０ｎｍである態様、カプラーのｐＫａが２〜１３である態様、塩基のｐＫａが４〜１３である態様、ジアゾニウム塩が、Ａｒ−Ｎ_2 ^+ Ｘ^- で表される（Ａｒは芳香族部分を表し、Ｘ^- は酸アニオンを表す）態様、等が好ましい。 - 特許庁

A semi-closed up fuel tank 1 for storing a gasoline G which is a vapor supply source and communicating with a canister at a vapor port 13 and a gas introducing line 51 for introducing N2 to the gasoline G in the fuel tank 1 are provided as a vapor generation means for generating a fuel vapor.例文帳に追加

燃料蒸気を発生する蒸気発生手段として、蒸気供給源となるガソリンＧを収容し蒸気口１３にてキャニスタに連通する半密閉の燃料タンク１と、燃料タンク１内のガソリンＧにＮ_2 を導入するガス導入ライン５１を設ける。 - 特許庁

A SRAM memory cell 1 comprises two N channel MOS transistors 13, 13' connected in series between a storage node N1 and a line of a ground potential GND and two N channel MOS transistors 14, 14' connected in series between a storage node N2 and a line of a ground potential GND.例文帳に追加

ＳＲＡＭのメモリセル１は、記憶ノードＮ１と接地電位ＧＮＤのラインとの間に直列接続された２つのＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３，１３′と、記憶ノードＮ２と接地電位ＧＮＤのラインとの間に直列接続された２つのＮチャネルＭＯＳトランジスタ１４，１４′とを含む。 - 特許庁

After a 2nd (2nd step) A/D conversion code n2 by an A/D converting circuit 1 is outputted, a switch S10 is turned off and a switch S11 is turned on to make an operational amplifier 3 and a capacitor CF operate as a hold circuit, thereby charging array capacitors C0 to C7 with the output voltage of the operational amplifier 3.例文帳に追加

Ａ／Ｄ変換回路１による２回目（２ステップ目）のＡ／Ｄ変換コードｎ２が出力された後、スイッチＳ１０をオフ、Ｓ１１をオンにしてオペアンプ３とコンデンサＣF とをホールド回路として動作させ、オペアンプ３の出力電圧でアレイコンデンサＣ０〜Ｃ７を充電する。 - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁

The position detection part 51 determines that the detected member 21 is located at the neutral position (N) irrespective of an on-signal and an off-signal output from the sixth detection element (N1) 46 in a case where a seventh detection element (N2) 47 on an outer edge corner Cb side of the corner part C outputs an on-signal.例文帳に追加

位置検出部５１は、角部Ｃの外縁角Ｃｂ側の第７検出素子（Ｎ２）４７がオン信号を出力する場合は、第６検出素子（Ｎ１）４６が出力するオン信号およびオフ信号にかかわらず、ニュートラルポジション（Ｎ）に被検出部材２１が位置する状態と判定する。 - 特許庁

An image forming operation is performed such that after a state in which the transfer material P has been attracted to the surface of the conveyance belt Bp is detected by a transfer material detection means D with specific timing, the press contact of the conveyance belt Bp with the intermediate transfer belt 6 is performed at a secondary transfer nip N2.例文帳に追加

画像形成動作時、転写材検知手段Ｄによって規定のタイミングで転写材Ｐが搬送ベルトＢｐ上に吸着されたことを確認した上で、搬送ベルトＢｐと中間転写ベルト６を２次転写ニップＮ２にて圧接し、画像形成動作を行う。 - 特許庁

In the manufacturing method of the cathode ray tube, by releasing at least one kind of specific gas of either Ar gas, N2 gas, or H2 gas from a part in a bulb, before aging process 22 in the cathode ray tube, the pressure of the specific gas in the cathode ray tube at the aging process 22 is controlled.例文帳に追加

陰極線管の製造方法において、エージング工程２２前に陰極線管内でＡｒガス、Ｎ_2ガス、Ｈ_2ガスのうち少なくとも一種類の特定ガスを管内部品から放出させることにより、前記エージング工程２２における前記陰極線管内の前記特定ガスのガス圧を制御する。 - 特許庁

The RS-FF34 includes a latch circuit including two inverters 37 and 38, set/reset transistors Tr1 and Tr4 connected to the input/output nodes N1 and N2 of the latch circuit, and scanning direction switching transistors Tr5 to Tr8 serially connected to the transistors Tr1 and Tr4.例文帳に追加

ＲＳ−ＦＦ３４は、２つのインバータ３７，３８よりなるラッチ回路と、ラッチ回路の入出力ノードＮ１，Ｎ２にそれぞれ接続されたセット・リセット用のトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４と、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４とそれぞれ直列に接続されたスキャン方向切り替え用のトランジスタＴｒ５〜Ｔｒ８とを備える。 - 特許庁

Input signals from pins P2, N2 of the time base extension circuit 3 are inputted to gates of CMOS transistors M4, M3 in the equivalent receiver circuit 6', and an equivalent differential reception signal (P3/N4) outputted from drains of the transistors M3, M4 is inputted to a D input of the D-type flip-flop 4.例文帳に追加

時間軸伸張回路３のピンＰ２及びＮ２からの入力信号は、等価レシーバ回路６′のＣＭＯＳトランジスタのＭ４及びＭ３のゲートに入力され、そのＭ３及びＭ４のドレインから出力する等価差動受信信号（Ｐ３／Ｎ４）がＤ型フリップフロップ４のＤ入力に入力される。 - 特許庁

A protein code area is discovered by using the facts that GA appears in the leading 2 bases of codon with the highest frequency (N1), that TG appears with the lowest frequency (N3), that TG appears in the tail 2 bases with the highest frequency (N4), and that the GA appears with the lowest frequency (N2).例文帳に追加

タンパク質コード領域を発見するため、コドンの先頭２塩基にはＧＡがもっとも高い頻度（Ｎ１）で出現し、ＴＧがもっとも低い頻度（Ｎ３）で出現し、後尾２塩基にはＴＧがもっとも高い頻度（Ｎ４）で出現し、ＧＡがもっとも低い頻度（Ｎ２）で出現することを利用する。 - 特許庁

If a rotational speed N2 of the AC motor 14 is higher than a predetermined value or a torque instruction value T2* is higher than a predetermined value, the quantity Pm of input power manipulation required for stabilizing the system voltage is surely achieved by delaying a current vector and manipulating input power.例文帳に追加

その際、交流モータ１４の回転速度Ｎ2 が所定値よりも高いか又はトルク指令値Ｔ2*が所定値よりも大きい場合には、電流ベクトルを遅れ側に操作して入力電力を操作することで、システム電圧安定化に必要な入力電力操作量Ｐm を確実に実現できるようにする。 - 特許庁

A coupling resonance circuit based on the magnetic coupling of an insulative converter transformer PIT is formed by providing a primary series resonance circuit for forming a current-resonance converter, and a secondary series resonance circuit formed of at least a secondary winding N2 and a secondary series resonance capacitor C2.例文帳に追加

電流共振形コンバータを形成する一次側直列共振回路と共に、少なくとも二次巻線Ｎ2及び二次側直列共振コンデンサＣ2とにより形成される二次側直列共振回路を備えることで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの電磁結合による結合形共振回路を形成する。 - 特許庁

A sheet S is clamped by the first arm part 21 and second arm part 22 from the top and reverse direction, and the sheet removing member 20 is rotated, thereby both ends of the sheet S are separated from nip parts N1 and N2 and the sheet S is wound around the sheet removing member 20, wherein the top surface where unfixed toner T is stuck is on the inner side.例文帳に追加

第１アーム部２１及び第２アーム部２２によりシートＳを表裏方向から挟持し、シート除去部材２０を回転させることにより、シートＳの両端がニップ部Ｎ１、Ｎ２から離脱し、未定着のトナーＴが付着した上面を内側にしてシートＳがシート除去部材２０に巻き付けられる。 - 特許庁

Thereby, when a vane 52 rotates on the inner circumferential surface N2 to pass through a second exhaust port E2, although pump oil is also drained off by the vane 52, a region S1 functions as a buffer part which stores the pump oil and buffers a shock when the pump oil comes into contact with an oil film between the first curved surface part C1 and the rotor 42.例文帳に追加

これによって、ベーン５２が内周面Ｎ２上を回転し、第２の排気ポートＥ２を通過する際、ベーン５２によってポンプ油も掻き出されるが、領域Ｓ１がポンプ油を収容する緩衝部として機能し、ポンプ油が第１の曲面部Ｃ１とロータ４２との間の油膜に接触する衝撃をやわらげる。 - 特許庁

The output controller 3 controls the on time and the off time of the switching element Q1 so that a supply current to the LED lamp 5 in a predetermined time period from the lighting start becomes smaller than a supply current at a normal time by using a voltage generated in a secondary coil n2 of the inductance element L1 as an operational power supply.例文帳に追加

出力制御部３は、インダクタンス素子Ｌ１の二次巻線ｎ２に発生する電圧を動作電源とし、点灯開始からの所定期間におけるＬＥＤランプ５への供給電流が、定常時における供給電流よりも小さくなるように、スイッチング素子Ｑ１のオン・オフ時間を制御する。 - 特許庁

The NMOS transistors N1 and N3 whose one electrode is connected to the Na are formed, separated to P well areas PW0 and PW1, and the NMOS transistors N2 and N4 whose one electrode is connected to the Nb are formed, separated to P well areas PW1 and PW0.例文帳に追加

記憶端子Ｎａに一方電極が接続されるＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮ３はＰウエル領域ＰＷ０及びＰＷ１に分けて形成されるともに、記憶端子Ｎｂに一方電極が接続されるＮＭＯＳトランジスタＮ２及びＮ４はＰウエル領域ＰＷ１及びＰＷ０に分けて形成される。 - 特許庁

The current supply circuit 11 is equipped with: N-channel transistors N3, N4 having sources connected to drains of the first transistors N1, N2; and P-channel transistors P3, P4 as current limiting elements each having one end connected to the power supply line VDDL and the other end connected to a drain of the transistor N3 or N4.例文帳に追加

電流供給回路１１は、ソースが第１のトランジスタＮ１，Ｎ２のドレインに接続されたＮチャネルトランジスタＮ３，Ｎ４と、一端が電源ラインＶＤＤＬに接続され、他端がトランジスタＮ３，Ｎ４のドレインに接続された電流制限素子としてのＰチャネルトランジスタＰ３，Ｐ４とを備えている。 - 特許庁

The power conversion apparatus further includes a switch SW1 provided in a route connecting the input circuit 201 and the input winding wire N1, a switch SW2 provided in a route connecting the output circuit 202 and the output winding wire N2, and a switch SW3 provided in a route connecting the output circuit 203 and the output winding wire N3.例文帳に追加

電力変換装置は、入力回路２０１と入力巻線Ｎ１とを結ぶ経路に設けられるスイッチＳＷ１、出力回路２０２と出力巻線Ｎ２とを結ぶ経路に設けられるスイッチＳＷ２、および出力回路２０３と出力巻線Ｎ３とを結ぶ経路に設けられるスイッチＳＷ３をさらに含む。 - 特許庁

A shank N2 of a screw N is inserted to a screw insert hole 77A and a screw hole 53A from the outside in this order with a bent portion 77 being fitted to a front frame 53, as shown in Fig.7(a), and is screwed to the screw hole 53A with a head N1 being kept away from the bent portion 77 by a gap d.例文帳に追加

図７（ａ）に示すように、ねじＮは、前側フレーム５３に屈曲部７７を合わせた状態で、ねじ挿入孔７７Ａ、ねじ孔５３Ａの順に軸部Ｎ２を外側から挿入し、頭部Ｎ１を屈曲部７７から隙間ｄだけ離間させた状態で、軸部Ｎ２をねじ孔５３Ａにねじ込まれる。 - 特許庁

In a positive electrode current control circuit 30, a transistor Q31 is switched on by rise of a pulse signal to be inputted into an input terminal IN, and FET Q40 is switched on, and a current flows in a primary coil N1 of the transformer 41, and the induced voltage in the secondary coil N2 of the transformer 41 is applied to the negative electrode 52 of the magnetron 50.例文帳に追加

陽極電流制御回路３０は、入力端子ＩＮに入力されるパルス信号の立ち上がりによってトランジスタＱ３１がオンし、ＦＥＴ Ｑ４０がオンし、トランス４１の１次コイルＮ１に電流が流れ、トランス４１の２次コイルＮ２の誘起電圧がマグネトロン５０の陰極５２に印加される。 - 特許庁

A coupled resonance circuit by the electromagnetic coupling of an insulating converter transformer PIT is formed by providing a primary series resonance circuit for forming a current resonance converter, and a secondary series resonance circuit formed at least by secondary winding N2 and a secondary series resonance capacitor C2.例文帳に追加

電流共振形コンバータを形成する一次側直列共振回路とともに、少なくとも二次巻線Ｎ2及び二次側直列共振コンデンサＣ2とにより形成される二次側直列共振回路を備えることで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの電磁結合による結合形共振回路を形成する。 - 特許庁

In an etching method for a film being the target of etching made on a substrate arranged within a processing chamber, the processing gas introduced into an air-tight processing chamber 104 consists of CF4, N2, and Ar, and the film being the target of etching consists of an upper organic polysiloxane film and a lower organic SiO2 film.例文帳に追加

気密な処理室１０４内に処理ガスを導入し，処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，処理ガスはＣＦ_４とＮ_２とＡｒとからなり，エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層の無機ＳｉＯ_２膜からなる。 - 特許庁

This stabilized direct current power supply device controls a power transistor Q10 on the basis of an output (N2) of a differential circuit by N7 voltage obtained by dividing output voltage by resistors R2 and R3 with a collector of the power transistor Q10 as an output power supply VDD and band gap voltage Vbg and obtains a stabilized output.例文帳に追加

パワートランジスタＱ１０のコレクタを出力電源ＶＤＤとし，その出力電圧を抵抗Ｒ２，Ｒ３で分圧したＮ７電圧とバンドギャップ電圧Ｖｂｇとによる差動回路の出力（Ｎ２）に基づいてパワートランジスタＱ１０をコントロールし，安定した出力を得る安定化直流電源装置である。 - 特許庁

Therefore, when the inputted voltage of the commercial AC power source is higher than Vc×(1-n2/n1), inputted power flows in, a power-factor improvement effect is obtained and the voltage to be generated in the input capacitor C1 is made to be constant without being affected by the load current of a DC/DC converter 1.例文帳に追加

したがって、商用交流電源の入力電圧がＶｃ×（１−ｎ２／ｎ１）より高ければ入力電流が流入することとなり、力率改善効果が得られるとともに、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の負荷電流に影響されず、入力コンデンサＣ１に発生する電圧を一定にすることができる。 - 特許庁

When the electromagnetic selector valve MVA is turned on, the compressed air is supplied into the pressure chamber 121a, the lever 135 for the select operation resists against an energizing force of the spring 169, and its rod 162 abuts on a bottom face (stopper) of a fitting hole 131b of a cylinder housing 140 to hold the striker 137 at a second position N2.例文帳に追加

電磁切換弁ＭＶＡをオンにすると、圧力室１２１ａには圧縮エアが供給され、セレクト作動用レバー１３５は、スプリング１６９の付勢力に抗してそのロッド１６２がシリンダハウジング１４０の嵌合孔１３１ｂの底面（ストッパ）に当接し、これによりストライカ１３７は第２位置Ｎ２に保持される。 - 特許庁

The tread molding surface 10S of the mold 10 is divided into a correction area YA around the joining part J and a non-correction area YB, and the arrangement density N1 of vent holes 11 formed in the correction area YA is made 1.25-1.75 times the arrangement density N2 of vent holes 11 formed in the non-correction area YB.例文帳に追加

加硫金型１０のトレッド成形面１０Ｓを、前記接合部Ｊを中心とした修正領域ＹＡと、それ以外の非修正領域ＹＢとに区分し、前記修正領域ＹＡに設けるベントホール１１の配置密度Ｎ１を、非修正領域ＹＢに設けるベントホール１１の配置密度Ｎ２の１．２５〜１．７５倍とした。 - 特許庁

Depending on an input value N for a numeric number for specifying in how many columns of the first analysis schedule table all analysis for the second analysis schedule table is inserted, numbers of insertion for continuous analysis are calculated, and total numbers of analysis T are calculated from the numbers of insertion and N1, N2 (S12) and displayed on a screen (S2).例文帳に追加

そして、第２の分析スケジュールテーブル中の全分析を第１の分析スケジュールテーブル中の何行毎に挿入するかを指定する数値の入力値Ｎに応じて、連続分析中の挿入回数を計算し、その挿入回数とＮ１、Ｎ２とから総分析回数Ｔを算出して（Ｓ１２）画面上に表示する（Ｓ２）。 - 特許庁

A Pachinko machine includes a transparent game board 3 forming a game area and the image display device 35 displaying a performance through the game area, and further includes a motor 72 for moving the image display device 35 between a position N2 separated from the game board and an original position N1 in related to the performance display.例文帳に追加

遊技領域を形成する透明な遊技盤３と、該遊技領域を通して演出表示する画像表示装置３５とを備えた本パチンコ機に、上記演出表示に係り、画像表示装置３５を、遊技盤から離間した位置Ｎ２と元の位置Ｎ１との間で移動するモータ７２を備えさせる。 - 特許庁

An adjustment value for adjusting the sheet conveying speed of a sheet conveying roller 28 conveying the sheet S to a secondary transfer section N2 to a speed at which the sheet S is not slipped along an intermediate transfer belt 81 in a sheet conveying direction at the upstream of the secondary transfer section is input by an adjustment value setting section.例文帳に追加

調整値設定部により、二次転写部Ｎ２にシートＳを搬送するシート搬送ローラ２８のシート搬送速度を、シートＳが二次転写部の上流にて中間転写ベルト８１に沿ってシート搬送方向にスリップすることがないような速度に調整するための調整値を入力する。 - 特許庁