「n²」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The fixing device 40 heats the sheet while transporting it from a nip N1 formed by a heating roll 72 and a first roll 74 to a nip N2 formed by the heating roll 72 and a second roll 76, and fixes the developer image onto the sheet.例文帳に追加

定着装置４０は、加熱ロール７２と第１のロール７４とで形成されるニップＮ１から、加熱ロール７２と第２のロール７６とで形成されるニップＮ２まで、シートを搬送しつつ加熱してシートへの現像剤像の定着を行う。 - 特許庁

In the lithography device using exposure radiation having a relatively short wavelength of 157 nm or 126 nm, an N2 laminar flow which crosses the inside of the operating section of the device and part of a beam passage adjoining to the operating section is supplied.例文帳に追加

本発明によれば、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍといった比較的短い波長の露出放射線を用いたリソグラフィ装置において、装置の動作部分内またはそれに隣接したビーム通路の一部分を横切るＮ_2の層流が供給される。 - 特許庁

A common connection part of the first and second MOS variable capacitance elements are respectively connected to the first connection point through a corresponding first or second inductor and connected to the second connection point through a corresponding first or second MOS transistor.例文帳に追加

第1及び第2MOS可変容量素子の共通接続部は、それぞれ、対応する第1または第2インダクタを介して、第1結合点に結合されているとともに、対応する第1または第2MOSトランジスタを介して、第2結合点n2に結合されている。 - 特許庁

Titanium oxide in the titanium oxide type photocatalyst fine particles thus obtained can absorb light energy larger than band gap energy of a titanium dioxide semiconductor of a bulk and is enhanced in the capacity decomposing nitrogen oxides into N2 and O2.例文帳に追加

このようにして得られる酸化チタン系光触媒微粒子中の酸化チタンは、バルクの二酸化チタン半導体のバンドギャップエネルギーより大きな光エネルギーを吸収できるようになり、窒素酸化物をＮ_2 とＯ_2 に分解する性能が向上する。 - 特許庁

For a growth technology, a plasma generated from N2 gas may be used as a nitrogen atom supplying means, and atom beams generated by highly heating the In metal or Ga metal atoms in a crucible may also be used as a means for supplying Ga and In.例文帳に追加

また、成長技術として窒素原子の供給手段としてＮ２ガスから発生するプラズマを用い、ＧａとＩｎの供給手段としてルツボ内でＩｎあるいはＧａ金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。 - 特許庁

The variation of electrical resistance by gas adsorption of this element is variation specific to any of toluene gas 288 and xylene gas 290, can be distinguished from the behavior of N2 gas 286 composing atmospheric air, and has a sensitivity higher than that of the conventional technology.例文帳に追加

本素子のガス吸着による電気抵抗変化は、トルエンガス（２８８）、キシレンガス（２９０）のいずれについても固有の変化を示し、大気を構成するＮ２ガス（２８６）の挙動とも区別できる上に、従来のものに比べ高い感度を示す。 - 特許庁

This nitrification method comprises converting ammonia-nitrogen to a nitrogen gas (N2) by contacting an ammonia-nitrogen compound with Alcaligenes faecalis bacteria; wherein the bacteria are characterized by having a denitrification rate of 152 mg-N/day or 0.6 mmol/h/g protein.例文帳に追加

アルカリゲネス・フェカリス(Alcaligenes faecalis)細菌にアンモニア態窒素化合物を接触せしめることによりアンモニア態窒素を窒素ガス（N_2）に変換する方法において、前記細菌が１５２mg-N／Ｌ／日又は０．６mmol／時／ｇ蛋白質の脱窒速度を有することを特徴とする方法。 - 特許庁

The carbonized material has (a) 1-50 ml/g oxygen adsorption in the standard state and (b) an oxygen adsorption to nitrogen adsorption ratio (O2/N2) of 2-40 in the standard state.例文帳に追加

下記の性質を有する親水性高分子由来水酸基含有炭化物： （ａ）標準状態における酸素吸着量が１〜５０ｍＬ／ｇである、（ｂ）標準状態における酸素吸着量と窒素吸着量の比（Ｏ_2／Ｎ_2）が２〜４０である。 - 特許庁

A method for manufacturing a compound semiconductor element is one involving a step of forming an AuSi film under a sputter gas ambiance, and the sputter gas contains an argon gas (Ar) and a nitrogen gas (N2).例文帳に追加

本発明の化合物半導体素子の製造方法は、スパッタガス雰囲気中でＡｕＳｉ膜を形成する工程を包含する化合物半導体素子の製造方法であって、該スパッタガスが、アルゴンガス（Ａｒ)と窒素ガス（Ｎ_2）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.例文帳に追加

Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

An automatic shift means is provided for operating the travel transmission device to a high speed side when a speed difference between a set engine speed N1 set by an accelerator operating tool and an actual engine speed N2 is smaller than a set value N3.例文帳に追加

アクセル操作具によって設定されたエンジンの設定回転数Ｎ１と実際のエンジンの回転数Ｎ２との回転数差が設定値Ｎ３よりも小さければ、走行用の変速装置を高速側に操作する自動変速手段を備える。 - 特許庁

Coupling factor is lowered down to 0.79 or thereabout by setting the gap length of an insulating converter transformer PIT at about 1.5 mm, and the number of turns of a primary winding N1 and a secondary winding N2 are set such that the induction voltage level per one turn (T) of the secondary winding becomes 2V/T.例文帳に追加

そして、絶縁コンバータトランスＰＩＴのギャップ長を1.5mm程度として結合係数を0.79にまで低下させると共に、二次巻線の１ターン（Ｔ）あたりの誘起電圧レベルが2V/Tとなるように一次巻線Ｎ1、二次巻線Ｎ2のターン数を設定する。 - 特許庁

A differential current between a current I13 and a current I13' is changed in accordance with an input signal S1, a differential current between a current I11 and a current I12 is changed in accordance with the above change, and a differential voltage v13 between a node N1 and a node N2 is changed.例文帳に追加

入力信号Ｓ１に応じて電流Ｉ１３と電流Ｉ１３’の差動電流が変化し、これに応じて電流Ｉ１１と電流Ｉ１２との差動電流も変化して、ノードＮ１−ノードＮ２間の差動電圧ｖ１３が変化する。 - 特許庁

Also, the circuit 5 makes the node N2 coincide with the node N1 to amplify it, an output signal OUT and the charging/discharging direction of the node N become opposite directions and the influence of coupling noise due to gate capacitance Cg can be canceled.例文帳に追加

また、ＶＤＤＬ−ΔＶ振幅生成回路５によってノードＮ２をノードＮ１と同期して振幅させ、出力信号ＯＵＴとノードＮ２の充放電方向が逆方向になり、ゲート容量Ｃｇによるカップリングノイズの影響がキャンセルできる。 - 特許庁

In the sense amplifier 104, a P type transistor P2 for driving is connected between a P type transistor P0 for amplification and a first node 1, an N type transistor N2 for driving is connected between an N type transistor N0 for amplification and the first node 1.例文帳に追加

このセンスアンプ１０４は、増幅用Ｐ型トランジスタＰ０と第１ノード１との間に駆動用Ｐ型トランジスタＰ２を接続すると共に、増幅用Ｎ型トランジスタＮ０と第１ノード１との間に駆動用Ｎ型トランジスタＮ２を接続している。 - 特許庁

Consequently, the fuel economy of the vehicle can be made better during idling of the engine during stop than idling of the engine at the lower-limit number of revolutions Nemin which is set as the predetermined engine number N2 irrelevantly to whether the engine is at stop.例文帳に追加

これにより、停車時か否かに拘わらず所定回転数Ｎ２が設定された下限回転数Ｎｅｍｉｎでエンジンをアイドル運転するものに比して、停車時にエンジンをアイドル運転する際の車両の燃費を向上させることができる。 - 特許庁

A level shift circuit has a latch circuit 1 that comprises transistors P1, P2, N1, and N2 and is operated by a high supply voltage VDDH, and an invertor INV1 that is connected between the input terminals IN1 and IN2 in the latch circuit 1 and is operated by a low supply voltage VDDL (<VDDH).例文帳に追加

トランジスタＰ１，Ｐ２，Ｎ１，Ｎ２からなり高電源電圧ＶＤＤＨで動作するラッチ回路１と、そのラッチ回路１の入力端子ＩＮ１とＩＮ２の間に接続され低電源電圧ＶＤＤＬ（＜ＶＤＤＨ）で動作するインバータＩＮＶ１とを有する。 - 特許庁

The pressure belt 620 is tensed between the pressure roll 621 and a pressure tensing roll 622 and arranged along a path extending downstream, and a path after passing the release pad nip part N2 is bent by a curl correcting roll 65 convexly and reversely to the arc of the pressure roll 621.例文帳に追加

加圧ベルト６２０は、加圧ロール６２１と加圧張架ロール６２２とに張架されて下流側に延びる経路で配設されており、その剥離パッドニップ部Ｎ２を経た後の経路は、カール矯正ロール６５によって加圧ロール６２１の円弧とは逆凸に屈曲されている。 - 特許庁

The first P-type semiconductor region P1, the first N-type semiconductor region N1, the second P-type semiconductor region P2, and the second N-type semiconductor region N2 are disposed in order from the side of one main surface 2 of the semiconductor substrate 1 to the other main surface 3.例文帳に追加

半導体基体１の一方の主面２側から他方の主面３に向って第１のＰ型半導体領域Ｐ1、第１のＮ型半導体領域Ｎ1、第２のＰ型半導体領域Ｐ2、第２のＮ型半導体領域Ｎ２が順次に配置されている。 - 特許庁

Lastly, an ordering destination determining function 5 determines the retailer O or the manufacturing company MI as an ordering destination under specified conditions based upon the 1st and 2nd prices P1 and P2, the 1st and 2nd numbers N1 and N2 of days for delivery, and the ordering section.例文帳に追加

最後に、発注先決定機能５において、第１及び第２の価格Ｐ１，Ｐ２と、第１及び第２の納入日数Ｎ１，Ｎ２と発注区分とから所定の条件に従って発注先を卸業者Ｏ若しくは製造会社Ｍに決定する。 - 特許庁

For a business between a manufacturer M having an ordering terminal and trade firms N1 and N2 having order receiving terminals, pre-confirmation information including desired shipping quantity input from the ordering terminal is transmit (S10, S11) to the order receiving terminal before dealing with an order.例文帳に追加

発注端末を有するメーカＭと受注端末を有する商社Ｎ１，Ｎ２間の取引であって、一つの発注に先立って、発注端末から入力された納入希望量を含む事前確認情報を受注端末に送信する（Ｓ１０，Ｓ１１）。 - 特許庁

A determination part 330 determines it as 'zero', if the reference voltage 320 is between the voltages of the nodes N1 and N2, based on the comparative results of the comparators 311 and 312, thereby maintaining the control mode of the charge pump 260, as it is.例文帳に追加

判定部３３０では、これら比較器３１１及び３１２の比較結果に基づいて、基準電圧３２０がノードＮ１の電圧及びノードＮ２の電圧間に入っているときには「０」と判定することで、チャージポンプ２６０の制御態様はそのまま維持される。 - 特許庁

FET_Sg1,Sg2 are inserted in opposite directions in a current path 5, including an FET 1, on a secondary winding N2 of a transformer Tr constituting a drive circuit 2, and an AC current generated by an H bridge circuit 4 is supplied to a primary winding of the transformer.例文帳に追加

駆動回路２を構成するトランスＴｒの二次巻線Ｎ２側のＦＥＴ１を含む電流経路５に、互いに逆方向に挿入されるＦＥＴ＿Ｓg1，Ｓg2を備え、トランスの一次巻線にはＨブリッジ回路４により発生させた交流電流を供給する。 - 特許庁

A VDC circuit for normally supplying an internal voltage VDD1 to an internal circuit allows a transistor P2 to be turned off forcedly in a burn-in test by inputting a test signal, and stops voltage supply to a node N2 of an external supply voltage VDDH.例文帳に追加

通常時に、内部回路に内部電圧ＶＤＤ１を供給するＶＤＣ回路は、テスト信号の入力により、バーンイン試験時にトランジスタＰ２を強制的にターンオフさせて、外部電源電圧ＶＤＤＨのノードＮ２への電圧供給を停止する。 - 特許庁

Then, when the limiter operation executing rate e keeps a reference continuous number Kc, the engine is determined to be in the unloaded state, and a reference rotational number of limiter operation execution that is an engine speed to be a reference for whether to execute the ignition cut, is lowered from N2 to N3.例文帳に追加

そして、リミッタ動作実行率ｅが継続基準回数Ｋｃ継続したとき、エンジンが無負荷状態であると判断し、点火カットを実行するか否かの基準となるエンジンの回転数であるリミッタ動作実行基準回転数をＮ２からＮ３へ下げる。 - 特許庁

Next, a second threshold Th2 is found as the average value of pixel values within a redetermination area JA adjacent to the first noise area N1, and a second noise area N2 is found by comparing each pixel value within the redetermination area JA with the second threshold Th2.例文帳に追加

次に、第１ノイズ領域Ｎ１に隣接する再判別領域ＪＡ内の画素値の平均値として第２閾値Ｔｈ２が求められ、再判別領域ＪＡ内の各画素値を第２閾値Ｔｈ２と比較することにより、第２ノイズ領域Ｎ２が求められる。 - 特許庁

Thus, an LC resonance circuit is formed from a primary side input winding wire N1, a primary side tuning winding wire N2 and the secondary side winding wire N3 of the antenna-tuning transformer T1 and a variable capacitor C and a trap circuit with respect to image frequencies is formed.例文帳に追加

これにより、アンテナ同調トランスＴ１の１次側入力巻線Ｎ１、１次側同調巻線Ｎ２、２次側巻線Ｎ３と可変容量素子ＣによるＬＣ共振回路を形成すると共に、イメージ周波数に対するトラップ回路を形成する。 - 特許庁

The data accumulation part 32 accumulates the measured data received by the reception server 30, and the web server 36 provides browsably the measured data read from the data accumulation part 32, as a homepage, to a personal computer 26, via the second communication line N2.例文帳に追加

データ蓄積部３２は、受信サーバ３０によって受信された計測データを蓄積し、ウェブサーバ３６は、データ蓄積部３２から読み出した計測データをホームページとして第２の通信回線Ｎ２を介してパーソナルコンピュータ２６に対して閲覧可能に提供する。 - 特許庁

Although the dissolved N2 gas contained in the development solution is evaporated and becomes foams in the flow route 53, the filter 57 for removing foams selectively pass the foams though, so that only foams can be removed from the development solution and the consumption of the development solution can be saved.例文帳に追加

現像液に含まれる溶存Ｎ2は前記流路５３で気化して気泡となるが、前記気泡除去用フィルタ５７はこの気泡を選択的に透過させるので、現像液から気泡のみを除去することができ、現像液の省量化を図ることができる。 - 特許庁

An integrated unit of the current detecting resistor 16 with electrode terminals N1 and N2 is arranged and fixed in a case 3A of the semiconductor device 1A and aluminum wires 10f and 10g can be wire bonded to desired positions of the resistor 16.例文帳に追加

電流検出用の抵抗１６と電極端子Ｎ１，Ｎ２とを一体化したものを半導体装置１Ａのケース３Ａ内部に配設、固定するとともに、電流検出用の抵抗１６の所望の位置にアルミワイヤ１０ｆ，１０ｇがワイヤボンディング可能なものとする。 - 特許庁

This method of producing the crush-processed ginkgo leaf is characterized by providing processes n3, n4 for drying the washed n1 and chopped n2 pieces of ginkgo leaves 1 and a process for crushing n5 and forming n6 the dried chopped leaves in a prescribed form.例文帳に追加

洗浄ｎ１および細断ｎ２されたイチョウ葉１片を乾燥する工程ｎ３，ｎ４と、乾燥後のイチョウ葉片を粉砕ｎ５して所定形状に形成する工程ｎ６とを備えたイチョウ葉の粉砕加工物の製造方法であることを特徴とする。 - 特許庁

A center 20 totally manages the construction progress state of each construction site and operators on each construction site report construction progress information by using portable telephone sets 10 and accessing the center 20 through a mobile telephone network N1 and the Internet N2.例文帳に追加

センタ２０が各建設現場の工事進捗状況を統括的に管理するとともに、各建設現場の作業者が、携帯電話機１０を用い、移動電話網Ｎ１及びインターネット網Ｎ２を介してセンタ２０とアクセスすることにより、工事進捗情報を報告する。 - 特許庁

The gas supply passage 15 is connected to a gas storage part 19 and a gas supply pump 20, and an N2 gas that is stored in the gas storage part 19 is supplied to space S1 inside the substrate 2 via the gas supply passage 15 by the gas supply pump 20.例文帳に追加

ガス供給通路１５には、ガス貯蔵部１９とガス供給ポンプ２０とが接続されており、ガス貯蔵部１９に貯蔵されたＮ_2ガスは、ガス供給ポンプ２０により、ガス供給通路１５を介して基板２内の空間Ｓ１に供給される。 - 特許庁

A first magnetic layer 1 that is magnetized in a film surface vertical direction, a first non-magnetic layer N1, a second magnetic layer 2 that is magnetized in the film surface vertical direction, a second non-magnetic layer N2, and a third magnetic layer N3 that is magnetized in a film surface vertical direction, are laminated in order.例文帳に追加

膜面垂直方向に磁化した第１磁性層１と、第１非磁性層Ｎ１と、膜面垂直方向に磁化した第２磁性層２と、第２非磁性層Ｎ２と、膜面垂直方向に磁化した第３磁性層Ｎ３とを順に積層する。 - 特許庁

The curvature of the first curved surface part N1 is same with the curvature of a curved surface R1 of the roof panel 9 confronting the roof reinforcement 13, and the curvature of the second curved surface part N2 is the same with the curvature of a curved surface R2 of the roof panel 9 confronting the roof reinforcement 15.例文帳に追加

第１曲面部Ｎ１の曲率はルーフレインフォースメント１３と対面するルーフパネル９の曲面Ｒ１の曲率と同じであり、第２曲面部Ｎ２の曲率はルーフレインフォースメント１５と対面するルーフパネル９の曲面Ｒ２の曲率と同じとする。 - 特許庁

Similarly, when the transmission is in the Hi-gear state, and the number of revolutions Nm2 of the motor MG2 is not smaller than the number of revolutions N2 that is larger in comparison with that in the Lo-gear state, torque that is smaller than rated torque and gradually becomes a value 0 is set as limit torque Tlim.例文帳に追加

また、変速機がＨｉギヤの状態のときにはＬｏギヤの状態のときに比してモータＭＧ２の回転数Ｎｍ２が高回転数の回転数Ｎ２以上で定格トルクより小さく徐々に値０となるトルクを制限トルクＴｌｉｍに設定する。 - 特許庁

The output circuit 7 includes an NMOS transistor N1 whose source is connected to the signal line 5 and whose drain is connected to the low potential power line 6, and an NMOS transistor N2 connected between a gate of the NMOS transistor N1 and the low potential power line 6.例文帳に追加

出力回路７は、ソースが信号線５に接続され、ドレインが低電位電源線６に接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ１と、ＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートと低電位電源線６の間に接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ２とを備えている。 - 特許庁

In the case of producing the ozone gas containing a 200 g-O3/Nm3 or higher concentration by an ozonizer, the amount of flow in an oxygen generator is reduced so that a 95% or higher concentration of oxygen gas can be produced and N2 gas in the oxygen gas can be temporarily removed.例文帳に追加

オゾン発生装置で２００ｇ−Ｏ_3 ／Ｎｍ^3 以上の高濃度オゾンガスを発生させる場合、酸素発生装置では流量を低下させることにより、９５％以上の高濃度の酸素ガスを発生させ、酸素ガス中から一旦Ｎ_2 ガスを排除する。 - 特許庁

The decimation filter 11a down-samples and outputs a digital signal inputted from the ADC 7 in a rate conversion ratio of 1/N1, and the decimation filter 11b down-samples and outputs an output signal of the decimation filter 11a in a rate conversion ratio of 1/N2.例文帳に追加

デシメーションフィルタ１１ａは、ＡＤＣ７から入力されたディジタル信号を１／Ｎ１のレート変換比でダウンサンプリングして出力し、デシメーションフィルタ１１ｂは、デシメーションフィルタ１１ａの出力信号を１／Ｎ２のレート変換比でダウンサンプリングして出力する。 - 特許庁

In this case, when none of multiple data D0-D2 is selected using a selection signal S0-S2, the first node N1 is H, so that the electric charge of the second node N2 is discharged and the output signal Q erroneously has an L level.例文帳に追加

この状態において、選択信号Ｓ０〜Ｓ２によって複数のデータＤ０〜Ｄ２の何れもが選択されなくなった際には、第１ノードＮ１がＨとなり、前記第２ノードＮ２は、その電荷が放電されて、出力信号ＱはＬレベルに誤動作する状況となる。 - 特許庁

A method for operating such a power plant comprises steps for making a fuel stream pass through the inert gas isolation unit 74 to remove N2 from the fuel stream forming a concentrated stream, and then combusting the concentrated stream together with an oxidant stream to form a combustion stream.例文帳に追加

発電装置を作動させる方法は、燃料流を不活性ガス隔離ユニット７４に通して燃料流からＮ２を除去すると共に濃縮流を形成し、この濃縮流と酸化剤７８流を燃焼させて燃焼流を形成することからなる。 - 特許庁

A migration origin server 1 transmits a present connection number N1 "0" which is the connection number of calls performed by the migration origin server 1, and a present connection number N3 "2" which is the total of the present connection number N1 "0" and a present connection number N2 "2", to a migration destination server 2 (T41).例文帳に追加

移行元サーバ１は、移行元サーバ１が行っている呼の接続数である現在接続数Ｎ１「０」ならびに現在接続数Ｎ１「０」と現在接続数Ｎ２「２」を合計した現在接続数Ｎ３「２」を移行先サーバ２に送信する（Ｔ４１）。 - 特許庁

The organic matter elimination mechanism 30 supplies a very small amount of an oxygen- family gas such as O2 and O3 gases between the substrates before the substrate W is thrown into the reaction chamber 1, and additionally supplies an nitrogen N2 gas between the substrates W for eliminating the organic matters from the substrate W.例文帳に追加

有機物除去機構３０は、基板Ｗを反応室１に投入する前に、基板Ｗ間に微量の酸素系ガス（Ｏ_2、Ｏ_3ガス等）を供給したうえで、さらに基板Ｗ間に窒素Ｎ_2ガスを供給して基板Ｗから有機物を除去する。 - 特許庁

Since the potential of the node N2 is determined by a current I0 flowing in the series circuit, when the current I0 is increased, the on-resistance of the PMOS13 is made smaller, and when the I0 current is decreased, the on-resistance of the PMOS13 is controlled to be made larger.例文帳に追加

ノードＮ２の電位は、直列回路に流れる電流Ｉ０によって定まるので、電流Ｉ０が増加したときにはＰＭＯＳ１３のオン抵抗を小さくし、Ｉ０電流が減少したときにはこのＰＭＯＳ１３のオン抵抗を大きくするように制御する。 - 特許庁

A columnar vibrator 2 both ends of which are opened and which performs a flexural vibration is mounted on one main face of the mounting board 12, and a component 13 for a drive detection circuit is mounted by crossing an abdomen center line n2 of the flexural vibration due to a resonance of the mounting board 12.例文帳に追加

実装基板１２の一方主面上に両端開放屈曲振動をする柱状の振動子２を搭載し、さらに駆動検出回路用部品１３を実装基板１２の共振による屈曲振動の腹部中心線ｎ２を跨いで搭載する。 - 特許庁