「n²」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To a series circuit comprising a resistor 5, NPN 6, 7, and a resistor 8 connected in series between a node N1 and grounding potential GND, a PMOS13 is connected in parallel thereto and the conduction state of the PMOS13 is controlled by the potential of a node N2.例文帳に追加

ノードＮ１と接地電位ＧＮＤの間に直列に接続された抵抗５、ＮＰＮ６，７及び抵抗８による直列回路に対して、ＰＭＯＳ１３を並列に接続し、このＰＭＯＳ１３の導通状態をノードＮ２の電位で制御する。 - 特許庁

A series circuit of nonlinear resistance elements P2, N3 and switching elements N2, P3 is inserted between control input terminals GP1, GN1 of output elements P1, N1 of a final amplification circuit AMP0 and an output terminal OUT of the load drive circuit.例文帳に追加

終段増幅回路（ＡＭＰ０）の出力素子（Ｐ１，Ｎ１）の制御入力端子（ＧＰ１，ＧＮ１）と当該負荷駆動回路の出力端子（ＯＵＴ）との間に非直線抵抗素子（Ｐ２，Ｎ３）とスイッチ素子（Ｎ２，Ｐ３）との直列回路を挿入する。 - 特許庁

NMOS transistors N4, N5, and N2 are located in the Pwell area on the left side, PMOS transistors P1, P2 are located in the central Nwell, and NMOS transistors N1, N3 are located in the Pwell area on the right side.例文帳に追加

左側のＰｗｅｌｌ領域にはＮＭＯＳトランジスタＮ４、Ｎ５，Ｎ２を配置し、中央のＮｗｅｌｌ領域にはＰＭＯＳトランジスタＰ１，Ｐ２を配置し、右側のＰｗｅｌｌ領域にはＮＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ３が配置される。 - 特許庁

The client C30 controls routing and volume of data to be communicated between each of the clients C11 and C12 and the clients C21 to C23 depending on the state of data communication between the communication path N2 and each of the path segments N11 and N12.例文帳に追加

そして、クライアントＣ３０が、要素経路Ｎ１１、Ｎ１２各々と通信経路Ｎ２と間のデータ通信の状況に応じて、クライアントＣ１１、Ｃ１２各々とクライアントＣ２１〜Ｃ２３との間のデータ通信経路やデータ通信量を制御する。 - 特許庁

When a restarting request occurs in a second rotation speed zone (N1≥Ne>N2), the engine is restarted by starting cranking with the starter while a pinion gear is engaged with a ring gear after synchronizing rotation speed of the pinion gear with rotation speed of the ring gear.例文帳に追加

第２の回転速度領域（Ｎ1 ≧Ｎe ＞Ｎ2 ）で再始動要求が発生したときには、ピニオンの回転速度をリングギヤの回転速度に同期させた後にピニオンをリングギヤに噛み合わせてスタータによるクランキングを開始してエンジンを再始動させる。 - 特許庁

The power generation module part 20 comprises a plurality of series modules 30, to which power generation circuits 31 in a plurality of stages are connected in series, and the plurality of series modules 30 are connected, parallel to one another in between output nodes N1, N2 on the board.例文帳に追加

発電モジュール部２０は、複数段の発電モジュール回路３１が縦続接続された直列モジュール３０を複数有し、この複数の直列モジュール３０が基板上において出力ノードＮ１，Ｎ２間に並列に接続されている。 - 特許庁

As shown in (b), a second cam link 30n is rotated clockwise around a fulcrum n2, thereby disposing the second cam link 30n substantially inside the outer peripheral edge of the intermediate transfer unit 15, thereby accommodating it inside an opening f1.例文帳に追加

（ｂ）に示すように第２のカムリンク３０ｎを、支点ｎ２を中心として時計回りに回動させることで、第２のカムリンク３０ｎを中間転写ユニット１５の外縁部のほぼ内側に配置するとともに、開口部ｆ１の内側に納める構成とした。 - 特許庁

Cassette chambers CC1 and CC2, and a transfer chamber TC share a dry vacuum pump DP1, halt exhaust from the transfer chamber TC when transferring a wafer, and purge N2 in the transfer chamber TC only when gate valves PG1 and PG2 are opened.例文帳に追加

カセットチャンバＣＣ１、ＣＣ２とトランスファチャンバＴＣとでドライポンプＤＰ１を共有化するとともに、ウエハＷの搬送時にトランスファチャンバＴＣ内の排気を停止し、ゲートバルブＰＧ１、ＰＧ２を開いた時だトランスファチャンバＴＣ内のＮ_２パージを行う。 - 特許庁

By supplying a cooling gas having a temperature lower than a temperature of the atmosphere outside of the chamber wall 39 into a chamber 23a of the drying unit 23, a heated N2 gas within the chamber 23a is replaced with the cooling gas.例文帳に追加

そして、チャンバー壁３９の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内に供給することによりチャンバー２３ａ内にある加熱されたＮ２ガスを冷却ガスに置換する。 - 特許庁

A target rotating speed computation part 42 compares the idling speed value N1 with the lower limit rotating speed value N2 to find which is greater, whereby an idling speed is controlled with a higher rotating speed value as a target rotating speed value.例文帳に追加

目標回転速度演算部４２において、アイドル回転速度値Ｎ１と下限回転速度値Ｎ２との大小比較を行って、回転速度値の高い方を目標回転速度値としてアイドル回転速度の制御を行うようにした。 - 特許庁

Because the first synchronous rectifier Q2 switches on during the 'A' period, current is prevented from flowing through a body diode 23, so that a voltage caused by the voltage drop in the body diode 23 is prevented from being induced in the secondary winding N2 and the tertiary winding N3.例文帳に追加

Ａ期間中に同期整流器Ｑ２がスイッチオンすることにより、ボディダイオード２３の通電が阻止されてボディダイオード２３の電圧降下に起因した電圧が二次巻線Ｎ２および三次巻線Ｎ３に誘起される事態を回避できる。 - 特許庁

A selector circuit 53 determines the first/second selection condition under the control of the control signal S50, and selects one out of a B-pad 39 and a node N2 to be connected electrically to a backgate terminal NB of the measuring objective NMOS transistor MT.例文帳に追加

セレクタ回路５３は制御信号Ｓ５０の制御下で第１／第２の選択状態が決定され、Ｂパッド３９及びノードＮ２のうち、一方を選択して測定対象ＮＭＯＳトランジスタＭＴのバックゲート端子ＮＢに電気的に接続する。 - 特許庁

In a plurality of resonator elements F, each of a plurality of resonator elements arrayed on a column N1 has a phase P1 while each of a plurality of resonator elements arrayed on a column N2 has a phase P2 that becomes an inverse phase to the phase P1.例文帳に追加

複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子が位相Ｐ１を有する一方で、列Ｎ２に配列された複数の共振器素子が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有している。 - 特許庁

The 'on' time setting part 18 of the control section 3 controls the 'on' period of the switching element Q so that the switching element Q may be switched on when the current flowing in the secondary coil n2 has stopped, during the 'off' period of the switching element Q in a steady lighting state.例文帳に追加

制御部３のオン時間設定部１８は安定点灯状態でスイッチング素子Ｑのオフ期間に２次巻線ｎ２に流れる電流が停止した時点でスイッチング素子Ｑがオンになるようにスイッチング素子Ｑのオン期間を制御する。 - 特許庁

The two brush rollers 84 are arranged as the brush rollers 80 and 82 so as to face the photosensitive layer surface of a PS plate 12 in a developing section 14 and are rotationally driven at numbers N1 and N2 of revolutions varying from each other, by which the surface of the transported PS plate is brushed.例文帳に追加

現像部１４には、ＰＳ版１２の感光層面に対向して２本のブラシローラ８４をブラシローラ８０、８２として配置し、互いに異なる回転数Ｎ_1、Ｎ_2で回転駆動して、搬送されるＰＳ版の表面をブラッシングする。 - 特許庁

The switching power supply is provided with: a rectifying/smoothing section 2 comprising diodes D2-D5 and smoothing capacitors C2, C8; a diode section 5 comprising diodes D6, D7; and a transformer T1 having a primary winding N1, a secondary winding N2, a control winding N3 and a winding N4.例文帳に追加

ダイオードＤ２〜Ｄ５および平滑コンデンサＣ２・Ｃ８からなる整流平滑部２と、ダイオードＤ６・Ｄ７からなるダイオード部５と、１次巻線Ｎ１、２次巻線Ｎ２、制御巻線Ｎ３、および巻線Ｎ４を備えるトランスＴ１とを備える。 - 特許庁

A neutralizing needle 91 is disposed on the downstream side of the secondary transfer part N2, and a neutralizing bias of -3 kV is applied to the neutralizing needle 91 when an image is formed on thin paper while the neutralizing needle 91 is connected to a ground potential when an image is formed on not-thin paper.例文帳に追加

二次転写部Ｎ２の下流側に除電針９１が配置され、薄紙の画像形成に際しては、除電針９１に除電バイアス−３ｋＶが印加されるが、薄紙でない場合は除電針９１は接地電位に接続される。 - 特許庁

On the other hand, in the case of performing the independent operation of the engine when the conditions are established (S250, S280), the independent operation of the engine is performed by the number of revolution (number of revolution N1 or the number of revolution N2) corresponding to the input restriction Win of a battery (S190, S290).例文帳に追加

一方、前述の条件の成立時にエンジンを自立運転するときには（Ｓ２５０，Ｓ２８０）、バッテリの入力制限Ｗｉｎに応じた回転数（回転数Ｎ１または回転数Ｎ２）でエンジンを自立運転する（Ｓ１９０，Ｓ２９０）。 - 特許庁

A point N1, where the impulse response of a direct sound starts, a point N2, where the impulse responses of the direct sound and an initial reflection sound are completed, and a point N3, where the impulse response of a reverberating sound starts, are indicated by the data related to the impulse responses.例文帳に追加

直接音のインパルス応答が開始するポイントＮ１と、直接音および初期反射音のインパルス応答が終了するポイントＮ２、残響音のインパルス応答が開始するポイントＮ３とは、インパルス応答に付随するデータにより示される。 - 特許庁

An input winding N1, a tuning winding N2, and an output winding N3 are wound on a plurality of winding grooves provided to a bobbin 2 integrated with an insulator base 1 made of a resin or the like, and integrated with each other while arranging the number of turns of the windings and a degree of interference among them.例文帳に追加

樹脂などで形成した絶縁体の基台１と一体のボビン２に設けた複数の巻溝に巻数と干渉度をアレンジしながら入力巻線Ｎ１、同調巻線Ｎ２、出力巻線Ｎ３を巻回して一体化する。 - 特許庁

In this case, a high adhesion strength of the MoN layer 45 to the photosensitive resin 4 can be obtained by setting the N2 content in the MoN film 45 from 5 atomic % to 30 atomic %, and the degradation of the etching rate can be suppressed.例文帳に追加

その場合、ＭoＮ膜４５におけるＮ_2の含有量を５原子％以上で且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。 - 特許庁

A pharmaceutical composition for inhibiting the activity of JAK kinase contains 5-Fluoro-N2-(4-methyl-3-propionylaminosulfonylphenyl)-N4-[4-(prop-2-ynyloxy)phenyl]-2,4-pyrimidinediamine or a solvate or pharmaceutically acceptable salt thereof.例文帳に追加

５−フルオロ−Ｎ２−（４−メチル−３−プロピオニルアミノスルホニルフェニル）−Ｎ４−［４−（プロピ−２−イニルオキシ）フェニル］−２，４−ピリミジンジアミンまたはその溶媒和物もしくは薬学的に許容できる塩を含む、ＪＡＫキナーゼの活性を阻害するための製薬組成物。 - 特許庁

MOS transistors Tp3, Tp4 for initial value setting are inserted and connected between nodes N1, N2 that become output terminals of first and second inverters 32, 33 constituting a latch circuit 31 of a shift circuit 12 and transistors Tp1, Tp2.例文帳に追加

シフト回路１２のラッチ回路３１を構成する第１及び第２インバータ回路３２，３３の出力端子となるノードＮ１，Ｎ２とトランジスタＴｐ１，Ｔｐ２との間に初期値設定用のＭＯＳトランジスタＴｐ３，Ｔｐ４を挿入接続した。 - 特許庁

The node N2 functions as a floating drain when a control switch 24 is on, and stores the signal charges flowing from each pixel circuit 10 with a capacitor 22 when the control switch 24 provided at the intermediate timing of one frame period is off.例文帳に追加

ノードＮ２は、制御スイッチ２４のオン期間にはフローティングドレインとして機能する一方で、１フレーム期間の中間タイミングに設けられた制御スイッチ２４のオフ期間には、各画素回路１０から流出した信号電荷を容量２２により蓄積する。 - 特許庁

The sample-and-hold circuit comprises: a sampling capacitor Cs having one end connected to a first node N1; a main transistor TM disposed between the first node N1 and a second node N2; and a sub transistor TS disposed in parallel with the main transistor TM.例文帳に追加

サンプル・ホールド回路は、一端が第１のノードＮ１に接続されるサンプリング用キャパシターＣｓと、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２の間に設けられるメイントランジスターＴＭと、メイントランジスターＴＭと並列に設けられるサブトランジスターＴＳと、を含む。 - 特許庁

In the fixing device, a roll nip part N1 is formed between a fixing roll 611 and a pressure roll 62, and a peeling pad nip part N2 is formed between a peeling pad 64 and the pressure roll 62 arranged adjacent to each other on the downstream side of the fixing roll 611.例文帳に追加

定着装置は、定着ロール６１１と加圧ロール６２との間にロールニップ部Ｎ１が形成され、定着ロール６１１の下流側に隣接して配置された剥離パッド６４と加圧ロール６２との間に剥離パッドニップ部Ｎ２が形成されている。 - 特許庁

Cell blocks MCB0, MCB1 constituted by connecting in series plural memory cells MC in which a ferroelectric capacitor C and a cell transistor T are connected in parallel between terminals N1 and N2 is formed along a pair of bit lines BBL, BL.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣとセルトランジスタＴを並列接続してなるメモリセルＭＣを端子Ｎ１，Ｎ２の間に複数個直列接続して構成されたセルブロックＭＣＢ０，ＭＣＢ１が対をなすビット線ＢＢＬ，ＢＬに沿って形成される。 - 特許庁

Therefore, the partial array of a reading frame where the appearance frequency (N1+N4-(N2+N3)) is made the largest is found out, and when the start codon and the end codon exist in the partial array, the protein code area can be estimated regardless of the biological kind.例文帳に追加

したがって、出現頻度（Ｎ１＋Ｎ４−（Ｎ２＋Ｎ３））がもっとも大きくなる読み枠の部分配列を見つけだし、開始コドンと終止コドンがこれらの部分配列で存在すれば生物種に無関係に蛋白質コード領域を推定できる。 - 特許庁

When a restart is requested in a second rotational speed range (N1≥Ne>N2), a pinion is meshed with a ring gear after the rotational speed of the pinion is synchronized with that of the ring gear to start the cranking of the engine by the starter for restarting the engine.例文帳に追加

第２の回転速度領域（Ｎ1 ≧Ｎe ＞Ｎ2 ）で再始動要求が発生したときには、ピニオンの回転速度をリングギヤの回転速度に同期させた後にピニオンをリングギヤに噛み合わせてスタータによるクランキングを開始してエンジンを再始動させる。 - 特許庁

In a signal transmission apparatus, an edge extraction circuit 1 extracts a rising edge and a falling edge of an input pulse signal Din and generates a pulse signal n2 whose rising and falling edges have a positive or negative pulse signal.例文帳に追加

エッジ抽出回路１は、入力パルス信号Ｄinの立ち上がりエッジ及び立ち下りエッジを抽出し、抽出した立ち上がりエッジ及び立ち下りエッジを正パルス信号又は負パルス信号のいずれかに統一したパルス信号ｎ２を生成する。 - 特許庁

Next, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor phase growth method, a TiCN film 109 is deposited by a chemical vapor phase growth process, and the surface of the film 109 is exposed to N2 plasma to form a TiN film 110.例文帳に追加

次に物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＣＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＣＮ膜１０９の表面をＮ_2 プラズマに暴露することによりＴｉＮ膜１１０を形成する。 - 特許庁

This optical fiber has an inner core region (refractive index n1 and external diameter 2a) including an optical axis center, an outer core region (refractive index n2 and external diameter 2b) enclosing this inner core region and a clad region (refractive index n3 and external diameter 2c) enclosing this outer core region.例文帳に追加

この光ファイバは、光軸中心を含む内コア領域（屈折率ｎ_1、外径２ａ）と、この内コア領域を取り囲む外コア領域（屈折率ｎ_2、外径２ｂ）と、この外コア領域を取り囲むクラッド領域（屈折率ｎ_3、外径２ｃ）と、を有している。 - 特許庁

A required production amount (the number of sheets to be printed) N1 which is decided from a production plan, and the number of sheets N2 to be printed being required for the compensation of an ink film thickness are set in preset counters 11-1 and 11-2, and a selecting switch 11-7 is set at "interlocking".例文帳に追加

生産計画に基づいて策定した必要生産量（印刷枚数）Ｎ１およびインキ膜厚の補正に必要な印刷枚数Ｎ２をプリセットカウンタ１１−１および１１−２にセットし、セレクトスイッチ１１−７を「連動」としておく。 - 特許庁

A counter detects a level shift of data and when there is no level shift successively over specific bits, a selector SEL selects data N1 generated by the data by a 1st delay circuit DELAY1 and inputs them as data N2 to the phase comparator PD.例文帳に追加

データのレベル遷移をカウンタで検出し、所定ビット以上連続してレベル遷移が無いときには、セレクタＳＥＬによりデータを第１遅延回路ＤＥＬＡＹ１で遅延したデータＮ１を選択してデータＮ２として位相比較器ＰＤに入力する。 - 特許庁

The light-and- dark border is electrically detected by a CCD, a photodiode array, or the like, arranged at the position where the image is formed by the hemispherical prism 2 to determine the critical refracting angle, which can determine a refractive index n2 of the sample as a refractive index n1 of the prism 2 is known.例文帳に追加

半球状プリズムの結像位置に配したＣＣＤ、フォトダイオードアレイ等で明暗境界の検出を電気的に行ない、臨界屈折角を求めれば、プリズムの屈折率ｎ_1 は既知であるため、サンプルの屈折率ｎ_2 を求めることができる。 - 特許庁

A power supply voltage VDD is impressed, and when the voltage of the gate of an NM0S 23 is beyond a threshold voltage, this NM0S 23 is turned on, and the voltage of a node N2 is turned to be higher than that of a ground GND as much as the threshold of the NM0S 23.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤを印加することにより、ＮＭ０Ｓ２３のゲートにかかる電圧が閾値電圧を越える場合には該ＮＭ０Ｓ２３がオンし、ノードＮ２はグランドＧＮＤに対して該ＮＭ０Ｓ２３の閾値分だけ高い電圧となる。 - 特許庁

Of the magnetic poles of the magnet bodies 71-75, the pumping pole N2 is placed in a position that is 115 to 130 degrees away from the developing pole N1, and the flux density of the pumping pole is in the range of 45 to 70 mT whereby picture quality can be enhanced.例文帳に追加

磁石体７１〜７５の磁極のうち、汲上げ極Ｎ２を現像極Ｎ１から１１５度〜１３０度の位置に配置し、汲上げ極の磁束密度の範囲を４５ｍＴ〜７０ｍＴとすることで、画質を向上することができる。 - 特許庁

The film thickness d2 of the shifter 23 is defined as follows: d2=λ/2/(n2×cosθ2-n0×cosθ0) such that the phase difference between the exposure light transmitting the shifter 23 to A1 to A4 and the exposure light transmitting only the transparent substrate 22 to A11 to A14 is 180°.例文帳に追加

Ａ１〜Ａ４へシフタ２３を透過する露光光と、Ａ１１〜Ａ１４へ透明基板２２のみを透過する露光光の位相差が１８０°となるようにシフタ２３の膜厚ｄ２は、ｄ２＝λ／２／（ｎ２×ｃｏｓθ２−ｎ０×ｃｏｓθ０）とする。 - 特許庁

The hypoid gear 10 is constituted with the transverse coordinates of intersections of the transverse axis and the partition lines N1, N2, N3 as positions of the second gear 14, that is, as those of meshing of the first and second gears 12, 14 to determine acceptable quality levels respectively.例文帳に追加

これら分割線Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３と横軸との交点の横軸座標を第２歯車１４の位置、すなわち、第１歯車１２と第２歯車１４の噛合位置としてハイポイドギヤ１０をそれぞれ構成し、各々の合格率を判定する。 - 特許庁

A bias voltage, generated at bias circuits (Q13, Q14) connected between the node N1 and the node N2, becomes low, and idling current Iid1 of the output stage transistors (Q1, Q2) is reduced by making the idling current Iid2 small.例文帳に追加

アイドリング電流Ｉｉｄ２を小さくすることで、ノードＮ１とノードＮ２との間に接続されるバイアス回路（Ｑ１３，Ｑ１４）で発生するバイアス電圧を小さくし、出力段トランジスタ（Ｑ１，Ｑ２）のアイドリング電流Ｉｉｄ１を減らすことができる。 - 特許庁

In the formula, Ra, Rb and Rc are each a substituent; Q is an atom group or a single bond for forming a five to eight-membered ring; (l) and (m) are each an integer of 0 to 5; (n) is 0 or 1, provided that (n1+n3) and (n2+n3) do not each exceed 5.例文帳に追加

一般式（１）（Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは置換基；Ｑは５〜８員環を形成する原子群または単結合；ｌ、ｍは０〜５の整数；ｎは０または１を表す。ただし、（ｎ１＋ｎ３）と（ｎ２＋ｎ３）は、それぞれ５を超えることはない。） - 特許庁

In such a way, by raising a voltage applied to the leaked inductance of the transformer by short-circuiting one terminal of the secondary winding N2 of the transformer and a central point of the terminals, the rising time tr of the current of the secondary winding of the transformer can be shortened.例文帳に追加

このようにしてトランスの２次巻線Ｎ２の一方の端子とその中点とを短絡してトランスの漏れインダクタンスに印加される電圧を高めることにより、トランスの２次巻線電流の立ち上がり時間ｔｒを短縮することができる。 - 特許庁

The route node N0 determines a destination (node N1) through which the packet will be relayed, based on the node addresses NA of the nodes N1 and N2 contained in the node address NA of the node N3 and the stored addresses (the node addresses NA of the nodes N1 and N9) of candidates for a destination through which a packet is relayed.例文帳に追加

ルートノードＮ０は、ノードＮ３のノードアドレスＮＡに含まれるノードＮ１，Ｎ２のノードアドレスＮＡと、記憶する中継先候補アドレス（ノードＮ１，Ｎ９のノードアドレスＮＡ）とに基づいて、パケットの中継先（ノードＮ１）を決定する。 - 特許庁

The device does not generate transfer defect in the case of adopting the recording material P of the small size with high resistance by constituting the transfer system 15, so as to make dynamic impedance per unit length of the transfer nip N2 in the lengthwise direction to be 0.3 MΩ.m or less under all environment.例文帳に追加

転写系１５を、転写ニップＮ２の長手方向の単位長さ当たりの動的インピーダンスが、全環境で０．３ＭΩ・ｍ以上となるようにすることにより、記録材Ｐが高抵抗の小サイズの場合の転写不良が防止される。 - 特許庁

Charge of a capacitor 4 is discharged through a resistor 3, but since the time constant of the resistor 3 and capacitor 4 is set smaller than that of the resistor 1 and capacitor 2, the potential drop of a node N2 is faster than that of the node N1.例文帳に追加

また、キャパシタ４の電荷は抵抗３を介して放電されるが、抵抗３とキャパシタ４の時定数は、抵抗１とキャパシタ２の時定数よりも小さく設定されているので、ノードＮ２の電位低下はノードＮ１の電位低下よりも速い。 - 特許庁