「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal catalyst is provided on a substrate by patterning, using a carbon compound as a carbon source in a reaction atmosphere, from the metal catalyst, a plurality of single-walled carbon nanotubes are formed, so as to produce a single-walled carbon nanotube bulk structure which has been patterned.例文帳に追加

金属触媒を基板上にパターニングして設け、前記金属触媒から反応雰囲気ガス中で炭素源として炭素化合物を用いて、複数本の単層カーボンナノチューブを生成することにより、パターニングされた単層カーボンナノチューブ・バルク構造体を製造する。 - 特許庁

It is prevented that silicon carbide is reversibly reacted with hydrogen to be vaporized as the hydride of silicon and carbon are inhibited by growing a silicon carbide thin film on a silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from hydrogen in a quartz reaction tube 1.例文帳に追加

石英反応管１内で水素を含まない雰囲気中で炭化珪素薄膜を炭化珪素単結晶基板５上に成長させることにより、炭化珪素が水素と可逆反応を起こして珪素や炭素の水素化物となって気化するのが防止される。 - 特許庁

The cyanine pigment molecule including at least one NO_2 group can be used as a substrate for detecting nitroreductase enzyme activity in a composition, and enables use of the nitroreductase enzyme in an enzyme reporter system for detecting a specimen, a coupling reaction or gene expression.例文帳に追加

少なくとも一つのＮＯ_２基を含むシアニン色素分子は、組成物中におけるニトロレダクターゼ酵素活性の検出用の基質として使用でき、検体、結合反応または遺伝子発現の検出用の酵素レポーターシステムにおけるニトロレダクターゼ酵素の使用を可能にする。 - 特許庁

To provide a coating device which prevents generation of deposition resulting from reaction of a metal compound with water, and forms a metal oxide film with high film forming efficiency at a high film forming speed, and to provide a coating method for forming the metal oxide film on a substrate using the device.例文帳に追加

金属化合物と水の反応堆積物の発生を防止し、高い成膜効率および成膜速度で金属酸化物膜を成膜できるコーティング装置、および該装置を用いて、基板に金属酸化物膜を成膜するコーティング方法の提供。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method which prevent the clogging of gas discharge holes in a shower head, consequently suppress the occurrence of variance in reaction gas flow to be fed, and thereby securing film uniformity on the substrate to be processed and film reproducibility.例文帳に追加

シャワーヘッドのガス吐出孔の塞がりを防止することにより、供給される反応ガス流のばらつきの発生を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the second transparent conductive film 12 is formed to a film thickness 5 to 15 nm and then entry of the developing liquid into the reflecting pixel electrode is prevented to prevent corrosion resulting from battery reaction of a pixel electrode as a substrate, thereby manufacturing the liquid crystal display device in high yield.例文帳に追加

第２の透明導電性膜１２の膜厚を５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることにより、反射画素電極への現像液の侵入を防止し、下地の画素電極の電池反応による腐食を防止し、高い歩留で製造することが可能である。 - 特許庁

The activity measuring method of protein kinase has a reaction process for bringing protein kinase, a substrate and a known amount of ATP into contact with each other, a separation process for separating ATP and ADP and a measuring process for performing electrochemical measurement in a state that separated ATP is collected on the surface of an electrode.例文帳に追加

プロテインキナーゼと基質と既知量のＡＴＰとを接触させる反応工程と、ＡＴＰとＡＤＰとを分離する分離工程と、分離したＡＴＰを電極の表面に集めた状態で電気化学測定を行う測定工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a substrate transfer carrier forms a sheet by thermosetting a material essentially consisting of a composition obtained by subjecting a mixture containing a silicate compound and polydimethylsiloxane having silicate-modified terminal ends to a hydrolysis reaction and a condensation reaction, then heats the sheet for two hours or longer and eight hours or less at a temperature of 260°C or higher and 300°C or lower, thereby fixing the sheet to a base.例文帳に追加

シリケート化合物と、末端をシリケート変性したポリジメチルシロキサンとを有する混合物を、加水分解反応および縮合反応することによって得られた組成物を主成分とする材料を熱硬化してシートを成形した後、前記シートを２６０℃以上３００℃以下の温度で、２時間以上８時間以下の時間、加熱し、ベースに固定する基板の搬送用キャリアの製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical sensor chip includes: an optical waveguide layer 3 formed on the main surface of a substrate 2 and including a pair of gratings 4 separately provided mutually; a fixed layer 7 provided on the light waveguide layer 3 and forming a frame-like reaction hole 6 at a portion on the light waveguide layer 3 positioned across the pair of gratings 4; and a cell wall 8 provided while surrounding the reaction hole 6 on the fixed layer 7.例文帳に追加

基板２の主面上に形成され、且つ互いに離間して設けられた一対のグレーティング４を含む光導波路層３と、光導波路層３上に設けられ、一対のグレーティング４間に位置する光導波路層３上の一部分に枠状の反応ホール６形成する固着層７と、固着層７上に反応ホール６を取り囲むように設けられたセル壁８とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A recovered liquid from a micro dialysis probe applied to an organism is fed to an enzyme rector 1 comprising a synchronous solid phase of glutamate oxidase/glutamate dehydrogenase to cause substrate cycling reaction of the L-glutamate, and detecting an amount of generated hydrogen peroxide amplified so as to correspond to the L-glutamate by the cycling reaction to measure the amount of the L-glutamate generated by the organism in real time.例文帳に追加

生体に適用された微小透析プローブからの回収液を、グルタメートオキシダーゼ／グルタメートデヒドロゲナーゼの同時固定相からなる酵素リアクター１に供給して、Ｌ−グルタメートの基質サイクリング反応を生じさせ、このサイクリング反応でＬ−グルタメートに対応して増幅された過酸化水素の発生量を検出することにより、生体が発生したＬ−グルタメート量をリアルタイムで測定するものである。 - 特許庁

In the method and device for determining the quantity of the enzyme, a reaction liquid is produced by adding the enzyme to a solution of the substrate converted into an optically measurable substance by enzyme activity of the enzyme, an inhibitor suppressing the enzyme activity of the enzyme is added to the reaction liquid, and one or more optical measurement is carried out in a state suppressing the enzyme activity of the enzyme.例文帳に追加

酵素の定量法であって、酵素の酵素活性により光学的に測定可能な物質に変換される基質の溶液に酵素を添加して反応液を生成した後、該酵素の酵素活性を抑制する阻害剤を反応液に添加して該酵素の酵素活性を抑制した状態で１回以上光学的な測定を行う方法及びそのための装置により前記課題を解決する。 - 特許庁

The exposing apparatus, which exposes a substrate 150 by an exposing light by means of an organic liquid 170, includes an oxidizing reaction means 180 which allows the organic liquid 170 to be reacted with oxygen or water in the organic liquid 170 by giving irradiation light to the organic light 170 to generate an oxide, and a filter 181 to remove the oxide generated by the oxidizing reaction means from the organic liquid 170.例文帳に追加

有機液体１７０を介して露光光で基板１５０を露光する露光装置は、有機液体１７０に照射光を照射することにより有機液体１７０と有機液体１７０中の酸素または水とを反応させて酸化物を生成する酸化反応手段１８０と、酸化反応手段で生成された酸化物を有機液体１７０中から除去するフィルタ１８１と、を備える。 - 特許庁

This method mixes at least one of a pH buffer material buffering pH of the measuring sample and a surfactant, the fluorescent enzyme substrate producing a substance emitting fluorescence by a catalytic reaction of an enzyme included in a bacterium, with the measuring sample to form a sample mixture and then adjusts the pH of the sample mixture at 10.0-13.0 after carrying out the catalytic reaction and measures the fluorescence.例文帳に追加

被測定試料のｐＨを緩衝化するｐＨ緩衝化物質および界面活性剤の少なくとも一方と、細菌が持つ酵素による触媒反応によって蛍光を発する物質を生成する蛍光酵素基質とを、被測定試料と混合して混合試料とし触媒反応を行わせた後、混合試料のｐＨを１０.０以上１３.０以下に調整して蛍光を測定する微生物測定方法。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit substrate that a photodiode 8, a signal detecting transistor circuit 6 for inputting an electric charge photoelectrically converted by the photodiode and input and output terminals for inputting and outputting signals for driving the photodiode and the signal detecting transistor circuit are formed, the fluorescence detecting apparatus is constituted so as to form a fluorescent reaction vessel as a fluorescent reaction field on the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオード８と、前記フォトダイオードで光電変換された電荷が入力される信号検出トランジスタ回路６と、前記フォトダイオードおよび前記信号検出トランジスタ回路を駆動するための信号を入出力するための入出力端子とが形成された半導体集積回路基板において、前記フォトダイオード上に蛍光反応の場となる蛍光反応槽を形成して蛍光検出装置を構成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device has a depositing step of forming a film containing Zr on a substrate 1 in a reaction chamber 4; and a cleaning step of removing the film, which is deposited in the reaction chamber 4 in the depositing step, by reacting the film with a gas containing BCl_3 to form a Zr compound, and heating and evaporating the Zr compound.例文帳に追加

反応室４内で基板１上にＺｒを含む膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において前記反応室４内に付着した前記膜をＢＣｌ_3を含むガスと反応させてＺｒ化合物を生成させ、このＺｒ化合物を加熱し気化することで前記膜を除去するクリーニング工程とを有する半導体装置の製造方法により、前記課題を解決した。 - 特許庁

In this reaction detection chip where a spot is formed by gathering and immobilizing on a substrate a plurality of such porous particles that probe molecules are bonded to the surface including pores of each porous particle, the porous particles are transparent to incident light, and the porous particles are immobilized in the monolayer state on the substrate.例文帳に追加

プローブ分子を多孔質粒子の細孔を含む表面に結合させた該多孔質粒子を複数個集合させて基板に固定することによりスポットを形成した反応検出チップにおいて、該多孔質粒子は該入射光に対し透明であり、かつ、該多孔質粒子は該基板上に単層状態に固定してあることを特徴とする反応検出チップを提供する。 - 特許庁

The system comprises a device 11 for sampling the liquid to be tested, a device 12 for adding the liquid with the substrate and microbial cells having the enzyme forming the colored substance by reaction with the substrate, and a device 15 for quantifying the resultant fluorescent substance.例文帳に追加

有害物質検出システムは、被試験液体を採取する採取装置１１、採取された上記被試験液体に発色性酵素基質と発色性酵素基質と反応して蛍光物質を生成する酵素を有する菌体とを添加する添加装置１２、発色性酵素基質と菌体とが添加された被試験液体における蛍光物質の量を定量する定量装置１５備えている。 - 特許庁

A first gas passage for supplying a first reaction gas is formed, by discharge devices 20a and 20b, on a first substrate carried by a belt conveyor BC1 driven by a driving device 58 based on a signal from a control device 56; and a first current collection layer is formed, by a discharge device 20d, on the first substrate carried by the belt conveyor BC1.例文帳に追加

制御装置５６からの信号に基づいて駆動装置５８により駆動されるベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ａ、２０ｂにおいて第１の反応ガスを供給するための第１のガス流路を形成し、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｄにおいて第１の集電層を形成する。 - 特許庁

In a method of using the apparatus, a semiconductor substrate is supplied to the reaction chamber and the substrate is processed by supplying of the mixed gas to the first and second zones and adjustment by the control valve so that a rate of flow of the mixed gas in the first or the second gas supply line provides a desired ratio of flow rates of the mixed gas in the first and the second zones.例文帳に追加

装置を利用する方法では、半導体基板を反応チャンバーに供給し、混合ガスを第１及び第２のゾーンへ供給し、第１及び第２のゾーンで所望の混合ガス流量比を作るために少なくとも第１のガス供給ライン上及び第２のガス供給ライン上のいずれかの混合ガス流量をコントロールバルブで調節することによって、基板を処理する。 - 特許庁

For a semiconductor 1, a GaAs substrate 2 is set at a susceptor of MOCVD method, while the GaAs substrate 2 is heated under control, TMA, etc., as III group material, AsH3 as As material, DMHy(dimethyl hydrazine) of an organic nitride compound, etc., as nitrogen material, are supplied into a reaction chamber at the same time for growing with hydrogen as carrier gas.例文帳に追加

半導体１は、ＭＯＣＶＤ法のサセプターにＧａＡｓ基板２をセットし、ＧａＡｓ基板２を加熱制御しつつ、III 族原料としてＴＭＡ等を、Ａｓ原料としてＡｓＨ_3 を、窒素原料として有機系窒素化合物であるＤＭＨｙ等を、キャリアガスとして水素を使用して、これらの原料ガスとキャリアガスを同時に反応室内に供給して成長させる。 - 特許庁

The boron nitride nanotube including the cobalt nanowire is manufactured by using a cobalt-made wafer as a substrate and by growing a cobalt-containing carbon nanotube on the substrate by a plasma CVD method using a mixture of a nitrogen gas, a hydrogen gas, and a methane gas, followed by the substitution reaction between the carbon nanotube powder and boron oxide in a nitrogen gas flow at 1,700-2,500K.例文帳に追加

コバルト製のウエハーを基板として用い、窒素ガス、水素ガスおよびメタンガスの混合物のプラズマＣＶＤ法により、コバルト含有カーボンナノチューブを基板上に成長させ、次いでこのカーボンナノチューブの粉末と酸化ホウ素を窒素気流中で１７００Ｋから２５００Ｋの温度で置換反応させることにより、コバルトのナノワイヤーを包含した窒化ホウ素ナノチューブを製造する。 - 特許庁

In this processing, the PH3 gas jetted out of a gas diffusion hole 12a of the nozzle 12 is allowed to reflect at the inner wall of the reaction furnace 1, and the gas stream is directed at an angle of 45° to 90°, preferably at an angle vertical or approximately vertical to the surface of the substrate 11.例文帳に追加

このとき、石英ガスノズル１２のガス拡散穴１２ａから吹き出されるＰＨ_3 ガスを反応炉１の内壁で反射させ、そのガス流の方向を半導体基板１１の表面に対して、４５°〜９０°の角度、好適には、垂直か垂直に近い角度になるようにする。 - 特許庁

To provide a treatment method for biospecimen for fixing a reagent and a reaction product, while holding the position data of the target substrate in the biospecimen as pretreatment for analyzing the target substance for each individual cell in the biospecimen with satisfactory positional accuracy, and to provide an analysis method of the biospecimen.例文帳に追加

生体標本中の個々の細胞ごとに標的物質を位置精度よく分析するための前処理として、生体標本内の標的物質の位置情報を保持したまま、試薬および反応生成物を固定するための生体標本の処理方法、および解析方法を提供すること。 - 特許庁

In the film deposition method, a reaction gas including nitrogen atoms is introduced in the downstream of distribution holes 21a through the distribution holes 21a after being exposed to a surface wave of a microwave, and is made to react with an inorganic silane gas; thus a silicon nitride film is deposited on a substrate placed in the downstream side.例文帳に追加

窒素原子を含む反応ガスを、マイクロ波の表面波に曝した後、流通孔２１ａを通過させて該流通孔２１ａの下流に導き、該下流において無機シランガスと反応させることにより、上記下流に配置された基板上にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

To ensure stable cell performance by enabling it to perform satisfactory diffusion of gases necessary for the reaction, while retaining mechanical strength for the electrode, and in particular, by forming a carbon layer which has a smooth surface, regardless of unevenness of the electrode substrate and has an improved uniform water repellency.例文帳に追加

電極の機械的な強度を確保しながら、反応に必要な気体の拡散を良好に行うことを可能にし、特に、電極基材の凹凸に関わらず平滑な表面を持つ、均一で撥水性に優れたカーボン層を形成し、安定な電池性能を確保する。 - 特許庁

The decorative sheet has on a substrate 1 a polyurethane resin layer 2 containing a reaction product of a resin (resin A) having a polycarbonate skeleton, a polyurethane skeleton, and hydroxy groups, a polyol resin (resin B) other than the resin A, and a polyisocyanate curing agent (curing agent C) as a main component.例文帳に追加

基材１上に、ポリカーボネート骨格及びポリウレタン骨格を含有し且つ水酸基を含有する樹脂（樹脂Ａ）と、該樹脂Ａ以外のポリオール樹脂（樹脂Ｂ）と、ポリイソシアネート硬化剤（硬化剤Ｃ）との反応生成物を主成分とするポリウレタン系樹脂層２を有する化粧シートである。 - 特許庁

Then a plasma is generated by subjecting a reaction gas to ECR excitation by forming a prescribed magnetic field in the generating chamber 2 by means of an exciting coil 15, while microwaves are introduced into the chamber 2 and FeN layer is etched by guiding the plasma to the substrate K.例文帳に追加

基板Ｋの温度を９０℃以上にした状態で、導波管１２から生成室２内へマイクロ波を導入するとともに、励磁コイル１５にて生成室２内に所定の磁界を形成して、反応ガスをＥＣＲ励起してプラズマを生成し、これを基板Ｋ上へ導き、ＦｅＮ層をエッチングする。 - 特許庁

Since the gas containing fluorine elements is used in addition to the oxygen gas, fine etching reaction is generated in ashing, so that an effect for removing re-attached components such as deposited reactants and resists heavily stuck to a treated substrate surface at the time of etching, particularly to the edge of an area coated with the resist is displayed.例文帳に追加

酸素ガスに加えて弗素元素を含むガスを用いているので、アッシング中に微量ながらエッチング反応が発生しており、エッチング時に処理基板面、特にレジストで被覆された領域のエッヂ部に多く付着したデポ反応物やレジスト等の再付着成分を除去する効果を奏する。 - 特許庁

So, when used as the electrode substrate for a fuel cell, the surface contact to another layer on an interface becomes possible when laminated, reducing the contact resistance and heat loss on the interface, for wide and even distribution of gas, causing more efficient catalytic reaction.例文帳に追加

従って、燃料電池用電極基材として用いると、積層したときに界面において他の層と面接触が可能になり、界面での接触抵抗や熱損失を小さくでき、ガスを均一に広範囲に配流することができるため、さらに効率的に触媒反応を起こし得るものである。 - 特許庁

Thereby, the plate holes to discharge the gas can be provided without being restricted by the positions of the gas discharge holes of the shower head, variations in the flow of a reaction gas supplied is suppressed, and film uniformity on the substrate to be processed can be secured.例文帳に追加

それにより、シャワーヘッドのガス吐出孔位置に制限されること無く、ガスを吐出するプレート孔を設けることができ、供給される反応ガス流のばらつきを抑制し、被処理基板上での膜均一性を確保し得る気相成長装置を提供することができる。 - 特許庁

This method is a method for the hydrolysis with the lipase, in which the hydrolysis is performed in an aqueous solution by making the lipase derived from a microorganism act as a substrate, wherein one organic solvent or more selected from the group consisting of dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, 1,4-dioxane, and dimethoxyethane is/are added to the reaction system.例文帳に追加

水系で基質に微生物由来のリパーゼを作用させて加水分解反応を行うにあたり、反応系にジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、1,4 −ジオキサンおよびジメトキシエタンの中から選ばれた少なくとも１種の有機溶媒を添加することを特徴とするリパーゼによる加水分解方法。 - 特許庁

The method for depositing a film of low dielectric constant comprises a step for generating plasma in a film deposition chamber and a step for causing reaction of a nitrogen atom with boron and carbon in the film deposition chamber to deposit a boron carbon nitrogen film on a substrate and then irradiating the film with light.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

The formation of a silicon oxide film 14 using a reduced CVD method is conducted within a reaction furnace at a temperature lower than 850°C and the impurity activation annealing of a compensation regions 17, which are formed in a substrate under the bottom of contact holes 16, is conducted through RTA(rapid thermal annealing) at a temperature lower than 1,000°C.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜１４の成膜は、８５０℃未満の反応炉（ファーネス）内で行い、コンタクト・ホール１６の底面の基板内に形成される補償領域１７の不純物活性化アニールは、１０００℃未満のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）で行う。 - 特許庁

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction.例文帳に追加

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。 - 特許庁

When the reaction products are treated for removal, the spin chuck 58 is rotated at a rotational speed of from 100 rpm or more to 3,000 rpm or less, the first nozzle 41 supplies the remover liquid of 50 ml/min or more to the surface of the substrate W held and rotated by the spin chuck 58.例文帳に追加

反応生成物の除去処理時には、スピンチャック５８は毎分１００回転以上３０００回転以下の回転数で回転し、第１ノズル４１はスピンチャック５８に保持されて回転する基板Ｗの表面に毎分５０ミリリットル以上の除去液を供給する。 - 特許庁

By repeatedly performing the process for a plurality of times (S_9), CVD reaction occurs between the former gas adsorbed on the surface of the substrate and the other gas introduced later, thus a barrier film grows inside a contact hole in a conformal way, and the barrier film having a satisfactory step coverage can be obtained.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ_9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing capable of preparing, by one step reaction, a stable compound having a methacryloyl group excellent in curability by an active energy beam, a radical or the like and in heat-curability, a secondary hydroxyl group contributing to cohesiveness with a substrate and an epoxy group enabling a cation cure.例文帳に追加

活性エネルギー線、ラジカル等による硬化性や熱硬化性に富む（メタ）アクリロイル基と、基材との密着性に寄与する２級ヒドロキシル基と、カチオン硬化が可能なエポキシ基とを有する、安定な化合物を１段の反応で得られる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus that continuously conducts a plurality of treatments including film formation by CVD while transporting a long substrate in a longitudinal direction, in which each chamber does not receive a harmful effect originating in pressures from adjacent chambers, and also can reduce the contamination in the apparatus due to a reaction gas.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ＣＶＤによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。 - 特許庁

In this step (S20) for forming the InAlGaN epitaxial film, the pressure in a reaction chamber 50 wherein the substrate 15 is arranged is 15 kPa or more and 25 kPa or less, and the flow rate of the nitrogen gas in the second mixed gas is 3.25 m/s or more and 3.35 m/s or less.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）における、基板１５が配置される反応室内５０の圧力は１５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下であり、第２の混合ガス中に含まれる窒素ガスの流速が３．２５ｍ／ｓ以上３．３５ｍ／ｓ以下である。 - 特許庁

Consequently, sticking of a reaction product due to etching of the substrate 4 on the bottom surface 21a of the recess 21 being a light transmission part during measurement by an optical measuring instrument 14 is suppressed both to prevent the dielectric window 5 from being fogged and to obtain the stability of the etching rate.例文帳に追加

これにより、光学測定器１４による測定の際の光透過部である凹部２１の底面２１ａへの基板４のエッチングによる反応生成物の付着を抑制して、誘電体窓５の曇り防止とエッチングレートの安定性とを両立させることができる。 - 特許庁

The industrial method of producing sugar fluorinated at the anomeric position can employ a low-cost fluorinating agent and a simple purification operation in its post-treatment process, has no restriction with respect to the material for constructing its reaction apparatus, and can be applied to a raw material substrate comprising a hydroxyl protected group at the 2-position that can be expected to exhibit the neighboring group participation.例文帳に追加

本発明は、安価なフッ素化剤が使用でき、反応設備の材質に制限がなく、後処理での精製操作が簡便で、且つ隣接基関与が期待できる２位ヒドロキシル保護基を有する原料基質にも適応できる、アノマー位フッ化糖の工業的な製造方法である。 - 特許庁

This electrode for electrochemical measurement is characterized by amorphous carbon thin film formed on its substrate, wherein at least a part of it is contact with a measured liquid solution to detect any electrical change caused by electrochemical reaction of this solution.例文帳に追加

本発明の電気化学測定用電極は、少なくとも一部が測定対象となる溶液に接触されて、この溶液の電気化学反応により生じる電気的変化を検出する電極であり、基板上にアモルファス状の炭素薄膜が形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

This phospholipid base exchange method comprises a process for reacting the phosphatidylethanolamine as a substrate with a receptor alcohol selected from the group consisting of alcohols, nitrogen-containing alcohols, saccharides, polyols and hydroxycyclic hydrocarbon compounds in the presence of a phospholipase D originated from an actinomyces as a catalyst to advance the phosphatidyl group transfer reaction.例文帳に追加

基質としてホスファチジルエタノールアミンを用い、アルコール類、含窒素アルコール類、糖類、ポリオール類、およびヒドロキシ環状炭化水素化合物からなる群より選ばれる受容体アルコールを、放線菌由来のホスフォリパーゼＤを触媒として反応させ、ホスファチジル基転移反応を進行させること。 - 特許庁

The substrate sheet paper of moisture permeability is coated on at least one face characteristically with a moisture-curing type hot melt coating agent mainly comprising a urethane prepolymer of the reaction product between a polyol having the basic skeleton constituted with a hydrocarbon and a polyisocyanate and is solid at room temperature whereby the objective coated paper is obtained.例文帳に追加

透湿性を有する紙の少なくとも片面に、基本骨格が炭化水素で構成されたポリオールとポリイソシアネートとの反応物からなるウレタンプレポリマーを主成分とする常温で固体の湿気硬化型ホットメルトコーティング剤を塗工することを特徴とする塗工紙の製造方法。 - 特許庁