「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Each space among nano fine particulates is regulated to be 100-1000 nm when coupled with a substrate, in this bioelement comprising the substrate pattern-formed with a monomolecular film of a functional molecule, and for detecting a group having a functional group on a nano fine particulate surface by coupling the group to the functional molecule by a molecular recognition reaction.例文帳に追加

機能性分子の単分子膜がパターン形成された基板からなり、前記機能性分子に対してナノ微粒子表面の、機能性官能基を有する基を分子認識反応によって結合させて検出するバイオ素子であって、基板に結合したときの前記ナノ微粒子相互の間隔が１００〜１０００ｎｍになるように調節したバイオ素子。 - 特許庁

The highly reliable light-emitting device consists of a substrate mounting an optical semiconductor element, an addition reaction-curable silicone resin which seals the optical semiconductor element, and a precoat composition capable of preventing corrosion of a metal electrode formed on the substrate, especially a silver electrode, where the precoat composition is a transparent inorganic oxide.例文帳に追加

光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン樹脂と、基板上に形成された金属電極、特に銀電極の腐食を防止可能なプリコート組成物と、からなる高信頼性の発光デバイスであり、プリコート組成物が透明無機酸化物であることを特徴とする発光デバイスを提供する。 - 特許庁

The enzyme activity measuring method of protein kinase comprises reacting a substrate peptide with protein kinase in the presence of metal colloid, or reacting the substrate peptide with protein kinase and then adding the metal colloid, and measuring the enzyme activity due to phosphorylation of protein kinase based on color tone change of the obtained reaction liquid.例文帳に追加

この発明に係るプロテインキナーゼの酵素活性測定方法は、基質ペプチドとプロテインキナーゼとを金属コロイドの存在下に反応させて、または基質ペプチドとプロテインキナーゼとを反応させた後金属コロイドを添加して、得られる反応液の色調変化に基づいてプロテインキナーゼのリン酸化による酵素活性を測定することを特徴としている。 - 特許庁

The method for crystallizing boron nitride by using plasma from molecular seeds containing boron, nitrogen and fluorine comprises synthesizing boron nitride containing cubic boron nitride in a weak state of ion impact by applying a positive voltage or zero voltage to a substrate with respect to a reaction chamber or to a reference electrode, or by setting the substrate at a float potential.例文帳に追加

ホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法において、反応容器あるいは参照電極に対し、基体に正の電圧あるいは零電圧のバイアスをかけること、あるいは基体をフロート電位にすることにより、イオン衝撃の弱い状態で立方晶窒化ホウ素を含む窒化ホウ素を合成する。 - 特許庁

A heat-sensitive recording material is formed of a substrate and a heat-sensitive recording layer containing microcapsules and formed on the substrate, and a capsule wall agent forming the microcapsules contains at least an isophorone diisocyanate compound, and protective colloids used in the encapsulating reaction of the microcapsules is a terminal hydrophobic polyvinyl alcohol.例文帳に追加

支持体と、その上に、マイクロカプセルを含有する感熱記録層を有する感熱記録材料であって、前記マイクロカプセルを形成しているカプセル壁剤が、少なくともイソホロンジイソシアネート系化合物を含有し、前記マイクロカプセルのカプセル化反応の際に用いられる保護コロイドが、末端疎水化ポリビニルアルコールであることを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁

A counter electrode CE1 comprises at least a substrate 6 in a plate shape and a porous film 5 made of a conductive material formed on the one surface of the substrate 6, where the conductive material exhibits catalytic activity which accelerates the reduction reaction from the oxidant making up the redox pair to the reductant making up the redox pair.例文帳に追加

対極ＣＥ１には、平板状の基板６と、基板の一方の面に形成された導電性材料からなる多孔質膜５と、を少なくとも有しており、前記導電性材料は、前記酸化還元対を構成する酸化体から該酸化還元対を構成する還元体への還元反応を促進する触媒活性を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, the inside of a reaction container in that a semiconductor substrate to be formed is placed, is composed so that the change in plasma with time can be suppressed, and a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor- manufacturing device, in a process for forming a fluorine-added silicon oxide film on a semiconductor substrate through the plasma vapor growth method.例文帳に追加

プラズマ気相成長法により半導体基板上に弗素添加酸化珪素膜を成膜する工程中において、成膜される半導体基板が載置された反応容器内部をプラズマの経時変化を抑制するように構成された半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A multilayer substrate 2 is reacted with supercritical water in the inside of a reaction chamber 14 being a hollow elongated ellipsoid cylinder having a cross section of an elongated ellipse composed of small-curvature and nearly linear central parts and large-curvature ends, so that the central parts of the chamber 14 are suited for the entrance of the flat object such as the substrate 2.例文帳に追加

曲率が小さくほぼ直線である中央部分と曲率が大きい端部とを含む中空の長楕円形の断面を有する長楕円円筒の反応室１４の内部で多層基板２と超臨界水とを反応させるので、反応室１４の中央部分が多層基板２のような平坦な形状を有する物体の搬入に適する。 - 特許庁

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction.例文帳に追加

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 - 特許庁

The photocatalytic reaction apparatus 10 is installed in a channel 12 of an object substance medium to be decomposed and comprises a photocatalyst module 20 composed of a ceramic substrate and a photocatalyst carried on the substrate; a plasma generation electrode part 19 provided with a positive and negative pole metal electrodes 21, 21 at least one of which is covered with a dielectric 22; and an electric power source part 18.例文帳に追加

光触媒反応装置１０は、分解対象物質媒体の流路１２中に設けられ、セラミックス基体に光触媒を担持した光触媒モジュール２０と、少なくとも一方が誘電体２２により覆われた正負極の金属電極２１，２１を具備するプラズマ発生電極部１９と、電源部１８とで構成される。 - 特許庁

Since the direction of the magnetic field, i.e. the direction of lines of magnetic force formed directly by supplying high frequency power to a coil 2 is oriented approximately along the normal line perpendicular to the surface of a planar insulator 1 or a substrate 8, the direction of induced electric field in a reaction container 1 becomes parallel to the substrate 8.例文帳に追加

本発明において、コイル２に高周波電力を供給することで直接形成される磁場の向き（磁力線の向き）は、平板状絶縁体１ａ又は基板８の表面に対して略垂直な法線方向を向くため、反応容器１内に形成される誘導電場の向きは基板８の表面に対して、略平行な方向となる。 - 特許庁

The method comprises feeding a reactive gas into a plasma generating region 3, introducing the plasma generated in the region into a deposition chamber 5 containing a substrate 19 through a bypass formed by a plasma shield 7, and forming a film on the substrate 19 while promoting a CVD reaction by photoirradiation in the deposition chamber 5.例文帳に追加

プラズマ発生領域３に反応性ガスを供給し、該領域で発生したプラズマをプラズマ遮蔽板７により形成された迂回路を通して基板１９が置かれた成膜室５に導入せしめ、成膜室５において、光照射によりＣＶＤ反応を促進させながら基板１９上に成膜することを特徴とする。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

An insulator layer 11 is formed on a substrate 10 by supplying group III raw materials, a carrier gas and an oxygen gas into a reaction furnace, and afterwards, vapor phase growing of a III-V compound semiconductor layer is conducted by heating this substrate 10 and supplying the group III raw a materials, a group V raw material gas, doping raw materials and the carrier gas onto the insulator layer 11.例文帳に追加

反応炉内に III族原料とキャリアガスと酸素ガスとを供給して基板１０上に絶縁体層１１を形成した後、この基板１０を加熱し、絶縁体層１１上に III族原料及びＶ族原料ガスとドーピング原料とキャリアガスとを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

A gate electrode 131 is formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal which has satisfactory contact characteristics with the substrate and whose pattern solution does not affect the substrate and a source electrode 149 and a drain electrode 151 are formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal by which reaction of a lower ohmic contact layer and copper is prevented.例文帳に追加

ゲート電極１３１は、銅及び基板と接触特性が良好であってパターン溶液が基板に影響を与えない金属の二重金属層で形成し、ソース電極１４９及びドレイン電極１５１は、銅及び下部オーミックコンタクト層と銅との反応を防ぐことができる金属の二重金属層で形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a superconductive tape in an integrated process includes a process in which a substrate which is wound over a drum is heat-treated inside a reaction chamber and components composing a buffer layer including a superconductive tape supplied from the depositing chamber, a superconductive layer, a contact resistance reducing layer, and a protective layer are continuously vapor-deposited on the substrate and heat-treated.例文帳に追加

反応チャンバの内部で、ドラムに巻かれた基板を熱処理させ、蒸着チャンバから供給された超伝導テープを含む緩衝層、超伝導層、接触抵抗低減層、保護層を成す成分を前記基板上に連続的に蒸着させ、熱処理させることを特徴とする、一貫工程による超伝導テープ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a primer composition, wherein adhesiveness between a substrate having a photosemiconductor element mounted thereon and a cured product of an addition reaction curing type silicone composition for sealing the photosemiconductor element is improved, and a metal electrode formed on the substrate can be prevented from being corroded; and to provide a high-reliable optical semiconductor device using the same.例文帳に追加

光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物との接着性を向上させるとともに、基板上に形成された金属電極の腐食を防止することが可能なプライマー組成物、及び該組成物を用いた高信頼性の光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a primer composition capable of improving the adhesion between a substrate on which a photosemiconductor element is mounted and a cured product of an addition reaction curable silicone composition with which the photosemiconductor element is encapsulated and capable of preventing metallic electrodes formed on the substrate from being corroded and to provide a high-reliability photosemiconductor device using the same.例文帳に追加

光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物との接着性を向上させるとともに、基板上に形成された金属電極の腐食を防止することが可能なプライマー組成物およびそれを用いた高信頼性の光半導体装置を提供する。 - 特許庁

A resin 30 is provided between a wiring substrate 10 with a wiring pattern 12 and a semiconductor chip 20 which has a plurality of electrodes 22 and is mounted on the wiring substrate 10 so that the electrode 22 comes into contact with the wiring pattern 12, and is hardened at a temperature lower than a boiling point of the resin 30 until the hardening reaction rate is 80% or more.例文帳に追加

配線パターン１２を有する配線基板１０と、複数の電極２２を有し電極２２が配線パターン１２と接触するように配線基板１０に搭載された半導体チップ２０との間に設けられた樹脂３０を、樹脂３０の沸点以下の温度で、硬化反応率が８０％以上になるまで硬化させる。 - 特許庁

To excellently embed a thin film into a recess formed on the surface of a substrate in forming the thin film by sequentially supplying at least two kinds of reactant gases reacting with each other in a vacuum chamber to the surface of the substrate on a rotation table and executing this supply cycle to laminate layers of a reaction product.例文帳に追加

真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。 - 特許庁

The DNA 12 is thus formed on the substrate 11, and the DNA 12 is coupled to a DNA-coupling domain, which is part of the DNA-coupled protein 13 coupled to the probe 14, allowing the probe 14 to be adsorbed and fixed to the substrate, thereby making it possible to restrict the probe 14 from being modified with change in pH and temperature in a chemical reaction.例文帳に追加

このように基板１１にＤＮＡ１２を形成し、このＤＮＡ１２とプローブ１４に結合したＤＮＡ結合タンパク質１３の一部であるＤＮＡ結合ドメインとが結合することによって、プローブ１４を基板に吸着し固定できるため、化学反応におけるｐＨや温度の変化に伴ったプローブ１４の変性を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The fuel cell having humidity detecting device includes an electricity generating structure including circuit substrates, a set of thin-film electrodes disposed on the circuit substrate and a humidity detecting set including a first and a second detecting portions disposed on the circuit substrate and connected electrically therewith, thus bringing an effect on electricity accumulating reaction.例文帳に追加

本発明は、湿度検知装置を有する燃料電池に関係し、その燃料電池は、回路基板、その上に設置された薄膜電極セット、及び、回路基板と電気的に連結し、その回路基板の上に設置され、また蓄電反応と有する効果を形成する第一検知部と第二検知部を含む湿度検知セットからなる発電構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 11 is mounted in a diffusion furnace 14, polymerization reaction is made to progress by heating at 450°C for sixty minutes while N2 gas is made to flow into the diffusion furnace 14, and the organic SOG film 12 is cured, as shown in a figure (d).例文帳に追加

次いで、図１（ｄ）に示すように、拡散炉１４内に半導体基板１１を載置し、拡散炉１４の中にＮ_2 ガスを流し込みながら、４５０℃６０分間加熱することにより、重合反応を進行させ、有機ＳＯＧ膜１２を硬化させる。 - 特許庁

When starting to introduce a reaction gas or starting to supply high frequency power, the vacuum gauge 11 is insulated from an internal atmosphere of a vacuum treatment vessel 1, and the insulated state is held at least while carrying out a surface treatment of the treated substrate 7.例文帳に追加

反応ガスの導入開始時または高周波電力の供給開始時に、真空計１１を真空処理容器１の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を少なくとも被処理基板７を表面処理する間保持する。 - 特許庁

To improve productivity and yield of a solar-cell module by inhibiting contamination on the end face of a translucent substrate due to cutting-off of a sealing resin while allowing a crosslinking reaction of the sealing resin to be surely executed.例文帳に追加

封止樹脂の切除に伴う透光性基板の端面への汚れの発生を抑制し、併せて、封止樹脂の架橋反応を確実に行わせることができるようにして、太陽電池モジュールの生産性の向上並びに歩留まりの向上を図る。 - 特許庁

The film forming device for forming the films on the surfaces of the substrate particles has a reaction chamber 1 having means for preventing the aggregation of contents and the means for preventing the aggregation is an ultrasonic wave oscillation machine.例文帳に追加

基体粒子の表面に膜を形成するための製膜装置において、内容物の凝集を防ぐ手段を備えた反応槽１を有することを特徴とし、更に前記凝集を防ぐ手段が超音波発振機４であることを特徴とする。 - 特許庁

A high density type plasma CVD device is provided with a ring 14 having a plurality of nozzles 16 in the circumferential direction inside a reaction chamber 2, and the reactive gas is sprayed from a plurality of nozzles 16 to a substrate S arranged inside the ring 14.例文帳に追加

高密度型プラズマＣＶＤ装置は、反応室２の内部に複数のノズル１６を周方向に有するリング１４を備え、リング１４の内側に配置される基板Ｓへ複数のノズル１６から反応性ガスを噴射するようになっている。 - 特許庁

A mixed gas containing SiH_4, N_2, and NH_3 is used as reaction gas when a silicon nitride film 9 for protecting and insulating a surface, where the silicon substrate 1 is ground, and the film is formed by a parallel flat plate type plasma-enhanced CVD system at a single frequency.例文帳に追加

シリコン基板１を研削した面を保護、絶縁するためのシリコン窒化膜９を形成する際に、反応ガスとしてＳｉＨ_４、Ｎ_２、ＮＨ_３を含む混合ガスを用い、単一周波数の平行平板型プラズマＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

Then the photo resist film 25a is exposed via a photo-mask to develop, and protruded parts 25A of the outline in line with a reaction gas passage 23, and recessed parts 25B, of the outline in line with a wall part 2302, which has one surface 21a of the substrate 21 as a bottom surface, are formed.例文帳に追加

次にフォトマスクを介してフォトレジスト膜２５ａを露光し現像して、反応ガス流路２３に合致した輪郭の凸部２５Ａと、壁部２３０２に合致した輪郭で基板２１の一方の面２１ａを底面とした凹部２５Ｂを形成する。 - 特許庁

By constituting the part of the reaction-tube wall that faces to the substrate tilted downward from the upstream to the downstream of the material-gas channel, the gas is fed such that the flow of the gas is forced to be diagonally directed downward to proceed the vapor-phase growth.例文帳に追加

また、基板と対向する反応管壁の一部を、原料ガス流路の上流から下流に向かって下方向に傾斜した構成とすることにより、ガスの流れを斜め下方向に変更させて供給し気相成長させる。 - 特許庁

To provide a Pb-free solder alloy low in the residual stress upon solidification, having a high bonding strength and high reliability, and capable of suppressing the reaction of Ni with Bi and diffusion of Ni when bonding an electronic component or a substrate each including Ni.例文帳に追加

凝固時の残留応力が小さく、高い接合強度と高い信頼性とを有し、Ｎｉを含む電子部品や基板を接合する際にＮｉ−Ｂｉの反応やＮｉ拡散を抑制できる高温用Ｐｂフリーはんだ合金を提供する。 - 特許庁

This pigment formulation for the anticorrosive coating comprises 1-99 wt.% of one or more kinds of compounds absorbing OH^- ions and 1-99 wt.% of one or more kinds of compounds catalyzing oxygen reductive reaction on the metal substrate.例文帳に追加

OH^-イオンを吸収する一種または二種以上の化合物の1〜99重量％、および金属基材上での酸素還元反応を触媒する一種または二種以上の化合物の1〜99重量％からなる、防食塗料用の顔料製剤。 - 特許庁

A substrate and oxygen are brought into contact with each other in the presence of the oxidizing catalyst such as N-hydroxyphthalimide, N-acetoxyphthalimide or the like and a solvent is used to crystallize the reaction product by cooling crystallization or a crystallzing solvent and the oxidizing catalyst is distributed to a solvent phase.例文帳に追加

Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、Ｎ−アセトキシフタルイミドなどの酸化触媒の存在下、基質と酸素とを接触させ、溶媒を用い、冷却晶析又は晶析溶媒により反応生成物を晶析させ、かつ酸化触媒を溶媒相に分配させる。 - 特許庁

This method comprises decomposing a source gas with a photochemical reaction, by irradiating the source gas with a near-field light having higher energy than dissociation energy of the source gas, and depositing the decomposed products on a substrate, to form a predetermined pattern.例文帳に追加

原料ガスに、原料ガスの解離エネルギーよりも大きいエネルギーの近接場光を照射することにより、当該原料ガスを光化学反応により分解させ、その分解生成物を基材上に堆積させて所定のパターンを形成する。 - 特許庁

An anaerobic treatment is carried out in a reaction vessel 20 holding the granule sludge by adding a carbohydrate such as starch and the like to a wastewater having a high methanol concentration and a large bias of a substrate such as an evaporated water condensate exhausted from a pulp industry process.例文帳に追加

パルプ製造過程で排出される蒸発凝縮水のように、メタノール濃度が高く基質の偏りが大きい排水に、例えば澱粉等の糖質を添加してグラニュール汚泥を保持する反応槽２０内で嫌気性処理する。 - 特許庁

At the time when purge gas is introduced (S_7), and evacuation is performed (S_8) every time the CVD reaction is performed, by-product gas and unreacted gas adsorbed on the substrate and the vacuum tank are exchanged with the purge gas, thus the barrier film having higher purity can be obtained.例文帳に追加

ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ_7)、真空排気すると(Ｓ_8)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 - 特許庁

To solve the problem that a display element falls from a frame holder in a display device using the frame holder storing the display element and an FPC substrate as a force is applied to bonded portions of the frame holder and display element owing to a reaction force generated at a folded portion of an FPC.例文帳に追加

表示素子とＦＰＣ基板を収納するフレームホルダを用いた表示装置では、ＦＰＣの折り曲げ部で発生する反発力により、フレームホルダと表示素子の接着部に力がかかり、表示素子がフレームホルダから外れてしまう。 - 特許庁

The CVD method includes a first step of forming a film on a substrate and a second step of stopping the introduction of a material gas and only the excited active species are irradiated to the thin film formed at the first step to facilitate oxidizing reaction.例文帳に追加

基板への成膜を行う第１の工程と、材料ガスの導入を遮断し、第１の工程で成膜された薄膜に励起活性種のみを照射して酸化反応を促進させる第２の工程とを設けることにより課題を解決した。 - 特許庁

The ink composition including a conductive fine particle 15A, a dispersant 15B, and a burning material 15C which starts burning reaction by receiving light is discharged onto a substrate S as a droplet D to form a liquid pattern 15P on a discharge surface Sa.例文帳に追加

導電性微粒子１５Ａと、分散媒１５Ｂと、光を受けることにより燃焼反応を開始する燃焼物１５Ｃとを含むインク組成物を液滴Ｄにして基板Ｓに吐出し、吐出面Ｓａに液状パターン１５Ｐを形成する。 - 特許庁

Then, the treatment chamber 16a can treat two substrates 22 in the same space of the reaction chamber 50 simultaneously by loading the substrates 22 on the substrate treatment bases 44a and 44b by a vacuum robot 36.例文帳に追加

そして、処理室１６ａは、真空ロボット３６を介して基板処理台４４ａ，４４ｂに基板２２がそれぞれ載置されることにより、反応室５０の同一空間内で２枚の基板２２を同時に熱処理することができるようにされている。 - 特許庁

The method includes: introducing a gaseous reagent into a vacuum chamber, the gaseous reagent containing precursor selected from a group consisting of organosilane and organosiloxane and porogen; and applying energy to the gaseous reagent to induce reaction of the gaseous reagent to deposit a preliminary film on the substrate.例文帳に追加

オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。 - 特許庁

To provide a method for reducing impurities in an organic polymer by an easy method, after patterning and curing an organic polymer resin on a substrate and vaporizing a part of the organic polymer resin constituting the obtained pattern by chemical reaction.例文帳に追加

有機ポリマー樹脂を基板上にパターン加工、硬化を行った後、得られたパターンを構成する有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、簡便な方法で有機ポリマー中に含まれる不純物を低減する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an addition reaction curing type self adhesive organopolysiloxane composition curing at a relatively low temperature, forming an elastic cured material adhering strongly to a metal, plastics, etc., especially a substrate made from a plastic without using a primer.例文帳に追加

比較的低温で硬化し、プライマーを使用しなくても、金属、プラスチック等、特にプラスチック製の基材に強固に接着する弾性硬化物を形成することができる付加反応硬化型の自己接着性オルガノポリシロキサン組成物を提供すること。 - 特許庁

The gas flow generator is configured such that, when a substrate carrier is rotatably provided about an axis, the one or a plurality of gas flow containing the reaction gas having different concentration are supplied at a different radial direction distance from the axis.例文帳に追加

基板キャリアが軸を中心として回転可能に設けられている場合、異なる濃度の反応ガスを含む前記１又は複数のガス流れを、軸から異なる半径方向距離に供給するように、ガス流れ生成器は構成される。 - 特許庁

After forming a gate electrode 3 and a gate insulation film 5 covering it on a substrate 1, a channel layer 7 composed of a polycrystalline semiconductor thin film is formed by a reactive heat CVD method utilizing the reaction energy of a plurality of different gases.例文帳に追加

基板１上にゲート電極３とこれを覆うゲート絶縁膜５を形成した後、複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、多結晶性の半導体薄膜からなるチャネル層７を成膜する。 - 特許庁