「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Etching is performed without damaging a silicon substrate 1 by bringing the surface of a second gate insulation film 5 of metal oxide into contact with a chloride atom imparting gas without forming an ion sheath the surface of the second gate insulation film 5 thereby causing reaction.例文帳に追加

金属酸化物からなる第２のゲート絶縁膜５の表面にイオンシースを形成することなく、塩素原子供与性ガスと接触させて反応させることにより、シリコン基板１にダメージを与えずにエッチング処理を行う。 - 特許庁

This enzymatic decomposition product of sake lees obtained by treating at least one of the sake lees and white liquor lees with ≥2 kinds of enzymes having different substrate specificities and reaction rates with each other under pressurization and heating.例文帳に追加

酒粕及び焼酎蒸留粕の少なくともいずれかに、加圧加温下で、２種以上の互いに基質特異性及び反応速度の異なる酵素を反応させて得られることを特徴とする酒粕酵素分解物である。 - 特許庁

To enhance the energy utilization efficiency by drastically reducing the thermal energy loss in a small-sized reaction apparatus in which thermal energy is supplied by a thin film heater to a catalyst layer formed in a minute passage formed in one face of a substrate.例文帳に追加

基板の一面に形成された微小な流路内に設けられた触媒層に薄膜ヒータによって熱エネルギーを供給する小型化学反応装置において、熱エネルギーの損失を激減してエネルギーの利用効率を良くする。 - 特許庁

A photosensitive film pattern 24 is formed on a semiconductor substrate 21 on which a prescribed electrically conductive layer 22 has been formed and the line width of the pattern 24 is reduced using oxygen radicals generated by the thermal decomposition reaction of gaseous ozone.例文帳に追加

所定の電導層２２が形成された半導体基板２１上に感光膜パターン２４を形成し、オゾンガスの熱分解反応により発生される酸素ラジカル成分を用いて上記感光膜パターン２４の線幅を微細化させる。 - 特許庁

A coating film obtained by coating a substrate with this water-based photocatalytic coating followed by drying is colorless and translucent and resistant to water, expressing the function of decomposing adsorbed organic matter by an oxidative reaction caused in response to ultraviolet radiation and cleaning the environment.例文帳に追加

この水性光触媒塗料を塗布し乾燥した塗膜は無色半透明で耐水性があり、紫外線に応答して起きた酸化反応により吸着した有機物を分解し環境を浄化する機能が発現する。 - 特許庁

Fluorocarbon gas such as C2F6 gas or C4F8 gas, is introduced through a gas introduction port 8 into the inside of the reaction chamber, and high frequency power is applied to an antenna coil 3 by a first high frequency power source 5, to produce a plasma 17 and etch the substrate 9.例文帳に追加

ガス導入口８より反応室内部にＣ_2 Ｆ_6 ガス，Ｃ_4 Ｆ_8 ガス等のフロロカーボン系ガスを導入し、第１高周波電源５によりアンテナコイル３に高周波電力を印加して、プラズマ１７を生成し、基板９をエッチングする。 - 特許庁

While permitting the floating of a reaction product 12 toward the side wall 10 side by the space between the inclined plates 13, its return toward the susceptor 8 side can be shut off with the inclined plates 13, and the falling of dust on the substrate 7 can be prevented.例文帳に追加

これにより、反応生成物１２の側壁１０側への浮遊は傾斜板１３間の間隙によって許容しながら、サセプタ８側への戻りは傾斜板１３で遮断することができ、基板７へのダスト降下を防止できる。 - 特許庁

This plasma CVD device comprises a shower plate electrode 13 and a stage electrode which are disposed counter to each other inside a reaction chamber, and a high frequency voltage is applied on between the electrodes, while a raw material gas is led thereinto, to form a film on a substrate.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置は、反応室内部に対向配置されたシャワープレート電極１３、ステージ電極を備え、その電極間に高周波電圧を印加しながら原料ガスを導入して、基板上に成膜を行う。 - 特許庁

To provide a method for amplifying a nucleic acid by carrying out a nucleic acid-amplifying reaction such as a PCR on a substrate, and enabling a process of the method for amplifying the nucleic acid to be finished in a short time.例文帳に追加

基板上でＰＣＲ等の核酸増幅反応を行い、核酸の増幅を行う核酸増幅方法に関するものであり、核酸増幅方法工程をより短時間で終了することができる核酸増幅方法を開発する。 - 特許庁

This ceramics heater is provided with: a ceramic base body 11 for mounting a substrate on the upper surface; a heating element 12 embedded in the ceramic base body 11; and a reaction layer 13 with a sacrifice coil wound around the heating element 12 carbonized or oxidized by being baked.例文帳に追加

上面に基板を載置するセラミックス基体１１と、セラミックス基体１１に埋設された発熱体１２と、発熱体１２に巻きつけた犠牲コイルが焼成により炭化もしくは酸化した反応層１３を備える。 - 特許庁

The inside of a vacuum reaction chamber is separated up and down by a grounded conductive partition plate 14, with an upper side than the partition wall plate serving as a plasma discharge space 15 and a lower side than the partition wall plate serving as a substrate processing space 16.例文帳に追加

真空反応室内が、接地されている導電性の隔壁板１４によって上下に分離され、当該隔壁板より上側がプラズマ放電空間１５、当該隔壁板より下側が基板処理空間１６となる。 - 特許庁

The preprocessing step is further constituted by a step of introducing a gas, which contains the same gas used in the film-forming process for forming the thin film on the semiconductor substrate into the reaction chamber, and a step of forming the surface layer on the susceptor surface by a CVD method.例文帳に追加

前処理工程はさらに、半導体基板上に薄膜を成膜する成膜処理と同じガスを含有するガスを反応チャンバ内へ導入する工程と、CVD法により表面層をサセプタ表面に形成する工程からなる。 - 特許庁

To provide a shower head composed in such a manner that a plurality of metallic members are superimposed, and capable of feeding, e.g., a film deposition gas to a substrate, in which the cleaning of each gas flow passage can be easily performed, and the generation of reaction products is suppressed.例文帳に追加

複数の金属部材を重ね合わせて構成され、基板に対して例えば成膜ガスを供給可能なシャワーヘッドにおいて、各ガス流路の洗浄を容易に行うこと及び反応生成物の発生を抑えること。 - 特許庁

An optical waveguide forming area is formed by making a gaseous material of glass, oxygen gas and hydrogen gas flow from a burner 6 to cause hydrolysis reaction of the material gases within an oxyhydrogen flame 5 and by accumulating the fine grains of glass on a substrate 11.例文帳に追加

バーナ６からガラスの原料ガスと酸素ガスと水素ガスを流して酸素水素火炎５中で前記原料ガスの加水分解反応を起こし、基板１１上にガラス微粒子を堆積して光導波路形成領域を形成する。 - 特許庁

The adhesive 12 is applied over a substrate 13, a semiconductor chip 11 is stuck, and heating is carried, to make the sub curing agent to additionally polymerize a main chain of a three-dimensional mesh structure formed through the self-polymerization reaction of the main resin component.例文帳に追加

この接着剤１２を基板１３に塗布し、半導体チップ１１を貼付し、加熱すると、主樹脂成分の自己重合反応によって形成される三次元網目構造の主鎖に対し、副硬化剤が付加重合する。 - 特許庁

The pressure in the chamber is made sufficiently low and then reaction products produced during the edge exposure treatment is vaporized from a resist film on the substrate and a base film (for example, an antireflective film) therebelow and discharged to be securely removed.例文帳に追加

チャンバ内の圧力が十分に低くなることにより、エッジ露光処理時に生成された反応生成物が基板上のレジスト膜およびその下地膜（例えば反射防止膜）から気化して放出され、確実に除去される。 - 特許庁

Even when a high dielectric constant material with which reaction on an electrode interface easily occurs or a filming method with which it is difficult to form a uniform interface on a large area substrate is used, excellent linearity to the impressed voltage may be then secured.例文帳に追加

電極界面での反応が起こり易い高誘電率材料や大面積基板上での均一な界面形成が困難なような成膜方法を用いても、印加電圧に対する良好な線形性を確保することができる。 - 特許庁

To prevent a light shielding layer in a nondisplaying region from being corroded by an electrochemical reaction in a liquid crystal display panel provided with a frame-shaped light shielding layer composed of a Cr family metal arranged on the nondisplaying region of one substrate.例文帳に追加

一方の基板の非表示領域上にＣｒ系金属からなる遮光膜が枠状に設けられた液晶表示パネルにおいて、非表示領域の遮光膜が電気化学反応により腐食しないようにする。 - 特許庁

To provide a vapor growth device in which a rolling member is prevented from falling, even if a substrate-holding member is detached from a susceptor, and a material gas or s reaction product is prevented, as much as possible, from flowing to the rear side of the susceptor.例文帳に追加

基板保持部材をサセプタから取り外しても転動部材が落下することを防止するとともに、原料ガスや反応生成物がサセプタの裏面側に極力流れないようにした気相成長装置を提供する。 - 特許庁

Next, a semiconductor substrate is heated at a temperature of ≥330 and ≤400°C (S20), and at least either B_2H_6 gas or SiH_4 gas and gas containing tungsten are introduced into a reaction chamber to form a first tungsten film (S30).例文帳に追加

次いで、半導体基板を３３０℃以上４００℃以下に加熱して（Ｓ２０）、Ｂ_2Ｈ_6ガス及びＳｉＨ_4ガスの少なくとも一方、並びにタングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜を成膜する（Ｓ３０）。 - 特許庁

To provide a substrate-protein complex having a binding ability to a specific molecule, capable of being expected to realize improvement in detectability and accuracy in every kind of detecting procedure which depends on detection of antigen-antibody reaction.例文帳に追加

抗原−抗体反応を検出することに基づく各種検出方法における検出感度及び精度の向上を図ることが期待できる特定分子結合能を有する基体—タンパク質複合体を提供することにある。 - 特許庁

Organic compound gas and nitrogen compound gas are introduced into a chamber (reaction chamber) 10 individually for mixing, and an insulating film containing nitrogen is film-formed on a silicon (semiconductor) substrate 1 in the chamber 10 by the MOCVD method.例文帳に追加

有機化合物ガスと窒素化合物ガスとを個別にチャンバ（反応室）１０内に導入して混合し、該チャンバ１０内のシリコン（半導体）基板１上に、MOCVD法により窒素を含んだ絶縁膜を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

To provide a method for controlling enzyme activity, capable of exalting or inhibiting the enzyme activity, and capable of improving efficiency of the enzyme activity, by regulating a substrate concentration in enzyme reaction and irradiating the enzyme with a magnetic field.例文帳に追加

酵素反応における基質濃度を調節し、磁界を照射することにより、酵素活性を制御し、酵素活性を亢進又は抑制することが可能であり、酵素活性の効率化が可能となる制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an enzyme fixation electrode used as an electrode for an electrochemical reaction apparatus such as an enzyme fuel cell or biosensor, wherein the fixation electrode increases the supply of gas substrate to enzyme and can show high power output.例文帳に追加

酵素燃料電池やバイオセンサーなどの電気化学反応装置の電極として用いる酵素固定化電極において、酵素への気体基質の供給量を増加させ、高い出力を発揮できる電極を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin gallium nitride film includes a process of forming a thin gallium triisopropoxide film by applying a solution containing gallium triisopropoxide to a substrate and a process of bringing the thin gallium triisopropoxide film into a nitriding reaction under a gaseous ammonia atmosphere.例文帳に追加

ガリウムトリイソプロポキシドを含有する溶液を基板に塗布してガリウムトリイソプロポキシド薄膜を形成する工程と、前記ガリウムトリイソプロポキシド薄膜をアンモニアガス雰囲気下で窒化反応させる工程とを含む、窒化ガリウム薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which cures through double-stage curing, exhibits moderate hardness and self-adhesiveness to enable temporary fixation in the case of laminating a flexible substrate and forms a moderate elastomer having not too high hardness after the curing reaction.例文帳に追加

２段硬化型であり、可とう性基板を貼り合わせる時には、適度な硬さと仮固定可能なだけの粘着性を示し、硬化反応終了後は、硬すぎず適度な弾性体である接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

The enhancement of detection sensitivity due to an increase in the number of labels is enhanced by suppressing the steric hindrance between the labelling substances by applying uneven processing to the surface of the substrate for performing the detection of the bio-sample using the hybridization reaction.例文帳に追加

ハイブリダイゼーション反応を用いて生体試料検出を行う基板表面上に凹凸加工を施すことにより、標識物質間の立体障害を抑制し、標識数の増加による検出感度の向上を実現する。 - 特許庁

To obtain a reactive hot-melt adhesive having excellent initial adhesive strength (room temperature) and exhibiting excellent adhesive strength even at a high temperature (80°C) after reaction and curing in use of a hot-melt adhesive in a polyolefin-based substrate.例文帳に追加

ポリオレフィン系基材へのホットメルト接着剤の使用において、初期接着力（室温）にも優れ、反応硬化後は高温（８０℃）においても優れた接着力を示す反応性ホットメルト接着剤を提供することである。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The electrode is constituted of a support filament 110 coupled onto a substrate 124, and the intercalation layer, including a donor acceptor material configured to receive a reactant of an electrochemical reaction deposited thereon, and the electrode includes a region of the intercalation layer which is close to the substrate and includes a lower amount of donor acceptor material compared with a region of the intercalation layer distal with respect to the substrate.例文帳に追加

この電極は基板１２４上に結合された支持フィラメント１１０と、その上に堆積された電気化学的反応の反応物を受容するように構成されたドナーアクセプタ材料を含む層間層より構成され、前記層間層の前記基板に対して遠位にある領域に比べて低量のドナーアクセプタ材料を含む前記層間層の前記基板に近接した領域とを具えている電極。 - 特許庁

In the treatment method for planarizing the surface of the SiC substrate by hydrogen gas, hydrocarbon is supplied to the SiC substrate, while making its temperature rise, under the condition in the reaction chamber that the supply of carbon is suppressed; the supply of hydrocarbon is stopped or reduced, after reaching an epitaxial growth temperature; and then, hydrogen gas is supplied to etch the surface of the SiC substrate.例文帳に追加

水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。 - 特許庁

An apparatus for manufacturing a ferrite film in which crystals are pillar-shaped, comprises: a nozzle 1 comprising a first mechanism for contacting a reaction liquid containing at least first iron ions (Fe^2+) with a substrate, and a second mechanism for contacting an oxide medium containing at least an oxidant or at least oxygen with the substrate 3; and a third mechanism for continuously feeding the substrate 3.例文帳に追加

結晶が柱状であるフェライト膜の製造装置であって、前記フェライト膜の製造装置は、少なくとも第一鉄イオン（Ｆｅ^２＋）を含む反応液を基体に接触させる第１の機構と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体３に接触させる第２の機構とを構成するノズル１と基体３を連続して供給する第３の機構とを具備している。 - 特許庁

The method for forming the deposited film is characterized by forming the deposited film after attaching attachable/detachable upper cover 303 and lower cover 302 to a cylindrical substrate 301 for covering the area opposing to the inner surface 113a of the side wall of a reaction vessel 113 except the area where the cylindrical substrate 301 is attached, in the surface of a holder 310 for transferring the substrate.例文帳に追加

本発明の堆積膜形成方法は、基板搬送用ホルダ３１０の表面のうち、反応容器１１３の側壁内面１１３ａに対向する領域であり、かつ円筒状基板３０１が装着された領域以外の領域を覆う、円筒状基板３０１に対して着脱可能な上カバー３０３および下カバー３０２を円筒状基板３０１に装着して堆積膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The process for the synthesis of the conductive polymer comprises a step of coating an oxidant on a substrate surface in a thickness of several μm and drying in an oven, a step of carrying out a polymerization reaction on the substrate surface by contacting the oxidant coated substrate with a vapor phase monomer, and a step, after completion of the polymerization, of washing to remove an unreacted monomer and the oxidant.例文帳に追加

本発明は基材表面に酸化剤を数μｍ単位で塗布し、乾燥器で乾燥する段階と、酸化剤で塗布された基材に気体状態の単量体を接触させることで、基材の表面で重合反応を行う段階と、重合が完了した後、未反応単量体及び酸化剤を除去する洗浄段階とを含む伝導性高分子の合成方法を提供することを特徴とする。 - 特許庁

The surface of a film-forming substrate (K) is nitrided by irradiating atmosphere of gas containing nitrogen with vacuum ultraviolet light, having the wavelength range of 172-126 nm, decomposing the gas containing nitrogen and making it stick to the surface of the film-forming substrate (K), and irradiating the gas molecules stuck to the surface of the film-forming substrate (K) with vacuum ultraviolet light, thereby causing surface reaction.例文帳に追加

窒素含有気体雰囲気中に波長１７２〜１２６ｎｍの真空紫外光を照射することにより前記窒素含有気体を分解して被膜形成基板（Ｋ）の表面に吸着させると共に、前記被膜形成基板表面（Ｋ）に吸着した気体分子に真空紫外光を照射することによって表面反応を生じさせて前記被膜形成基板（Ｋ）表面の窒化を行う被膜窒化方法。 - 特許庁

An ion exchanger having a monomolecular film or a bimolecular film of an amphipathic chained organic molecule as the surface top layer on a substrate is manufactured by generating a radical on the substrate surface through irradiating a radiation on it, and by introducing the amphipathic chained organic molecule having an ion exchange group and a hydrophobic part in the part other than the ion exchange group into the substrate surface by a radical reaction.例文帳に追加

基体に放射線を照射して該基体表面にラジカルを生成させ、イオン交換基を有し、且つ、該イオン交換基以外の部分に疎水部分を有する両親媒性鎖状有機分子を上記基体表面にラジカル反応により導入することにより、該両親媒性鎖状有機分子の単分子膜又は二分子膜を最表層として基体上に有するイオン交換体を製造する。 - 特許庁

This production method for semiconductor device is provided with a process for forming trenches 1a and 1b on a silicon substrate 1, a process for depositing silicon oxide films 5 inside these trenches and on the silicon substrate by CVD utilizing silanol reaction, and a process for filling the trenches with the silicon oxide films by polishing and removing the silicon oxide film 5 existent on the silicon substrate by CMP.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１にトレンチ１ａ，１ｂを形成する工程と、このトレンチ内及びシリコン基板上にシラノール化反応を利用したＣＶＤによりシリコン酸化膜５を堆積する工程と、シリコン基板上に存在するシリコン酸化膜５をＣＭＰによって研磨除去することにより、上記トレンチ内にシリコン酸化膜を充填する工程と、を具備する。 - 特許庁

A hard coat layer is formed by a hard coat layer forming process including: an application step of applying a hard coat liquid on a plastic substrate; a temporary firing step of preliminarily curing the hard coat liquid by a hydrolysis reaction; a moisturizing step of moisturizing the preliminarily cured hard coat layer; and a conclusive firing step of concluding the curing of the hard coat liquid by a further hydrolysis reaction.例文帳に追加

ハードコート層は、ハードコート液をプラスチック製の基材に塗布する塗布工程と、前記ハードコート液を加水分解反応により予備硬化させる仮焼成工程と、水分を予備硬化ハードコート層に添加する水分添加工程と、加水分解反応により前記ハードコート液の硬化を完結させる本焼成工程とを含むハードコート層形成工程により形成される。 - 特許庁

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁

This method for determining the enzyme comprises (1) adding the enzyme to a solution of the substrate to be converted into the substance capable of being optically determined by the enzymatic activity of the enzyme to produce a reaction solution, (2) subjecting the reaction solution to a preliminary optical determination, determining a time enabling an optical determination on the basis of the determined value, and performing the determination within the determined time.例文帳に追加

酵素の定量法であって、（１）酵素の酵素活性により光学的に測定可能な物質に変換される基質の溶液に酵素を添加して反応液を生成し、（２）予備的な光学的測定を行い、測定値に基づいて光学的な測定を行い得る時間を決定し、当該時間内に測定を行う方法、により前記課題を解決する。 - 特許庁

This method for producing the cyanohydrin is characterized by repetitively using a recovered liquid obtained by distilling a reactional liquid after completing an enzymic reaction and containing the unreacted cyanide donor and an organic solvent at least once or more in the method for producing the cyanohydrin in presence of the cyanide donor in a solvent containing the organic solvent using a carbonyl compound as a substrate by the enzymic reaction.例文帳に追加

カルボニル化合物を基質として有機溶媒を含む溶媒中で、シアニドドナーの存在下、酵素反応によりシアノヒドリンを製造する方法において、酵素反応終了後の反応液を蒸留することにより得られる、未反応のシアニドドナー及び有機溶媒を含む回収液を、少なくとも１回以上、繰り返し使用することを特徴とするシアノヒドリンの製造方法。 - 特許庁

To provide a practicable method for producing a fluorine compound by the few number of steps by which the fluorine compound can be produced industrially and inexpensively by carrying out a fluorination reaction of a substrate by using an easily available fluorinating agent, and a fluorinating agent precursor formed by the reaction can quantitatively be recovered by an easy operation, and to provide a method for recovering or regenerating the fluorination agent precursor.例文帳に追加

工業的に安価に製造でき、容易に入手できるフッ素化剤を用いて基質のフッ素化反応を行い、反応にともなって生成するフッ素化剤前駆体を容易な操作で定量的に回収できる、工程数の少ない実用的なフッ素化合物の製造方法、及びフッ素化剤前駆体の回収又は再生方法を提供すること。 - 特許庁

To form a silicon based thin film having narrow optical band gap at a high film forming rate in a method for forming the silicon based thin film on a substrate by controlling the total pressure in a reaction vessel to ≥4000 Pa, impressing high-frequency power or DC powder to electrodes provided in the reaction vessel to generate plasma and decomposing the gaseous starting material by the plasma.例文帳に追加

反応容器内の全圧を４０００Ｐａ以上とし、該反応容器内に設けた電極に高周波電力または直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プラズマにより原料ガスを分解して基板上にシリコン系薄膜を形成する方法において、光学的バンドギャップの狭いシリコン系薄膜を、速い成膜速度で形成する。 - 特許庁

A plasma is generated by applying high frequency electric power to a processing gas supplied into a reaction chamber S, and a film is formed on a substrate 7 held in the reaction chamber S using the plasma, The plasma is generated under such conditions that may easily cause plasma discharging, and then the conditions are changed to such ones required for film formation to form the film.例文帳に追加

反応室Ｓ内に導入した処理ガスに高周波電力を印加することでプラズマを生成し、該生成したプラズマを利用することで、反応室Ｓ内に保持した基板７に成膜処理を施す半導体製造方法において、予めプラズマ放電し易い条件下でプラズマを生成し、その後、成膜に必要な条件に変更して成膜を行う。 - 特許庁

To provide a polypeptide whose reaction with the blood coagulation factor VIII that is the substrate of the blood coagulation factor X can be inhibited to effectively inhibit the following thrombogenesis reaction, to provide a blood coagulation factor adsorbent using the polypeptide, to provide a method of purifying the blood coagulation factor with the blood coagulation factor adsorbent, and to provide a thrombogenesis-preventing agent containing the polypeptide.例文帳に追加

活性化血液凝固第Ｘ因子の基質である血液凝固第VIII因子との反応を阻害することで以降の血栓形成反応を効果的に抑制することが可能なポリペプチド、該ポリペプチドを用いた血液凝固因子吸着体、該血凝固因子吸着体を用いた血液凝固因子の精製方法、および該ポリペプチドを含有する血栓形成予防剤を提供する。 - 特許庁