「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a solution containing a fluorescent material with platinum fine particles dispersed , for instance, a chloroplatinic solution containing a fluorescent material is applied to the substrate by a discharge device 20f; a first reaction layer is formed by baking it at 500°C; and an electrolyte membrane is formed on the first substrate by a discharge device 20g.例文帳に追加

次に、吐出装置２０ｆにおいて白金微粒子を分散させ蛍光材料を含有する溶液、例えば、蛍光材料を含有する塩化白金酸溶液を基板上に塗布し、５００℃で焼成して第１の反応層を形成し、第１の基板に、吐出装置２０ｇにおいて電解質膜を形成する。 - 特許庁

The image formation method is one comprising delivering an inkjet recording ink from nozzles and forming an image on a substrate 41, wherein the surface of the substrate 41 is acidic, and the inkjet recording ink contains a colorant, a humectant, water, and the water-soluble substance which initiates a polycondensation reaction as the water vaporizes.例文帳に追加

ノズルよりインクジェット記録用インクを吐出して、被プリント材４１に画像を形成する画像形成方法において、被プリント材４１の表面を酸性とし、インクジェット記録用インクを、色材と、保湿剤と、水と、水が蒸発するに伴い縮重合反応を開始する水溶性物質とを含有するインクとする。 - 特許庁

A plasma source 2 is provided near the outside of a reaction chamber 1 of a hot-wall heating type, and a port 23 for supplying activated species generated by the plasma source 2 is disposed to an exhaust port 9A across the surface of the substrate 4, and the activated species are made to flow nearly in parallel with the substrate 4.例文帳に追加

ホットウォール加熱方式の反応室１の外側の近傍にプラズマ源２を設け、被処理基板４の表面を挟んで略対向する位置に、プラズマ源２により生成した活性種を供給する活性種供給口２３と、排気口９Ａとを設け、前記活性種を被処理基板４と略平行に流す。 - 特許庁

Then, after CVD and annealing, for instance, are performed inside the reaction container, the LCD substrate is cooled by blowing gas for the heat exchange at a temperature equal to or higher than a room temperature from the gas supply to the entire surface of the LCD substrate, and it is returned through a carrying chamber to a carrier inside a carrier chamber thereafter.例文帳に追加

そして当該反応容器内にて例えばＣＶＤ、アニールを行った後、室温あるいはそれよりも温度の高い熱交換用のガスを前記ガス供給部からＬＣＤ基板の表面全体に亘って吹き付けてＬＣＤ基板を冷却し、その後搬送室を介してキャリア室内のキャリアに戻す。 - 特許庁

The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.例文帳に追加

基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。 - 特許庁

To provide a substrate on which a rutile titanium dioxide film is fixed compactly and uniformly, particularly a substrate comprising a protective film or an interference-color film having high chemical stability and a high refractive index, by a method in which rutile titanium dioxide is deposited by a neutralization reaction and the heating for crystal form transition is not essentially needed.例文帳に追加

ルチル型二酸化チタンを中和反応により析出させ、結晶型転移のための加熱を本質的に必要としない方法により、ルチル型二酸化チタンの膜が緻密かつ均一に定着した基材、とくに化学的安定性および屈折率が高い保護膜もしくは干渉色膜を備えた基材を提供する。 - 特許庁

To provide a reaction device which can easily be crystallized, can prevent the cracks and the peel-off of an insulation film which are easy to occur when a metal substrate is distorted in a high temperature environment and can increase the reliability of electrical insulation between the metal substrate and a thin film heater, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加

容易に結晶化でき、高温環境下において金属基板が歪んだ際に起こりやすい絶縁膜の亀裂、剥離を防止することができ、金属基板と薄膜ヒータとの間の電気的絶縁の信頼性を高めることができる絶縁膜を備える反応装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric module 20 is constituted by connecting the end face of a thermoelectric element 23 to the lower electrode 22a of a lower substrate 21a and the upper electrode 22b of an upper substrate 21b respectively, while the thermoelectric module 20 is attached to the local reaction regions 15a, 15b, 15c of the micro chemical chip 11 respectively to constitute the thermoelectric device 10.例文帳に追加

下基板２１ａの下部電極２２ａと上基板２１ｂの上部電極２２ｂにそれぞれ熱電素子２３の端面を接合して熱電モジュール２０を構成し、この熱電モジュール２０をマイクロ化学チップ１１の局部反応領域１５ａ，１５ｂ，１５ｃにそれぞれ取り付けて熱電装置１０を構成した。 - 特許庁

A liquid droplet D1 of a first liquid L1 and a liquid droplet D2 of a second liquid L2 are mixed upon landing onto the substrate, and the reaction between the first and second liquid droplets D1 and D2 of the first and second liquids L1 and L2 are initiated after the liquid droplets D1 and D2 have landed on the substrate.例文帳に追加

第１液Ｌ１の液滴Ｄ１と第２液Ｌ２の液滴Ｄ２とが基板１０への着弾時に混ざるようにし、液滴Ｄ１、Ｄ２が基板１０に着弾してから反応が開始されるようにしたから、２種の液Ｌ１、Ｌ２を使用前に混合しておくことの不利益を最大限に回避できる。 - 特許庁

The system also comprises a support device 12 for movably supporting the surface plate 13, and a controller which corrects the positions of the substrate stages WST1 and WST2, based on the quantity of positional deviation of the substrates W1 and W2, when the surface plate 13 moves due to the reaction force, accompanying the movements of the substrate stages WST1 and WST2.例文帳に追加

定盤１３を移動可能に支持する支持装置１２と、基板ステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の移動に伴う反力により定盤１３が移動した際の基板Ｗ１、Ｗ２の位置ずれ量に基づいて基板ステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の位置を補正する制御装置を備える。 - 特許庁

Since a GaN layer 2 and an AlGaN layer 3 are formed sequentially on a sapphire substrate 1 and then they are separated from the substrate, a reaction causing accumulated warp in the GaN layer 2 is canceled by the AlGaN layer 3 and a warp free self-standing nitride based compound semiconductor crystal can be obtained.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ＧａＮ層２、ＡｌＧａＮ層３を順次形成した上で基板から分離することにより、ＧａＮ層２に蓄積されたそりを生じさせる応力がＡｌＧａＮ層３によって相殺され、そりのない自立した窒化物系化合物半導体結晶を得ることができる。 - 特許庁

The semiconductor substrate holding device for holding a semiconductor substrate in the reaction room of a plasma CVD device consists of a mounting block and a heating block, the upper surface and side faces of the mounting block are treated with anode oxidation treatment and the film thickness of the anode oxidation film is 30 to 60μm.例文帳に追加

プラズマCVD装置の反応室内で半導体基板を保持するための半導体基板保持装置であって、載置ブロックと、加熱ブロックとから成り、載置ブロックの上面及び側面が陽極酸化処理されており、陽極酸化膜の膜厚が３０μｍから６０μｍであることを特徴とする装置。 - 特許庁

When a substrate 11 is placed in a pressure reducible reaction vessel and a contact hole 14 is etched in a silicon oxide film 12 formed on the substrate 11 as an insulating film using plasma of etching gas, the pressure of the etching gas plasma is elevated to approach the gas pressure in the contact hole 14 under etching.例文帳に追加

減圧可能な反応容器内に基板１１を設置し、基板１１上に成膜された絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２にエッチングガスのプラズマを用いてコンタクトホール１４をエッチングする際に、エッチングガスのプラズマの圧力をエッチング途中のコンタクトホール１４内のガス圧力に近づけるように上昇させる。 - 特許庁

As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加

透明フィルム基板の３０℃における熱伝導率を１．５×１０^-3［ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ］以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したＩＴＯ導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁

The device arranges the lean NOx catalyst 3 which carries a catalyst layer purifying nitrogen oxide in exhaust gas on a metal honey comb (metal substrate) under an excess oxygen atmosphere along the direction of an exhaust gas flow to an exhaust passage 2 of the internal combustion engine, and a reaction catalyst (oxidation catalyst) 4 which performs the oxidation reaction of at least hydrocarbon (HC) in exhaust gas.例文帳に追加

内燃機関１の排気通路２に排気ガス流れ方向に沿って、排気ガス中の窒素酸化物を酸素過剰雰囲気下で浄化する触媒層をメタルハニカム（金属基体）に担持したリーンＮＯｘ触媒３と、排気ガス中の少なくとも炭化水素（ＨＣ）の酸化反応を行わせる反応触媒（酸化触媒）４とを配置する。 - 特許庁

The method for producing the optically active amino acid comprising a step for forming the optically active amino acid by an enzymic reaction of a 5-substituted hydantoin as a substrate by using enzymes comprising a hydantoinase and carbamoylase, and optionally a hydantoin racemase involves carrying out the reaction in an aqueous solution having ≤1.5 ppm dissolved oxygen content.例文帳に追加

５−置換ヒダントインを基質として、ヒダントイナーゼ及びカルバモイラーゼ、並びに任意にヒダントインラセマーゼを含む酵素による反応により光学活性アミノ酸を生成する工程を含む光学活性アミノ酸の製造方法において、前記反応を、溶存酸素量１．５ｐｐｍ以下の水溶液中で行うことを特徴とする製造方法。 - 特許庁

To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.例文帳に追加

基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁

In the hydrogen production method for feeding an organic substrate to a microorganism having a formate dehydrogenase gene and a hydrogenase gene under anaerobic conditions, and continuously carrying out a hydrogen formation reaction, the rate of change of oxidation-reduction potential is controlled such that the change at hydrogen formation reaction is 100 mV/min or smaller.例文帳に追加

蟻酸脱水素酵素遺伝子およびヒドロゲナーゼ遺伝子を有する微生物に嫌気的条件下にて有機性基質を供給して連続的に水素生成反応を行う水素生産方法において、水素生成反応時における酸化還元電位の変化率を１００ｍＶ／ｍｉｎ以下になるように制御することを特徴とする水素生産方法。 - 特許庁

The apparatus is provided with a reaction chamber 10 to treat a substrate 11 and a gas supply nozzle 20 to supply a raw material gas into the reaction chamber 10, a hot wire 24 to activate the raw material gas is mounted in front of a gas jet port 26 of the gas supply nozzle 20, the gas activating means 24 is integrated into the gas supply nozzle 20.例文帳に追加

基板１１を処理する反応室１０と、反応室１０内に原料ガスを供給するガス供給ノズル２０とを備え、ガス供給ノズル２０のガス噴出口２６の前方に原料ガスを活性化するガス活性化手段であるホットワイヤ２４を取り付け、ガス活性化手段２４をガス供給ノズル２０と一体化する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus for forming a thin film with a high in-plane uniformity by sequentially supplying at least two sorts of reaction gases reacting with each other within a vacuum chamber onto a surface of a substrate and executing the supply cycle to laminate layers of reaction products, and also to provide a film forming method used in the film forming apparatus.例文帳に追加

真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、面内均一性高く成膜処理を行える成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

The insulation film is formed on a semiconductor substrate by vaporizing a silicon-containing hydrocarbon compound to provide a source gas, introducing a reaction gas composed of the source gas and an additive gas such as an inert gas and oxidizing gas to a reaction space of a plasma CVD apparatus, and depositing a siloxan polymer film by plasma polymerization at a temperature of -50-100°C.例文帳に追加

絶縁膜は、ソースガスを与えるようシリコン含有炭化水素化合物を気化し、ソースガス並びに不活性ガス及び酸化ガスのような添加ガスから成る反応ガスをプラズマCVD装置の反応空間へ導入し、−５０℃〜１００℃の温度でプラズマ重合反応によりシロキサン重合体膜を蒸着することによって、半導体基板上に形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of equipment formed by firmly coupling a light transmissive member to a substrate and having high reliability for a long use, related to the apparatus constituted by sticking the light transmissive material, such as a reaction tank window mounted to a reaction chamber of a biochemical blood analyzing apparatus or a flow cell of a liquid chromatograph, to another member.例文帳に追加

生化学血液分析装置の反応槽に装着した反応槽窓や液体クロマトグラフのフローセルのような、透光性材料を別部材に貼り付けて構成する機器において、透光性部材と基体とが強固に接合され、長期間の使用にわたっても信頼性の高い機器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new method for producing a 1,3-dioxolan-2-one compound without using a heavy metal catalyst and highly toxic phosphine, realizing high reaction efficiency by the use of only a small amount of catalyst, having wide application range of substrate and useful as an environmental load reducing process free from the problems of the wastes and by-products generated by the reaction.例文帳に追加

重金属触媒や毒性の高いホスフィンを用いることなく、少ない量の触媒を用いることで高い反応効率を実現することができ、基質の適用範囲も広い、反応にともなう廃棄物や副生物の問題を解消した環境負荷低減プロセスとして有用な、１，３−ジオキソラン−２−オン類の新しい製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a film forming process of forming a film containing Zr on a substrate 1 in a reaction chamber 4, and a cleaning process of removing the film sticking on the inner side of the reaction chamber 4 in the film forming process by using gas containing B and H, Br, or Cl.例文帳に追加

反応室４内で基板１上にＺｒを含む膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において反応室４内に付着した前記膜をＢおよびＨ、またはＢｒ、またはＣｌを含むガスを用いて除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、前記課題を解決した。 - 特許庁

A hybridization device 2 for a hybridization reaction of nucleic acid has a cover member 10 that defines a cavity 12, which includes a nucleic acid fixation area 6 of a substrate for fixation of a nucleic acid probe and has capacity for storage of a liquid for the hybridization reaction therein, and at least part of an area exposed to inside of the cavity 12 has a hydrophobic region 16.例文帳に追加

核酸のハイブリダイズ反応のためのハイブリダイズ装置２を、核酸プローブが固定された基板の該核酸プローブの固定領域６を含んでハイブリダイズ反応のための液体を貯留可能なキャビティ１２を形成するカバー部材１０を備え、キャビティ１２の内部に露出される領域の少なくとも一部に疎水性領域１６を有するものとする。 - 特許庁

Disclosed is the display element characterized in that two conductive substrates at least one of which is made of a transparent conductive substrate are arranged at an interval having conductive surface sides opposite each other, at least an electrochromic composition which colors and decolorizes by an oxidizing reaction or reducing reaction and an electrolyte are included inside the substrates, and a nanostructure is added in the electrolyte.例文帳に追加

少なくとも一方が透明導電基板からなる２つの導電基板を互いに導電面側を対峙して間隔をおいて配置し、基板の内側に少なくとも酸化反応または還元反応によって発色および消色するエレクトロクロミック組成物、電解質を含み、さらに前記電解質中にナノ構造体を添加した、表示素子。 - 特許庁

A fine mesh space is formed by the crosslinked material and a ligand is included in the mesh space or a labeled ligand is added to the substrate for the nucleic acid extension reaction to perform the extension reaction and include the ligand in the template chain and/or a non-template chain, and the color development or light emission of the ligand is performed by an active substance reactive with the ligand.例文帳に追加

前記架橋体により微細な網目状空間を作り出し，この網目状空間にリガンドを取り込み，或いは核酸伸長反応の基質に標識化リガンドを添加し伸長反応させてリガンドを鋳型鎖及び/又は非鋳型鎖に取り込み，前記リガンドと反応する活性物質で前記リガンドを発色又は発光させるようにした。 - 特許庁

The fluorescence detector consists of a plurality of photodiodes 2-1, 2-2, an amplifier amplifying electric signals from the photodiodes 2-1, 2-2, an integrated semiconductor substrate onto which the photodiodes 2-1, 2-2 and the amplifier are formed, a plurality of filters 8, 9, and a fluorescence reaction bath 6 where fluorescent reaction occurs.例文帳に追加

複数のフォトダイオード２−１、２−２と、前記フォトダイオード２−１、２−２からの電気信号を増幅する増幅器と、前記フォトダイオード２−１、２−２および前記増幅器が形成された半導体集積回路基板と、光透過分光特性が異なる複数のフィルター８、９と、蛍光反応の場となる蛍光反応槽６とから蛍光検出装置を構成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes a process for supplying a material gas, having a Si source containing H and a B source containing B and Cl into a reaction chamber to form the polysilicon film containing B on a semiconductor substrate, and a process for exhausting the material gas and then supplying O_2 gas into the reaction chamber.例文帳に追加

Ｈを含むＳｉ源およびＢおよびＣｌを含むＢ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢを含有したポリシリコン膜を形成する工程と、原料ガスを排出した後にＯ_２ガスを前記反応室内に供給する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 - 特許庁

The invention relates to the method for determination of the objective gene sequence by using a product RNA which is obtained in the following processes, a process amplifying the objective gene using strand displacement DNA polymerase and a gene amplifying method, a process carrying out an in vitro transcription reaction using the amplification reaction product DNA as the template and a RNA polymerase and a substrate containing 3'-deoxynucleotide or a labeled 3'-deoxynucleotide.例文帳に追加

鎖置換型DNAポリメラーゼを用いる遺伝子増幅方法により目的遺伝子を増幅し、得られた増幅反応物に含まれるDNAを鋳型とし、RNAポリメラーゼを用い、かつ3'-デオキシヌクレオチドまたは標識された3'-デオキシヌクレオチドを含む基質を用いてイン・ビトロ転写反応を行ない、生成したRNAを用いて目的遺伝子の配列を決定する方法。 - 特許庁

In the method, the recording element substrate 002 for discharging liquid and the liquid feed member for feeding the liquid to the recording element substrate 002 are coupled with an adhesive agent which contains at least an infrared ray absorbing agent and is hardened by an ion polymerization reaction mechanism, and the recording element substrate 002 includes a silicon substrate 008 to make the adhesive agent irradiated with light including at least an ultraviolet region to an infrared region pass through a filter composed of silicon.例文帳に追加

液体を吐出する記録素子基板００２と、記録素子基板００２に前記液体を供給する液体供給部材と、を少なくとも赤外線吸収剤を含有しかつイオン重合反応機構により硬化する接着剤を用いて連結する方法であって、記録素子基板００２はシリコン基板００８を含んで構成され、少なくとも紫外から赤外領域を含む光をシリコンからなるフィルターに通して前記接着剤に照射する。 - 特許庁

The sectional shape of the heat-resistant material 22 is in an isosceles triangle or a shape that is approximated to it, and the heat-resistant material 22 is arranged, so that the top faces the upstream side of a reaction gas, and the bottom faces the surface of the substrate 15.例文帳に追加

耐熱材２２の断面形状は二等辺三角形もしくはこれに近似する形状とし、その頂点が反応ガスの上流側を向き、その底辺が基板１５の表面と対向するように耐熱材２２を配置する。 - 特許庁

By preliminarily exposing the semiconductor substrate 10, having the gas detection part 90, to an atmosphere containing an organosilicon gas for a predetermined time, silicon oxide can be bonded preliminarily to the surface of a catalyst or the surface of a catalyst carrier over the entire region of the gas reaction layer 80.例文帳に追加

そして、予め、有機シリコンガスを含む雰囲気中に所定時間曝すことにより、ガス反応層８０の全域に渡って、触媒若しくは触媒担持体の表面に酸化シリコンを予め付着させることができる。 - 特許庁

To immediately stop operation when the amount of dispensation is abnormal by determining, during dispensation operation, whether liquid has been dispensed accurately into a well-shaped reaction part formed on a substrate, where the bottom surface has a flat and hollow shape and the volume is small.例文帳に追加

基板上に形成された底面が平坦な窪み形状で容積が小さいウェル状反応部に液体が正しく分注されたかどうかを分注動作中に判定し、分注量異常時には直ちに動作を停止できる。 - 特許庁

A plasma CVD device 1 introduces reaction gas in a vacuum treatment chamber 2 and forms a film on the substrate 10 arranged on a susceptor 4 through the mask 7 by a CVD method, and includes a mask support mechanism 58, a drive part 53, a CCD camera 51, and an alignment control part 6.例文帳に追加

プラズマCVD装置1は、真空処理槽2内に反応ガスを導入し、サセプタ4上に配置された基板10上にマスク7を介してCVD法で成膜するもので、マスク支持機構58と、駆動部53と、CCDカメラ51と、アライメント制御部6とを備える。 - 特許庁

This method for applying the crystalline material to the substrate comprises a step to apply a cationic solution 210 and an anionic solution 230 and a step to crystallize at least a part of a reaction product of the solution 210 with the solution 230.例文帳に追加

基材に結晶性材料を適用する方法は、陽イオン溶液２１０と陰イオン溶液２３０とを適用し、前記陽イオン溶液と前記陰イオン溶液との反応生成物の少なくとも一部を結晶化させることからなる。 - 特許庁

Disclosed is a polysilicon film production method where a polysilicon film is formed on a substrate within a pressure-reduced reaction tube 3 by a vapor growth process, wherein the film formation is performed while feeding moisture by a moisture feeding means.例文帳に追加

減圧した反応管３内で気相成長法により基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜製造方法であって、水分供給手段によって水分を供給しつつ、上記成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A reaction chamber 10 is configured such that a material gas is introduced, part of the material gas is dissociated by the neutral particle beam under control of energy generated by a neutral particle generating means and polymerized, and a film is deposited on a substrate 14.例文帳に追加

反応室１０は、原料ガスが導入され、中性粒子生成手段により生成されたエネルギーが制御された中性粒子ビームにより原料ガスの一部が解離、重合されて基板１４上に膜を堆積される。 - 特許庁

To provide equipment for manufacturing a liquid crystal panel capable of monitoring the illuminance of an ultraviolet ray applied on the surface of a substrate to be processed by suppressing the deterioration of a liquid crystal body and an optical reaction substance, and to provide a method for manufacturing the liquid crystal panel using it.例文帳に追加

液晶体と光反応物質の劣化を抑制し、被処理基板の表面に照射される紫外線の照度をモニタ可能な液晶パネル製造装置及びこれを用いた液晶パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform proper gas evacuation in a film depositing apparatus for processing of depositing a film, by alternately supplying first material gas and second material gas into a reaction container in which a substrate is conveyed and evacuating unreacted gas into a gas treatment facility.例文帳に追加

基板が搬入された反応容器内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを交互に供給して成膜処理をすると共に、未反応ガスはガス処理設備に排気する成膜装置において、良好な排気をすること。 - 特許庁

High frequency electric power output from a high frequency power source 113 is introduced into a reaction vessel 101 via a matching unit 114 and a high frequency electrode 117, and plasma is generated, so as to perform plasma treatment to a substrate 102.例文帳に追加

高周波電源１１３より出力された高周波電力を、整合器１１４及び高周波電極１１７を介して反応容器１０１内に導入し、プラズマを生起して、基体１０２にプラズマ処理を施す。 - 特許庁

In the deposition process, deposition gas from a deposition raw material supply unit 9 is supplied into a reaction chamber 1 from a shower head 6 and an amorphous thin film, comprising a hafnium oxide film (HfO_2 film) is formed on a rotating substrate 4.例文帳に追加

成膜工程では、成膜原料供給ユニット９からの成膜ガスをシャワーヘッド６より反応室１内に供給して、回転する基板４上に酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ_２膜）を含むアモルファス薄膜を形成する。 - 特許庁

A lens substrate 100 is composed of optical glass formed with holes by a thermochemical reaction generated by a local temperature rise near a focus by the irradiation of a predetermined quantity of light beams.例文帳に追加

レンズ基板１００は、所定の光量の光ビームを照射されるとその焦点近傍における温度が局所的に上昇することにより熱化学反応が生じ、空孔が形成される光学ガラスにより構成される。 - 特許庁

To inexpensively provide an electrode substrate for a polymer electrolyte fuel cell smoothly supplying and exhausting water or gas used for reaction and enhancing cell performance by improving the conventional problems.例文帳に追加

従来の問題点を克服し、安価でかつ反応に使用される水やガスの供給および排出がスムーズに行なわれ、セル性能を発揮できる固体高分子型燃料電池用電極基材を提供することを課題とする。 - 特許庁

The gene reaction tube 3 comprises a columnar substrate 1 having a recess for accommodating a gene inspection liquid containing genes and reagents on one end face; and a lid body 2 for transmitting ultraviolet rays that is fitted so that the recess 1a is blocked.例文帳に追加

遺伝子反応管３は、一端面に遺伝子および試薬を含む遺伝子検査液を収容するための凹部を有する柱状の基体１と、凹部１ａを塞ぐように取着される紫外線透過性の蓋体２とを具備している。 - 特許庁