「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

(3) A kit is constituted so that the conjugate pad and a detection part to which the antibody of cortisol is preliminarily fixed are formed on a substrate to move cortisol and the conjugate to the detection part from the conjugate pad by a capillary phenomenon and to be subjected to competitive reaction along with the antibody of cortisol in the detection part.例文帳に追加

（３）基板上に、コンジュゲートパッドとコルチゾールの抗体が予め固定された検出部とが形成され、コンジュゲートパッドからコルチゾールとコンジュゲートとをそれぞれ毛細管現象で検出部まで移動させ、検出部においてコルチゾールの抗体と競合反応させるキット。 - 特許庁

The exhaust part comprises an exhaust tube fitted plate 145 fitted so as to cover the opening part at the side wall of the reaction vessel 111, and in which a plurality of holes arranged along the longitudinal direction of the substrate 112 are formed: and a plurality of exhaust tubes 146-1 to 146-6 respectively provided at the plurality of holes.例文帳に追加

該排気部は、反応容器１１１の側壁の開口部を覆って取り付けられ、基体１１２の長手方向に沿って配列する複数の穴が形成された排気筒取付板１４５と、前記複数の穴にそれぞれ設けられた複数の排気筒１４６−１〜１４６−６とを有する。 - 特許庁

This reaction container 1 is characterized in that a plurality of the receiving portions 5, 7, 9 opened on the upper surface of a substrate 3 and capable of receiving reagents are integrally disposed, and at least two of the receiving portions 5, 7, 9 are separately and mutually connectably formed.例文帳に追加

基板３の上面に開口して試薬を収容可能な複数の収容部５，７，９を一体的に設けて構成され、少なくとも２つの前記収容部５，７，９が、個別に形成されると共に相互に連結可能に構成されることを特徴とする反応容器１を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film solar cell includes a step of forming a photoelectric conversion layer 230 on a substrate 200 using a plasma CVD method by introducing a reactive gas into a reaction chamber 100 and applying a high frequency to an RF electrode 120 to generate plasma.例文帳に追加

この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the elastic wave element includes a step of depositing an element with standard free energy of formation of larger diffusion coefficient than an Al and oxidation reaction while the element is mixed with the Al on a piezoelectric substrate 1, a step of manufacturing an electrode for the elastic wave element by using the metal film, and a step of heat treating the electrode in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

圧電基板１上に、Ａｌよりも大きい拡散係数と酸化反応の標準生成自由エネルギーを持つ元素を、Ａｌと混合した状態で成膜し、前記金属膜を用いて弾性波素子用電極を作製し、前記電極を酸素雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a titanium-containing organic precursor that is stable in the atmosphere, shows excellent volatioity, permits simple decomposition reaction on the substrate, can be easily handled because it has high deposition rate even at a low temperature (≤470°C) consequently is useful as a MOCVD material.例文帳に追加

本発明は、大気中で安定で、揮発性に優れており、基板での分解反応が簡単であり、低い温度（４７０℃以下）でも蒸着速度が高くて取扱が容易であるため、ＭＯＣＶＤ材料として有用なチタン含有有機化合物前駆体とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The treatment gas entered at the lower side of the mounting stand, on which the substrate has been mounted, cannot easily enter the lower end of the pin through hole, thereby preventing the reaction products from depositing in the gap between the lifter pin and pin through hole, and preventing interference with the movement of the lifter pin that lifts and lowers.例文帳に追加

基板が載置された載置台の下方側に回り込んだ処理ガスは、ピン挿通孔の下端から進入しにくくなり、反応生成物がリフタピンとピン挿通孔との間の隙間に堆積することが抑えられ、従ってリフタピンの昇降が阻害されることが抑えられる。 - 特許庁

The method for separating and collecting the high-purity D-amylose comprises crystallizing the D-amylose by utilizing the property of slight solubility of the D-amylose in alcohol, and separating the crystal when collecting the D-amylose from an enzymic reaction product obtained by converting a part of a substrate convertible to the D-amylose to the D-amylose.例文帳に追加

Ｄ−アロースに変換可能な基質の一部分をＤ−アロースに変換した酵素反応産物からＤ−アロースを回収するに際し、Ｄ−アロースのアルコールに難溶性の性質を利用してＤ−アロースを結晶化させ、分離する高純度Ｄ−アロースの分離回収法。 - 特許庁

Gas in a first compartment 11a is replaced by replacement gas by supplying the replacement gas composed of inert gas from replacement means 50 to the first compartment 11a separated from a second compartment 12 by the treated substrate 9 out of a first chamber 11 in the reaction chamber 10 closer to the first side from the conveyance path 3.例文帳に追加

反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 - 特許庁

A raw material gas, made by mixing tetrafluoroethylene and ethylene, is introduced in a form of shower from an inlet part 6 into a reaction chamber 1, having a valve 3 for adjusting the quantity of exhaust gas, an RF electrode 4, and a base 7 on which a substrate is placed, to form an amorphous carbon fluoride film by a plasma CVD method.例文帳に追加

四弗化エチレンとエチレンを混合した原料ガスを導入部６から排気量調整バルブ３、ＲＦ電極４、基板載置台７を備えた反応室１内にシャワー状に導入し、プラズマＣＶＤ法により、被処理基板８上に弗化アモルファス炭素膜を形成する。 - 特許庁

The decorative material comprises: an ink layer 2 formed on a substrate 1 which layer consists of an ink containing a plastic obtained by carrying out a crosslink reaction using a urethane acrylate, an acrylic polyol and a curing agent at least; and a topcoat layer 3 on the ink layer which topcoat layer is obtained from an ionizing radiation curable resin.例文帳に追加

基材上に、少なくともウレタンアクリレートとアクリルポリオールと硬化剤とを用いて架橋反応して得られる樹脂、を含むインキからなるインキ層が設けられ、該インキ層上に電離放射線硬化性樹脂から得られるトップコート層が設けられてなることを特徴とする化粧材。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal is grown by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method comprising growing a compound semiconductor crystal by simultaneously supplying hydrogen chloride gas blown onto heated metallic silicon (Si pool 7) and a hydrocarbon gas on a heated silicon carbide substrate 5 to subject the reactants to a thermal decomposition reaction.例文帳に追加

加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 - 特許庁

Disclosed is the organic electroluminescence element which has an anode and a cathode on a support substrate, has at lest one light emitting layer between the anode and cathode, and contains an adduct or a polymer obtained by subjecting any of organic layers including the light emitting layer to addition reaction of carbene.例文帳に追加

支持基板上に陽極、陰極を有し、陽極と陰極間に少なくとも１層の発光層を有し、該発光層を含む有機層のいずれかにカルベンの付加反応によって得られる付加体または重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide an exhaust gas purifying filter configured to prevent reaction between a filter substrate and a catalyst component for low temperature combustion of particulate matter emitted from an internal combustion engine such as a diesel engine to fully exhibit high purification performance of a catalyst.例文帳に追加

ディーゼルエンジンなどの内燃機関から排出される粒子状物質を低温で燃焼させる触媒成分とフィルター基材との反応を防止し、触媒の高い浄化性能を十分発揮させることができる排ガス浄化用フィルターを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a repeatedly available immobilized biocatalyst which can perform efficient separating and collection with simple operation from a reaction solution containing products without collecting a residual material such as a water-insoluble substrate and without requiring centrifuging and sieving operation.例文帳に追加

遠心分離や篩等の操作を必要とせず、かつ生産物が含まれる反応液から水不溶性基質等の残渣物を拾うことなく簡易な操作で効率的に分離回収することができるとともに、繰り返し利用が可能な固定化生体触媒を提供すること。 - 特許庁

In a manufacturing method of the recording material wherein a solution containing a diazonium salt compound and a coupler solution containing a coupler developing color in reaction with the diazonium salt compound are applied on a substrate, the coupler solution is obtained by dissolving the coupler in an ionic liquid.例文帳に追加

ジアゾニウム塩化合物含有液と該ジアゾニウム塩化合物と反応して発色するカプラーを含有するカプラ−液を支持体上に塗布する記録材料の製造方法であって、該カプラー液を、カプラーをイオン性液体に溶解して得ることを特徴とする記録材料の製造方法。 - 特許庁

The water cleaning apparatus supports a photocatalyst 2 comprising a thin titanium dioxide film and equipped with a substrate 1 having a photocatalytic reaction surface and a light emitting diode 3 arranged so as to irradiate the photocatalyst 2 and mainly emitting predetermined visible light and ultraviolet rays with a wavelength of 360-400 nm.例文帳に追加

二酸化チタンの薄膜からなる光触媒２を担持し、光触媒反応表面を有する基体１と、その光触媒２を照射可能に配置され、所定の可視光と波長３６０〜４００ｎｍの紫外線とを主に放射する発光ダイオード３とを具備する。 - 特許庁

This method for producing branched starch comprises carrying out the synthesis of α-glucan by phospholase a or b using glucose-1-phosphate as the reaction substrate and tetramer maltooligosaccharide or larger one as the receptor and the intramolecular and/or intermolecular transfer of α-glucan chain by starch branching enzyme SBE-II.例文帳に追加

グルコース−１−リン酸を反応基質とし、４量体以上のマルトオリゴ糖を受容体として、ホスホリラーゼａまたはｂによるα−グルカンの合成と、澱粉枝付け酵素ＳＢＥ−IIによるα−グルカン鎖の分子内および／または分子間転移とを行う分岐澱粉の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compact chemical reaction apparatus having a catalyst layer formed in a minute flow passage formed on one side of a silicon substrate, in which the photoresist used for forming the catalyst layer in the flow passage is removed excellently without damaging the catalyst layer remaining in the flow passage.例文帳に追加

シリコン基板の一面に形成された微小な流路内に触媒層が形成された小型化学反応装置の製造に際し、流路内に触媒層を形成するためのフォトレジストを、流路内に残存される触媒層にダメージを与えることなく、良好に除去する。 - 特許庁

The method also includes steps of: flowing a silicon-containing precursor into the processing chamber housing the substrate; flowing an oxidizing gas into the chamber; and causing a reaction between the silicon-precursor, the oxidizing gas and the water vapor to form the dielectric material in the trench.例文帳に追加

また、この方法は、シリコン含有前駆物質を、基板を収容する処理チャンバ内に流すステップと、酸化ガスを前記チャンバ内に流すステップと、シリコン含有前駆物質、酸化ガス及び水蒸気の間の反応を起こし、トレンチ内に誘電体材料を形成させるステップと、を含む。 - 特許庁

A device includes two or more electrodes facing each other on a substrate, and a hole injection transport layer arranged between two electrodes, wherein the hole injection transport layer contains a reaction product of a molybdic complex or a tungstic complex.例文帳に追加

基板上に対向する２つ以上の電極と、そのうちの２つの電極間に配置された正孔注入輸送層を有するデバイスであって、前記正孔注入輸送層が、モリブデン錯体の反応生成物又はタングステン錯体の反応生成物を含有することを特徴とする、デバイスである。 - 特許庁

To provide a multilayer dry analytic element for lipase assay using a triglyceride having long-chain fatty acid residues on all of the three ester sites and optimum as the substrate for a pancreatic lipase, high in reaction rate, and having no problem in its handling with sufficiently high mechanical strength.例文帳に追加

膵リパーゼの基質として最も適当な、３つのエステル位の全てに長鎖脂肪酸残基を有するトリグリセリドを用いて、反応速度がはやく、しかも十分な強度を有していて取扱上も問題がない、リパーゼ測定用多層乾式分析素子を提供する。 - 特許庁

The silicon substrate on which the magnesium-silicide thin film is formed is exposed to a calcium vapor atmosphere in a closed space to cause substitution reaction between magnesium atoms and calcium atoms of the magnesium-silicide thin film, and thus growing the calcium-silicide thin film on the surface of the magnesium-silicide thin film.例文帳に追加

マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

A thin film forming device chemically deposits a thin film on a substrate, using the catalytic reaction of a catalyst to thin film material gas, where the catalyst is formed like a coil or a plate, and its surface coming into contact with the material gas is roughened.例文帳に追加

薄膜作製装置は、薄膜用原料ガスと触媒体との触媒反応を用いることにより基板上に化学的に薄膜を堆積させる装置であって、触媒体はコイル状あるいはプレート状であって、原料ガスと接触する表面に凹凸が形成されている。 - 特許庁

In the substrate for liquid discharge head, an upper protective layer 107a which is formed in the region corresponding to a heating part is constituted by laminating two or more first layers which dissolve into a liquid by an electrochemical reaction with the liquid and two or more second layers which change into a passivity.例文帳に追加

発熱部に対応する領域に形成された上部保護層１０７ａは、液体との電気化学反応により、前記液体中に溶出する第１の層と、不動態となる第２の層とが其々２層以上積層された構成である液体吐出ヘッド用基板。 - 特許庁

To obtain a catalyst-bearing carrier which is of catalyst-bearing fibers for a reaction of a substrate in a liquid or a gas and is a formed body of the fibers and which is highly durable in high temperature and oxidative atmosphere and capable of treating a liquid or a gas at a high flow rate.例文帳に追加

液体または気体中の基質を反応させる為の触媒を坦持した繊維及びその成形体で、高温酸化雰囲気でも耐久性があり、しかも大きな流速で液体または気体の処理が可能な小型な触媒装置の製作を可能にする触媒坦持体を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for simultaneously analyzing a plurality of chemical reactions in one flow path by sending a liquid in the flow path disposed on a substrate with the continuousness of the flowing liquid split to inject various substances into the split reaction buffer liquid.例文帳に追加

基板上に配設された流路内において、通流する液体の連続性を分断して送液し、分断された反応緩衝液に種々の物質を注入することにより、一つの流路内で複数の化学反応を同時に分析するための技術を提供することを主な目的とする。 - 特許庁

In a resist film formation process, a negative type resist film 26 containing base resin, cross-linkage initiator and an optical absorption agent on the opposite surface of a first substrate 18, and in an exposure process, the film is irradiated with light with wavelength for the cross-linkage initiator to initiate cross-linkage reaction.例文帳に追加

レジスト膜形成工程において、ベース樹脂、架橋開始剤及び、光吸収剤を含むネガ型レジスト膜２６を第一基板１８の対向面に形成し、露光工程において、架橋開始剤が架橋反応を開始させる波長の光を当該膜に照射する。 - 特許庁

To provide a substrate-processing apparatus with a plurality of process gases alternately supplied to the processing chamber for processing substrates, wherein the evacuation pipe clogging by reaction by-products is suppressed, even if the exhaust pipe is prolonged, by preventing the occurrence of a low-temperature region in the evacuation pipe, on the secondary side of a vacuum pump.例文帳に追加

処理室に複数の処理ガスを交互に供給して基板を処理する基板処理装置において、真空ポンプの２次側の排気管から低温部を無くすことによって、排気管の配管長が長くなっても、反応副生成物による排気管の詰まりを抑制できるようにする。 - 特許庁

Then, a silicon compound layer is formed by supplying plasma beams toward the vapor deposition material arrangement section so as to vaporize a vapor deposition substance from the vapor deposition material, at the same time, introducing a reaction gas into the film deposition chamber, and sticking the vapor deposition substance onto the surface of the substrate (sticking process).例文帳に追加

ついで、蒸着材料配置部に向けてプラズマビームを供給して蒸着材料から蒸着物質を蒸発させるとともに、反応ガスを成膜室に導入し、蒸着物質を該基板の表面に付着させて珪素化合物層を形成する（付着工程）。 - 特許庁

A reaction sample solution sucked and reserved by the each suction and delivery operation member 29 is dispensed from the each dispenser member 47 onto the each fixed sample on the substrate 53 to react therebetween, under the condition where the suction and delivery operation members 29 are selectively communicated to the respective suction members 23.例文帳に追加

各吸引部材２３と吸引吐出作動部材２９とを選択的に連通した状態で、吸引吐出作動部材２９に吸引され溜められた反応試料溶液を分注部材４７から基板５３上の各固定試料に対して分注吐出して反応させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing system capable of suppressing or preventing closure due to adhesion of a reaction byproduct in the inside of a piping gathering portion provided in one part of an exhaust system for exhausting an atmosphere in a processing chamber and having a plurality of exhaust pipings each coupled to a manifold.例文帳に追加

処理室内の雰囲気を排気する排気系の一部に設けられ、複数の排気配管がマニホールドにそれぞれ接続される配管集合部の内部で、反応生成物の付着による閉塞を抑制または防止することができる基板処理システムを提供する。 - 特許庁

Since the humidity sensor chip 15 is constituted by forming a humidity-sensitive film on the surface of the electrode pattern printed on a ceramic substrate, the constitution thereof is made simpler than that of a strain gauge for measuring the volumetric change of a substance caused by the reaction of the substance with moisture.例文帳に追加

本発明において、湿度センサチップ１５は、セラミック基板に電極パターンを印刷した表面に感湿性の被膜を形成することにより構成できるため、物質が水分と反応することによる物質の体積変化を測定する歪計よりも構成を簡易にすることができる。 - 特許庁

By repeatedly performing the process for a plurality of times (S_9), CVD (Chemical Vapor Deposition) reaction occurs between the former gas adsorbed on the surface of the substrate and the other gas introduced later, thus a barrier film grows inside a contact hole in a conformal way, and the barrier film having a satisfactory step coverage can be obtained.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ_9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。 - 特許庁

When a fluorine-added silicon oxide film is to be formed on a semiconductor substrate 10 by the plasma vapor growth method, a fluorine- resistance film 15 that is made of fluoride is formed at least on the inner wall of a ceramic dome part in a reaction container being composed of a ceramic dome part 1 and a metal chamber part 2.例文帳に追加

半導体基板１０上に弗素添加酸化珪素膜をプラズマ気相成長法により形成する場合において、セラミックドーム部１とメタルチャンバ部２から構成された反応容器内部の少なくともセラミックドーム部内壁に弗化物からなる弗素耐性膜１５を形成する。 - 特許庁

To mass-produce a large number of sample chips by spotting a large number of fixed samples onto a substrate small in an occupied volume at one operation, and to make efficient analytical work by spotting a large number of reaction samples at one operation to react with the fixed samples, using the sample chips.例文帳に追加

占拠体積が小さい基板に対して一度の操作で多数の固定試料をスポッティングして多数の試料チップを大量に作製し、これを使用して一度の操作で多数の反応試料をスポッティングして固定試料と反応させて分析作業を効率化する。 - 特許庁

The process #101a of forming the plasma CVD film on a semiconductor substrate and the process #101b of discharging air to a main discharge line in which a turbo pump used at the time is interposed and low-press cleaning the inside of a reaction chamber are successively repeated and the CVD film is formed on the predetermined plurality of the semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体基板にプラズマＣＶＤ膜を形成する工程＃101ａと、その際に使用したターボポンプを介装したメイン排気ラインに排気して反応室内を低圧クリーニングする工程＃101ｂとを順次に繰り返して、予め決めた複数枚の半導体基板にＣＶＤ膜を形成する。 - 特許庁

The method for identifying an RNA polymerase inhibitor comprises, as means, the designing and preparation of a fluorescent-labeled polynucleotide usable as a substrate of an RNA polymerase, the reaction of the fluorescent-labeled polynucleotide with an RNA polymerase in the presence or absence of a test substance, and the determination of the fluorescence intensity.例文帳に追加

ＲＮＡポリメラーゼの基質となる蛍光標識ポリヌクレオチドオを設計、調製し、被検物質の共存下または非共存下、該蛍光標識ポリヌクレオチドとＲＮＡポリメラーゼ反応させ、蛍光強度を測定することを手段とするＲＮＡポリメラーゼ阻害剤の同定方法。 - 特許庁

A substrate treater that treats a wafer by feeding a gas into a reaction chamber 5 is provided with a first exhaust pipe 13 that discharges the atmosphere from the chamber 5 and a second exhaust pipe 10 that discharges the remaining gas from the chamber after the wafer treatment.例文帳に追加

反応室５内にガスを供給してウェーハ３を処理する基板処理装置において、ウェーハ処理時に反応室５内の雰囲気を排気する第１の排気管１３と、ウェーハ処理後に反応室５内に残った残留ガスを排気する第２の排気管１０とを備える。 - 特許庁

When a reaction gas is supplied to a chamber, at the same time, a high-frequency voltage is applied for generating plasma, and a silicon nitride film 18 is formed as the final protection film of a semiconductor substrate 6, power density when the high-frequency voltage rises is set larger than 1.75 W/sec.cm2 for applying.例文帳に追加

チャンバに反応ガスを供給するとともに高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、半導体基板６の最終保護膜としてシリコン窒化膜１８を形成するに際し、高周波電圧の立ち上りのときのパワー密度を１．７５Ｗ／ｓｅｃ・ｃｍ^2よりも大きくして印加する。 - 特許庁

In the thin film deposition method where TiCl4 as a gaseous starting material and NH_3 as a reaction gas are reacted to deposit a TiN thin film on a substrate, the NH_3 is irradiated with light with wavelength causing predissociation so as to be excited, and is then reacted with the gaseous starting material.例文帳に追加

原料ガスであるＴｉＣｌ４と反応ガスであるＮＨ_３とを反応させてＴｉＮ薄膜を基板上に形成する薄膜の形成方法において、前記ＮＨ_３に対して前期解離を起こす波長の光を照射し、ＮＨ_３を励起した上で原料ガスと反応させる。 - 特許庁

The upper part of a substrate holder 107 is provided with a connection body 201 having: a connection part 202 connected to the upper cover (not shown in Figure) of a reaction vessel; a spindle 203 provided rotatably to the connection part 202; and a sliding part 206 interposed between the connection part 202 and the spindle 203.例文帳に追加

基体ホルダ１０７の上部には、反応容器の上蓋（不図示）に接続される接続部２０２と、接続部２０２に対して回転可能に設けられた支軸２０３と、接続部２０２と支軸２０３との間に介在する摺動部２０６とを有する接続体２０１が設けられている。 - 特許庁

The reaction vessel 1 is characterized by being constituted so that a plurality of storage parts 5, 7, 9 opened on the upper surface of a substrate 3, capable of storing a reagent are provided integrally, and by forming the plurality of storage parts 5, 7, 9 from mutually different resin materials.例文帳に追加

基板３の上面に開口して試薬を収容可能な複数の収容部５，７，９を一体的に設けて構成され、これら複数の前記収容部５，７，９が、相互に異なる樹脂材料により形成されていることを特徴とする反応容器１を提供する。 - 特許庁

At the time of working a coating formed on a semiconductor substrate by plasma etching, predetermined wavelength in the ultraviolet region of a light emission spectrum due to elements contained in reaction gas in the plasma etching is monitored so that an etching end point can be detected according to the change of the strength of the predetermined wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被膜をプラズマエッチングにより加工する際、前記プラズマエッチングにおける反応ガスに含まれる元素に起因する発光スペクトルの紫外領域における所定波長をモニタし、前記所定波長の強度の変化よりエッチング終点を検出する。 - 特許庁