「region」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

Demand continued to increase the supply not only within the region but also outside the region.例文帳に追加

需要は域内供給にとどまらず域外からの供給をも増大させている。 - 経済産業省

A p^+ guard ring region GR is in a direct contact with the p-type well region HPW.例文帳に追加

ｐ^+ガードリング領域ＧＲはｐ型ウエル領域ＨＰＷと直接接している。 - 特許庁

While a first work region is set, when a second work region is newly set, the setting of the second work region is controlled based on the position information of the sensor part for the coordinate input region, the size of the coordinate input region and the region information of the first work region.例文帳に追加

第一の作業領域が設定されている状態で、新たに第二の作業領域を設定する場合には、座標入力領域に対するセンサ部の位置情報、座標入力領域の大きさ、第一の作業領域の領域情報に基づいて、第二の作業領域の設定を制御する。 - 特許庁

An image output device 1 determines a region to be displayed on a composite destination image out of the whole region of a composite source image, and a region on the composite destination image which is a display region of the region when generating a composite image, and corrects the former region according to the correction of the latter region.例文帳に追加

画像出力装置１においては、合成画像の生成時、合成元の画像の領域全体のうちの、合成先の画像上に表示させる領域と、その領域の表示領域となる合成先の画像上の領域が決定され、後者の領域の補正に合わせて前者の領域が補正される。 - 特許庁

When a real defective region is detected in the recording layer of a former recording order in a two layer disk, in the recording layer of the next recording order, a region comprising a region in which a physical positional relation corresponds to the real defective region and a margin region provided before and after this region is set as a pseudo defective region.例文帳に追加

２層ディスクにおいて記録順が先の記録層にて実欠陥領域を検出したときは、記録順が次の記録層において、実欠陥領域に物理的な位置関係が対応する領域と、この領域の前後に設けたマージン領域とから成る領域を疑似欠陥領域として設定する。 - 特許庁

This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.例文帳に追加

この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクＲＯＭ活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁

The concentration of the impurity in a first part neighbored to at least the channel region among the peripheral regions of the island-type plane patterns in respective source region and drain region is lower compared with a central region excluding a second part, excluding the peripheral region and neighbored to the channel region along the channel region.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域の夫々における、島状の平面パターンの周辺領域のうち少なくともチャネル領域に隣接する第１部分は、周辺領域を除くと共にチャネル領域に沿ってチャネル領域に隣接する第２部分を除く中央領域と比べて、不純物の濃度が低い。 - 特許庁

A base region 4 has a first region 4a and a second region 4b each having a Ge composition ratio continuously reducing from an emitter region 9 to a collector region 3, and a reduction rate of the Ge composition ratio in the first region 4a is smaller than that in the second region 4b.例文帳に追加

ベース領域４は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かい、Ｇｅ組成比が連続的に減少する第１の領域４ａと第２の領域４ｂを有し、第１の領域４ａにおけるＧｅ組成比の減少率が、第２の領域４ｂにおけるＧｅ組成比の減少率よりも小さくなっている。 - 特許庁

Namely, if the impurity region to which n-type impurities are added is treated as an n-type region and the impurity region to which p-type impurities are added is treated as a p-type region, a transistor in which a channel formation region is sandwiched by the n-type region and the p-type region is used as a MOS capacitative element.例文帳に追加

具体的には、ｎ型の不純物が添加された不純物領域をｎ型領域、ｐ型の不純物が添加された不純物領域をｐ型領域とすると、本発明ではチャネル形成領域がｎ型領域とｐ型領域の間に挟まれているトランジスタを、ＭＯＳ容量素子として用いる。 - 特許庁

The channel regions (33, 34, 35) preferably include: a first region (33) under the charge accumulation layer (24); a select side region (34) between the first region (33) and the first impurity implantation region (31); and an assist side region (35) between the first region (33) and the second impurity implantation region (32).例文帳に追加

チャネル領域（３３、３４、３５）は、電荷蓄積層（２４）の下の第１領域（３３）と、第１領域（３３）と第１不純物注入領域（３１）との間のセレクト側領域（３４）と、第１領域（３３）と第２不純物注入領域（３２）との間のアシスト側領域（３５）とを含むことが好ましい。 - 特許庁

In the patterning retardation film 24, first regions 21 and second regions 22 different in a phase difference mutually are alternately patterned repeatedly, and between the first region and the second region, a third region 23 having an approximately average phase difference of the first region and the second region is formed so that it separates the first region and the second region from each other.例文帳に追加

互いに位相差が異なる第一領域２１と第二領域２２が交互に繰り返してパターニングされており、第一領域と第二領域の間に、該２つの領域のほぼ平均の位相差を有する第三領域２３が第一領域と第二領域を隔てるように形成されているパターニング位相差フィルム２４。 - 特許庁

When a similar region 331 is found, the image correction unit sets an image region containing the similar region 331 as a correction patch region 340, and corrects the image within the region 320 to be corrected by mixing the image data of the region 320 to be corrected and the image data of the correction patch region 340.例文帳に追加

類似領域３３１が見つかると、画像補正部は、類似領域３３１を包含する画像領域を補正パッチ領域３４０として設定し、補正対象領域３２０の画像データと補正パッチ領域３４０の画像データを混合することで補正対象領域３２０内の画像を補正する。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁

The resonator region 104 includes an oxide region 104A formed on the lower DBR 102 and an n-type conductive region 104B formed on the oxide region 104A and adjoining the active region 106, a refractive index of the oxide region 104A being smaller than that of the conductive region 104B.例文帳に追加

共振器領域１０４は、下部ＤＢＲ１０２上に形成された酸化物領域１０４Ａと、酸化物領域１０４Ａ上に形成され、活性領域１０６に隣接するｎ型の導電領域１０４Ｂとを有し、酸化物領域１０４Ａの屈折率は、導電領域１０４Ｂの屈折率よりも小さい。 - 特許庁

An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.例文帳に追加

過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁

In the groove regions of the other recording layer 103 facing the region 105, the region to be irradiated with a light beam for retrieving the region 105 is set as a non-recording region and the groove region 104-1 excluding the region is set as a region where the information is substantially recordable.例文帳に追加

また、リードインエンボス領域１０５に対向する他の記録層１０３のグルーブ領域では、リードインエンボス領域１０５を検索する光ビームであってこの光ビームが照射される領域は、非記録領域に定められ、この領域を除くグルーブ領域１０４−１が実質的に情報が記録可能な領域に定められている。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, in order to secure the withstand voltage characteristics, a low concentration region 10 where an impurity concentration is low is formed in a region other than the drain region 2 (transistor forming region) surrounded by the withstand voltage holding region 9, which is the region on the side of the main surface S in the drain region 2.例文帳に追加

半導体装置１において、耐圧特性を確保するため、不純物濃度の低い低濃度領域１０が、ドレイン領域２における主面Ｓ側の領域であって耐圧保持領域９によって囲まれたドレイン領域２（トランジスタ形成領域）以外の領域に、形成されている。 - 特許庁

To provide a simplified test method of nitrogen oxide concentration in engine exhaust gas, capable of measuring precisely the exhaust gas from an engine of a running vehicle by using an NOx sensor exclusive for a lean region, even in a region other than the lean region, namely, in a region ranging from a stoichiometric region (theoretical air-fuel ratio region) to a rich region.例文帳に追加

リーン領域専用のＮＯ_X センサを用いて、走行車両のエンジンからの排ガスを、リーン領域以外の領域、すなわち、ストイキ領域（理論空燃比領域）〜リッチ領域においても精度よく測定することができるエンジン排ガス中の窒素酸化物濃度の簡易測定方法を提供すること。 - 特許庁

A first region 11 that functions as a transistor has a drain region 111, a body region 112 formed on the upper side of the drain region 111, a source region 113A formed on the upper side of the body region 112, and a trench formed in the body region 112 and in which a gate electrode 120 is embedded.例文帳に追加

トランジスタとして機能する第１領域１１は、ドレイン領域１１１と、ドレイン領域１１１の上側に形成されたボディー領域１１２と、ボディー領域１１２の上側に形成されたソース領域１１３Ａと、ボディー領域１１２に形成され且つゲート電極１２０が埋め込まれたトレンチとを有する。 - 特許庁

This gray scale mask includes a source electrode mask region, a drain electrode mask region and a channel mask region between the source electrode mask region and the drain electrode mask region, wherein a plurality of shielding bars are uniformly installed vertically to the center line of the channel region in the channel region.例文帳に追加

該グレースケールマスクは、ソース電極マスク領域と、ドレイン電極マスク領域と、前記ソース電極マスク領域と前記ドレイン電極マスク領域との間のチャンネルマスク領域と、を備え、前記チャンネル領域内に、前記チャンネル領域の中心線とは垂直するように複数の遮光バーが均一に設置される。 - 特許庁

A tubercle candidate region generation section 22 specifies a non-tubercle region out of the tubercle candidate region based on a first distance from the determined nuclear region and a second distance longer than the first distance and removes the specified non-tubercle region from the tubercle candidate region to extract the tubercle region.例文帳に追加

結節候補領域生成部２２は、決定された核領域からの第１の距離と前記第１の距離よりも長い第２の距離とに基づいて結節候補領域から非結節領域を特定し、特定された非結節領域を結節候補領域から除去することにより結節領域を抽出する。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁

At this time, a first unit region is irradiated with a laser beam to distort the first unit region, and thereafter, a third unit region which is not adjacent to the first unit region is irradiated with a laser beam to distort the third unit region before a second unit region which is adjacent to the first unit region is irradiated with a laser beam.例文帳に追加

その際、第１の単位領域にレーザビームを照射して第１の単位領域を歪ませた後、第１の単位領域に隣接する第２の単位領域にレーザビームを照射する前に、第１の単位領域に隣接しない第３の単位領域にレーザビームを照射して第３の単位領域を歪ませる。 - 特許庁

The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.例文帳に追加

拡散層７は、ドリフト領域２およびベース領域５のベース領域部５Ａの境界線Ｂと溝１５の側面との交点から、ベース領域５のベース領域部５Ａの直下のドリフト領域２の底面に向かって延びる直線Ｌと、境界線Ｂとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁

The substrate for cell culture includes a substrate having a conductive region and an insulating region, a cell-adhesive region and a cell adhesion inhibitory region formed on the conductive region and the insulating region, respectively, in which the cell-adhesive region and the cell adhesion inhibitory region are adjacent in the conductive region and the cell-adhesive region and the cell adhesion inhibitory region are adjacent on the insulating region.例文帳に追加

本発明は、導電性領域と絶縁性領域とを有する基材、ならびに該導電性領域上および該絶縁性領域上にそれぞれ形成された細胞接着性領域と細胞接着阻害性領域とを備える細胞培養用基板であって、導電性領域上において細胞接着性領域と細胞接着阻害性領域とが隣り合っており、絶縁性領域上において細胞接着性領域と細胞接着阻害性領域とが隣り合っている、前記細胞培養用基板に関する。 - 特許庁

In the region 26, a gate contact region 29 of a J-FET element is formed concurrently with the formation of a base region 28 of an NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタのベース領域２８を形成すると同時的にＪ−ＦＥＴ素子のゲートコンタクト領域２９を形成する。 - 特許庁

The jointing surface of the second source region 107B to the second base region 106 expands to the side of second source region 107B.例文帳に追加

第二のソース領域１０７Ｂの第二のベース領域１０６との接合面は、第二のソース領域１０７Ｂ側に膨出している。 - 特許庁

On the condition that acknowledgement is sent to the host in the command phase, an information writing region is switched from the CBW region 12 to the EP1 region 10.例文帳に追加

コマンドフェーズでのアクノリッジがホストに返されたことを条件に、ＣＢＷ領域１２からＥＰ１領域１０に切り替える。 - 特許庁

The void region is not disposed in the element separation region 104 adjacent to the NMOS region 105 in a channel width direction.例文帳に追加

チャネル幅方向においてＮＭＯＳ領域１０５と隣接する素子分離領域１０４には空洞領域は配置されていない。 - 特許庁

In this event, the AF target region determination unit 131 can change the area ratio of the AF target region to the face region.例文帳に追加

このとき、ＡＦ対象領域決定部１３１は、顔領域に対するＡＦ対象領域の面積比率を変更可能である。 - 特許庁

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第１の高さと第２の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To make a boundary between a display region and a region outside the display region of a plasma display panel inconspicuous so as to prevent affecting the images due to the boundary.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの表示領域と表示外領域との境界が画像に影響を与えないように、目立たなくする。 - 特許庁

The active layer comprises a main active region aligned with the current-confining aperture and an auxiliary active region surrounding the main active region.例文帳に追加

活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。 - 特許庁

A shielding plate 47 is attached on a stage 3 and a region (shielding region E1) where the laser beam L is not incident is formed on the light-receiving region 46.例文帳に追加

ステージ３に遮断板４７を取り付け、受光部４６にレーザ光Ｌが入射しない領域（遮蔽領域Ｅ１）を形成する。 - 特許庁

A p^+-type injector region and an n^+-type source region 14 are formed at an opposite side of the substrate 15 of the drift region 13.例文帳に追加

ドリフト領域１３の基板１５と反対側にはｐ^＋型インジェクタ領域とｎ^＋型ソース領域１４とが形成されている。 - 特許庁

The isolation region comprises a deep isolation region 22, whose width is substantially fixed and a shallow isolation region 23 consisting of an STI.例文帳に追加

素子分離領域は、幅が略一定の深い素子分離領域２２と、ＳＴＩからなる浅い素子分離領域２３とからなる。 - 特許庁

The heat pipe 40 extends up to a region coming out from a natural heat dissipation region, and expands the heat dissipation region of the heat sink member 21.例文帳に追加

ヒートパイプ４０は、自然放熱領域からはみ出た領域まで延びており、ヒートシンク部材２１の放熱領域も拡大する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate cleaning liquid that does not cause any change with lapse of time in a region from a neutral region to a basic region and is high in oxidizing ability.例文帳に追加

中性から塩基性の領域で経時変化がなく、酸化能力の高い半導体基板用洗浄液を提供する。 - 特許庁

The measurement of ribs is performed by dividing the measurement region into two, an upstream region and a downstream region so as to measure in the transfer direction of a recording medium.例文帳に追加

この測定は、各リブを記録媒体の搬送方向に沿って上流、下流の２つの領域に分割して測定する。 - 特許庁

The organic metal film 3 in the pressed region 310 has a dense-coarse difference from an unpressed region 311 which is not pressed as the pressed region is pressed.例文帳に追加

加圧領域３１０の有機金属膜３には、加圧に伴い、加圧されない非加圧領域３１１との間に疎密差が生じる。 - 特許庁

In the silicon layer 4, an NPN transistor (composed of a p-type well region 6, an n+-type region 7, and a deep n+-type region 10) is formed.例文帳に追加

ｎ^- 型シリコン層４にはＮＰＮトランジスタ（ｐウェル領域６、ｎ^+ 型領域７、ディープｎ^+ 領域１０）が形成されている。 - 特許庁

The silicon carbide heating element is used as a heater for at least a hot region to a forming region to a forming region in the float bath for sheet glass manufacture.例文帳に追加

この炭化珪素発熱体を板ガラス製造用のフロートバス内の少なくともホット域〜成形域におけるヒータとして使用する。 - 特許庁

A gate contact region 29 of a J-FET element in the region 26 is formed simultaneously with the formation of a base region 28 of an NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタのベース領域２８を形成すると同時的にＪ−ＦＥＴ素子のゲートコンタクト領域２９を形成する。 - 特許庁

The vertical transistor has a semiconductor region, a columnar region provided on the semiconductor region, a gate insulating film provided covering a side face of the columnar region, a gate electrode provided on the gate insulating film, a first impurity diffusion region provided over the columnar region, and a second impurity diffusion region provided in the semiconductor region to surround the columnar region.例文帳に追加

縦型トランジスタは、半導体領域と、半導体領域上に設けられた柱状領域と、柱状領域の側面を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、柱状領域の上部に設けられた第１の不純物拡散領域と、半導体領域内に柱状領域を囲むように設けられた第２の不純物拡散領域と、を有する。 - 特許庁

In addition, the intermediate region 10 has a value of resistance higher than those of the first PTC region 6 and the second PTC region 8.例文帳に追加

また、中間領域１０は、第１のＰＴＣ領域６及び第２のＰＴＣ領域８よりも高い抵抗値を有している。 - 特許庁