「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

More specifically, the contact plug 15 is in contact with not only the surface of the source region 9, but also the bottom and side surfaces of the groove 11 formed in the source region 9.例文帳に追加

すなわち、コンタクトプラグ１５は、ソース領域９の表面だけでなく、ソース領域９に形成された溝１１の底面および側面と接触している。 - 特許庁

A thin-film Si layer 5 with a source-drain 10 formed thereon is curved toward a region on source-drain 10 sides from a region extremely under a gate electrode 8.例文帳に追加

ソース・ドレイン１０が形成される薄膜Ｓｉ層５を、ゲート電極８直下の領域からソース・ドレイン１０側の領域に向かって湾曲させる。 - 特許庁

A P^+ type body contact part 72 is provided in a specific region outside of the source and drain regions 68, 69 through this power source path region 71.例文帳に追加

この電源経路領域７１を介してソース・ドレイン領域６８，６９から外側に所定領域にＰ^＋型のボディーコンタクト部７２が設けられている。 - 特許庁

A gate is formed in the vicinity of the upper surface, and is arranged at least partly between the first source/drain region and the second source/drain region.例文帳に追加

ゲートが、半導体層の上面近傍に形成され、少なくとも部分的には第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域との間に配置される。 - 特許庁

An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加

半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁

To avoid electric field concentration on a P-type region beneath an N-type source region of a DTMOS FET and more stably hold the drain-source backward withstand voltage to reduce the on-resistance.例文帳に追加

DTMOS FET におけるN ソース領域下のP 型領域での電界集中を防ぎ、ドレイン・ソース間逆方向耐圧をより安定に保ち、オン抵抗を低減させる。 - 特許庁

The drain region of the protective transistor is connected to the pad terminal and the gate electrode and source region of the transistor are connected to a power supply line by setting the electrode and region to the same potential.例文帳に追加

保護トランジスタのドレイン領域をパッド端子に接続し、ゲート電極及びソース領域を同電位にして電源ラインに接続する。 - 特許庁

An N-type impurity region (source/drain region) 13 is formed on a P-type semiconductor substrate 11 separated by a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１１上にチャネル領域１２を隔ててＮ型の不純物領域（ソース・ドレイン領域）１３が形成されている。 - 特許庁

There is formed a transistor for memory in a DRAM region AreaD where no silicide film is formed on a source region 7a and a drain region 7b.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域AreaDには、ソース領域７ａ及びドレイン領域７ｂ上にシリサイド膜が形成されていないメモリ用トランジスタが形成されている。 - 特許庁

Then the channel region 43 is formed of crystal grains smaller than crystal grains of the source region 41 and the drain region 42.例文帳に追加

そして、チャネル領域４３は、ソース領域４１及びドレイン領域４２における結晶粒よりも小さい結晶粒により構成される。 - 特許庁

A gate electrode GE is formed on a region in between a source region and a drift region DR via an insulation layer FO.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥは、ソース領域およびドリフト領域ＤＲに挟まれる領域上に絶縁層ＦＯを介在して形成されている。 - 特許庁

An N^+-type source region 7 is formed with an interval to the periphery of the body region 4 at the surface layer section of the body region 4.例文帳に追加

ボディ領域４の表層部には、Ｎ^＋型のソース領域７がボディ領域４の周縁との間に間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁

The light-source apparatus 1 has a first Fabry-Perot resonator (FP) region 2, a semiconductor optical amplifier (SOA) region 3, and a second FP region 4.例文帳に追加

光源装置１は、第１ファブリ・ペロ共振器（ＦＰ）領域２、半導体光増幅器（ＳＯＡ）領域３及び第２ＦＰ領域４を備える。 - 特許庁

The p type base region 105 is so formed on the main surface 12 as to adjoin the n type source region 103.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１０５はｎ型ソース領域１０３に隣接するように主表面１２に形成される。 - 特許庁

The inner peripheral side of the P-type active guard region 16 has an N-type source region 17 and acts as an FET.例文帳に追加

ｐ型アクティブガード領域１６の内周側は、ｎ型ソース領域１７を有し、ＦＥＴとして機能する。 - 特許庁

Impurity distribution between the drain and the source in a channel region is also equalized, when the body-region forming method is used.例文帳に追加

上記ボディ領域形成方法を用いるとチャネル領域のドレイン・ソース間不純物分布も均一になる。 - 特許庁

In addition, a damage of a source/drain region or an element isolation region due to etching can be minimized.例文帳に追加

これに加えて、ソース／ドレイン領域又は素子分離領域に対するエッチング損傷も最小化することができる。 - 特許庁

First and second channel regions C are formed between the source region 20A and the drain region 20B.例文帳に追加

前記ソース領域２０Ａとドレイン領域２０Ｂとの間に第１及び第２チャンネル領域Ｃが配置される。 - 特許庁

Also, the FET 1 is provided with a source region 11 and a drain region 13 formed in the layers 3 to 8.例文帳に追加

また、ＦＥＴ１は、上記の層３〜８に設けられたソース領域１１およびドレイン領域１３を有する。 - 特許庁

Each of a dummy memory sequence is provided with a second conductive type source region and a second conductive type drain region.例文帳に追加

ダミーメモリ列の各々は、第２の導電型のソース領域及び第２の導電型のドレイン領域を備える。 - 特許庁

A selective epitaxy process is performed to deposit a raised source region and a raised strap region.例文帳に追加

選択的エピタキシャル成長プロセスが、レイズド・ソース領域及びレイズド・ストラップ領域を付着するために行われる。 - 特許庁

After that, each gate electrode is patterned, and source and drain regions are formed in the well region 13 by ion implantation of impurities in the well region 13.例文帳に追加

その後、各ゲート電極をパターニングし、不純物のイオン注入によりソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A gate insulating layer 5 is formed on the channel region between the source region 2 and third insulating layer 6.例文帳に追加

また、ソース領域２と第３の絶縁層６との間のチャネル領域上には、ゲート絶縁膜５が形成される。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element, where the interval between the channel region and the source region of a memory cell is made constant.例文帳に追加

メモリセルのチャネル領域及びソース領域の間の間隔が一定な不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of source/drain regions matching with characteristics of each PMOS region and NMOS region.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域およびＮＭＯＳ領域それぞれの特性に合うソース／ドレイン領域の形成方法の提供。 - 特許庁

The source region SR is formed on the main surface 12 in the back gate region, and is a first conductivity type one.例文帳に追加

ソース領域ＳＲはバックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are so formed as to be separated from each other in structure.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

To improve position controllability among a source region, a drain region and a gate electrode to reduce manufacturing variations.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域とゲート電極との位置制御性を向上させ、製造バラツキを低減する。 - 特許庁

Contact holes 22 and 23 are formed via an interval A smaller than an interval B between a source region 12 and a drain region 13.例文帳に追加

ソース領域12とドレイン領域13との間隔Ｂより小さな間隔Ａを介してコンタクトホール22,23を形成する。 - 特許庁

One transistor region constituting the photodiode and the storage section function as the source region of the clear transistor.例文帳に追加

フォトダイオードを構成する一方の半導体領域と蓄積部とは、クリアトランジスタのソース領域として機能する。 - 特許庁

A sacrificial layer (314) is formed over the sacrificial first gate, the source and drain, the first region, and the second region.例文帳に追加

犠牲第１ゲート、ソース／ドレイン、第１の領域、および第２の領域の真上に犠牲層（３１４）が形成される。 - 特許庁

The boundary parts 17 and 18 of LDD regions 14 and 15, source region 12 and the drain region 13 are exposed in contact holes 22 and 23.例文帳に追加

ＬＤＤ領域14,15とソース領域12およびドレイン領域13との境界部17,18をコンタクトホール22,23で露出する。 - 特許庁

The n-type source/drain region 4 is formed in such a manner as to pinch the n-channel region on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ソース／ドレイン領域４は、半導体基板１上にｎチャネル領域を挟むように形成されている。 - 特許庁

A contact plug 16B is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｂが形成されている。 - 特許庁

A source-drain region is formed in the island-like semiconductor region by implantation by using the photoresist layer as a mask.例文帳に追加

フォトレジスト層をマスクとして、注入により、島状半導体領域にソース／ドレイン領域が形成される。 - 特許庁

Ion pouring is effected by employing the gate electrode as a mask to form a source region 16 and a drain region 17.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行いソース領域１６とドレーン領域１７を形成する。 - 特許庁

A drain region and a source region are formed at positions sandwiching the gate electrode therebetween on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面のゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

After a gate electrode is formed, a semiconductor film has once selectively been formed in a source region and a drain region.例文帳に追加

ゲート電極形成後、一旦選択的に半導体膜をソース領域及びドレイン領域に形成する。 - 特許庁

The light from the light source has a visible ray region and an excitation wavelength region for activating the photocatalyst body.例文帳に追加

光源は可視光領域と光触媒体を活性化する励起波長の領域を有したものとする。 - 特許庁

An ion is implanted to the exposed substrate to form a common source region 120 and a drain region 122.例文帳に追加

露出された基板にイオン注入して共通ソース領域１２０及びドレイン領域１２２を形成する。 - 特許庁

The source region 23 and the drain region 26 are formed to positions deeper than the second body contact area 24.例文帳に追加

ソース領域２３とドレイン領域２６は、第２ボディコンタクト領域２４よりも深い位置にまで形成されている。 - 特許庁

To enable a light source in a region corresponding to a selected focus detection region to be more accurately detected.例文帳に追加

選択された焦点検出領域に対応する領域の光源をより正確に検知できるようにすること。 - 特許庁

The XUnionRectWithRegion function updates the destination region from a union of the specified rectangle and the specified source region.例文帳に追加

関数XUnionRectWithRegionは、指定した長方形と指定した元のリージョンの和集合を使って対象のリージョンを更新する。 - XFree86

To reduce the junction capacitance parasitic on a source region and a drain region, and reduce the capacitance parasitic on a wiring.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域に寄生する接合容量を低減し、配線に寄生する容量を低減する。 - 特許庁