「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

On the surface layer of one main side of a P-type SiC substrate 10, a P^+-type SiC region 20, an N^+-type SiC source region 30, and both N-type SiC drain region 40 and N^+-type SiC drain region 50, located away from the P^+-type SiC region 20 and the N^+-type SiC source region 30, are formed.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ基板１０の一主面側の表層にＰ＋型ＳｉＣ領域２０と、Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０と、Ｐ＋型ＳｉＣ領域２０及びＮ＋型ＳｉＣソース領域３０から離隔してＮ型ＳｉＣドレイン領域４０とＮ＋型ＳｉＣドレイン領域５０がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

In the image data taken by an on-vehicle camera 10, the distance to a light source and the brightness of the light source region corresponding to the light source are obtained.例文帳に追加

車載カメラ１０によって撮像した画像データにおいて、光源までの距離及びその光源に対応する光源領域の輝度を求める。 - 特許庁

To reduce the resistance of a source contact, by forming a proper ohmic junction between a source electrode and a source region in a trench gate MISFET.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴにおいて、ソース電極とソース領域との間に良好なオーミック接合を形成することにより、ソースコンタクトを低抵抗化する。 - 特許庁

Further, a first conductivity type high-density region 11 is provided adjacently to the second conductivity type source region 6, and brought into butting contact with the source electrode 10 together with the second conductivity type source region 6 to fix a substrate potential.例文帳に追加

また、第２導電型ソース領域６と隣接して第１導電型高濃度領域１１が設けられており、第２導電型ソース領域６と共にソース電極１０にバッティングコンタクトされ、基板電位が固定されるようになっている。 - 特許庁

Thereby, the p^+ type layer 6 and a p type base region 3 are prevented from punching through under the n^+ type source region 4, and the withstand voltage between the drain and the source is secured regardless of the depth of the n^+ type source region 4.例文帳に追加

このため、ｎ^+型ソース領域４の下方においてｐ^+型層６およびｐ型ベース領域３がパンチスルーしてしまうことを防止でき、ｎ^+型ソース領域４の深さに関係なくドレイン−ソース間の耐圧を確保することが可能となる。 - 特許庁

As a result it is possible to prevent the thickness of the thermal oxide film 108 in an inner wall of a trench groove from increasing abnormally in a region in contact with a source/drain region, thus reducing the width size of a source/drain region and to prevent source/drain resistance from increasing.例文帳に追加

これによりトレンチ溝内壁の熱酸化膜１０８がソース・ドレイン領域に接する領域において異常に膜厚が増加してソース・ドレイン領域の幅寸法が減少し、ソース・ドレイン抵抗が増大することが防止される。 - 特許庁

At least at one end of a TFT, a heavily-doped region used as the source region or the drain region and two regions adjacent to the channel region, i.e., a first lightly-doped region in which the impurity concentration of the heavily-doped region is low and a second low concentration region that is concentrated lower than the impurity concentration of the first low concentration region are prepared sequentially.例文帳に追加

ＴＦＴの少なくとも一端において、ソース領域やドレイン領域となる高濃度領域と、チャネル領域との間に、順に、高濃度領域の不純物濃度が低濃度の第１低濃度領域と、第１低濃度領域の不純物濃度よりさらに低濃度の第２低濃度領域とを、設ける。 - 特許庁

An amorphous silicon film is patterned for forming a growth source region 1 where a catalysis should be added, an element formation region 2 that is isolated from the growth region 1 and does not have the catalysis, and a path 3 for connecting the growth source region 1 to the element formation region 2.例文帳に追加

触媒を添加すべき成長源領域１と、成長源領域１に対して隔離されて触媒が非添加の素子形成領域２と、成長源領域１と素子形成領域２とを繋ぐ経路３とを、非晶質珪素膜をパターニングすることにより形成する。 - 特許庁

There are provided an amorphous silicon film 14 functioning as a channel region, a source region 15 and a drain region 16 formed on the amorphous silicon film 14, and an insulating film 19 formed between the source region 15 and the drain region 16 on the amorphous silicon film 14.例文帳に追加

チャネル領域として機能する非晶質シリコン膜１４と、非晶質シリコン膜１４上に形成されたソース領域１５およびドレイン領域１６と、非晶質シリコン膜１４上であってソース領域１５とドレイン領域１６との間に形成された絶縁膜１９とを備える。 - 特許庁

The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタ１３は、半導体基板１１上に第２導電型のソース領域１３Ｓおよびドレイン領域１３Ｄを形成し、ソース領域１３Ｓとドレイン領域１３Ｄの間の領域上に絶縁層１２ａを介してゲート電極１３Ｇを形成して構成する。 - 特許庁

The field effect transistor 1 is obtained by forming a source region 104 and a drain region 105 on a silicon substrate 101, and laminating in order an insulating film 102a, a PCMO film 102b, and a gate electrode 103 on a region put between the source region 104 and the drain region 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１上にソース領域１０４とドレイン領域１０５を形成すると共にソース領域１０４とドレイン領域１０５とに挟まれた領域上に順次、絶縁膜１０２ａ、ＰＣＭＯ膜１０２ｂ、ゲート電極１０３を積層して、電界効果トランジスタ１とする。 - 特許庁

The field-effect transistor formed on a substrate 1 has a first compound semiconductor layer which has a source region 4, a drain region 5 and a fin-form region 6 formed between the source and drain regions, and a gate electrode 7 so formed on the surface of the fin-form region 6 as to override this fin-form region 6.例文帳に追加

基板１上に形成され、ソース領域４、ドレイン領域５およびこれらの間に形成されるフィン状領域６を有する第１の化合物半導体層と、フィン状領域６の表面に、このフィン状領域６をまたぐように形成されたゲート電極７を備える。 - 特許庁

In forming an n^+ source region 24 on a region between adjacent trenches 25, an impurity is injected using a center portion of the region between the trenches as a mask, and the depth of the region of the adjacent trenches 25 of the n^+ source region 24 is made shallower than the depth of a portion near the trenches.例文帳に追加

隣り合うトレンチ２５の間の領域にｎ^+ソース領域２４を形成する際に、トレンチ間の領域の中央部分をマスクして不純物を注入し、ｎ^+ソース領域２４の、隣り合うトレンチ２５の間の中央部分の深さを、トレンチ近傍部分の深さよりも浅くする。 - 特許庁

In the drain region 17, an n-type embedded drain 17a whose impurity concentration is lower than the drain region 17 is so formed that the end on the source region 16 side of the drain region 17 extends to the source region 16 side without reaching the surface of semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ドレイン領域１７には、ドレイン領域１７におけるソース領域１６側の端部が半導体基板１１の表面に達することなくソース領域１６側に延びるように、ドレイン領域１７よりも不純物濃度が小さいｎ型の埋込みドレイン部１７ａが形成されている。 - 特許庁

On each surface side of the plurality of p-type body regions 2, an n-type diffusion region is formed, which is to be a source region 3, and a channel region 8 is formed between the source region 3 and drain region 1, forming a transistor cell.例文帳に追加

そして、複数個のｐ形ボディ領域２のそれぞれの表面側にｎ形の拡散領域が形成されてソース領域３とされ、そのソース領域３とドレイン領域１により挟まれた部分にチャネル領域８が形成されることにより、トランジスタセルが形成されている。 - 特許庁

To increase the luminance in a region where the angle of light emitted from the light source is large in a radiation coupling type surface light source device.例文帳に追加

放射結合型の面光源装置において、光源からの出射角度の大きな領域の輝度を高くする。 - 特許庁

To provide a light source information obtaining device for accurately obtaining color information of a light source by using a shading region.例文帳に追加

陰影領域を利用して光源の色情報を正確に取得する光源情報取得装置等を提供する。 - 特許庁

A heavily doped source/drain region is formed on the second insulating film so that it may be connected with the source/drain diffused layer.例文帳に追加

第２絶縁膜上にソース／ドレーン拡張層と連結されるように高濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

This organic light emitting device (OLED) 400a includes a positive electrode 402, a hole source 403, the light emitting region 404, the electron source 405 and a negative electrode 406.例文帳に追加

本発明の有機発光装置（ＯＬＥＤ）は、陽極、ホール源、発光領域、電子源及び陰極からなる。 - 特許庁

Further, a source electrode 112 connected to the higher concentration source region 121 is formed on the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

そして、半導体基板１０１上に、高濃度ソース領域１２１に接続されるソース電極１１２を形成する。 - 特許庁

In a direct-under region 23 of a first power-source trunk line 20 and a second power-source trunk line, a power-source capacity 60 and a clock driver 70 connected to both power-source wirings are provided.例文帳に追加

第1電源幹線（２０）及び第２電源幹線（２１）の直下領域（２３）に、双方の電源配線に接続した電源間容量（６０）とクロックドライバ（７０）とを配置する。 - 特許庁

When a light source M does not emit light, the pattern of the pattern region 3 is unclear.例文帳に追加

光源Ｍを発光させないとき絵柄領域３の絵柄は不鮮明である。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE MATERIAL例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

The trench 10 for burying plugs passes through the source region 9 in a layer thickness direction.例文帳に追加

プラグ埋設用トレンチ１０は、ソース領域９を層厚方向に貫通している。 - 特許庁

TRANSISTOR HAVING P-TYPE BURIED LAYER UNDER SOURCE REGION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ソース領域の下にｐ型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

In the active layer 34 between the control gates 22, a source and drain region 36 is formed.例文帳に追加

制御ゲート２２間の活性層３４には、ソース・ドレイン３６が形成されている。 - 特許庁

The electrode pads 22, 24 are each connected with a diffused layer of a source region.例文帳に追加

電極パッド２２と２４は、ソース領域の拡散層にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

This silicon carbide semiconductor device is formed into a structure provided with a p^+ type layer 6 under an n^+ type source region 4.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４の下方にｐ^+型層６を備えた構成とする。 - 特許庁

The first conductive source region 14 is formed on an element surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型のソース領域は、半導体基体の素子表面に設けられる。 - 特許庁

The first light source irradiates light toward a first region of the display panel.例文帳に追加

第１の光源は、前記表示パネルの第１の領域に向けて光を照射する。 - 特許庁

His theory and that of Hakuseki ARAI, who insisted that the kingdom was in Yamato (the Kinki region), have become the source of controversy called Controversy over Yamataikoku. 例文帳に追加

新井白石とともにその後の耶馬台国論争の火種とされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A multiple field plate transistor includes an active region, a source, a drain, and a gate.例文帳に追加

多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース、ドレイン、およびゲートを含む。 - 特許庁

A storage node pad 71s is formed on the source region 61s of each cell transistor.例文帳に追加

各セルトランジスタのソース領域６１ｓの上にストレージノードパッド７１ｓを形成する。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE SAME例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

To improve the method of contact to a source/drain region in a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良する。 - 特許庁

The data including an un-copied state or the like is provided from the transfer source storage region 33.例文帳に追加

未コピー状態等のデータは、移行元記憶領域３３から提供される。 - 特許庁

To provide a method which irradiates a skin region by a light source (3) through a polarizing filter (4).例文帳に追加

肌の領域は、偏光フィルタ（４）を介して光源（３）により照明される。 - 特許庁

To form a silicon mixed crystal layer with high precision in one of the source-drain forming region of an n-type MIS transistor and the source-drain forming region of a p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成領域及びｐ型ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成領域の一方に、シリコン混晶層を精度良く形成する。 - 特許庁

The thickness of the insulation film of the high withstand voltage transistor on a drain-source forming region is thicker than that of the insulation film of the low withstand voltage transistor on the drain-source forming region.例文帳に追加

高耐圧トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の絶縁膜の膜厚は、低耐圧トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の絶縁膜の膜厚よりも大きい。 - 特許庁

The contact region contacts a source on a sidewall part and contacts a p-well on a bottom part by forming the trench penetrating a source region vertically to the trench MOS structure.例文帳に追加

前記コンタクト領域は、ソース領域を貫いたトレンチを前記トレンチＭＯＳ構造に対して垂直に形成し、側壁部でソースコンタクトを底部でｐウエルのコンタクトをとる。 - 特許庁

A light transmission region is formed between the light-emitting parts in the first light source array, and light from the second light source array is emitted passing through the light transmission region.例文帳に追加

第１の光源アレイにおける発光部の間に光通過領域が形成されており、第２の光源アレイからの光が該光通過領域を通過して射出される。 - 特許庁

The source-drain region 7a and the gate electrode 5a of the Q1, the source-drain region 7c and the gate electrode 5b of the Q2, and the substrate 1 are connected with the ground terminal N2.例文帳に追加

Ｑ１のソース／ドレイン領域７ａおよびゲート電極５ａ、Ｑ２のソース／ドレイン領域７ｃおよびゲート電極５ｂ、基板１を接地端子Ｎ２に接続する。 - 特許庁

A source electrode 12 is arranged on the p^+-type body contact region 6 and the n^+-type source region 7 separatedly from the gate electrode 10 by an interlayer insulation film 11.例文帳に追加

ソース電極１２は、ｐ^+型ボディコンタクト領域６およびｎ^+型ソース領域７の上に、層間絶縁膜１１によってゲート電極１０と離れて設けられている。 - 特許庁

A light source in which a ratio of a radiation energy having a wavelength region of 400-450 nm to a radiation energy having a wavelength region of 400-800 nm is 0-10% is used as the light source 2.例文帳に追加

光源２としては４００〜８００ｎｍの波長領域の放射エネルギのうち４００〜４５０ｎｍの波長領域の割合が０〜１０％であるものを用いる。 - 特許庁