「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The data read from the transfer source region is once written into a buffer region, and the written data in the buffer region is written into the transfer destination region.例文帳に追加

転送元領域から読み出したデータをバッファ領域へ一旦書き込み、バッファ領域に書き込まれたデータを転送先領域へ書き込む。 - 特許庁

The Si film 14 comprises a source region 6 and a drain region 7 which are placed via an LDD region 5 on both adjacent sides of an active region 4.例文帳に追加

Ｓｉ膜１４においては、活性領域４の両隣に、ＬＤＤ領域５を介して、ソース領域６とドレイン領域７とが配置されている。 - 特許庁

The EEPROM cell has a source region 80, a buried N + region 56, and a drain region 82, mutually separately formed along the side in an active region.例文帳に追加

活性領域内に互いに離隔されて側方に沿って形成されたソース領域８０、埋没Ｎ＋領域５６及びドレイン領域８２を有する。 - 特許庁

A semiconductor region of second shape for forming a channel forming region and a source-drain region is then formed by etching the semiconductor region of first shape.例文帳に追加

第１形状の半導体領域をエッチングして、チャネル形成領域とソース・ドレイン領域が形成される第２形状の半導体領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113.例文帳に追加

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。 - 特許庁

The first body region is connected to a second body region 13b provided outside of the active region, and the second body region is brought into contact with a first electrode layer (source electrode).例文帳に追加

第１ボディ領域は、動作領域外に設けられた第２ボディ領域に接続し、第２ボディ領域が第１電極層（ソース電極）とコンタクトする。 - 特許庁

The source region 7 is not formed in a region near to the gate oxide film 6 formed along the second inner wall surface 5s_2, but a p^+ region 8 is formed in the above region.例文帳に追加

第２の内側壁面５ｓ_２に沿うゲート酸化膜６近傍の領域には、ソース領域７は形成されておらず、Ｐ^＋領域８が形成されている。 - 特許庁

A drift region 23, an LDD region 25, a drain region 21, and a source region 24 are formed on those sidewalls 26A and 26B in a self-matching manner.例文帳に追加

ドリフト領域２３、ＬＤＤ領域２５、ドレイン領域２１、及びソース領域２４は、これらサイドウォール２６Ａ、２６Ｂに自己整合的に形成される。 - 特許庁

A ring-shaped channel region 40 is formed inside a source region 39 formed like a ring, and the inside of the ring-shaped channel region 40 is used as a drain region.例文帳に追加

環状に形成したソース領域３９の内側に環状チャネル領域４０を配置し、環状チャネル領域４０の内側をドレイン領域とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+ source region 31, a p^- body region 41, an n^- drift region 12, and an n^+ drain region 11, successively starting from the upper surface side.例文帳に追加

半導体装置１００は，上面側から順に，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｐ^- ボディ領域４１，Ｎ^- ドリフト領域１２，Ｎ^+ ドレイン領域１１を有している。 - 特許庁

An annular channel region 40 is arranged outside of a source region 39 formed into annular shape, and the outside of the channel region 40 is arranged to a drain region.例文帳に追加

環状に形成したソース領域３９の外側に環状のチャネル領域４０を配置し、チャネル領域４０の外側をドレイン領域とする。 - 特許庁

The gate region 16 is formed between the source region 15 and the drain region 17 in the n-type layer 13, and the conductive type of the region is p type.例文帳に追加

ゲート領域１６は、ｎ型層１３において、ソース領域１５とドレイン領域１７との間の領域に形成され、導電型がｐ型である。 - 特許庁

An region between a source region 19 and a drain region 20 of an Si layer 15 is an Si body region 21 including a heavily doped n-type impurity.例文帳に追加

Ｓｉ層１５のうち、ソース領域１９とドレイン領域２０との間の領域は、高濃度のＮ型不純物を含むＳｉボディ領域２１となっている。 - 特許庁

A conductive layer is provided between a source or drain region and source or drain wiring.例文帳に追加

ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層を設ける。 - 特許庁

The red information of the spot light source Pm is recorded in the region Cmr, the green information of the spot light source Pm in the region Cmg, and the blue information of the spot light source Pm in the region Cmb, respectively.例文帳に追加

領域Ｃｍｒには点光源Ｐｍの赤色情報を、領域Ｃｍｇには点光源Ｐｍの緑色情報を、領域Ｃｍｂには点光源Ｐｍの青色情報を、それぞれ記録する。 - 特許庁

Thus, a contact part to a source electrode 9 in the second region 4b of the n^+type source region 4 is prevented from disappearing, to suppress increase in contact resistance between the n^+ type source region 4 and the source electrode 9.例文帳に追加

したがって、ｎ^+型ソース領域４の第２領域４ｂのうちのソース電極９とのコンタクト部が消失することを防止でき、ｎ^+型ソース領域４とソース電極９とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能となる。 - 特許庁

A source hole 50a is formed in the source region 14, the oxide film 20 and the interlayer insulating film 40, for connecting a source electrode 50 on the interlayer insulating film 40 with the base region 13 and the source region 14.例文帳に追加

ソース領域１４、酸化膜２０、及び、層間絶縁膜４０には、層間絶縁膜４０上のソース電極５０とベース領域１３及びソース領域１４とを接続するためのソース開孔５０ａが形成されている。 - 特許庁

A semiconductor transistor is formed on a substrate which has an activated source region, drain region, gate region, channel formed between the source region and the drain region and arranged under the gate region, and a high dielectric constant material which is not thermally deteriorated and formed in at least a part of the gate region.例文帳に追加

活性化されたソース領域、ドレン領域、ゲート領域、およびソース領域とドレン領域の間にあり、ゲート領域の下にあるチャネルを備え、ゲート領域の少なくとも一部分が熱的に劣化しない高誘電率材料を備える、基板上の半導体トランジスタに関する。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

Further, a lead-out region (NSD 19) of a drift region formed over a source region (second base region 14) and a drift region 12 of the PMOSFET 30 is connected to a lead-out region (PSD 20) of the source region of the PMOSFET 30.例文帳に追加

また、ＰＭＯＳＦＥＴ３０のソース領域（第２のベース領域１４）とドリフト領域１２とにまたがって形成されたドリフト領域の取り出し領域（ＮＳＤ１９）が、ＰＭＯＳＦＥＴ３０のソース領域の取り出し領域（ＰＳＤ２０）と導電膜により接続されている。 - 特許庁

The EEPROM is equipped with a common source region, a floating diffusion region, and a bit line diffusion region, and the common source region is composed of only a high-concentration impurity region which is shallow in the diffusion depth and is shallower than the diffusion depth of the floating diffusion region and the bit line diffusion region.例文帳に追加

半導体基板内に共通ソース領域、フローティング接合領域およびビットライン接合領域を具備し、前記共通ソース領域は接合深さが浅い高濃度不純物領域だけで構成され、フローティング接合領域およびビットライン接合領域の接合深さより浅い。 - 特許庁

Specifically, an exemplary device 300 may comprise a source region 306, a channel region 310, and a drain region 308 in a thin semiconductor layer, and the source, channel, and drain regions may all share a single doping type of varying concentrations.例文帳に追加

特に、典型的なデバイス３００は、薄い半導体層にソース３０６、チャネル３１０、およびドレイン３０８と、異なる濃度の単一のドーピングタイプを全て共有する。 - 特許庁

In the semiconductor layer, the film thickness of the channel region is thinner than that of the source-drain region on the pixel electrode side and that of the source-drain region on the data line side.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域の膜厚が、画素電極側ソースドレイン領域及びデータ線側ソースドレイン領域の膜厚より薄くなるように形成されている。 - 特許庁

A source extending region is provided adjacent to the transistor region or in the transistor region, and a source interconnect layer is formed to protrude from the upper end of a trench.例文帳に追加

ソース引き出し領域は、トランジスタ領域の隣またはトランジスタ領域内に設けられ、ソース配線層がトレンチの上端よりも上に突出するように形成される。 - 特許庁

Further, an avalanche current is made to flow directly from the p-type body region 70 to a source electrode via the p^+-type region 60 rather than the n^+-type source region 50.例文帳に追加

そして、アバランシェ電流を、ｐ型ボディ領域７０からｎ＋型ソース領域５０を介さずに、ｐ＋型領域６０を介してソース電極に直接流す。 - 特許庁

The drain diffusion region 7 includes a deep diffusion part occupying a position deeper than the source diffusion region at a concentration of 1/1,000 or above of the peak concentration of the source diffusion region 6.例文帳に追加

ドレイン拡散領域７は、ソース拡散領域６のピーク濃度の１／１０００以上の濃度でソース拡散領域よりも深い位置を占める深拡散部分を含む。 - 特許庁

A multi-finger transistor 400 comprises an active region 420, a multi-finger gate 450, a source region 460, and a drain region 470.例文帳に追加

マルチフィンガートランジスタ４００は、アクティブ領域４２０、マルチフィンガーゲート４５０、ソース領域４６０、及びドレイン領域４７０を含む。 - 特許庁

An N-type region that becomes a source of the JFET is formed between the body region 15 and the P-type device isolation region 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とＰ型素子分離領域１３との間にＪＦＥＴのソースとなるＮ型領域が形成される。 - 特許庁

The crystallized silicon film is patterned and doped with impurities to form a low-concentration region, a source region, and a drain region.例文帳に追加

結晶化されたシリコン膜をパターニングし、不純物をドープして、低濃度領域、ソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 210 is formed so as to cover the base region between the emitter/source region 206 and N-type region 202.例文帳に追加

エミッタ／ソース領域２０６とＮ型領域２０２との間のベース領域を覆うようにゲート電極２１０が形成されている。 - 特許庁

A gate structure (14) is formed on a channel region (16) which is interposed between a source region (18) and a drain region (20).例文帳に追加

ゲート構造（１４）は、ソース領域（１８）とドレイン領域（２０）との間に挿入されたチャネル領域（１６）上に形成される。 - 特許庁

The thin film transistor T contains a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and the channel forming region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is equipped with an insulating region 22, in at least a part between a source region 23 and a body region 21.例文帳に追加

半導体装置１０は、ソース領域２３とボディ領域２１の間の少なくとも一部に絶縁領域２２を備えている。 - 特許庁

A well region 15b is provided in the second region 15d between the source region 15a and the gallium nitride based substrate 13.例文帳に追加

ウエル領域１５ｂは、ソース領域１５ａと窒化ガリウム系基板１３との間の第２の領域１５ｄに設けられている。 - 特許庁

A p-type channel region 2c is formed between the n^--layer of the drain region 2d and the n^--layer of the source region 2s.例文帳に追加

ドレイン領域２ｄのｎ^−層とソース領域２ｓのｎ^−層の間にｐ型のチャネル領域２ｃが形成されている。 - 特許庁

When manufacturing this device, either of the following methods is conducted: (1) The n^+-type source region 4 is formed by ion implantation in a region different from a facet plane growth region 10.例文帳に追加

▲１▼Ｎ^＋型ソース領域４をイオン注入により、ファセット面成長領域１０と異なる領域に形成する。 - 特許庁

Each of the first source/drain region 126 and the second source/drain region 146 has a silicide layer 172 formed on a surface thereof.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域１２６および第２のソースドレイン領域１４６の表面には、それぞれシリサイド層１７２が形成されている。 - 特許庁

According to such a constitution, the source-drain region 6a is electrically connected to the source-drain region 6b through the silicide layers 7a, 7b, 7d.例文帳に追加

これにより、ソース・ドレイン領域６ａとソース・ドレイン領域６ｂは、シリサイド層７ａ，７ｂ，７ｄを介して電気的に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 11 has a source region 13 and a drain 15, and a channel region 17 is arranged between the source 13 and the drain 15.例文帳に追加

半導体基板１１はソース領域１３とドレイン１５をもっており、ソース１３とドレイン１５の間にチャンネル領域１７がある。 - 特許庁

The semiconductor 10 is further provided with the source electrode 58 electrically connected to the p-type partial region 52 and the source region 54.例文帳に追加

半導体装置１０はさらに、ｐ型部分領域５２及びソース領域５４に電気的に接続するソース電極５８を備えている。 - 特許庁

After that, the activation heat treatment of the source-drain region 108 is performed.例文帳に追加

その後、ソース・ドレイン領域１０８の活性化熱処理を行う。 - 特許庁

A predetermined drain voltage is applied between the source region 6 and the drain region 7 via a source electrode 11 and a drain electrode 12.例文帳に追加

ソース領域６・ドレイン領域７間には、ソース電極１１およびドレイン電極１２を用いて、所定のドレイン電圧が印加される。 - 特許庁

A select gate electrode SL is disposed on the semiconductor substrate between the common source region CSL and the cell source region 218s.例文帳に追加

共通ソース領域ＣＳＬ及びセルソース領域２１８ｓの間の半導体基板上に選択ゲート電極ＳＬが配置される。 - 特許庁

This is a precious source of salt in a snowy area in the winter and mountain-ringed region. 例文帳に追加

山間部や冬の豪雪地帯では、貴重な塩分となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Source: Annual patent reports and website of each country and region.例文帳に追加

（資料）各国・地域の特許年次報告書及びWebサイトから作成。 - 経済産業省