「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, an N^+ source region 7 is formed in the P body region 8.例文帳に追加

さらに，Ｐボディ領域８中には，Ｎ^+ ソース領域７が形成されている。 - 特許庁

A source region and a drain region (52P, 52N) are formed on both sides of the gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極の両側に、ソース領域及びドレイン領域(52P,52N)を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer (3) comprises an N-type source region (4), an N-type drain region (6) and a P-type body region (5) arranged between the source region (4) and the drain region (6).例文帳に追加

半導体層（３）は、Ｎ型であるソース領域（４）と、Ｎ型であるドレイン領域（６）と、ソース領域（４）とドレイン領域（６）との間に介設され、Ｐ型であるボディ領域（５）とを含む。 - 特許庁

The jointing surface of the second source region 107B to the second base region 106 expands to the side of second source region 107B.例文帳に追加

第二のソース領域１０７Ｂの第二のベース領域１０６との接合面は、第二のソース領域１０７Ｂ側に膨出している。 - 特許庁

The source region 106 of the transistor 10 and the source region 202 of the transistor 20 are the same region in a semiconductor substrate 90.例文帳に追加

トランジスタ１０のソース領域１０６とトランジスタ２０のソース領域２０２とは、半導体基板９０における同一の領域である。 - 特許庁

An n^++ source region 3 and drain region 4 are provided with a p^+ gate region 2 in-between.例文帳に追加

ｎ^＋＋型のソース領域３及びドレイン領域４が、ｐ^＋型のゲート領域２を挟んで設けられる。 - 特許庁

A body contact region is formed for separating, a gate electrode, a source region and a drain region in the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴ内にゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域とを区別するボディコンタクト領域ができる。 - 特許庁

Word lines WL1, WL2, ... oppose a region between the drain region 6 and the source region 7.例文帳に追加

ワードラインＷＬ１，ＷＬ２，・・・は、ドレイン領域６とソース領域７との間の領域に対向している。 - 特許庁

A drain region 3, a source region 4 and a gate electrode 5 are arranged in the inactive region 6.例文帳に追加

非活性領域６には、ドレイン領域３、ソース領域４及びゲート電極５が配置されていない。 - 特許庁

A thin film transistor comprises a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25 and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含む。 - 特許庁

A source region 15a is provided in the second region 15d of the gallium nitride based semiconductor region 15.例文帳に追加

ソース領域１５ａは、窒化ガリウム系半導体領域１５の第２の領域１５ｄに設けられている。 - 特許庁

The source region and the drain region of the FET and the gate electrode stack on the channel region are formed.例文帳に追加

ＦＥＴのソースおよびドレイン領域ならびにチャネル領域の上のゲート電極スタックを形成する。 - 特許庁

An emitter/source region 306 is formed in the base region to be spaced from the resurf region 302.例文帳に追加

ベース領域内にはリサーフ領域３０２と離隔してエミッタ／ソース領域３０６が形成されている。 - 特許庁

To solve the following problem: when a source region of a high-concentration impurity is formed by implanting phosphorus into a source region, only a surface of the source region undergoes enhanced oxidation to cause formation of a step between surfaces of a well region and of the source region, resulting in an increase in channel resistance.例文帳に追加

ソース領域を燐注入によって高濃度不純物のソース領域を形成すると、ソース領域表面のみ増速酸化され、ウェル領域とソース領域表面との間に段差を生じるため、チャネル抵抗が増大する。 - 特許庁

The density of the source region of the MOSFET is reduced, and a Schottky junction is formed between the source region and an electrode layer (source electrode layer).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域の濃度を低減し、ソース領域と電極層（ソース電極層）間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

In a region 411, a body region is formed in a drain region 121 defined by an element isolation region, and an N-type source region is formed in the body region.例文帳に追加

領域４１１においては、素子分離領域により規定されるドレイン領域１２１にボディ領域が形成され、ボディ領域にＮ型のソース領域が形成される。 - 特許庁

To improve the connection stability between the source region and the source electrode in a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソース領域とソース電極との接続安定性を向上させる。 - 特許庁

First conductivity source region and drain region are formed on the element separating region, and a channel region is formed on the second conductivity shallow, well region between the source region and the drain region.例文帳に追加

この上に、素子分離領域上に第１導電型のソース領域およびドレイン領域、上記ソース領域および上記ドレイン領域との間であって、上記第２導電型の浅いウェル領域上にチャネル領域を形成する。 - 特許庁

The source S and drain D have a lightly doped extension region (N^- region 151) and a heavily doped region (N^+ region 152), respectively.例文帳に追加

ソースＳ、ドレインＤは、それぞれ低濃度エクステンション領域（Ｎ^−領域１５１）、高濃度領域（Ｎ^＋領域１５２）を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is equipped with a drain region 32, a body region 38, a body contact region 37, and a source region 36.例文帳に追加

半導体装置１０は、ドレイン領域３２と、ボディ領域３８と、ボディコンタクト領域３７と、ソース領域３６を備えている。 - 特許庁

A body region 15 is formed in the drain region 121, and an N-type source region 16 is formed in the body region 15.例文帳に追加

ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成される。 - 特許庁

Finally, a high concentration source/drain region 11 is formed.例文帳に追加

最後に高濃度ソース・ドレイン領域１１を形成する。 - 特許庁

A source and a drain (204) are formed in the first region.例文帳に追加

第１の領域にソース／ドレイン（２０４）が形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIELD-EFFECT SOURCE/DRAIN REGION例文帳に追加

電界効果ソース／ドレイン領域を有する半導体装置 - 特許庁

Define the size and location of the source (video)region to be written. 例文帳に追加

\\fIvx\\fP と \\fIvy\\fP は、この領域の左上のピクセルを定義する。 - XFree86

The source/drain region 64, 65 has a predetermined area.例文帳に追加

ソース／ドレーン領域６４，６５は一定の面積を有する。 - 特許庁

A source electrode S is provided to be joined to the p type base region 4 and n+type source region 5.例文帳に追加

ｐ型ベース領域４及びｎ＋型ソース領域５に接合するようにソース電極Ｓが設けられている。 - 特許庁

By patterning the source / drain layer 11, a source region 11a and a drain region 11b are formed.例文帳に追加

ソース・ドレイン層１１をパターニングすることによってソース領域１１ａおよびドレイン領域１１ｂを形成する。 - 特許庁

The source-drain region 7b of the Q1 and the source-drain region 7d of the Q2 are connected with the power supply terminal N1.例文帳に追加

Ｑ１のソース／ドレイン領域７ｂと、Ｑ２のソース／ドレイン領域７ｄとを電源端子Ｎ１に接続する。 - 特許庁

Source deformed regions 15a formed by protruding a source region 15 partially toward a body contact region 14 are provided.例文帳に追加

ソース領域１５の一部をボディコンタクト領域１４に突出させたソース変形領域１５ａを設ける。 - 特許庁

A source/drain region 17 is composed of an N type impurity region (N^- region) 171 of low concentration and an N^- type impurity region (N^+ region) 172 of high concentration.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^-領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^+領域）１７２からなる。 - 特許庁

A fin layer 4 has the source region 21, the channel region 22, and the drain region 23 of a P type fin FET 20, and the drain region 24, the channel region 25, and the source region 26 of an N type fin FET 30.例文帳に追加

フィン層４には、Ｐ型フィンＦＥＴ２０のソース領域２１、チャネル領域２２、ドレイン領域２３と、Ｎ型フィンＦＥＴ３０のドレイン領域２４、チャネル領域２５、ソース領域２６とが形成される。 - 特許庁

In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１８、２０は、ソース領域３０がｐ^+ ソース領域３４とｐ^- からなるＬＤＤ領域３６とからなり、ドレイン領域３２がｐ^+ ドレイン領域とｐ^- からなるＬＤＤ領域４０とからなっている。 - 特許庁

The raised source region is formed directly on a planar source region within the SOI layer, and the raised strap region is formed directly on the conductive fill region.例文帳に追加

レイズド・ソース領域は、ＳＯＩ層内のプレーナ・ソース領域上に直接形成され、そしてレイズド・ストラップ領域は、導電性充填領域上に直接形成される。 - 特許庁

Moreover, in the SOONO layer 6, a source region 7 and a drain region 8 are formed, a floating body 9 is formed between the source region 7 and the drain region 8.例文帳に追加

また、ＳＯＯＮＯ層６内にはソース領域７及びドレイン領域８が形成され、ソース領域７とドレイン領域８の間にはフローティングボディ９が形成されている。 - 特許庁

The active element 50 includes a source region 25, a drain region 26, and low-voltage lines 28 and 29 connected respectively to the source region 25 and the drain region 26.例文帳に追加

すなわち、能動素子５０は、ソース領域２５およびドレイン領域２６と、ソース領域２５およびドレイン領域２６に接続された低電圧配線２８、２９とを含む。 - 特許庁

A p^+ base contact region 7 is formed adjacent to an n^+ source region 6.例文帳に追加

Ｎ+ソース領域６に隣接してＰ+ベースコンタクト領域７が形成されている。 - 特許庁

Further, in the p^- body region 13, an n^+ source region 11 is formed.例文帳に追加

さらに，Ｐ^- ボディ領域１３中には，Ｎ^+ ソース領域１１が形成されている。 - 特許庁

Thus, the current between the body region and the source region is suppressed low.例文帳に追加

よって、ボディ領域とソース領域との間の電流を低く抑えることができる。 - 特許庁

A P+base contact region 7 is formed adjacent to an N+source region 6.例文帳に追加

Ｎ+ソース領域６に隣接してＰ+ベースコンタクト領域７が形成されている。 - 特許庁

An n^- impurity diffusion region 4 is formed to cover a source region 3.例文帳に追加

ｎ^-不純物拡散領域４がソース領域３を覆うように形成されている。 - 特許庁

The source region is formed in a part of active region adjacent to the gate fingers.例文帳に追加

ソース領域は、ゲートフィンガーに隣接するアクティブ領域の一部に形成される。 - 特許庁

In the p+-type well region 105, an n++-type source region 106 is formed.例文帳に追加

ｐ^+形ウェル領域１０５内にはｎ^++形ソース領域１０６が形成される。 - 特許庁

The oxidation of the exposed surface in the source region and the drain region can be prevented.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 - 特許庁

A source region 44 and a drain region 46 are formed in the SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ層中に、ソース領域４４及びドレイン領域４６が、設けられている。 - 特許庁