「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

An upper source region 5a and a lower source region 5b are formed on one side of a longitudinal extension of the gate electrode 3, and an upper drain region 6a and a lower drain region 6b are formed on the other side.例文帳に追加

ゲート電極３のゲート長方向の一方の側には上部ソース領域５ａと下部ソース領域５ｂが形成されており、他方の側には上部ドレイン領域６ａ、下部ドレイン領域６ｂが形成されている。 - 特許庁

The MOS transistor comprises the source/drain region 12 formed on the element region on an Si substrate, and a gate electrode 14 containing a silicide and formed on a channel region between the source/drain region 12 via a gate oxide film 13.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１上の素子領域にはソース・ドレイン領域１２が形成され、ソース・ドレイン領域１２の間のチャネル領域上にゲート酸化膜１３を介してシリサイドを含むゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

The hollow part of the gate electrode 3 is formed as the formation scheduled region of a source diffusion region 3 and a diffusion area 9 for a body contact, and the source diffusion region 3 is selectively formed in the body diffusion region 2.例文帳に追加

そのゲート電極３の中抜き部分をソース拡散領域３及びボディーコンタクト用拡散領域９の形成予定領域とし、ボディー拡散領域２内にソース拡散領域３を選択的に形成する。 - 特許庁

In the region directly below an upper surface of the semiconductor layer 3 between the source region 5 and the drain region 6, the position 9a where an impurity concentration takes a peak value in the impurity region 9 is established below a lowest end 5a of the source region 5.例文帳に追加

ソース領域５とドレイン領域６との間の半導体層３における上面の直下では、不純物領域９における不純物濃度のピーク位置９ａは、ソース領域５の最下端５ａよりも下方に設定されている。 - 特許庁

The device is also provided with: the liner film 122 which covers the gate electrode 103, the source region and the drain region 105, and applies stress to the channel region; and a contact plug 111 connected to the gate electrode 103, the source region, or the drain region 105.例文帳に追加

更に、ゲート電極１０３、ソース領域及びドレイン領域１０５を覆い、チャネル領域に応力を印加するライナー膜１２２と、ゲート電極１０３、ソース領域又はドレイン領域１０５に接続されるコンタクトプラグ１１１とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a source region 2 and a drain region 3 in a pair formed in a silicon substrate 1 and with a channel region 4 which is formed between the source region 2 and the drain region 3 and has a larger band gap than that of the silicon substrate 1.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１に形成された一対のソース領域２およびドレイン領域３と、ソース領域２とドレイン領域３との間に形成され、シリコン基板１よりもバンドギャップの大きいチャネル領域４とを備えている。 - 特許庁

The layer (3) includes a first conductivity source region (4), a first conductivity drain region (6), and a second conductivity body region (5) different from the first conductivity and interposed between the source region (4) and the drain region (6).例文帳に追加

半導体層（３）は、第１導電型であるソース領域（４）と、前記第１導電型であるドレイン領域（６）と、ソース領域（４）とドレイン領域（６）との間に介設され、前記第１導電型と異なる第２導電型であるボディ領域（５）とを含む。 - 特許庁

An n+ substrate 12, an(n)drift region 14, a p-channel region 16, an n+ source region 17, a trench gate 18, a source electrode 22 are formed on a drain electrode 10 in order.例文帳に追加

ドレイン電極１０上に、順次ｎ＋基板１２、ｎドリフト領域１４、ｐ−チャネル領域１６、ｎ＋ソース領域１７、トレンチゲート１８、及びソース電極２２を形成する。 - 特許庁

The light emitted from the light source 42 is absorbed and weakened by the optical region P, thereby, occurrence of the locally high bright region in the front region of the light source 42 can be prevented.例文帳に追加

光源４２から出た光は光学領域Ｐで吸収されて弱められ、これにより、光源４２の前方領域に局所的高輝度領域が発生することを防止できる。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer 8 is formed outside the source region and the P^+ diffusion region detaches the source region from the oxidized film for element isolation by the previously predetermined distance.例文帳に追加

例えば、ソース領域の外側にＰ^＋拡散層８を形成して、このＰ^＋拡散層によって予め規定された距離だけソース領域を素子分離用酸化膜から離間する。 - 特許庁

The transflective liquid crystal display is provided with a reflection electrode 9 formed in a reflection region S of a pixel region in the same layer as a source wiring line 2 apart from the source wiring line 2 by a prescribed region.例文帳に追加

ソース配線２と同一層内の画素領域の反射領域Ｓにおいて、ソース配線２と所定の領域だけ隔てられ形成される反射電極９を備えている。 - 特許庁

A source contact layer 34 and a drain contact layer 38 are respectively formed in a drain region and a source region that are disposed on the first surface of the channel layer 20 so as to sandwich the gate region.例文帳に追加

ソースコンタクト層３４およびドレインコンタクト層３８は、チャネル層２０の第１面にゲート領域を挟むように位置するドレイン領域およびソース領域それぞれに形成される。 - 特許庁

The oxide thin film transistor includes: a first oxide semiconductor layer having a first source region, a first drain region, and a first channel region between the first source region and the first drain region; and a first gate insulating layer and a first gate electrode which are sequentially stacked on the first channel region.例文帳に追加

酸化物薄膜トランジスタは、第１ソース領域、第１ドレイン領域、及びそれらの間の第１チャンネル領域を有する第１酸化物半導体層、及び第１チャンネル領域上に順次積層された第１ゲート絶縁層及び第１ゲート電極を含みうる。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１においては、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１３内に、Ｎ^−型のボディ領域２２、Ｐ^＋型のドレイン領域２３ａ及びソース領域２３ｂ、ボディ領域２２から見てソース領域２３ｂ側に配置されたＮ^＋型のボディコンタクト領域２４が形成されている。 - 特許庁

At a source-terminating part, a sectorial region 14 which does not form the extension drain region is formed so as to surround the source region 2, in order to prevent the concentration of an electric field and further a region 15 which does not inject a p-type embedded region is formed so as to be overlapped with the sector form region 14.例文帳に追加

ソース終端部では、電界の集中を防ぐためソース領域２を取り囲むように延長ドレイン領域を形成しない扇形の領域１４が、さらに、扇形の領域１４と重なるようにＰ型埋め込み領域を注入しない領域１５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate, a source region, a channel region and a drain region layered vertically on the semiconductor substrate, and gates formed on both sidewalls at the layered source region, channel region and drain region via an gate insulating film.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板、前記半導体基板上に垂直に積層されたソース領域、チャンネル領域及びドレーン領域、並びに前記積層されたソース領域、チャンネル領域及びドレーン領域の両側壁にゲート絶縁膜の介在下に形成されたゲートを含む。 - 特許庁

On an n^+ SiC substrate 5, an n^- SiC epitaxial layer 8 is formed which has a body region 12, a drift region 13 and a source region 14, and a gate trench 15 is formed which passes through the source region 14 and the body region 12 and reaches the drift region 13.例文帳に追加

ｎ^＋型のＳｉＣ基板５上に、ボディ領域１２、ドリフト領域１３およびソース領域１４を有するｎ^−型のＳｉＣエピタキシャル層８を形成し、ソース領域１４およびボディ領域１２を貫通し、ドリフト領域１３に達するゲートトレンチ１５を形成する。 - 特許庁

This gray scale mask includes a source electrode mask region, a drain electrode mask region and a channel mask region between the source electrode mask region and the drain electrode mask region, wherein a plurality of shielding bars are uniformly installed vertically to the center line of the channel region in the channel region.例文帳に追加

該グレースケールマスクは、ソース電極マスク領域と、ドレイン電極マスク領域と、前記ソース電極マスク領域と前記ドレイン電極マスク領域との間のチャンネルマスク領域と、を備え、前記チャンネル領域内に、前記チャンネル領域の中心線とは垂直するように複数の遮光バーが均一に設置される。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁

A source region 212 is formed while being adjoined to the control channel region 208, an LDD region 216 is inserted between the auxiliary channel region 210 and a drain region 218 and an internal drain region 214 is inserted between the control channel region 208 and the auxiliary channel region 210.例文帳に追加

ソース領域２１２を制御チャネル領域２０８に近接して形成し、ＬＤＤ領域２１６は、補助チャネル領域２１０とドレイン領域２１８との間に挿入され、内部ドレイン領域２１４は、制御チャネル領域２０８と補助チャネル領域２１０との間に挿入される。 - 特許庁

Moreover, an optical source which exists in the region is detected from the sky optical source detection region 31 in the photographed image, the color temperature (optical source color temperature) is estimated for each detected optical sources.例文帳に追加

更に、撮像画像中の上空光源検知領域３１からこの領域内に存在する光源を検出し、検出した光源毎に色温度（光源色温度）を推定する。 - 特許庁

Thereafter, a low-resistance semiconductor film to be a source/drain region and an inter- layer insulation film are successively formed, a contact hole to the source/drain region is opened, and a source/drain electrode is formed.例文帳に追加

この後、ソース／ドレイン領域となる低抵抗半導体膜、層間絶縁膜を順次形成し、ソース／ドレイン領域へのコンタクトホールを開孔して、ソース／ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

If the wavelength region of each light source is overlapped, a head part is irradiated with near infrared rays after mounting a band pass filter in front of the light source to make the wavelength region of the light source narrow.例文帳に追加

各光源の波長域がオーバーラップする場合には、光源の前にもバンドパスフィルターを取り付け、光源の波長域を狭くしてから、頭部に近赤外線を照射する。 - 特許庁

A light source conversion parameter is created based on data obtained by imaging a reference region part of the object 1 under the imaging light source 2 and data obtained by imaging the reference region part under the observation light source 4.例文帳に追加

そして、被写体１における参照領域部分を、撮影光源２下で撮影したデータと、観察光源４下で撮影したデータとに基づいて、光源変換パラメータを作成する。 - 特許庁

The gate 205 and the source 211 are covered with a dielectric layer 213 of intermediate height, and the source 211, the main body region 210, and the P-type diffused region 212 are connected together with a source metal 215.例文帳に追加

中間の高さの誘電体層２１３でゲート２０５及びソース２１１を覆い、更にソース金属２１５でソース２１１、本体領域２１０及びＰ拡散領域２１２を接続する。 - 特許庁

The source region 15 is estranged from a region 141 of a border side of the element isolation film 12 and the element forming region 13 in the region directly under the gate electrode 14 in the element forming region 13.例文帳に追加

ソース領域１５は、素子形成領域１３内のゲート電極１４の直下の領域のうち、素子分離膜１２と素子形成領域１３との境界側の領域１４１に対し離間している。 - 特許庁

There is provided a chip including an active semiconductor region and a field effect transistor (FET) having a channel region, a source region, and a drain region, all of which are arranged in the active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域と、全てが該活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。 - 特許庁

A channel region, a source region and a drain region of a transistor are covered with a resist mask 3, and a gettering material gettering the catalyst material is added to a region other than the transistor-manufacturing region.例文帳に追加

また、レジストマスク３によってトランジスタのチャンネル領域、ソース領域およびドレイン領域を覆い、トランジスタ作製領域以外の領域に、触媒物質をゲッタリングするゲッタリング物質を添加する。 - 特許庁

Then, a region that becomes a source region and a region that becomes a drain region of the crystalline semiconductor film 15 are selectively doped with a crystallization acceleration element, thus forming a group 15 element doped region 15a.例文帳に追加

次に、結晶質半導体膜１５に結晶化促進元素をソース領域となる領域及びドレイン領域となる領域に選択的に添加して、１５族元素添加領域１５ａを形成する。 - 特許庁

A chip is provided which includes an active semiconductor region and a field effect transistor ("FET") having a channel region, a source region, and a drain region all arranged within the active semiconductor region.例文帳に追加

活性半導体領域と、いずれもこの活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。 - 特許庁

In a MOSFET having a first drain region 12, a second drain region 13 having a higher impurity concentration than that of the region 12, a channel forming region 14, and a source region 15 on a substrate region 11, an embedded region 31 is formed between the substrate region 11 and first drain region 12.例文帳に追加

サブストレート領域１１の上に第１のドレイン領域１２とこれよりも不純物濃度の高い第２のドレイン領域１３とチャネル形成領域１４とソース領域１５とを有するＭＯＳＦＥＴにおいて、サブストレート領域１１と第１のドレイン領域１２との間に埋め込み領域３１を形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LASER LIGHT SOURCE AND DEVICE FOR MEASURING REFLECTION OF OPTICAL FREQUENCY REGION例文帳に追加

半導体レーザ光源装置及び光周波数領域反射測定装置 - 特許庁

A p^+-region is formed by using the source/drain of a MOSFET.例文帳に追加

ｐ＋領域は、ＭＯＳＦＥＴソース／ドレインを用いて形成することになる。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

Next, a source/drain region is formed on the substrate except for the sidewall spacer.例文帳に追加

次いで、サイドウォール・スペーサを除く基板にソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To concentrate light from a multidirectional light source onto a linear target region.例文帳に追加

多方向性の光源から光を線状ターゲット領域に集光させる。 - 特許庁

The floating diffusion region 14 is connected to a source follower circuit 6.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域１４は、ソースホロア回路６と接続される。 - 特許庁

EFFICIENT SOLID LIGHT SOURCE EMITTING LIGHT IN REGION WITH LIMITED COLOR SPACE例文帳に追加

色空間の限られた領域で光を発する効率的な固体光源 - 特許庁

The source/drain diffusion layer 15 includes a low concentration extension region 151.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層１５は低濃度エクステンション領域１５１を有する。 - 特許庁

A silicon oxide film 7 is formed on the source/drain region of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。 - 特許庁

Here, the thickness of the SOI layer 37 in the source/drain region is 75 nm.例文帳に追加

尚、ソース・ドレイン領域におけるＳＯＩ層３７の厚みは７５nmである。 - 特許庁

The light source generates the supercontinium light including the visible wavelength region.例文帳に追加

可視波長領域を含むスーパーコンティニュアム光を生成する光源である。 - 特許庁

The source region 9 is formed at the surface layer section of an epitaxial layer 3.例文帳に追加

エピタキシャル層３の表層部には、ソース領域９が形成されている。 - 特許庁

A first region of the substrate is exposed to a radiation source through a photomask.例文帳に追加

基板の第１の領域がフォトマスクを通じて発光源に露出される。 - 特許庁