「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

More specifically, the trench has the taper surface at an opening edge, and the contact surface of a source region and a source electrode filled in the taper surface constitutes a source contact region.例文帳に追加

すなわち、トレンチは開口縁でテーパ面を有し、ソース領域とこのテーパ面に充填されるソース電極との接触面がソースコンタクト領域を構成する。 - 特許庁

Moreover, there are formed a source region 11, a source line 12, a source line cap film 13, a floating gate 3A, a tunnel insulating film 14A, a control gate 15A, and a drain region 17, etc.例文帳に追加

さらに、ソース領域１１、ソース線１２、ソース線キャップ膜１３、フローティングゲート３Ａ、トンネル絶縁膜１４Ａ、コントロールゲート１５Ａ、及びドレイン領域１７等を形成する。 - 特許庁

A light source detection part 12 calculates the area corresponding to a headlight (light source) of a following vehicle, as light-source area, in a light source region Rd.例文帳に追加

光源検出部１２は、光源対象領域Ｒｄにおいて後続車両のヘッドライト（光源）に相当する面積を光源面積として算出する。 - 特許庁

The silicide layer 17 is provided at the total region of a source region S1 and the n^+ region BC1, that of the drain regions D1, D2, that of the source region S2 and the p^+ region BC2, and on the gate electrode 15.例文帳に追加

シリサイド層１７は、ソース領域Ｓ１とＮ^＋領域ＢＣ１の総合領域、ドレイン領域Ｄ１，Ｄ２の総合領域、ソース領域Ｓ２とＰ^＋領域ＢＣ２の総合領域、及びゲート電極１５上に設けられる。 - 特許庁

Each MOS structure includes a source region connected to the first wiring, a drain region connected to second wiring, and a gate electrode facing the well region between the source region and the drain region via an insulating film.例文帳に追加

各ＭＯＳ構造は、第１配線に接続されているソース領域と、第２配線に接続されているドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の間のウェル領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を備えている。 - 特許庁

One embodiment of the present invention is a semiconductor device provided with a source region and a drain region formed on a silicon substrate 1 and a gate region formed between the source region and the drain region through a gate insulating film 3.例文帳に追加

本発明の１実施形態は、シリコン基板１上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜３を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置である。 - 特許庁

In the impurity diffusion region 17, a portion thereof which adjoins the region 141 of the border side is arranged between the source region 15 and the element isolation film 12, and contacted with the source region 15 and the region 141 of the border side.例文帳に追加

不純物拡散領域１７は、境界側の領域１４１と隣接する部分が、ソース領域１５と、素子分離膜１２との間に配置されるとともに、ソース領域１５と、境界側の領域１４１とに接する。 - 特許庁

To form a source region, drain region and selective oxide film of a MOSFET in a self-aligned manner, and at the same time to perform drive diffusion for forming the source region and the drain region of a MOSFET and the base region of an npn transistor.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域および選択酸化膜をセルフアライン（自己整合）で形成し、且つ、ＭＯＳＦＥＴのソース領域、ドレイン領域とｎｐｎトランジスタのベース領域を形成するためのドライブを同時に行う。 - 特許庁

A source region 4, a drain region 5, and a p well region 3 are formed in an n well region 2 of a lateral MOSFET, an anode electrode 15 is provided in the n well region 2 to form a Schottky junction 16.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域４、ドレイン領域５、ｐウェル領域３が形成されるｎウェル領域２にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁

The source region 301, the drain region 401, the channel region 501 and the gate electrode regions 201 and 202 are in an element region 2111 surrounded by an element isolation region 2101.例文帳に追加

上記ソース領域３０１,ドレイン領域４０１,チャネル領域５０１およびゲート電極領域２０１,２０２が、素子分離領域２１０１で囲まれた素子領域２１１１内にある。 - 特許庁

The vertical transistor has a source region 12 that emits a carrier, a drain region 13 that receives the carrier from the source region 12, and a gate electrode 14 formed between the source region 12 and the drain region 13, wherein the source region 12 and the drain region 13 are formed using a metal-oxide layer.例文帳に追加

キャリアを放出するソース領域１２と、当該ソース領域１２から当該キャリアを受け取るドレイン領域１３と、当該キャリア領域１２とドレイン領域１３の間に形成されたゲート電極１４と、を有する縦型トランジスタであって、前記ソース領域１２およびドレイン領域１３を金属酸化物層により、形成したことを特徴とする縦型トランジスタを用いる。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: source metal embedded in a source contact groove penetrating through a source region 4 to reach a channel region 5; and a gate insulating film 8 formed on a side wall of a gate trench 7 formed so as to penetrate through the source region 4 and the channel region 5, and reach a drain region 6.例文帳に追加

半導体装置１は、ソース領域４を貫通してチャネル領域５に達するソースコンタクト溝内に埋め込まれたソースメタルと、ソース領域４およびチャネル領域５を貫通してドレイン領域６に達するように形成されたゲートトレンチ７の側壁に形成されたゲート絶縁膜８とを含む。 - 特許庁

Here, the source via hole 116 is formed, by eliminating the source via hole region by polishing the rear source of the GaAs substrate 102.例文帳に追加

ここで，ソースバイアホール１１６の形成は，ＧａＡｓ基板１０２の裏面研磨でソースバイアホール領域を抜くことにより行われる。 - 特許庁

Based on these distance to the light source and the brightness of the light source region, likelihood representing certainty that light source region is the light source region of the headlamp of an oncoming vehicle or the tail lamp of a preceding vehicle and likelihood showing certainty that the light source region is that of the reflector (first likelihood) are calculated.例文帳に追加

これら光源までの距離及び光源領域の輝度に基づいて、その光源領域が、対向車両のヘッドランプや先行車両のテールランプによる光源領域である確からしさを示す尤度と、リフレクタによる光源領域である確からしさを示す尤度（第１の尤度）とを算出する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes a source region and a drain region 14 of the first conductivity type formed on a semiconductor substrate 11, a channel region 16 formed between the source region and the drain region, and a gate insulating film 21 formed on the channel region.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体基板１１に形成された第１導電型のソース領域及びドレイン領域１４と、ソース領域とドレイン領域との間に形成されたチャネル領域１６と、チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜２１とを有する。 - 特許庁

In an internal circuit 412, a P-type body region is formed on a drain region 121, an N-type source region is formed on a P-type body region, and a second gate electrode 331 is formed between the drain region 121 and the N-type source region.例文帳に追加

内部回路４１２においては、ドレイン領域１２１にＰ型のボディ領域が形成され、Ｐ型のボディ領域にＮ型のソース領域が形成され、ドレイン領域１２１とＮ型のソース領域との間に第２のゲート電極３３１が形成される。 - 特許庁

A contacting property with a drain region 2a of a drain contact DC can be held, and an area contacting with a source region 2b of a local source line LSL1 is constituted so as to be narrowed by the residual-region section of a silicon nitride film 12 on the source region 2b on the source side.例文帳に追加

ドレインコンタクトＤＣのドレイン領域２ａに対する接触性を保持することができ、ソース側ではローカルソース線ＬＳＬ１がソース領域２ｂに対して接触する面積をソース領域２ｂ上のシリコン窒化膜１２の残留領域分だけ狭く構成できる。 - 特許庁

In a surface layer in a fourth n region 5 as a first n region 2 as a drain drift region, a low-ON resistance region of high density connected a second n region 3 as a source region and a third n region 4 as a drain region is formed thin and long.例文帳に追加

ドレインドリフト領域である第１ｎ領域２の表面層に、ソース領域である第２ｎ領域３と、ドレイン領域である第３ｎ領域４とに接続する高濃度の低オン抵抗領域である第４ｎ領域５を細長形状に形成する。 - 特許庁

The first transistor 201 includes a single poly-floating gate 306, a first drain region 302 and a first source region while the second transistor 202 includes a single poly-select gate and a second source region wherein the first source region of the first transistor serves as the drain region of the second transistor.例文帳に追加

第一トランジスター２０１は単一ポリフローティングゲート３０６と、第一ドレイン領域３０２と第一ソース領域とを含み、第二ＰＭＯＳトランジスター２０２は単一ポリ選択ゲートと第二ソース領域とを含み、第一トランジスターの第一ソース領域は第二トランジスターのドレイン領域とされる。 - 特許庁

The n^+ source region SR is formed on a principal surface 12 in the p-type back gate region BG.例文帳に追加

ｎ^+ソース領域ＳＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ内の主表面１２に形成されている。 - 特許庁

A P type body contact region 9 is formed to penetrate the source region 8 in the thickness direction.例文帳に追加

また、ソース領域８を厚さ方向に貫通して、Ｐ型のボディコンタクト領域９が形成されている。 - 特許庁

A power source change path connecting the transmission side region to the reception side region is extracted (step S3).例文帳に追加

送信側領域と受信側領域を接続する電源乗り換えパスを抽出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A 2D-TJA14 is a resistance wire net connecting a source region 12 with a drain region 13.例文帳に追加

２Ｄ−ＴＪＡ１４は、ソース領域１２とドレイン領域１３とを接続する抵抗線網である。 - 特許庁

A TFT is characterized by that the TFT has a boron-containing lightly doped region adjacent to a channel region and a phosphorus and boron- containing source or drain region adjacent to the lightly doped region and the concentration of the above boron being contained in the above source or drain region is higher than that of the phosphorus contained in the above source or drain region.例文帳に追加

チャネル領域に隣接したボロンを含む低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域に隣接した燐およびボロンを含むソース領域またはドレイン領域と、を有し、前記ソース領域または前記ドレイン領域に含まれる前記ボロンの濃度は前記燐の濃度よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁

The N^+-type impurity introduction region 11s functions as the source region of the reset MOS transistor 52.例文帳に追加

Ｎ^+型不純物導入領域１１ｓは、リセットＭＯＳトランジスタ５２のソース領域として機能する。 - 特許庁

The source region and the buried silicon carbide region are formed utilizing a first window of the mask layer.例文帳に追加

ソース領域および埋込み炭化珪素領域はマスク層の第１の窓を利用して形成される。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are isolated structurally.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

After the silicide region 11 is formed in the source-drain region 8, the second sidewall 10 is removed.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域８にシリサイド領域１１が形成された後、第２のサイドウォール１０が除去される。 - 特許庁

In a cell transistor TC, a source drain region BL is formed at a part lower than a part of the channel region.例文帳に追加

セルトランジスタＴＣは、ソース・ドレイン領域ＢＬがチャネル領域の一部よりも下方に形成される。 - 特許庁

In the semiconductor part 3 of a Fin shape, a source region is formed in one side and a drain region is formed in the other side.例文帳に追加

Ｆｉｎ状の半導体部３は、一方にソース領域、他方にドレイン領域が形成される。 - 特許庁

An N type source region 8 is formed on the side of the trench 5 in the top layer of the body region 4.例文帳に追加

ボディ領域４の表層部には、トレンチ５の側方に、Ｎ型のソース領域８が形成されている。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 14 is disposed between a source region and the drain region of an MOS transistor 1.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層１４は、ＭＯＳトランジスタ１のソース−ドレイン領域間に配置される。 - 特許庁

The gate insulation layer 60 is formed on a surface between the source region 20 and the second region 14.例文帳に追加

ゲート絶縁層６０はソース領域２０と第２領域１４との間の表面上に設けられる。 - 特許庁

The source follower transistor contains a source region and a drain region where a substance of primary conductivity-type is doped, a gate region where a substance of secondary conduction type as opposed to the primary conduction type is doped, and buried channel of the primary conductivity-type located between the source region and the drain region under the gate region.例文帳に追加

ソースフォロアトランジスタは第１導電型の物質がドーピングされたソース領域及びドレイン領域、第１導電型と反対の第２導電型の物質がドーピングされたゲート領域、ゲート領域下の前記ソース領域とドレイン領域との間に位置する第１導電型ベリードチャンネルを具備する。 - 特許庁

An n^+-type source region 18 and a p^+-type region 19 are formed on the p-type base layer 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層１１上にはｎ^+型ソース領域１８とｐ^+型領域１９とが形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, a drain region is formed to surround a source region.例文帳に追加

半導体装置は、その内部に設けられたドレイン領域がソース領域を取り囲むように形成される。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING LEAK CURRENT OF ACTIVE REGION DIODE AND SOURCE/DRAIN DIFFUSION REGION例文帳に追加

活性領域ダイオード及びソース／ドレイン拡散領域のリーク電流を低減するための方法及び構造 - 特許庁

The drain region 4, source region 5, and gate electrode 8 constitute an MOS transistor 20.例文帳に追加

それらドレイン領域４、ソース領域５およびゲート電極８によりＭＯＳトランジスタ２０を形成する。 - 特許庁

A source region 13 and a drain region 14 are formed on the surface of the silicon substrate 11.例文帳に追加

このシリコン基板１１表面には、ソース領域１３及びドレイン領域１４が形成されている。 - 特許庁

Ion-implanting is performed to form an extension region and a deep source/drain region.例文帳に追加

そして、エクステンション領域及び深いソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入を実行する。 - 特許庁

A shallow source region 27 is formed at one side of the electrode 23 and drain region 29 is formed at the other.例文帳に追加

このゲート電極２３の一側に浅いソース領域２７、他側にドレイン領域２９を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate, a gate structure, a source region, a drain region, and two dielectric barrier layers.例文帳に追加

半導体装置は、基板、ゲート構造、ソース領域、ドレイン領域と二つの誘電体バリア層を含む。 - 特許庁

The FET 100 comprises a gate insulation layer 30, a source region 32, and a drain region 34.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、ゲート絶縁層３０と、ソース領域３２と、ドレイン領域３４とを含む。 - 特許庁

The light source 1 is disposed in such a manner that illuminance in the region 4 of the reflection liquid crystal display device 2 farthest from the light source 1 is highest, and that the illuminance decreases in steps in region 5, region 6 and region 7 nearer to the light source 1.例文帳に追加

また、反射型液晶表示装置２の光源１から最も遠い領域４の照度が一番明るく、領域５、領域６、領域７と光源１に近づく程段階的に照度が暗くなるように光源１を配置する。 - 特許庁

A source/drain heavily doped region 48 is located to the convex portion regions both side of the gate electrode 46 provided to the concave portion region; and a source/drain low concentration region 47 is formed between the source/drain havily-doped region 48 and the gate electrode 46.例文帳に追加

凹部領域に設けられたゲート電極４６の両側の凸部領域にはソース・ドレイン高濃度領域４８が位置し、ソース・ドレイン高濃度領域４８とゲート電極４６の間にはソース・ドレイン低濃度領域４７が形成されている。 - 特許庁