「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(212ページ目) - Weblio英語例文検索

The light collecting sheet or the sheet 10, the light transmissive diffusion plate 4 and a light collecting sheet 9 are placed on the opening 1a of the casing 1 of a back-light device 6 in order to prevent unevenness of the tube due to a convex bending which occurs when a cylindrical light source 3 is turned on and hygroscopicity of the plate 4 changes.例文帳に追加

バックライト装置６の筐体１の開口部１ａ上に集光シート或はシート１０と光透過拡散板４及び集光シート９を載置し、円筒光源３の点灯時に光透過拡散板４の吸湿率が変化して光透過拡散板４が山状に反ることで生ずる管ムラの発生を防止する。 - 特許庁

In the method for producing the high silicon electromagnetic steel sheet, a steel sheet having an Si content of <4 wt.% is subjected to siliconizing-diffusion treatment to obtain steel having a C content of 0.001 to 0.02 wt.%, an Si content of 4 to 10 wt.% and a Cr content of 1 to 20 wt.%, and the steel is thereafter annealed at 150 to 350°C.例文帳に追加

Si含有量が４wt％未満の鋼板を、浸珪・拡散処理して、Ｃ含有量が0.001wt％以上0.02wt％以下、Si含有量が４wt％以上10wt％以下、Cr含有量が１wt%以上20wt％以下の鋼を得、その後に150〜350℃で焼鈍することを特徴とする高珪素電磁鋼板の製造方法。 - 特許庁

At this time, by diffusion, a metal-foamed body composed of the iron-chromium-aluminum alloy is obtained by performing a concentration-compensation of alloy elements between the half-finished product and the powder, and the content of the chromium and aluminum in the metal foam are less than that contained in the starting alloy of the used powder.例文帳に追加

この時、拡散によって、半製品と粉末の間に合金元素の濃度補償が行われることにより、鉄−クロム−アルミニウム合金からなる金属発泡体が得られ、前記金属フォーム内のクロム及びアルミニウムの含有量は使用された粉末の出発合金に含まれたものより少ない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chip LED light emitting body by which there is no inconvenience in fitting of a reflection housing to a printed wiring board, there is no fear of damaging a packaging component in the case of fitting in addition, and charging work of an optical diffusion lens to the reflection housing is carried out properly and simply.例文帳に追加

プリント配線基板に対し反射用ハウジングの取付け不便が一切無い許かりでなく、取付け時に実装部品を毀損させる虞れもなく、しかも反射用ハウジングへの光拡散レンズ部の充填作業を適正簡易に実行し得るチップＬＥＤ発光体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The paste supply pipeline 40 is made wider as a whole in the arrangement direction (the x-direction) of a plurality of the paste discharge ports 42 and the vertical portion 40a of the paste supply pipeline 40 is provided with a diffusion plate 43 for diffusing the flow of the paste on the opposite to the paste supply hole 41.例文帳に追加

ペースト供給管路４０は、全体として、複数のペースト吐出口４２の配列方向（Ｘ方向）に幅広となっており、また、ペースト供給管路４０の垂直部４０ａには、ペースト供給孔４１と対向するようにして、ペーストの流れを拡散する拡散板４３が設けられている。 - 特許庁

To provide a fuel atomizing device for a gas turbine engine including a combustor to which a complex combustion system is introduced, which is formed of a combination of two lines of combustion systems, i.e. a diffusion combustion system and a lean combustion system, thus enhancing the firing performance and the flame keeping performance of the combustor, in particular, combustion stability in low load operation.例文帳に追加

拡散燃焼方式および希薄燃焼方式の２系統の燃焼方式を組み合わせた複合燃焼方式が適用された燃焼器における着火性、保炎性および特に低負荷時における燃焼安定性を向上させることができるガスタービンエンジンの燃料噴霧装置を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate.例文帳に追加

多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。 - 特許庁

At a bottom portion of the gate trench 38, a diffusion domain of a first conductivity type is not formed which has its periphery surrounded with a drift region 18, and at a bottom portion of the termination trench 22, a floating region 20 of the first conductivity type is formed which has its periphery surrounded with the drift region 18.例文帳に追加

ゲートトレンチ３８の底部には、その周囲がドリフト領域１８によって囲まれている第１導電型の拡散領域が形成されておらず、終端トレンチ２２の底部には、その周囲がドリフト領域１８によって囲まれている第１導電型の拡散領域２０が形成されている。 - 特許庁

In a first embodiment, a gas diffusion layer 5 has a first hole portion 23 consisting of a thin passage portion 21 connecting a first opening portion 17 formed on a surface contacting with a projecting portion 15 of a gas passage of a separator, and a second opening portion 18 formed on a surface on the side of the electrode catalyst layer with each other.例文帳に追加

第一実施形態としては、ガス拡散層５が、セパレータのガス流路の凸部１５に接する面に設けた第一の開口部１７と電極触媒層側の面に設けた第二の開口部１８とを結ぶ細路部２１からなる第一の孔部２３を有するガス拡散層であることを特徴とする。 - 特許庁

An area size where existence of surrounding patterns is to be considered, based on an internal diffusion length of incident electron beam is decided, three-dimensional information of patterns in the area size is formed using design layout data, and a library correlating a cross-sectional shape of a SEM signal waveform and a cross-sectional shape is formed using the three-dimensional information.例文帳に追加

入射電子線の内部拡散長に基づいて周囲パターンの有無を考慮すべき領域のサイズを決定し，設計レイアウトデータを用いて，前記領域サイズ内のパターンの三次元情報を作成，この三次元情報を用いて，ＳＥＭ信号波形と断面形状とを関連づけるライブラリを作成する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device in which the thickness of electroless Ni-P plating of circuit patterns is not thick as the film, and the diffusion of Ni in the Ni-P plating into solder is restrained, and which has high reliability and can be manufactured with high yield, and to prove a manufacturing method of the power semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、回路パターンの無電解Ｎｉ−Ｐめっきの厚さを厚膜化することなくＮｉ−Ｐめっき中のＮｉがはんだ中に拡散することを抑制し、かつ、信頼性および歩留まりを高めることができる電力半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

The structure is extended while including a peak part (11p) and a sink part (11d) by changing the height of the ridge line (11L) at positive and negative inclination slopes of a prescribed range equally, and includes the diffusion surface (12f) having the total average slope angle of ±10° or more on the surfaces at both sides of the ridge line (11L).例文帳に追加

構造体は、稜線（１１Ｌ）が正負均等に所定範囲の傾斜勾配にて高さが変化することでピーク部（１１ｐ）、並びに沈み部（１１ｄ）を有しながら伸びると共に、稜線（１１Ｌ）の両側の表面にそれぞれ、全体の平均勾配角度がプラスマイナス１０°以上の拡散面（１２ｆ）を有する。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

To provide a film forming method which can form a semiconductor device by epitaxial growth without segregating an impurity; and to provide a semiconductor device manufacturing method which can shallowly keep the depth of diffusion of the impurity on surface of the semiconductor substrate by elevating source/drain in an application of the film forming method.例文帳に追加

不純物の偏析なく半導体層をエピタキシャル成長によって形成することが可能な成膜方法および、この成膜方法を適用して積み上げソース・ドレインすることにより半導体基板の表面側における不純物の拡散深さを浅く保つことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To provide a hard coating film coated tool capable of enhancing adhesiveness of a hard coating film, enhancing the oxidation resistance and wear resistance, suppressing welding resistance at high-temperature state and diffusion of element of a work into the hard coating film, and ready for drying, high-speed and rapid-feed in cutting.例文帳に追加

硬質皮膜の密着性を改善し、耐酸化性、耐摩耗性を向上させ、更に高温状態での耐溶着性並びに硬質皮膜中への被削材元素の拡散を抑制し、切削加工の乾式化、高速化、高送り化に対応する硬質皮膜被覆工具を提供することが目的である。 - 特許庁

A fresh developing solution is applied on the plate surface of a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process obtained by disposing a silver halide emulsion layer of a high silver density emulsion containing ≤70 wt.% binder based on the amount (expressed in terms of silver nitrate) of silver halide and a protective layer on an anodically oxidized aluminum substrate.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体上に硝酸銀に換算したハロゲン化銀に対して７０重量％以下のバインダーからなる高銀密度乳剤のハロゲン化銀乳剤層および又は保護層を設けた銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の版面上に新鮮な現像液を塗布する。 - 特許庁

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition.例文帳に追加

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。 - 特許庁

The method of separating particulates comprises (1) isolating particulates alone, (2) removing particulates alone or (3) concentrating particulates alone, through a sieving effect without adsorption of the particulates, by separating particulates corresponding to diameters of 15 nm or smaller and dispersed in a gas or a liquid by means of a pore-diffusion-type membrane separation method.例文帳に追加

気体または液体中に分散した相当直径１５ｎｍ以下の微粒子を、孔拡散型の膜分離法を利用して、微粒子を吸着させることなく、ふるい効果で（１）微粒子のみを隔離するか（２）微粒子のみを除去するか、あるいは（３）微粒子のみを濃縮することを特徴とする微粒子の分離方法。 - 特許庁

Plasma oxidation with high oxidation rate is performed by changing to higher RF electric power from a point when ashing of the resist 301 is completed, and the plasma oxidation silica film 401 as an outside diffusion prevention film of dopant is formed on surfaces of an n-type wiring 103 and a p-type wiring 104 which are composed of polysilicon.例文帳に追加

レジスト３０１の灰化が終了した時点から高めのＲＦ電力に切り替えることで酸化レートの高いプラズマ酸化を行い、ポリシリコンからなるＮ型配線部１０３、Ｐ型配線部１０４の表面に不純物の外方拡散防止膜としてのプラズマ酸化珪素膜４０１を形成する。 - 特許庁

In this wiring board 1 equipped with a mounting part 2 on which an IC chip is mounted by thermo-compression bonding and a plurality of wirings 3 to 6 pulled out of the mounting part 2, each of ground wiring 4 having wide power source wiring 3 and a wide section 4P is formed with a plurality of openings 9 for suppressing thermal diffusion.例文帳に追加

熱圧着によってＩＣチップが実装される実装部２と、実装部２から引き出された複数の配線３〜６とを備えた配線基板１において、幅広の電源配線３および幅広部分４Ｐを有するグラウンド配線４それぞれに、熱拡散を抑制するための開口部９を複数形成する。 - 特許庁

The surface of a glass surface 12 of the halftone reticl 10 is provided with rugged parts 11, by which the uniform diffusion of illumination light 15, etc., into a glass surface 12 is made possible and therefore diagonal incident light 20 effective for improving the contrast on the wafer 112 may be inexpensively and easily increased without the execution of intricate processes.例文帳に追加

ハーフトーンレティクル１０のガラス面１２の表面に凹凸部１１を設けることにより、照明光１５等をガラス面１２に均一に拡散することができるため、複雑なプロセスをせずに安価で容易にウェーハ１１２上のコントラスト向上に有効な斜め入射光２０を増加させることができる。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

By making hardness of the inner face higher than that of the outer face by forming a diffusion hardening layer on the inner face of the metal sheath, and by applying wire drawing by filling a MgB_2 superconductor, and as needed, improvement materials of the critical current density such as indium, copper, and tin into the sheath in the state, the superconducting wire rod is produced.例文帳に追加

金属シースの内面に拡散硬化層を形成して内面の硬さを外面の硬さよりも高くし、その状態でシース内にＭｇＢ_２超電導体、更に必要に応じてインジウム、銅、錫等の臨界密度向上物質を充填して伸線加工を施し、超電導線材を製造する。 - 特許庁

Before or during the step (ii), a nitride or oxynitride layer (5) of a semiconductor of the thin layer (3) is formed on the exposed region (3a) with a thickness sufficient to provide a ratio of the rate of oxygen diffusion though the exposed region (3a) to that through the region (3b) covered with the mask (4) that is greater than 2.例文帳に追加

ステップ（ii）の前又は最中に、薄い層（３）の半導体の窒化物又は酸窒化物の層（５）は、露出領域（３ａ）上に形成され、上記層（５）の厚さは、露出領域（３ａ）を通る酸素の拡散速度とマスク（４）で覆われる領域（３ｂ）を通る酸素の拡散速度との比が２より大きくなるようにする。 - 特許庁

Since a plurality of case skeleton parts 16 provided in the direction of vehicle width are connected across a side member 3 on the outdoor side and a cross member 4 on the capin side in a battery case 12, diffusion and burdening of battery load are satisfactorily done to increase support rigidity, even if the battery case 12 exists eccentrically on one side of a vehicle body floor.例文帳に追加

バッテリケース１２に車幅方向に設けた複数本のケース骨格部１６を、車外側のサイドメンバ３と車室側のクロスメンバ４とに跨って結合してあるから、バッテリケース１２が車体フロア片側に偏在していてもバッテリ荷重の分散負担が良好に行われて支持剛性を高めることができる。 - 特許庁

The anisotropic diffusion sheet has a continuous phase 17 as well as a particulate dispersion phase 27 with an average aspect ratio of 1 or more, with a long-axis direction of the particulate dispersion phase arranged toward an X-axis direction, when a main projection axis of the irradiation light L1 against the irradiation face 5a of the light guide plate 5 is the X-axis.例文帳に追加

異方性拡散シートは、連続相１７と平均アスペクト比が１より大きな粒子状分散相２７とを有し、導光板５の出射面５ａに対する主たる出射光リ１の投影軸をＸ軸としたとき、粒子状分散相の長軸方向をＸ軸方向に向けて配設されている。 - 特許庁

To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer.例文帳に追加

もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。 - 特許庁

When no dot is disposed in any of adjacent pixels adjacent to the dot pixel in the error diffusion processing image 61, as a binary of the pixel in the same position as each of the dot pixel and each adjacent pixel in the mixed halftone image 63, the MPX 131 selects binaries of the dot pixel and each adjacent pixel.例文帳に追加

ＭＰＸ１３１は、誤差拡散処理画像６１の中の、ドット画素に隣接する隣接画素のいずれにも、ドットが配置されていない場合は、混合ハーフトーン画像６３の中の、そのドット画素および各隣接画素それぞれと同じ位置にある画素の二値として、そのドット画素および各隣接画素それぞれの二値を選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method for suppressing the diffusion to a semiconductor substrate of nitrogen for suppressing the punch-through of conductive impurities introduced into a gate electrode, while suppressing the punch-through to the semiconductor substrate of the conducive impurities and suppressing the deterioration of transistor characteristics.例文帳に追加

ゲート電極中に導入された導電性不純物の半導体基板への突き抜けを抑止しつつ、当該導電性不純物の突き抜けを抑止するための窒素の半導体基板への拡散をも抑止してトランジスタ特性の劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of launched Cesium (Cs) atoms in the horizontal direction to improve an S/N ratio of a spectrum in a collimation apparatus for Cs atomic fountain for trapping and cooling the atoms by a plurality of laser beams and detecting the passing of the launched Cs atoms through a micro wave resonator.例文帳に追加

本発明は複数のレーザ光でトラップと冷却か行われると共に上方に打ち上げられたセシウム原子がマイクロ波共振器を通過することを検出するセシウム原子泉コリメーション装置に関し，打ち上げた原子の水平方向への拡散を抑制し，スペクトルのＳ／Ｎ比を向上することを目的とする。 - 特許庁

The element having the value of the iron atom diffusion coefficient at 1,100°C contained in the cobalt alloy particles which is smaller than that of the cobalt element is preferably any one of vanadium, chromium, niobium, molybdenum, tantalum and tungsten, in particular, any one of niobium, molybdenum, tantalum and tungsten is preferable.例文帳に追加

コバルト合金粒子中に含まれる１１００℃における鉄原子拡散係数の値がコバルト元素に比べて小さい元素は、バナジウム元素、クロム元素、ニオブ元素、モリブデン元素、タンタル元素及びタングステン元素のいずれかであることが好ましく、特に好ましくはニオブ元素、モリブデン元素、タンタル元素及びタングステン元素のいずれかである。 - 特許庁

In color difference diffusion processing for adding the color difference data of an input color and an output color for peripheral pixels to the color image data of the target pixel, only the color difference data of the peripheral pixels showing achromatic colors are added to the color image data of the target pixel for the target pixel replaced with white or black (111).例文帳に追加

周辺画素についての入力色と出力色の色差データを、注目画素のカラー画像データに加算する色差拡散処理において、白もしくは黒に置換された注目画素については、無彩色を表す周辺画素の色差データのみ注目画素のカラー画像データに加算する（１１１）。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An alloy element consisting of at least one kind of Si, Al, Be, Co, P and Sn having the effect of stabilizing the ferritic Fe phase and the effect of repulsion with carbon in steel is diffusion-coated from a surface layer, the surface layer is carburized, carbo-nitrided and/or nitrided, and quenched or quench-tempered.例文帳に追加

フェライトＦｅ相を安定化する作用および鋼中の炭素と反発し合う作用を有するＳｉ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｏ，Ｐ，Ｓｎのうちの少なくとも一種以上からなる合金元素を表面層から拡散浸透させるとともに、その表面層を浸炭、浸炭浸窒および／または浸窒処理した後に焼入れもしくは焼入れ焼戻し処理を施す。 - 特許庁

The air conditioning system of the clean room stair comprises a stair chamber A provided in a clean room of multilayer stairs, a plurality of paces 1 provided in the chamber A, folding stairs 2 and 2 having no riser and provided between the paces 1 and 1, and a clean unit 10 provided in a lower part of the pace 1 and having an air flow diffusion plate 15.例文帳に追加

多層階のクリーンルームに設けられた階段室Ａと、階段室Ａに設けられた複数の踊り場１と、各踊り場１、１の間に設けられた蹴込み板のない折り返し階段２、２と、踊り場１の下部に設けられ、かつ気流拡散板１５を有するクリーンユニット１０とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁

Then, the energy of the millimeter waves (or the discharge plasma) locally acts on the surface oxide part where the soft magnetic powder exhibits a high electric resistivity and locally heats the surface of the soft magnetic powder to a temperature near the melting temperature to accelerate the surface oxidation (oxide film formation) of the soft magnetic powder and sintering (diffusion and joint of oxide films).例文帳に追加

これにより、ミリ波（又は放電プラズマ）のエネルギが軟磁性粉末の電気抵抗値の大きい表面酸化部分に局所的に作用して、軟磁性粉末の表面が局所的に融点温度近傍に加熱され、軟磁性粉末の表面酸化（酸化膜の形成）や焼結（酸化膜どうしの拡散接合）が促進される。 - 特許庁

The lens body 10 of the vehicular signal lamp fitting is provided with three lens cuts 20, 20, 20 having cross-section nearly semicircular shape continuing to a reflection prism group 14 and with a part overlapped with a diffusion lens 18 in a thickness direction of the lens body 10, formed on an inside surface of a corner part 10A of the lens body 10.例文帳に追加

本発明の車両用信号灯具のレンズ体１０は、レンズ体１０のコーナー部１０Ａの内側面に、反射プリズム群１４と連続し、且つレンズ体１０の厚さ方向で拡散レンズ１８と一部が重複する断面略半円形状の３本のレンズカット２０、２０、２０が形成されている。 - 特許庁

A silicon oxide film having alkali preventing performance, a tin oxide film having the performance of preventing diffusion of metal ions, and an insulating thin film consisting of a double oxide essentially comprising tin, phosphorus and oxygen and having 1.0×10^8 to 1.0×10^16 Ω/unit square surface resistance are layered on the surface of an alkali-containing glass substrate.例文帳に追加

アルカリ含有ガラス基板の表面に、アルカリ防止性能を有する酸化珪素膜、金属イオン拡散防止性能を有する酸化錫膜、及び錫とリンと酸素を主成分とする複合酸化物からなり、表面抵抗値が１．０×１０^8〜１．０×１０^16Ω／□の絶縁性薄膜を積層する。 - 特許庁

To provide a dust disposal device in a roller conveyor capable of surely catching the dust rising from rolling friction between the bottom surface of a conveyed material and rollers of the roller conveyor to prevent diffusion of the dust inside a clean room when conveying the conveyed material such as a cassette housing semiconductor substrates with the roller conveyor provided in the clean room.例文帳に追加

クリーンルームに設置されるローラ式コンベアにより半導体基板を収納したカセット等の被搬送物を搬送するに当り、被搬送物の底面と前記ローラ式コンベアのローラとの接触部位の転動摩擦により発生する塵埃を的確に捕獲し、クリーンルーム内への塵埃の拡散を防止することである。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１１に行列状に配置された複数のメモリセル部１１と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線１２と、埋め込み絶縁膜１６と、埋め込み絶縁膜１６の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線１３とを備えている。 - 特許庁