「diffusion treatment」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a barrier layer material which is suitable for preventing the diffusion of oxygen in Ta_2O_5 by heat treatment while the dielectric constant of the Ta_2O_5 is maintained at a high level in a MIM capacitor using a Ta_2O_5 dielectric layer on Cu wiring, and to provide a method of manufacturing the MIM capacitor.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に誘電体層Ｔａ_２Ｏ_５を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、Ｔａ_２Ｏ_５の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるＴａ_２Ｏ_５中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することである。 - 特許庁

In this way, the reaction between the components in the molten salt with an oxygen component or moisture is substantially prevented, the stabilization of the diffusion components in the molten salt is attained, and a compound layer as a treatment layer having excellent properties can be formed on the surface part of the object to be treated.例文帳に追加

これにより、溶融塩中の成分と酸素分や水分との反応を実質的に防止し、溶融塩中の拡散成分の安定化を図り、被処理品の表面部に優れた性質を有する処理層である化合物層を形成させることが可能となる。 - 特許庁

When sewage to be treated having a high BOD value is treated, the position of the partition wall 17 is set so as to increase the volume of a biological treatment region to increase the stagnation time of sewage to be treated in an air diffusion region and the sewage to be treated having a high BOD value is suitably treated.例文帳に追加

ＢＯＤ値の高い被処理汚水を処理する場合は、生物処理領域の容積を増加させるように隔壁１７の位置を設定することで被処理汚水がエアーによる散気領域を滞留する時間が増加し、ＢＯＤ値の高い被処理汚水が好適に処理されることとなる。 - 特許庁

The woven fabric or the nonwoven fabric made mainly of a flame resistant yarn or thread is passed through a thermo-compression roll, and after making the surface smooth and thin, a final heat treatment of 800-3,000°C is applied, thereby, the carbon fiber woven fabric or nonwoven fabric for fuel cell gas diffusion layer is manufactured.例文帳に追加

炭素繊維用耐炎化糸を主成分とする織布または不織布を熱圧ロールに通過させて、表面を平滑かつ厚みを薄くした後、８００〜３０００℃の最終熱処理をすることからなる燃料電池ガス拡散層用の炭素繊維織布または不織布の製造方法。 - 特許庁

A liquid is supplied by injection to the stationary mixing machine 2 through its upper part, and a gas is drawn into the stationary mixing machine 2 by the flow energy of the liquid and conducted downward in parallel flows in the mixing machine 2 so as to carry out aeration or diffusion treatment by mixing the liquid and the gas, stirring them and bringing them into contact with each other.例文帳に追加

この静止型混合器２の上部から液体を噴射供給し、その液体の流動エネルギーで気体を引き込みながら静止型混合器２内を並流で下方に通流させて、液体と気体の混合、攪拌、接触を行ない、曝気又は放散処理を行なう。 - 特許庁

The apparatus for the plasma treatment is furnished with a modulation means for applying the pulse-modulated electric power to the plasma-generating part and one to the substrate electrode, respectively in the plasma-generating power source and in the substrate bias power source, wherein the pulse modulation is based on the diffusion time of the gas from the central part of discharge to the substrate.例文帳に追加

また、本発明のプラズマ処理装置は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ生成部及び基板電極に相互に印加する変調手段をプラズマ発生電源及び基板バイアス電源に設けられる。 - 特許庁

Also, since this can eliminate the necessity of increasing an overlapping quantity between the n^+-source region 7 and the p^+-type contact region 9 and increasing a heat treatment time, the diffusion of the p^+-type contact region 9 up to a channel region can be prevented and the fluctuation of the operation threshold Vt can be prevented.例文帳に追加

また、ｎ^+型ソース領域７とｐ^+型コンタクト領域９とのオーバラップ量を増やしたり、熱処理時間を増やしたりする必要がないため、チャネル領域までｐ^+型コンタクト領域９が拡散してしまうことを防止でき、動作しきい値Ｖｔの変動を防止できる。 - 特許庁

To provide a SiC formed material having an electrical resistivity suitable as a shielding body for a heat treatment device of a semiconductor production apparatus, a heat-resistant member such as a soaking ring and a member such as a dummy wafer or a susceptor used in a diffusion furnace device, an etching device, a CVD device or the like.例文帳に追加

半導体製造装置の熱処理装置用遮蔽体、均熱リングなどの耐熱部材、拡散炉装置、エッチング装置、ＣＶＤ装置などに用いられるダミーウエハやサセプターなどの部材として好適な電気抵抗率を有するＳｉＣ成形体を提供する。 - 特許庁

A raw material is molded by pressure fine particle sintering molding using iron alloy powders containing Cr, and nitriding treatment excluding carburized component is applied to form the surface having a mixing texture 3 composed of a compound layer 2 of Fe-Cr-N, a diffusion layer of Fe-Cr-N, and a base.例文帳に追加

Ｃｒを含有する鉄系合金粉末を使用して圧粉体焼結成形で素材を成形し、浸炭成分を排除した窒化処理を施すことで、表面をＦｅ−Ｃｒ−Ｎの化合物層２とＦｅ−Ｃｒ−Ｎの拡散層と基地の混合組織３とした。 - 特許庁

A carrier fluidization filter chamber 10 is provided with communicating ports 11 for communicating a first carrier packed section 21 (aerobic treatment region) and a second carrier packed section 22 (filtration region) with each other in the lower part of a partition 17 and is installed with air diffusion pipes 32a and 32a below these carrier packed sections 21 and 22.例文帳に追加

担体流動生物濾過槽１０において、隔壁１７の下部には第１担体充填部２１（好気処理領域）と第２担体充填部２２（濾過領域）を連通する連通口１１が設けられ、担体充填部２１，２２の下方には散気管３１ａ，３２ａが設置されている。 - 特許庁

A spacer film 112 is formed on the side wall of the gate electrode, and impurities of a second conductivity-type are implanted into the surface layer parts of the first and second regions, with the use of the gate electrodes and spacer film as masks for second activation treatment and to form a second impurity diffusion region 110.例文帳に追加

ゲート電極の側壁上にスペーサ膜１１２を形成し、次いでゲート電極とスペーサ膜とをマスクとして第１領域と第２領域の表層部とに第２導電型の不純物を注入し第２の活性化処理を行い第２の不純物拡散領域１１０を形成する。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

To control a size of a gate electrode layer in processing and to control a regions of impurity diffusion layers (= a source region, a drain region) in a heat treatment step in particular when having a LDD structure as a gate length shortens with a MOS transistor made fine.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの微細化に伴い、ゲート長が短くなり、特にＬＤＤ構造を有する場合には、加工時におけるゲート電極層の寸法制御性、また、熱処理工程時の不純物拡散層（＝ソース領域、ドレイン領域）の領域を制御することが重要となる。 - 特許庁

The membrane separation activated sludge apparatus includes a permeation type membrane separation apparatus device, an air-diffusion apparatus of supplying oxygen to an activated sludge and washing a membrane of the membrane separation activated sludge apparatus, and a water flow forming apparatus of forming water flow toward a face of the membrane in an activated sludge treatment tank.例文帳に追加

上記課題は、活性汚泥処理槽内に、浸透型膜分離装置と、活性汚泥への酸素供給と前記膜分離装置の膜の洗浄を兼ねた散気装置と、前記膜の面に向けた水流を形成する水流形成装置を備えた膜分離活性汚泥装置によって解決される。 - 特許庁

When the hinge ball 13 and the driving shaft 7 are made of iron alloy, the inner circumference surface of the hole 13a of the hinge ball 13 is subjected to chemical conversion coating electroless plating method process, or low-temperature sulfide permeation treatment, so that an oxidation film, plating 37, or an iron sulfide diffusion layer is formed on the inner circumference of the hole 13.例文帳に追加

ヒンジボール１３及び駆動軸７を鉄系合金で形成した場合に、ヒンジボール１３の孔１３ａの内周面表面に、化成処理、無電解メッキ法又は低温浸硫処理を施すことにより、酸化皮膜、メッキ３７又は硫化鉄の拡散層を形成する。 - 特許庁

A nitride layer with Hv ≥900 consisting of a compound layer and a diffusion hardening layer is formed on a surface of an anvil 40, and thus nitriding treatment allows a hardness of a surface to increase without applying plating, thereby reducing friction and abrasion on a sliding portion without using a needle roller.例文帳に追加

アンビル４０の表面には、Ｈｖ９００以上の化合物層と拡散硬化層とからなる窒化層が形成されているので、窒化処理によってメッキなどを施すことなく表面硬度を増大させることが出来、またそれによりニードルころを用いることなく摺動部の摩擦及び摩耗を軽減できる。 - 特許庁

To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.例文帳に追加

有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

The method including injecting a gas at a workpiece center location 20 and applying heat comprises the steps of: cleaning a furnace to be used during the heat treatment method and diffusion heat treating the at least one workpiece in a gas atmosphere with gas being injected at the work piece center location 20.例文帳に追加

方法は、ワークピース中心位置２０においてガスを注入しかつ熱を加えることを含む清浄化方法で、熱処理方法の間に使用される炉を清浄化し、ワークピース中心位置２０において注入されるガスのガス雰囲気内で少なくとも１つのワークピースを拡散熱処理することを含む。 - 特許庁

The treatment method for incineration ash contains a diffusing/ mixing process (S1) in which a solidifying material 5 containing an inorganic solidifying material and polyacrylamide modifier is put in incineration ash 6 and diffused and mixed, and a granulation process (S2) in which a mixture 7 produced by diffusion and mixture is granulated by shearing repeatedly.例文帳に追加

焼却灰６に、無機系固化材及びポリアクリルアミド系改良剤を含む固化材５を入れて拡散混合する拡散混合工程（Ｓ１）と、拡散混合により生じた混合物７を繰り返し剪断することにより粒状化する粒状化工程（Ｓ２）と、を含む焼却灰の処理方法。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

In the protein crystal detection for detecting the protein crystal formed in a protein solution by a vapor diffusion method, a differential image comprising information on a variation in luminance indicating the largeness of the variation in the luminance is formed by differential treatment of the observed image obtained by observing the protein solution.例文帳に追加

蒸気拡散法により蛋白質溶液内で生成した蛋白質結晶を検出する蛋白質結晶検出において、まず蛋白質溶液を観察して得られた観察画像を微分処理することにより輝度変化の大きさを示す輝度変化情報からなる微分画像を生成する。 - 特許庁

After a contact hole 109a to a diffusion layer 102 is formed in an oxide silicon film 103a, a balsam treatment with a gas containing at least hydrogen (for example, steam) is carried out to change a sidewall protective film 110a made of fluorocarbon polymer into a sidewall protection film 110aa made of almost hydrocarbon polymer.例文帳に追加

拡散層１０２に達するコンタクト孔１０９ａを酸化シリコン膜１０３ａに形成した後、少なくとも水素を含んだガス（例えばスチーム）によるパルザム処理によりフルオロカーボン・ポリマーからなる側壁保護膜１１０ａを概ねハイドロカーボン・ポリマーからなる側壁保護膜１１０ａａに変換する。 - 特許庁

In the method for producing the high silicon electromagnetic steel sheet, a steel sheet having an Si content of <4 wt.% is subjected to siliconizing-diffusion treatment to obtain steel having a C content of 0.001 to 0.02 wt.%, an Si content of 4 to 10 wt.% and a Cr content of 1 to 20 wt.%, and the steel is thereafter annealed at 150 to 350°C.例文帳に追加

Si含有量が４wt％未満の鋼板を、浸珪・拡散処理して、Ｃ含有量が0.001wt％以上0.02wt％以下、Si含有量が４wt％以上10wt％以下、Cr含有量が１wt%以上20wt％以下の鋼を得、その後に150〜350℃で焼鈍することを特徴とする高珪素電磁鋼板の製造方法。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy brazing sheet using a 6XXX series alloy as a core material, in which diffusion of a brazing material upon brazing is suppressed so as to achieve satisfactory brazing, and which has excellent strength by performing a suitable aging treatment after the brazing, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

心材に６ＸＸＸ系合金を用いたアルミニウム合金ブレージングシートにおいて、ろう付時のろう拡散を抑制して良好なろう付けを実現し、且つろう付後に適切な時効処理を施すことにより優れた強度を有するアルミニウム合金ブレージングシート、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In processing method of a lithographic printing plate having physical development nuclei layer as an upper layer over silver halide emulsion layer formed on a support by using a silver salt diffusion transfer method, the processing method is characterized to use treatment liquid containing polyethylene imines having average molecular weight of 200 or more after development.例文帳に追加

支持体上に設けられたハロゲン化銀乳剤層の上層に物理現像核層を有する銀塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、現像処理後に平均分子量が２００以上のポリエチレンイミンを含有する処理液にて処理することを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

The material obtained with the vapor-deposition is shown as high thermal-stability by adding the above elements having low diffusion speed, but further, the hardness and the strength are risen by integrating and precipitating fine precipitations in crystal grains while applying a heat treatment and/or a hot-plastic work, and the thermal-stability can be improved.例文帳に追加

蒸着によって得た材料は、拡散速度の低い前記元素の添加により高い熱的安定性を示すが、更に熱処理及び／又は熱間塑性加工を施して微細な析出物を結晶粒内に整合析出させることにより、硬度及び強度が上昇し、熱的安定性が高めることができる。 - 特許庁

A method for forming corrosion resistant coating comprises: a first step of performing Pt plating 2 treatment on a base material 1 of a Ni-based or Co-based superalloy high-temperature equipment component; a second step of performing coating 3 of one or two or more kinds of Hf, Zr and Si by PVD; and a third step of performing diffusion coating 4 of Al thereon.例文帳に追加

Ｎｉ基またはＣｏ基の超合金製の高温機器部品の基材１にＰｔメッキ２処理を行なう第１工程と、その上にＨｆ、ＺｒおよびＳｉの内の１または２以上をＰＶＤによりコーティング３する第２工程と、その上にＡｌの拡散コーティング４する第３工程とからなる。 - 特許庁

The display plate includes a light-transmitting substrate with light-transmitting properties and a light diffusion part formed at a side opposite to a visible side of the light-transmitting substrate, wherein the display plate includes a colored resin layer having a smooth surface smoothed by smoothing treatment formed at the visible side of the light-transmitting substrate.例文帳に追加

光透過性を有する光透過性基板と、光透過性基板の視認側と反対側に形成された光拡散部とを備え、光透過性基板の視認側に、平滑処理によって、平滑化された平滑面を有し、光透過性基板の視認側に形成された有色樹脂層を備える。 - 特許庁

In this mechanical charge battery, the activated carbon fiber-like structure 3 originally having a large surface area is brought into a condition very rich in conductivity by carbon black (particle diameter of several μm, for example) and carbon nano fiber (diameter of 150 nm and length of 10-20 μm, for example) adhering to it by the high temperature diffusion treatment.例文帳に追加

このメカニカルチャージバッテリーは、高温拡散処理により付着したカーボンブラック（例えば粒径数μｍ）やカーボンナノファイバー（例えば直径１５０ｎｍで長さ１０〜２０μｍ）によって、もともと表面積が大きい活性炭素繊維状構造体が非常に導電性に富む状態となっている。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain an inorganic composition having a high barrier property to gas, a low-molecular compound, etc., even in a high humidity and excellent function of diffusion control of substance, etc., and a film comprising the inorganic composition and to provide a method for producing the film, with which the film is efficiently formed in a normal-temperature range without requiring a high-temperature heat treatment.例文帳に追加

高湿下においても、ガス、低分子化合物等に対するバリアー性が高く、物質の拡散制御等の機能に優れた無機組成物、前記無機組成物からなるフィルム、高温熱処理工程を必要とせず、常温領域において、前記フィルムを効率よく形成し得る前記フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

To prevent a capacitive insulating film from deteriorating in ferroelectric characteristic by suppressing diffusion of metal produced from metal nitride in a heat treatment when a conductive member made of metal oxide having an interface with a capacity element having a capacitive insulating film made of the insulating metal oxide is used.例文帳に追加

絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜を持つ容量素子と界面を持つ金属窒化物からなる導電性部材を用いる場合に、熱処理時に該金属窒化物から発生する金属拡散を抑制して、容量絶縁膜の強誘電体特性の劣化を防止できるようにする。 - 特許庁

To enable control of the desired position of the concentration distribution peak values of rare earth element ions and adjustment of the luminous intensity of a light-emitting element, by keeping the rare earth element ions in a predetermined distribution conditions and moving the diffusion region of rare earth element ions in a substrate depthwise direction through heat treatment.例文帳に追加

熱処理によって、希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して基板の深さ方向に希土類元素イオンの拡散領域を移動させることで、希土類元素イオンの濃度分布ピーク値の位置を所望の位置に制御して発光素子の発光強度を調節することを可能とする。 - 特許庁

Thereafter, impurity is diffused from the surface of the second polysilicon layer 110 into the second polysilicon layer 110 by one time of diffusion treatment and, at the same time, impurity diffused into the second polysilicon layer 110 is diffused further from the side wall of the first polysilicon layer 104a toward the inside of the first polysilicon layer 104a.例文帳に追加

その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。 - 特許庁

Before the hot-press process, in a condition in which the gas diffusion layers 10, 11 has not been laminated on the intermediate laminate 25, the intermediate laminate 25 is heat and held for heat treatment in a temperature region having a temperature of not lower than the glass transition temperature of the electrolyte polymer contained in the catalyst electrodes 14, 18 and not higher than its thermally decomposition temperature.例文帳に追加

ホットプレス工程の前に、ガス拡散層１０，１１を中間積層体２５に積層していない状態で、触媒電極層１４．１８に含まれている電解質ポリマーのガラス転移温度以上で熱分解温度以下の温度領域に、中間積層体２５を加熱保持して熱処理する。 - 特許庁

Although tensile stress is applied to the SOG film 4b at a point in time of activation treatment of impurity ions introduced to the source/drain region 2c, generation of crystal defects in impurity diffusion regions 2a, 2b can be suppressed because of interposition of the O_3-TEOS film 4c, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域２ｃに導入された不純物イオンの活性化の処理の時点でＳＯＧ膜４ｂに引っ張り応力が発生するものの、Ｏ_３−ＴＥＯＳ膜４ｃが介在しているため結晶欠陥が不純物拡散領域２ａ、２ｂに発生することを抑制でき転位の発生を抑制できる。 - 特許庁

More specifically, after a protective film is formed, heat treatment is performed while providing an overcoat film of metal as the diffusion barrier of hydrogen in order to prevent the desorption of hydrogen desorbed from the protective film to the outside of a thin film semiconductor element and hydrogen is supplied sufficiently to the polysilicon semiconductor film, thus accelerating the termination of the dangling bond.例文帳に追加

具体的には、保護膜を成膜後、水素の拡散バリヤとして金属からなるオーバーコート膜を設けた状態で熱処理を行い、保護膜から脱離した水素が薄膜半導体素子の外へ脱離することを防止し、多結晶シリコン半導体膜へ十分な水素を供給して、ダングリングボンドの終端を促進する。 - 特許庁

To provide a treatment method capable of completely and easily performing a detoxifying treatment to be 0.1 wt.% or less stipulated by Ministry of Health, Labor and Welfare in a short period of time and completely and efficiently detoxifying asbestos in the state of asbestos fiber bundles specially by preventing scattering and diffusion of asbestos dust or the like and loosening the asbestos fiber bundles contained in a waste material containing the asbestos in an arbitrary form.例文帳に追加

任意の形態のアスベストを含有する廃材を、アスベスト粉塵等の飛散や放散を防止して、含有されるアスベスト繊維束をばらばらにして、無害化処理を短時間で、完全にかつ上記厚生労働省規定の０．１重量％以下に、容易に無害化処理することができ、特に、アスベスト繊維束の状態にあるアスベストを完全に、短時間で効率よく無害化処理することができる処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an organic solvent recovering system constituted so as to treat the organic solvent, which is leaked from the gas obtained by treating organic solvent-containing gas with a solvent recovering device, with a backup treatment device, capable of stably reducing the diffusion of the organic solvent to the environment and efficiently recovering the organic solvent from the organic solvent-containing gas.例文帳に追加

有機溶剤を含有したガスを溶剤回収装置で処理したガスの中からリークした有機溶剤をバックアップ処理装置により処理する有機溶剤回収システムにおいて、環境への有機溶剤の拡散を安定的に低減でき、有機溶剤含有ガスから効率良く有機溶剤を回収する有機溶剤回収システムを提供する。 - 特許庁

[1] The cotton fabric treatment method imparts the water diffusion promoting ability to a cotton fabric used in direct contact with skin by attaching a glyceryl ether compound (A) to the cotton fabric in an amount of 0.1-50 mass% based on the mass of the cotton fabric.例文帳に追加

〔１〕下記一般式（１）で表されるグリセリルエーテル化合物（Ａ）を、肌と直接触れる木綿布に、該木綿布の質量あたり０．１〜５０質量％付着させて、該木綿布に水拡散促進能を付与する木綿布の処理方法、及び〔２〕前記グリセリルエーテル化合物（Ａ）を含有する、肌と直接触れる木綿布に水拡散促進能を付与する水拡散促進剤である。 - 特許庁