「diffusion treatment」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a material for a gas diffusion electrode in which a conductive material containing water soluble ink slurry can be permeated into a fiber of polytetrafluoroethylene without a troublesome hydrophilic treatment process.例文帳に追加

面倒な親水処理工程をすることなく導電性物質を含有した水溶性インクスラリーをポリテトラフルオロエチレンの繊維内部まで浸透させることのできるガス拡散電極用材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

Ionomer impregnated into the first catalyst precursor layer, the second catalyst precursor layer, electrolyte precursor film, and the diffusion layer material is sulfonated by performing a water-added decomposition treatment from the second catalyst precursor layer side.例文帳に追加

第２の触媒前駆体層側から加水分解処理して、第１の触媒前駆体層、第２の触媒前駆体層、電解質前駆体膜、および拡散層部材内に浸透したアイオノマをスルホン化させる。 - 特許庁

To provide a method of producing an exhaust gas treatment catalyst containing vanadium pentoxide harmful to human being without deteriorating the high catalytic activity and while suppressing separation and diffusion of the vanadium pentoxide as an active component.例文帳に追加

人体に有害な五酸化バナジウムを含有する排ガス処理触媒の高い触媒活性を低下させることなく、活性成分である五酸化バナジウムの分離、飛散を抑制して触媒を製造する方法の提供。 - 特許庁

The steel can be formed by carrying out Ni plating on the steel, subsequently carrying out Ni-Mn alloy plating or Ni-Fe-Mn alloy plating and subsequently carrying out a thermal diffusion treatment.例文帳に追加

本発明の鋼材は、鋼材にＮｉめっきを施し、次いでＮｉ−Ｍｎ合金めっき又はＮｉ−Ｆｅ−Ｍｎ合金めっきを施し、その後熱拡散処理を行うことによって製造することができる。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus, capable of effectively preventing an external diffusion of a gas containing a chemical component, while preventing the component of a treating liquid from impregnating to a recovery passage of another treatment liquid.例文帳に追加

処理液の薬液成分が他の処理液の回収路に浸入することを防止しつつ、薬液成分を含むガスの外部への拡散を有効に防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

At the same time, when the lid of the vacuum treatment chamber is opened, an exhaust valve 5 other than vacuum exhaust valve 4 is opened, thus discharging the residual gas in the vacuum treatment chamber, from an exhaust vent 7 other than a vacuum exhaust vent 6, preventing the diffusion of the residual gas, and at the same time quickly introducing the atmosphere inside the vacuum treatment chamber.例文帳に追加

真空処理室フタが開いたことが、センサー３により検出され、真空処理室フタが開いたと同時に、真空排気バルブ４とは別の排気バルブ５が開くことにより、真空処理室内の残留ガスが真空排気口６とは別の排気口７から排気され、残留ガスの拡散を防ぐとともに、迅速に真空処理室内の大気導入を行う。 - 特許庁

After a gate electrode and an impurity diffusion layer are formed, a metal film is formed and 1st metal silicide is formed through a 1st heat treatment in an inert gas atmosphere and the 1st metal silicide is varied in phase into 2nd metal silicide through a 2nd heat treatment; and then a 3rd heat treatment is carried out in an inert gas atmosphere to suppress the cohesion of the silicide.例文帳に追加

ゲート電極と不純物拡散層を形成後金属膜を成膜し、不活性ガス雰囲気中で第１の熱処理によって第１の金属シリサイドを形成し、次に活性雰囲気で第２の熱処理を施し第１の金属シリサイドを相変化させて第２の金属シリサイドとし、次に不活性ガス雰囲気中で第３の熱処理を施すことによって、シリサイドの凝集を抑制する。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁

The biogas system is provided with: a methane fermentation tank 1 for methane-fermenting biomass at ≥50°C; an ammonia diffusion column 4 into which the digested liquid discharged from the methane fermentation tank 1 is introduced and from which ammonia contained in the digested liquid is diffused; and an ammonia treatment apparatus 5 for oxidizing the ammonia, which is diffused from the ammonia diffusion column 4, by using a combustion improver.例文帳に追加

バイオマスを５０℃以上の温度でメタン発酵するメタン発酵槽１と、該メタン発酵槽１から排出される消化液を導入して含有するアンモニアを放散するアンモニア放散塔４と、該アンモニア放散塔４から放散されるアンモニアを助燃剤を用いて酸化処理するアンモニア処理装置５とを有することを特徴とするバイオガスシステム。 - 特許庁

Thereby, adhesiveness of the electrode film and the substrate is heightened and uniformity of single domain treatment is heightened and differences of a thermal expansion coefficient and a diffusion coefficient between the crystal and the electrode both as oxides can be made not to be generated and thus generation of crack and diffusion of foreign metal in heating can be prevented and high quality of the device can be attained.例文帳に追加

これにより、電極膜と基板との密着性を高めて単分域化処理の均一性を高めるとともに、酸化物どうしとして結晶と電極との間に熱膨張係数や拡散係数の差を生じさせないようにできるので、加熱時におけるクラックの発生や異種金属の拡散を防止し、デバイスの高品質化を図ることができる。 - 特許庁

The lens sheet 50 has a translucent base having a translucent resin intermediate layer on both surfaces, a lens layer formed on one surface of the translucent base, and a light diffusion layer formed on the other surface of the translucent base, wherein the resin intermediate layer on the side of the light diffusion layer is subjected to an antistatic treatment.例文帳に追加

本発明は、レンズシート５０が、透光性の樹脂中間層を両面に有する透光性基材と、透過性基材の一方の面に形成されたレンズ層と、前記透光性基材の他方の面に形成された光拡散層とを有し、前記光拡散層側の樹脂中間層は、帯電防止処理が施されていることよりなる。 - 特許庁

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2.例文帳に追加

カソード層２の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層５及びアノード層４に、それぞれ、アノード層４形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層４形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層２の不純物濃度をカソード層２よりも高くする。 - 特許庁

The quality of the aluminum diffusion film having excellent fatigue life of a base material as well as oxidation resistance can be controlled by regulating the composition of powder consisting of aluminum, aluminum fluoride and aluminum oxide as a diffusion film supply source under the heat treatment condition of about 950°C and also regulating heating time and the amount of the powder mixture, respectively.例文帳に追加

９５０℃程度の加熱処理条件で、拡散皮膜の供給源としてアルミニウム、フッ化アルミニウムおよび酸化アルミニウムからなる粉末の組成の調整ならびに加熱時間および混合粉末の量を調整することにより、耐酸化性および母材の疲労寿命が良好なアルミニウム拡散皮膜の品質を制御する。 - 特許庁

That is, a structure where the Ni layer 14 is interposed between the base material 12 and the Al layer 16 as a barrier layer is attained, and at heat treatment for forming an Si thin film for a solar battery, for instance, mutual diffusion occurring between the Al layer 16 and the substrate 12 is prevented, and generation of a weak intermetallic compound, based on the mutual diffusion, is suppressed.例文帳に追加

即ち、基材１２とＡｌ層１６との間にＮｉ層１４がバリア層として介在している構造となり、例えば太陽電池用のＳｉ薄膜を形成する熱処理の際に、Ａｌ層１６と基材１２との間で生起する相互拡散を防止し、その相互拡散に基づく脆弱な金属間化合物の生成を抑制している。 - 特許庁

It is preferable that the radius R of the region subjected to diffusion treatment from the edge of the light transmission body and the thickness of the light transmission body at the edge satisfy the relation of t/5<R<5t.例文帳に追加

上記拡散処理が施された部分の導光体のエッジからの半径をＲ（ｍｍ）で、エッジでの導光体の厚さをｔ（ｍｍ）でそれぞれ表した場合、Ｒおよびｔが式、ｔ／５＜Ｒ＜５ｔを満足することが好ましい。 - 特許庁

A hydrophilic part 21 is formed by communicating and applying a hydrophilic treatment to one part (hydrophilic part 21b) of a face 16 which contacts with the gas diffusion electrode of the rib 6, and to one part (hydrophilic part 21a) of a groove surface 17 forming the gas flow-passage 5.例文帳に追加

リブ６のガス拡散電極に接触する面１６の一部（親水部２１ｂ）と、ガス流路５を形成する溝表面１７の一部（親水部２１ａ）に、連通して親水処理を施すことにより親水部２１を形成する。 - 特許庁

(2) In the treating liquid to be used for the treatment of a lithographic printing plate having a silver halide emulsion layer and using a silver complex salt diffusion transfer method, the treating liquid contains both of protease and water-soluble gelatin.例文帳に追加

２）ハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理に用いられる処理液において、該処理液がタンパク質分解酵素と水溶性ゼラチンを共に含むことを特徴とする処理液。 - 特許庁

After the rolling and joining process, a heat treatment process, wherein the Mg-Ni laminating and mixing plate 32 is held in the temperature range of 200°C-450°C and a Mg_2Ni intermetallic compound is synthesized by counter diffusion between solid phases, is preferably conducted.例文帳に追加

圧延接合工程を行った後，Ｍｇ−Ｎｉ積層混合板３２を２００℃〜４５０℃の温度域に保持し，固相間の相互拡散によってＭｇ_２Ｎｉ金属間化合物を合成する熱処理工程を行うことが好ましい。 - 特許庁

Then, the carbon potential in the carburizing chamber is reduced to the second carbon potential lower than the first carbon potential by the carbon potential adjusting mechanism, and the second carbon potential is maintained for the predetermined time to allow the workpiece to be subjected to diffusion treatment.例文帳に追加

また、カーボンポテンシャル調節機構によって、浸炭室のカーボンポテンシャルを第一のカーボンポテンシャルよりも低い第二のカーボンポテンシャルに低下させ、第二のカーボンポテンシャルを所定の時間保持した状態で、被処理体に拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for heat-treating a semiconductor substrate capable of satisfactorily activating an impurity diffusion layer without causing temperature unevenness or a hot spot on the semiconductor substrate, and to provide a heat treatment device.例文帳に追加

半導体基板に温度むらやホットスポットを生じさせることなく、不純物拡散層を充分に活性化させ、かつ、不純物拡散層を所望のプロファイルにすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

A manufacturing method for a vertical bipolar transistor has the following steps of: implanting impurities over a plurality of times while changing an implantation energy when forming an impurity diffusion region in a semiconductor substrate 4; and subsequently subjecting the semiconductor substrate 4 to heat treatment.例文帳に追加

半導体基板４に不純物拡散領域を形成する際に、注入エネルギーを変えながら複数回に亘って不純物を注入する工程と、その後に半導体基板４を熱処理する工程を備えている。 - 特許庁

This Ni plated steel sheet can be produced by forming the Fe-Ni diffusion layer which has numerous concaves of crack state on the surface by performing a heat treatment after plating Ni of 1 to 9 g/m2 on a surface of one side of the steel sheet.例文帳に追加

このＮｉメッキ鋼板は、鋼板の一方の面に１〜９ｇ／ｍ^2 のＮｉメッキを施した後、熱処理を行うことで表面に亀裂上の凹みを多数有するＦｅ−Ｎｉ拡散層を形成することにより製造できる。 - 特許庁

Paper treatment is applied to the liquid material, and by separating a liquid part and a solid part of the liquid material and accumulating the solid part, the sheet (corresponding to the gas diffusion material), in which the conductive material and the pulp material are the main components, is formed.例文帳に追加

液状物に対して抄紙処理を行ない、液状物の液分と固形分とを分離して固形分を集積させることにより、導電物質およびパルプ材を主要成分とするシート（ガス拡散素材に相当）を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

A light source 5 is provided at one end side end part 3A of a rod-shape light guide fiber 3 and by irradiating light from the other end side end part 3B, lighting is performed, and a light diffusion treatment part 6 is formed at the side face of the light guide fiber 3.例文帳に追加

棒状のライトガイドファイバー３の一端側端面３Ａに光源５を設け、他端側端面３Ｂから光を照射して照明するようにすると共に、ライトガイドファイバー３の側面に光拡散加工部６を形成する。 - 特許庁

Subsequently, an Ni film 108 is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101, and RTA (rapid thermal annealing) treatment is applied to form a nickel silicide film 109 on the upper part of the gate electrode 104 and the upper part of the diffusion layer through self-alignment.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にＮｉ膜１０８を堆積し、ＲＴＡ処理を行い、ゲート電極１０４の上部及び拡散層の上部に自己整合的にニッケルシリサイド膜１０９を形成する。 - 特許庁

Then heat treatment is carried out by irradiation with an energy beam 19 to diffuse impurity atoms in the silicon film 13 by using the compound layer 18 as an impurity diffusion source, thereby forming a source area 20 and a drain area 21.例文帳に追加

次に、エネルギービーム１９を照射して熱処理を行うことにより、化合物層１８を不純物拡散源としてシリコン膜１３に不純物原子を拡散させてソース領域２０およびドレイン領域２１を形成する。 - 特許庁

After the thermal diffusion, when etching performs a pn junction isolation by using a substrate surface treatment apparatus, the semiconductor substrate 1 is installed in a conveyance roller 6 so that the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 may turn to the up-stream conveyance direction.例文帳に追加

熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。 - 特許庁

Deteriorating of crystallizability of the epitaxial base layer or spreading of the base due to diffusion of a dopant of the base layer caused by heating the base layer by the heat treatment in association with the formation of the graft base like prior art is prevented.例文帳に追加

従来のようにグラフトベースの形成に伴う熱処理によってエピタキシャルベース層も加熱され、エピタキシャルベース層の結晶性が劣化したり、エピタキシャルベース層のドーパントが拡散してベース幅が広がってしまうことは防止される。 - 特許庁

To resolve the problem that conventionally polycrystalline silicon transistor which requires heat treatment process at a high temperature for the formation of source and drain regions, and that it is difficult to form a minute transistor due to diffusion of impurities from the source and drain regions.例文帳に追加

多結晶シリコントランジスタは、ソースおよびドレイン領域の形成のために高温の熱処理工程を必要とし、ソースおよびドレイン領域からの不純物拡散により微細なトランジスタを形成することが困難である。 - 特許庁

To provide a plating treatment device for electronic parts substrates, etc., which prevents the diffusion of metal contamination in and out of a plating device, does not dissolve seed layers and cleans only the outer peripheral edges without the occurrence of defects by splashing of a cleaning tank.例文帳に追加

めっき装置内外での金属汚染の拡散を防止し、シード層が溶解せず、洗浄液が飛散して欠陥が発生せず、外周縁部のみを洗浄する電子部品基板等のめっき処理装置とその方法を提供する。 - 特許庁

To moderate the restriction which accrues in the boil-off gas treatment by utilizing the boil-off gas produced at the time of filling the liquefied natural gas from a tanker in order to raise the pressure in the tanker or to reduce the quantity of diffusion into the atmospheric air.例文帳に追加

タンクローリーからの液化天然ガスの充填に際して発生するボイルオフガスをタンクローリー内の昇圧に利用してボイルオフガスの処理において発生する制約を緩和する、あるいは、大気中への放散量を減少する。 - 特許庁

To provide a plating treatment device for an electronic component substrate or the like, with which the diffusion of metal contamination at the inside and outside of the plating device is prevented, the dissolution of a seed layer is suppressed, the defects caused by scattering of a cleaning liquid are suppressed, and only the peripheral edge part is cleaned.例文帳に追加

めっき装置内外での金属汚染の拡散を防止し、シード層が溶解せず、洗浄液が飛散して欠陥が発生せず、外周縁部のみを洗浄する電子部品基板等のめっき処理装置を提供する。 - 特許庁

The method for carburizing workpieces having edge parts includes: a plasma carburizing treatment (a carburizing treatment step) of storing workpieces having edge parts into a vacuum furnace, feeding a carburizing gas into the vacuum furnace and performing glow discharge; and the subsequent step (a diffusion step) of diffusing carbon in the surface layers of the workpieces into the workpieces by a neutral or reducing gas plasma treatment including an inert gas represented by argon.例文帳に追加

真空炉内に、エッジ部を有するワークを収容し、該真空炉内に浸炭性ガスを供給してグロー放電するプラズマ浸炭処理（浸炭処理工程）を施した後、引き続きアルゴンに代表される不活性ガスを含む中性あるいは還元性のガスプラズマ処理によりワーク表面層の炭素をワーク内部に拡散させる工程（拡散工程）を有することを特徴とする、エッジ部を有するワークの浸炭方法。 - 特許庁

To provide a precoat liquid for the base layer of a photocatalyst layer, a wallpaper intermediate fitted with a photocatalyst layer, and a wallpaper fitted with a photocatalyst layer and subjected to foaming treatment having such mechanical strengths and flexibility that no break occurs even when subjected to mechanical shock such as foaming treatment and having a function of suppressing the diffusion of a low-boiling point organic solvent.例文帳に追加

発泡処理のような機械的衝撃を受けても破断されない機械的強度と柔軟性を有し、かつ、低沸点有機溶剤の拡散を抑制する機能を持つ、光触媒体層の下地層用プレコート液、光触媒体層付壁紙中間体および発泡処理がなされた光触媒体層付壁紙を提供する。 - 特許庁

An electron source, in which, after the carbon nanotube is fitted to the central part of the tip of the conductive substrate through a conductive bonding material or an organic material, the carbon nanotube is jointed by ohmic contact by carrying out carbonization treatment of the organic material by heat treatment or diffusion bonding, is applied to the electron microscope and the electron beam lithography device.例文帳に追加

導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 - 特許庁

Otherwise, this method comprises a first film forming process to form an alloy film mainly formed of copper to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the alloy film, and a copper film heat treatment process to execute the heat treatment of the alloy film.例文帳に追加

また、半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、銅を主成分とする合金膜を成膜する第１の成膜工程と、合金膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、合金膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This is the membrane-electrode junction wherein a (proton conductive) polymer membrane for the membrane-electrode junction comprised that a discharge treatment is applied to a surface of the polymer membrane containing a proton conductive substituent or a proton conductive material is installed between a pair of catalyst carrying gas diffusion electrodes mutually separated, and wherein it is bonded with a catalyst face side of the gas diffusion electrodes.例文帳に追加

プロトン伝導性置換基またはプロトン伝導性物質を含有する高分子膜の表面に放電処理を施してなる膜−電極接合体用（プロトン伝導性）高分子膜を、互いに離隔する１対の触媒担持ガス拡散電極の間に設置し、ガス拡散電極の触媒面側と接合されてなる膜−電極接合体により達成される。 - 特許庁

The white organic electroluminescent element is formed by laminating a transparent substrate 2 having a light diffusion part 8 formed by light diffusion treatment on one surface and a transparent conductive film on the other surface, a hole transport layer 4; the organic luminous layer 1 of blue emission and yellow emission; an electron transport layer 5, a metallic layer 6; and a conductive metal electrode 7.例文帳に追加

一方の表面が光拡散処理された光拡散部８として形成され、他方の表面に透明導電膜３が形成された透明基板２と、ホール輸送層４と、青色発光及び黄色発光の有機発光層１と、電子輸送層５と、金属層６と、導電性金属電極７とを積層して白色有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。 - 特許庁

To obtain a wafer in which fluctuations in transistor characteristics are reduced by preventing the diffusion into silicon of Cu produced by a heat treatment such as a Cu interconnection forming process and a manufacturing method therefor, as well as to obtain a semiconductor device formed of the same wafer.例文帳に追加

Ｃｕ配線形成工程などの熱処理により発生するＣｕのシリコン中への拡散を防止してトランジスタ特性の変動を少なくさせたウェーハ及びその製造方法、このウェーハから形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁